JPH02294472A - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

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JPH02294472A
JPH02294472A JP11318089A JP11318089A JPH02294472A JP H02294472 A JPH02294472 A JP H02294472A JP 11318089 A JP11318089 A JP 11318089A JP 11318089 A JP11318089 A JP 11318089A JP H02294472 A JPH02294472 A JP H02294472A
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JP
Japan
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source
substrate
vapor
electron beam
electron
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Pending
Application number
JP11318089A
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English (en)
Inventor
Mamoru Sekiguchi
守 関口
Nobuhiko Imai
伸彦 今井
Naoyuki Akiyama
直之 秋山
Takashi Miyamoto
隆司 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、金属酸化物を連続状のフィルムからなる基材
に均質な蒸着膜を形成することができる真空蒸着装置に
関する. く従来技術〉 従来より、金属酸化物蒸着膜の製造方法の中で、抵抗加
熱蒸発源又は電子ビーム蒸発源を用いた真空蒸着法は、
比較的容易に品質の優れた金属酸化物蒸着膜が得られる
ことから巾広く用いられてきた. この中で金属を真空蒸着する場合は、前記蒸発源として
抵抗加熱蒸発源、及び電子ビーム蒸発源のいずれの方法
を用いることができるが、金属酸化物の場合は、抵抗加
熱蒸発源より電子ビーム蒸発源が適し、汎用されている
. この電子ビーム蒸発源とした真空蒸着装置は第3図に示
すように、蒸発源4に電子ビームを照射して、上方に設
けた基材ホルダー1に保持した基材3に金属酸化物の蒸
着層を形成する構成のものであった. 上記第3図に示した電子ビーム蒸発源とした真空蒸着装
置を用いて、均質の金属酸化物の蒸着層を形成するには
、基材を加熱した状態として蒸着を行なうことにより可
能である. 基材が、ガラス板のように耐熱性を有する材料であれば
可能であるが、プラスチックフィルムのように耐熱性の
ない基材の場合、基材加熱は不可能である. また、ガラス板のように平面状の基材であれば、第3図
に示した真空蒸着装置を用いて、均質な金属酸化物蒸着
層を形成することが可能であるが、プラスチックフィル
ムを基材とする場合は、耐熱性が十分でないうえ、第4
図に示すように連続状であるため、蒸発源4に電子ビー
ムを照射して、連続的に蒸着を行うと基材の流れ方向に
連続的に均質な蒸着層を形成することが困難であった.
さらに、プラスチックフィルムのように連続した基材に
第4図に示すような蒸着装置を用いて蒸着を行うと、蒸
着源に電子ビームが照射される状態が変化してしまい連
続状の基材には不適当なものであった. 〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、上記従来の技術を鑑み、プラスチック
フィルムのように耐熱性が十分でない連続状の基材に金
属酸化物の蒸着層を連続的に均質な状態で形成すること
が可能な蒸空蒸着装置を捷供することである. く課題を解決するための手段〉 本発明は、真空槽内にプラスチックフイルムからなる連
続状の基材が配置され、該基材と対面する位置には、連
続状の電子ビーム蒸発源、および電子ビーム照射装置を
設け、かつ、該蒸発源を移動可能なハース本体に取付け
てなる真空蒸発装置である. 〈作用〉 移動可能なハース本体に連続状の蒸発源が取付けてある
ので、電子ビームが照射される蒸発源は常に新しい面と
なるので、電子ビームの照射による蒸発源の変化がなく
、また、蒸発源の電子ビーム照射面がえぐられた形状と
ならず、蒸発源に照射される角度が安定し、連続状の基
材であっても、均質な金属酸化物の蒸着層を連続的に形
成可能となった. 〈実施例〉 第1図に示すように真空槽10内に巻出しロールl1か
ら巻取ロールl2へ連続的に移送するプラスチックフィ
ルムからなる連続状の基材l3が配置されており、かつ
該基材l3と対面する位置に円盤状の電子ビーム蒸発源
20が設けられている.そして、この蒸発源20は、モ
