JPH07254315A - 被膜の形成方法 - Google Patents
被膜の形成方法Info
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- JPH07254315A JPH07254315A JP4255094A JP4255094A JPH07254315A JP H07254315 A JPH07254315 A JP H07254315A JP 4255094 A JP4255094 A JP 4255094A JP 4255094 A JP4255094 A JP 4255094A JP H07254315 A JPH07254315 A JP H07254315A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】アーク放電プラズマを用いて、大きい面積の基
体に均一な厚みの被膜を形成する方法を提供すること。 【構成】２つのプラズマ発生源を、それぞれから引き出
す放電プラズマ流の引き出し方向が対向するように配置
し、さらに基体を水平方向でプラズマの引き出し方向と
直交する方向に移動させながら被膜の被覆を行う。
体に均一な厚みの被膜を形成する方法を提供すること。 【構成】２つのプラズマ発生源を、それぞれから引き出
す放電プラズマ流の引き出し方向が対向するように配置
し、さらに基体を水平方向でプラズマの引き出し方向と
直交する方向に移動させながら被膜の被覆を行う。
Description
【０００１】本発明は、たとえば複合陰極型プラズマガ
ンの如き放電プラズマ発生手段により得られるアーク放
電プラズマを用いて、基体に均一な厚みの被膜を形成す
る方法、とりわけ大きな面積の基体に低抵抗の透明導電
膜を形成するのに好適な方法に関する。
ンの如き放電プラズマ発生手段により得られるアーク放
電プラズマを用いて、基体に均一な厚みの被膜を形成す
る方法、とりわけ大きな面積の基体に低抵抗の透明導電
膜を形成するのに好適な方法に関する。
【０００２】従来より、減圧された容器内で基体にスズ
を添加した酸化インジウム透明導電膜を被覆する方法と
して、真空蒸着法、スパッタリング法等が知られている
が、これらの方法では、被覆される基体の温度が３００
℃以下では、抵抗率が２×１０-4Ωｃｍ以下の低抵抗率
を有する透明導電膜を被覆することは困難であった。基
体の温度が３００℃以下で、上記低抵抗率を有する透明
導電膜を被覆する方法として、特開平２−２２８４６９
号公報に、複合陰極型プラズマから発生したプラズマ
を、蒸着原料が充填されたハースに収束させ、ハース内
の蒸着原料を加熱蒸発させる方法が開示されている。ま
た、大面積の基体へ膜を均一に被覆する方法として、複
数のプラズマガンとそれと同数のハースを設置して行う
方法が、特開平１−２７９７４８号公報に開示されてい
る。
を添加した酸化インジウム透明導電膜を被覆する方法と
して、真空蒸着法、スパッタリング法等が知られている
が、これらの方法では、被覆される基体の温度が３００
℃以下では、抵抗率が２×１０-4Ωｃｍ以下の低抵抗率
を有する透明導電膜を被覆することは困難であった。基
体の温度が３００℃以下で、上記低抵抗率を有する透明
導電膜を被覆する方法として、特開平２−２２８４６９
号公報に、複合陰極型プラズマから発生したプラズマ
を、蒸着原料が充填されたハースに収束させ、ハース内
の蒸着原料を加熱蒸発させる方法が開示されている。ま
た、大面積の基体へ膜を均一に被覆する方法として、複
数のプラズマガンとそれと同数のハースを設置して行う
方法が、特開平１−２７９７４８号公報に開示されてい
る。
【０００３】特開平２−２２８４６９号に開示されてい
るアーク放電プラズマガンとハースとからなる蒸発手段
を一組用いて被膜を被覆する方法では、ハースからの蒸
発流の広がりに限りがあるため大きな面積の基体に全面
に均一な膜を被覆することが困難であるという問題点が
あった。一方、特開平１−２７９７４８号に開示されて
いるプラズマ流の真空槽内へ導き出される方向を同じよ
