JPH03291376A - 真空蒸着方法および装置 - Google Patents

真空蒸着方法および装置

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JPH03291376A
JPH03291376A JP9156990A JP9156990A JPH03291376A JP H03291376 A JPH03291376 A JP H03291376A JP 9156990 A JP9156990 A JP 9156990A JP 9156990 A JP9156990 A JP 9156990A JP H03291376 A JPH03291376 A JP H03291376A
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JP
Japan
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evaporation
roller
vapor deposition
deposited
electron beam
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Pending
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JP9156990A
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English (en)
Inventor
Tadashi Yasunaga
正 安永
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はテープやディスクの基体に磁性体を蒸着して磁
性薄膜を形成するための真空蒸着方法および装置に関し
、詳しくは電子ビームを用いて蒸着物質を蒸発せしめる
斜め蒸着方法および装置に関するものである。
(従来の技術) 磁気記録媒体としては、粉末磁性材料と有機バインダ等
を混練したものを非磁性基体上に塗布し、これを乾燥せ
しめて磁性層を形成してなる、いわゆる「塗布型」磁気
記録媒体が従来広く使用されていたが、磁気記録がより
高記録密度化するのに伴ない、このような塗布型のもの
によって対応することはしだいに難しくなっている。こ
のため例えばHi−8システムにおけるような記録波長
が0.5μm以下の高密度記録域では、磁気エネルギー
を高くかつ磁性層を薄くできる、非磁性基体上に強磁性
金属薄膜を成膜してなる「金属薄膜型」磁気記録媒体が
実用化されている。
金属薄膜の成膜には、ウェットプロセスとして電解メツ
キ、無電解メツキ等があり、ドライプロセスとして真空
蒸着法、イオンブレーティング法。
スパッタリング法、CVD法等があるが、成膜速度、生
産性の点から真空蒸着法が最も適している。
「金属薄膜型」磁気記録媒体の一つである「蒸着テープ
」の製造においても真空蒸着法が利用されており、特に
、Coを主成分とした高融点金属を高速で蒸発せしめる
必要性から、電子ビーム蒸着法が採用されている。さら
に、必要な磁気特性(抗磁力He、角型比SQ)を確保
するため、蒸気流の一部成分のみ基体上に成膜せしめる
いわゆる「斜め蒸着法」が採用されている。第4図はこ
のような真空蒸着法を説明するものであり、耐火物ルツ
ボ1中に導入された蒸着材料2が電子ビーム3によって
加熱、溶解、蒸発せしめられ、蒸気流4が形成される。
この後、第6図に示すように蒸気流4は基体上に斜め方
向から付着せしめられ、磁性薄膜の成膜が行なわれる。
なお、このルツボ1の斜視図である第5図に示されるよ
うに、通常幅広の基体上に連続的に蒸着を行なうため、
ルツボ1を幅広とし、電子ビームをこの幅方向に走査す
るようにしている。
(発明が解決しようとする課題) ところで、こうして得られた蒸気流4は蒸発面を煮蒸発
源としたとき、COS″′αの分布を示すことが知られ
ている(例えば「真空ハンドブック」日本真空技術1i
J  p231)。このため、例えば「斜め蒸着法」と
組み合わせると蒸着効率が低くなる。
このことを第6図を用いて説明する。すなわち、基体l
Oは送り出しロール11から送り出され、冷却キャン1
3に沿って搬送されて巻取りロール12に巻き取られる
。一方、蒸発源15により形成された蒸気流IBは斜め
蒸着用遮蔽板14によって入射角が制限され、基体上に
付着せしめられて薄膜形成が行なわれる。すなわち、蒸
気流16中の網線部分leaのみが基体上に到達し、残
りの部分は真空槽内壁等に付着してしまう。したがって
この従来方法では蒸気流1Bのごく一部が使用されるに
過ぎず、蒸着効率は10%以下となってしまう。このた
め、蒸着材料の使用効率が悪く、また、生産速度を向上
させる上で障害となっていた。