うにした蒸発手段を複数組用いる方法では、発生するプ
ラズマ流の相互干渉により、各々のプラズマが乱され、
そのため個々のプラズマを、それぞれのハースへ制御さ
れた状態で収束させることが困難であった。そのため、
大面積の基体に均一に膜を形成することは困難であっ
た。
るアーク放電プラズマガンとハースとからなる蒸発手段
を一組用いて被膜を被覆する方法では、ハースからの蒸
発流の広がりに限りがあるため大きな面積の基体に全面
に均一な膜を被覆することが困難であるという問題点が
あった。一方、特開平１−２７９７４８号に開示されて
いるプラズマ流の真空槽内へ導き出される方向を同じよ
うにした蒸発手段を複数組用いる方法では、発生するプ
ラズマ流の相互干渉により、各々のプラズマが乱され、
そのため個々のプラズマを、それぞれのハースへ制御さ
れた状態で収束させることが困難であった。そのため、
大面積の基体に均一に膜を形成することは困難であっ
た。
【０００４】本発明は、減圧した雰囲気が調節できる成
膜室６の側壁部に設置したプラズマ発生源２と、前記プ
ラズマ発生源内で発生させた不活性ガスを含むアーク放
電プラズマを成膜室６内に水平方向に放電プラズマ流と
して引き出す磁気コイル４、１４と、成膜室６の底部に
設けられたハース７と前記ハースに取り付けられ前記ア
ーク放電プラズマ流を下方のハース７内に導く磁場形成
手段８とを有する蒸発手段を用い、前記ハース内に充填
した蒸着材料を蒸発させてハース７の上方に保持された
基体表面に蒸着材料を含む物質の被膜を形成する方法に
おいて、前記蒸発手段を２組、プラズマ発生源からの放
電プラズマ流の引き出し方向が対向するように配置し、
かつ、前記基体の保持は水平方向で前記プラズマの引き
出し方向と直交する方向に移動させるようにしたことを
特徴とする被膜の形成方法である。
膜室６の側壁部に設置したプラズマ発生源２と、前記プ
ラズマ発生源内で発生させた不活性ガスを含むアーク放
電プラズマを成膜室６内に水平方向に放電プラズマ流と
して引き出す磁気コイル４、１４と、成膜室６の底部に
設けられたハース７と前記ハースに取り付けられ前記ア
ーク放電プラズマ流を下方のハース７内に導く磁場形成
手段８とを有する蒸発手段を用い、前記ハース内に充填
した蒸着材料を蒸発させてハース７の上方に保持された
基体表面に蒸着材料を含む物質の被膜を形成する方法に
おいて、前記蒸発手段を２組、プラズマ発生源からの放
電プラズマ流の引き出し方向が対向するように配置し、
かつ、前記基体の保持は水平方向で前記プラズマの引き
出し方向と直交する方向に移動させるようにしたことを
特徴とする被膜の形成方法である。
【０００５】１つの真空容器内に同時に複数の高密度プ
ラズマ流を発生させると、高密度プラズマ流が形成する
自己誘導磁場により、互いにプラズマ流が影響を受け、
ハース内に収束させるべき収束位置がハース中心から外
れ、そのため各々のハースからの蒸発原料の蒸発量、蒸
発方向の分布が異なり、各々のハースからの蒸発を同じ
にすることができなくなる。本発明においては、前記高
密度アーク放電プラズマ流の真空槽内に導き出される方
向がそれぞれ１８０度異なるプラズマ流となるようにし
ているので、自己誘導磁場に基因するプラズマ流の相互
干渉が無い。これにより、各ハースからの蒸発量、蒸発
方向を同じにすることができる。
ラズマ流を発生させると、高密度プラズマ流が形成する
自己誘導磁場により、互いにプラズマ流が影響を受け、
ハース内に収束させるべき収束位置がハース中心から外
れ、そのため各々のハースからの蒸発原料の蒸発量、蒸
発方向の分布が異なり、各々のハースからの蒸発を同じ
にすることができなくなる。本発明においては、前記高
密度アーク放電プラズマ流の真空槽内に導き出される方
向がそれぞれ１８０度異なるプラズマ流となるようにし
ているので、自己誘導磁場に基因するプラズマ流の相互
干渉が無い。これにより、各ハースからの蒸発量、蒸発
方向を同じにすることができる。
【０００６】以下に、本発明を実施例に従って説明す
る。図１は本発明によりＩＴＯ透明導電膜を基体上に形
成するのに用いた成膜装置の断面図である。アーク放電
プラズマは、アーク放電プラズマ発生源２と底部に永久
磁石８を有しアノードとして作用する蒸着原料をその中
に入れたハース７との間で、プラズマ発生用直流電源５
によってアーク放電を行うことで生成される。かかるア
ーク放電プラズマ発生源２としては、複合陰極型プラズ
マ発生装置、又は圧力勾配型プラズマ発生装置、又は両
者を組み合わせたプラズマ発生装置が好ましい。このよ
うなプラズマ発生装置については、真空第２５巻第１０
号（１９８２年）に記載されているものを用いることが
できる。例えば、図２のような装置が挙げられる。複合
陰極型プラズマ発生装置は、熱容量の小さい補助陰極１
７と、ホウ化ランタン（ＬａＢ6）からなる主陰極１８
とを有し、該補助陰極に初期放電を集中させ、それを利
用して主陰極ＬａＢ6を加熱し、主陰極ＬａＢ6が最終陰
極としてアーク放電を行うようにしたプラズマ発生装置
である。補助陰極としてはＷ，Ｔａ，Ｍｏ等の高融点金
属のパイプ状のものが挙げられる。主陰極１８は円筒１
９に接して設けられ、補助陰極１７は円板状熱シールド
２２を介して保持されている。円筒１９の先端には、タ
ングステンＷからなる円板２３が設けられている。水冷
機構が設けられた陰極支持台２０の中心部に設けられた
放電ガス導入口２１からプラズマ発生用のガスが導入さ
れ、そのガスは円板２３の開口部を通過して成膜室６内
に導かれ、排気口９を経て成膜室６外に排気ポンプによ
り排気される。
る。図１は本発明によりＩＴＯ透明導電膜を基体上に形
成するのに用いた成膜装置の断面図である。アーク放電
プラズマは、アーク放電プラズマ発生源２と底部に永久
磁石８を有しアノードとして作用する蒸着原料をその中
に入れたハース７との間で、プラズマ発生用直流電源５
によってアーク放電を行うことで生成される。かかるア
ーク放電プラズマ発生源２としては、複合陰極型プラズ
マ発生装置、又は圧力勾配型プラズマ発生装置、又は両
者を組み合わせたプラズマ発生装置が好ましい。このよ
うなプラズマ発生装置については、真空第２５巻第１０
号（１９８２年）に記載されているものを用いることが
できる。例えば、図２のような装置が挙げられる。複合
陰極型プラズマ発生装置は、熱容量の小さい補助陰極１
７と、ホウ化ランタン（ＬａＢ6）からなる主陰極１８
とを有し、該補助陰極に初期放電を集中させ、それを利
用して主陰極ＬａＢ6を加熱し、主陰極ＬａＢ6が最終陰
極としてアーク放電を行うようにしたプラズマ発生装置
である。補助陰極としてはＷ，Ｔａ，Ｍｏ等の高融点金
属のパイプ状のものが挙げられる。主陰極１８は円筒１
９に接して設けられ、補助陰極１７は円板状熱シールド
２２を介して保持されている。円筒１９の先端には、タ
ングステンＷからなる円板２３が設けられている。水冷
機構が設けられた陰極支持台２０の中心部に設けられた
放電ガス導入口２１からプラズマ発生用のガスが導入さ
れ、そのガスは円板２３の開口部を通過して成膜室６内
に導かれ、排気口９を経て成膜室６外に排気ポンプによ
り排気される。
【０００７】また、圧力勾配型プラズマ発生装置は、陰
極と陽極との間に中間電極を介在させ、陰極領域を１ｔ
ｏｒｒ程度に、陽極領域を１０-3ｔｏｒｒ程度に保って
放電を行うものであり、陽極領域からのイオンの逆流に
よる陰極の損傷がない上に、中間電極のない放電形式の
ものと比較して、放電電子流をつくり出すためのキャリ
アガスのガス効率が飛躍的に高く、大電流放電が可能で
あるという利点を有している。複合陰極型プラズマ発生
装置と、圧力勾配型プラズマ発生装置とは、それぞれ上
記のような利点を有しており、両者を組み合わせたプラ
ズマ発生装置、即ち、陰極として複合陰極を用いるとと
もに中間電極も配したプラズマ発生装置は、上記利点を
同時に得ることが出来るので本発明のアーク放電プラズ
マ発生源として好ましい。
極と陽極との間に中間電極を介在させ、陰極領域を１ｔ
ｏｒｒ程度に、陽極領域を１０-3ｔｏｒｒ程度に保って
放電を行うものであり、陽極領域からのイオンの逆流に
よる陰極の損傷がない上に、中間電極のない放電形式の