(課題を解決するための手段) 本願発明の真空蒸着方法は、耐熱性ローラをその一部が
ルツボ内の蒸着物質液中に浸されるように位置せしめ、
上記耐熱性ローラを回転させ、この状態でこの耐熱性ロ
ーラの最上部から離れた周面位置において、そのローラ
周面に付着している上記蒸着物質液に電子ビームを照射
し、この蒸着物質を、回転ドラムの周面に巻きかけられ
ている被蒸着体表面に対し斜め方向から蒸着せしめるこ
とを特徴とするものである。
一方、本願発明の真空蒸着装置は、蒸着物質液を容れる
ルツボと、この蒸着物質液中に一部を浸された耐熱性ロ
ーラと、この耐熱性ローラを回転せしめるローラ回転機
構と、この耐熱性ローラの最上部から離れた周面位置に
おいて、そのローラ周面に付着している蒸着物質液に電
子ビームを照射する電子銃とを備えており、この電子ビ
ーム照射により蒸発された蒸着物質が回転ドラムの周面
に巻きかけられた被蒸着体に斜め蒸着されるような位置
に上記ルツボを配設してなることを特徴とするものであ
る。
(作  用) 上述した構成によれば、蒸着物質液にその一部を浸した
耐熱性ローラを回転させながら、このローラの最上部か
ら離れた位置において、そのローラ周面に付着した蒸着
物質に電子ビームを照射するようにしている。したがっ
て、この電子ビームが照射される位置におけるローラ周
面の法線はルツボ内の溶湯面に対して傾くこととなり電
子ビーム照射によって発生する蒸気流もこの法線を中心
としてeO8”αの分布を示すこととなる。このように
蒸気流の分布を傾けることにより、蒸気流の利用可能領
域を上記法線を中心とした周辺領域に合致させることが
可能となり、これにより従来よりも被蒸着体への蒸着効
率を高めることができる。
(実 施 例) 以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図は本発明の実施例に係る真空蒸着方法を説明する
ためその装置の一部を示す概略断面図である。この真空
蒸着方法では、まずルツボ2)中に蒸着物質22を導入
し、これを溶解させる。この後、このルツボ2)中に、
耐熱性ローラ23をその一部が上記蒸着物質に浸される
ように位置せしめ、ローラ回転機構によってこれらロー
ラ23を回転せしめる。上述したローラ23が回転し始
めると液状の蒸着物質はこのローラ23の周面に表面張
力により付着する。この状態で上記ローラ23の最上部
から離れた周面位置において、該ローラ23の周面に付
着し゛ている蒸着物質液に図示しない電子銃からの電子
ビーム25が照射される。第1図に示すようにこの電子
ビーム25が照射される位置における上記ローラ23の
周面の法線2Bは上記ルツボ2)内の蒸着物質液22a
の液面に対して傾くこととなり、上記電子ビーム25の
照射により形成された蒸気流27はこの法線方向2Bを
中心としたcos ”αの分布を示す。
なお、第1図に示すように上記実施例製電は、上記ルツ
ボ2)中の蒸着物質を常に溶融状態に保持するため予備
加熱用電子ビーム28を発生する電子ビーム発生用フィ
ラメント29を備えている。
また、上述したローラ回転機構は第2図に示すような構
成となっている。すなわち、駆動モータ31の回転軸に
軸支されたギア82が、上記ローラ23の回転軸33に
軸支されたギア33aと噛合されており、上記駆動モー
タ31の回転に伴なって上記ローラ23が回転されるよ
うになっている。なお、このローラ23の回転軸33は
上記ルツボ2)の両側壁部上面においてベアリング機構
84.35によって軸支されるようになっている。
第3図は、本発明の実施例に係る真空蒸着装置の全体を
示す概略図である。すなわちこの装置は、送出しローラ
40から送出され、冷却キャン41に巻き付けられた磁
気テープ基体42に薄膜形成処理を施し、この後この基
体42を巻取ローラ43に巻き取るものであって、上述
した蒸着装置44からの蒸気流27により蒸着物質が上
記基体42上に斜め蒸着されるようにこの冷却キャン4
1の斜め下方に上記蒸着装置44が配されている。なお
、上記冷却キャン41の下方には蒸気流27の上記基体
42への入射角を制限する蒸着用遮蔽板45が配されて
いる。また、上述した蒸着処理は所定の真空雰囲気中で
行なわれる。
また、上記ルツボ1の材質としては、高温に耐えかつ耐
久性に優れる耐火物を用いるのが望ましい。例えば、M
g O,AJ!203 、Ca O,ZrO等の中から
選択したものを主成分として用いればよい。特にMg 
Oを主成分とした耐火物ルツボが磁気記録媒体製造にお
ける高融点金属の蒸着に適している。また、上記耐熱性
ローラ23は十分な耐熱性および加工の容易さという観
点からマシナブルセラミクスを用いることが望ましい。
このマシナブルセラミクスは、Mg O,AJ!203
 、  Be O,AJ!N、  BN、マシナブル結
晶化ガラスの中から選択したものを主成分として形成さ
れたものである。