ものと比較して、放電電子流をつくり出すためのキャリ
アガスのガス効率が飛躍的に高く、大電流放電が可能で
あるという利点を有している。複合陰極型プラズマ発生
装置と、圧力勾配型プラズマ発生装置とは、それぞれ上
記のような利点を有しており、両者を組み合わせたプラ
ズマ発生装置、即ち、陰極として複合陰極を用いるとと
もに中間電極も配したプラズマ発生装置は、上記利点を
同時に得ることが出来るので本発明のアーク放電プラズ
マ発生源として好ましい。
【０００８】本発明に用いた成膜装置の断面図を図１に
示す。放電陰極としてのプラズマ発生源２、永久磁石３
を内蔵した第１中間電極１１、磁気コイル４を内蔵した
第２中間電極１２、大口径磁気コイル１４を成膜室６の
側壁に設置し、成膜室の底部に永久磁石８を下部に設け
たハース７を設け、これらを一組として一つの蒸着手段
とした。ハース７は放電プラズマ１３の陽極として、プ
ラズマ発生源２は陰極として作用する。上記蒸着手段を
二つ、前記放電プラズマ流１３の真空槽内に導き出され
る方向が、向かい合うように設置した 。磁気コイル４
により形成された水平磁場によって成膜室６内に引き出
された二つの放電プラズマ流１３、１３を蒸着原料が充
填されたハース内に導くために、それぞれハース７、７
の底部に設けた永久磁石８、８の垂直磁場により、成膜
室６内で下方に約９０゜に曲げ、蒸着原料を加熱蒸発す
る。基体１５の背面に基体加熱機構１６が設けられてい
る。
示す。放電陰極としてのプラズマ発生源２、永久磁石３
を内蔵した第１中間電極１１、磁気コイル４を内蔵した
第２中間電極１２、大口径磁気コイル１４を成膜室６の
側壁に設置し、成膜室の底部に永久磁石８を下部に設け
たハース７を設け、これらを一組として一つの蒸着手段
とした。ハース７は放電プラズマ１３の陽極として、プ
ラズマ発生源２は陰極として作用する。上記蒸着手段を
二つ、前記放電プラズマ流１３の真空槽内に導き出され
る方向が、向かい合うように設置した 。磁気コイル４
により形成された水平磁場によって成膜室６内に引き出
された二つの放電プラズマ流１３、１３を蒸着原料が充
填されたハース内に導くために、それぞれハース７、７
の底部に設けた永久磁石８、８の垂直磁場により、成膜
室６内で下方に約９０゜に曲げ、蒸着原料を加熱蒸発す
る。基体１５の背面に基体加熱機構１６が設けられてい
る。
【０００９】実施例１ 成膜室６内を真空排気ポンプによって２×１０-5Ｔｏｒ
ｒの圧力に排気した後、ガラス基板１５を２００℃に加
熱した状態で、放電ガス導入パイプ１から放電ガスとし
てアルゴン（Ａｒ）ガスを約３０ｓｃｃｍを導入し、互
いに向き合って設置された２つのプラズマ発生装置にそ
れぞれ１００Ａの電流を供給し、ハ−ス７と永久磁石８
により構成された２つの電極との間でアーク放電プラズ
マを２つ生起させた。図１に示すように、プラズマ流は
ハースであるアノード電極の真上でハース下に取り付け
られた永久磁石により９０゜下方に曲げられ蒸発原料を
加熱蒸発させる。なお、成膜中は酸素ガスを反応性ガス
導入口１０より約５０ｓｃｃｍ導入した。基板１５は１
０ｃｍ角、厚さ１．１ｍｍのガラス基板を図３の基板進
行方向に対して垂直方向に横１列に８枚並べて配置し
た。そして、基板を図３に示す方向に一定速度で移動さ
せ、ＩＴＯ膜を成膜した。また、得られたＩＴＯ膜の膜
厚みと比抵抗の値の測定は、図３の左端のガラス基板の
左端をゼロ位置として一定間隔毎に行った。
ｒの圧力に排気した後、ガラス基板１５を２００℃に加
熱した状態で、放電ガス導入パイプ１から放電ガスとし
てアルゴン（Ａｒ）ガスを約３０ｓｃｃｍを導入し、互
いに向き合って設置された２つのプラズマ発生装置にそ
れぞれ１００Ａの電流を供給し、ハ−ス７と永久磁石８
により構成された２つの電極との間でアーク放電プラズ
マを２つ生起させた。図１に示すように、プラズマ流は
ハースであるアノード電極の真上でハース下に取り付け
られた永久磁石により９０゜下方に曲げられ蒸発原料を
加熱蒸発させる。なお、成膜中は酸素ガスを反応性ガス
導入口１０より約５０ｓｃｃｍ導入した。基板１５は１
０ｃｍ角、厚さ１．１ｍｍのガラス基板を図３の基板進
行方向に対して垂直方向に横１列に８枚並べて配置し
た。そして、基板を図３に示す方向に一定速度で移動さ
せ、ＩＴＯ膜を成膜した。また、得られたＩＴＯ膜の膜
厚みと比抵抗の値の測定は、図３の左端のガラス基板の
左端をゼロ位置として一定間隔毎に行った。
【００１０】図４（ａ）および図４（ｂ）に、上記の方
法で得たＩＴＯ膜の膜厚分布、抵抗率分布をそれぞれ示
す。±５％以内の膜厚分布を得ることができるのは、基
体左端から２０ｃｍの位置から７０ｃｍの位置の５０ｃ
ｍの範囲であることがわかった。１．５×１０-4Ω・ｃ
ｍ以上２．０×１０-4Ω・ｃｍ以下の抵抗率が得られる
範囲は基体左端から１３ｃｍの位置から７０ｃｍの位置
の５７ｃｍの間の範囲であることがわかった。したがっ
て、膜厚±５％以内、かつ抵抗率１．５×１０-4Ω・ｃ
ｍ以上２．０×１０-4Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ膜を成膜で
きる範囲は、基体左端から２０ｃｍの位置から７０ｃｍ
の位置までの５０ｃｍの範囲であることがわかった。基
板進行方向に対しては、膜厚、抵抗率分布がなかったこ
とから、一辺が５０ｃｍの基板に膜厚±５％以内、かつ
抵抗率１．５×１０-4Ω・ｃｍ以上２．０×１０-4Ω・
ｃｍ以下の均一および均質なＩＴＯ膜を成膜することが
できる。
法で得たＩＴＯ膜の膜厚分布、抵抗率分布をそれぞれ示
す。±５％以内の膜厚分布を得ることができるのは、基
体左端から２０ｃｍの位置から７０ｃｍの位置の５０ｃ
ｍの範囲であることがわかった。１．５×１０-4Ω・ｃ
ｍ以上２．０×１０-4Ω・ｃｍ以下の抵抗率が得られる
範囲は基体左端から１３ｃｍの位置から７０ｃｍの位置
の５７ｃｍの間の範囲であることがわかった。したがっ
て、膜厚±５％以内、かつ抵抗率１．５×１０-4Ω・ｃ
ｍ以上２．０×１０-4Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ膜を成膜で
きる範囲は、基体左端から２０ｃｍの位置から７０ｃｍ
の位置までの５０ｃｍの範囲であることがわかった。基
板進行方向に対しては、膜厚、抵抗率分布がなかったこ
とから、一辺が５０ｃｍの基板に膜厚±５％以内、かつ
抵抗率１．５×１０-4Ω・ｃｍ以上２．０×１０-4Ω・
ｃｍ以下の均一および均質なＩＴＯ膜を成膜することが
できる。
【００１１】比較例１ 比較例１で用いた成膜装置の上から見た平面図を図５に
示す。プラズマ流の真空槽内へ導き出される方向が同じ
である蒸発手段を２組用いている。そして、それ以外は
実施例１と同じようにしてＩＴＯの成膜を行った。得ら
れた膜の膜厚分布および抵抗率分布をそれぞれ図６
（ａ）および（ｂ）に示す。実施例１と同様、膜厚±５
％以内、かつ抵抗率１．５×１０-4Ω・ｃｍ以上２．０
×１０-4Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ膜を成膜することができ
る範囲は、基体左側から２６ｃｍの位置から４６ｃｍの
位置の２０ｃｍの範囲であることがわかった。したがっ
て、一辺が２０ｃｍの基板で膜厚±５％以内、かつ抵抗
率１．５×１０-4Ω・ｃｍ以上２．０×１０-4Ω・ｃｍ
以下のＩＴＯ膜を成膜することができ、これは、実施例
１に比較して、均一な膜を成膜できる基体の面積が小さ
くなったことを意味する。
示す。プラズマ流の真空槽内へ導き出される方向が同じ
である蒸発手段を２組用いている。そして、それ以外は
実施例１と同じようにしてＩＴＯの成膜を行った。得ら
れた膜の膜厚分布および抵抗率分布をそれぞれ図６
（ａ）および（ｂ）に示す。実施例１と同様、膜厚±５
％以内、かつ抵抗率１．５×１０-4Ω・ｃｍ以上２．０
×１０-4Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ膜を成膜することができ
る範囲は、基体左側から２６ｃｍの位置から４６ｃｍの
位置の２０ｃｍの範囲であることがわかった。したがっ
て、一辺が２０ｃｍの基板で膜厚±５％以内、かつ抵抗