また、予備加熱手段としてはEB加熱、抵抗加熱、誘導
加熱等の種々の手段の中から蒸着材料の種類等に応じて
適宜選択すればよい。なお、高融点金属の蒸着にはEB
加熱が適する。
また、上述した電子ビーム25は、蒸着が上記基体42
の幅方向に均一に行なわれるよう上記ルツボ2)の幅広
方向に走査される。なお、この電子ビーム25の加速電
圧はloKV以上に設定するのが望ましいO このように、本実施例装置においては上記ルツボ2)内
の溶湯面から傾いた方向に分布する蒸気流27によって
上記基体42への蒸着を行なっており、これにより蒸着
効率の向上を図ることができる。
このことを本実施例を示す第3図と、従来技術を示す第
6図の比較により説明する。すなわち、蒸気流16.2
7のうち、上記基体10.42への入射角θが一定の範
囲(網線部分)のものだけが斜め蒸着に寄与し得る有効
蒸気流lea 、 27aとなるが、最大入射角θg+
ax  (−90@) 、最小入射角θ11n5および
この入射部と蒸発点の距離を両者共等しく設定した場合
、本実施例を用いた場合の方がこの有効蒸気流lea 
、 27aを上記法線18.26の回りに分布せしめる
ことができる。この蒸気流16.27の分布がこの法線
1g、 2Bを中心としたcos ”α(αは蒸発面に
対する射出角)の分布を有することからこの法線付近の
蒸気流密度は高く、したがって本実施例によれば従来技
術に比べ上記基体10.42への蒸着効率の向上を図る
ことが可能となる。
なお、本発明の真空蒸着方法および装置としては上述し
た実施例のものに限られるものではなく、種々の変更が
可能である。例えば上記冷却キャン41に対する上記蒸
着装置44の配設位置は、その目的に応じて最適な位置
とすればよい。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明の真空蒸着方法および装置
によれば、蒸気流のうち、蒸発面の法線付近の部分が斜
め蒸着に寄与する有効部分となるように設定しているの
で従来技術に比べ斜め蒸着における蒸着効率を高めるこ
とができ、蒸着材料の使用効率および生産速度の向上を
図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る真空蒸着装置の一部を示
す概略断面図、第2図はその装置の一部を示す斜視図、
第3図はその装置の全体を示す概略図、第4図〜第6図
は従来技術を説明するための概略図である。 1.2)・・・ルツボ 2.22・・・蒸着物質 3.25・・・電子ビーム 4、18.27.・・・蒸気流 18a 、 27a・・・有効蒸気流 10、42・・・磁気テープ基体 14、45・・・遮蔽板 23・・・耐熱性ローラ 第 3 図 第 図 第 図 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ルツボ内に蒸着物質を導入し、この蒸着物質を加
    熱して回転ドラムの周面に巻きかけられた被蒸着体に該
    物質を斜方蒸着せしめる真空蒸着方法において、 耐熱性ローラをその一部が前記ルツボ内の蒸着物質液中
    に浸されるように位置せしめ、 前記耐熱性ローラを回転させ、 この後、該耐熱性ローラの最上部から離れた周面位置に
    おいて、そのローラ周面に付着している前記蒸着物質液
    に電子ビームを照射し、この蒸着物質を前記被蒸着体方
    向に蒸発せしめることを特徴とする真空蒸着方法。
  2. (2)蒸着物質液を容れるルツボと、 この蒸着物質液中に一部を浸された耐熱性ローラと、 この耐熱性ローラを回転せしめるローラ回転機この耐熱
    性ローラの最上部から離れた周面位置において、そのロ
    ーラ周面に付着している蒸着物質液に電子ビームを照射
    する電子銃とを備え、この電子ビーム照射により蒸発さ
    れた蒸着物質が回転ドラムの周面に巻きかけられた被蒸
    着体に斜方蒸着されるような位置に前記ルツボを配設し
    てなることを特徴とする真空蒸着装置。
JP9156990A 1990-03-02 1990-04-06 真空蒸着方法および装置 Pending JPH03291376A (ja)

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US07/662,309 US5122389A (en) 1990-03-02 1991-02-28 Vacuum evaporation method and apparatus
DE4106579A DE4106579A1 (de) 1990-03-02 1991-03-01 Verfahren und vorrichtung zur vakuumverdampfung

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