率１．５×１０-4Ω・ｃｍ以上２．０×１０-4Ω・ｃｍ
以下のＩＴＯ膜を成膜することができ、これは、実施例
１に比較して、均一な膜を成膜できる基体の面積が小さ
くなったことを意味する。
【００１２】本発明によれば、より大きい面積の基体に
膜厚みを均一に被覆することができる。また、ＩＴＯ膜
を成膜するにあたっては、抵抗率分布のよい被膜をより
大きい面積の基体に被覆することができる。
膜厚みを均一に被覆することができる。また、ＩＴＯ膜
を成膜するにあたっては、抵抗率分布のよい被膜をより
大きい面積の基体に被覆することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施に用いた成膜装置の一部断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明に用いた放電プラズマ発生源の一例の断
面図である。
面図である。
【図３】本発明に用いた成膜装置の一部平面図である。
【図４】実施例１で得られた被膜の膜厚分布と抵抗率分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図５】比較例１で用いた成膜装置の一部平面図であ
る。
る。
【図６】比較例１で得られた被膜の膜厚分布と抵抗率分
布を示す図である。
布を示す図である。
１・・・・・放電ガス導入口、２・・・・・プラズマ発
生源、３・・・・・永久磁石、４・・・・・磁気コイル
、５・・・・・放電電源、６・・・・・成膜室、７・
・・・・ハース、８・・・・・永久磁石、９・・・・・
排気ポンプ、１０・・・・反応性ガス導入口、１１・・
・・第１中間電極、１２・・・・第２中間電極、１３・
・・・プラズマ流、１４・・・・大口径磁気コイル、１
５・・・・基体、１６・・・・基体加熱機構、１７・・
・・Ｔａパイプの補助陰極、１８・・・・ＬａＢ6主陰
極、１９・・・・Ｍｏからなる円筒、２０・・・・ステ
ンレスからなる陰極支持台、２１・・・・放電ガス導入
口、２２・・・・Ｍｏからなる円板状の熱シールド、２
３・・・・陰極を保護するためのＷからなる円板、
生源、３・・・・・永久磁石、４・・・・・磁気コイル
、５・・・・・放電電源、６・・・・・成膜室、７・
・・・・ハース、８・・・・・永久磁石、９・・・・・
排気ポンプ、１０・・・・反応性ガス導入口、１１・・
・・第１中間電極、１２・・・・第２中間電極、１３・
・・・プラズマ流、１４・・・・大口径磁気コイル、１
５・・・・基体、１６・・・・基体加熱機構、１７・・
・・Ｔａパイプの補助陰極、１８・・・・ＬａＢ6主陰
極、１９・・・・Ｍｏからなる円筒、２０・・・・ステ
ンレスからなる陰極支持台、２１・・・・放電ガス導入
口、２２・・・・Ｍｏからなる円板状の熱シールド、２
３・・・・陰極を保護するためのＷからなる円板、
フロントページの続き (72)発明者 堀口 直人 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】減圧した雰囲気が調節できる成膜室６の側
壁部に設置したプラズマ発生源２と、前記プラズマ発生
源内で発生させた不活性ガスを含むアーク放電プラズマ
を成膜室６内に水平方向に放電プラズマ流として引き出
す磁気コイル４、１４と、成膜室６の底部に設けられた
ハース７と前記ハースに取り付けられ前記アーク放電プ
ラズマ流を下方のハース７内に導く磁場形成手段８とを
有する蒸発手段を用い、前記ハース内に充填した蒸着材
料を蒸発させてハース７の上方に保持された基体表面に
蒸着材料を含む物質の被膜を形成する方法において、前
記蒸発手段を２組、プラズマ発生源からの放電プラズマ
流の引き出し方向が対向するように配置し、かつ、前記
基体の保持は水平方向で前記プラズマの引き出し方向と
直交する方向に移動させるようにしたことを特徴とする
被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255094A JPH07254315A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255094A JPH07254315A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 被膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254315A true JPH07254315A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12639171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4255094A Pending JPH07254315A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07254315A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013153865A1 (ja) | 2012-04-12 | 2013-10-17 | 中外炉工業株式会社 | プラズマ発生装置および蒸着装置並びにプラズマ発生方法 |
| WO2014027508A1 (ja) * | 2012-08-15 | 2014-02-20 | 中外炉工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2015001769A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 住友重機械工業株式会社 | プラズマシミュレーション方法及びプラズマシミュレーションプログラム |
| EP2838324A4 (en) * | 2012-04-09 | 2015-09-23 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | PLASMA PRODUCTION DEVICE, STEAM-PHASE DEPOSITION DEVICE, AND STEAM-PHASE DEPOSITION METHOD |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP4255094A patent/JPH07254315A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20140143373A (ko) | 2012-04-12 | 2014-12-16 | 쥬가이로 고교 가부시키가이샤 | 플라스마 발생 장치와 증착 장치 및 플라스마 발생 방법 |
| US9824867B2 (en) | 2012-04-12 | 2017-11-21 | Chugai Ro Co., Ltd. | Plasma generation apparatus, deposition apparatus, and plasma generation method |
| WO2014027508A1 (ja) * | 2012-08-15 | 2014-02-20 | 中外炉工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2014037572A (ja) * | 2012-08-15 | 2014-02-27 | Chugai Ro Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US8986458B2 (en) | 2012-08-15 | 2015-03-24 | Chugai Ro Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2015001769A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 住友重機械工業株式会社 | プラズマシミュレーション方法及びプラズマシミュレーションプログラム |
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