ーター21により回転可能なリングハース本体22に取
付けられており、回転と共に順次電子ビームAが蒸発源
20に当たるようになっている. また、図示しないが、ハース本体22には、冷却水が通
水されている横造となっており、蒸着源を冷却し、電子
ビーム照射による蒸発源の変化が生じないようになって
いる. ここで、蒸着源20としては、酸化アルミニウム、酸化
マグネシウム、酸化スズ等の金属酸化物が、本真空蒸着
装置を適用するのに好ましい.第1図に示した構成は、
ハース本体の移動機構として回転機構を用いているので
、蒸着B20を、円盤状としたが、ハース本体の移動機
構として例えば、ラック・ビニオンギアによる往復機構
とした場合は、蒸着源20としては、第2図(a)に示
すように帯状、あるいは同図(blに示すように帯状体
を繰り返した形状としてもよい. (試験例l) 第1図に示したハース本体に、酸化ケイ素(試験例A)
、酸化アルミニウム(試験例B)をそれぞれ蒸発源とし
て用い、表1に示した条件で電子ビームを照射しながら
、ポリエチレンテレフタレートからなる基材へ同じ蒸着
速度で連続的に真空蒸着を行った. その結果は、第5図に示す. また、同時に第4図に示した装置を用い、ルツボ中に前
記と同じ蒸発源(試験例a.試験例b)を用い、表1の
条件で真空蒸着を行った.その結果は、第5図に示す. 第5図から明らかなように、試験例A,Bの蒸着層の組
成の変化は、殆ど認められないのに対して、試験例a,
bの蒸着層の組成は、蒸着開始時と、蒸着を連続して行
った時で大きく変化してしまった. (試験例2) 第l図に示した八うス本体に、酸化スズ(試験例C)、
酸化マグネシウム(試験例D)をそれぞれ蒸発源として
用い、表1に示した条件で電子ビームを照射しながら、
ポリエチレンテレフタレートからなる基材へ2000人
の蒸着層を形成するように連続的に真空蒸着を行った. その結果は、第6図に示す. また、同時に第4図に示した装置を用い、ルツボ中に前
記と同じ蒸発源(試験例C.試験例d)を用い、表1の
条件で真空蒸着を行った.その結果は、第6図に示す. 第6図から明らかなように、試験例C,Dの同じ厚さの
蒸着層を形成するための蒸着速度の変化させずに形成可
能であるのに対して、試験例C、dの場合は、蒸着を連
続して行なうに従って、蒸着速度を遅くしなければなら
なかった.(以下余白) く発明の効果〉 本発明の蒸着装置は、以上の構成からなるので、電子ビ
ームは常に蒸着源の新たな部分に照射されるので、従来
のように電子ビームの金属酸化物からなる蒸着源の照射
による組成、表面形状の変化がなく、基材へ蒸着される
蒸着層の時間的組成変化がみられず、均質な層が形成で
きる.また、蒸発源の電子ビーム照射面は、えぐられた
りした不規則な形状とならず、常に蒸発源に電子ビーム
が一定の角度で照射されるので、安定した厚さの蒸着膜
が形成される. さらに、従来のルツボに単に蒸着源を収納した構造と異
なり、ハース本体へ収納できる蒸着源も多量とすること
ができ、連続状の基材へも、速い蒸着速度で金属酸化物
からなる均質な蒸着層の形成が可能となった.
【図面の簡単な説明】
明図、第5図、および第6図は、試験例の蒸着層の組成
、および蒸着速度の結果を示すグラフである, 1G・・・真空槽      1l・・・巻出口−ルl
2・・・巻取ロール    l3・・・基材20・・・
蒸発源      21・・・モータ22・・・ハース
本体    A・・・電子ビーム特  許  出  願
  人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫 弔 図 第2図B 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空槽内にプラスチックフィルムからなる連続状
    の基材が配置され、該基材と対面する位置には、連続状
    の電子ビーム蒸発源、および電子ビーム照射装置を設け
    、かつ該蒸発源を移動可能なハース本体に取付けたこと
    を特徴とした真空蒸着装置。
JP11318089A 1989-05-02 1989-05-02 真空蒸着装置 Pending JPH02294472A (ja)

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JP11318089A JPH02294472A (ja) 1989-05-02 1989-05-02 真空蒸着装置

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JPH02294472A true JPH02294472A (ja) 1990-12-05

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JP (1) JPH02294472A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999027149A1 (fr) * 1997-11-20 1999-06-03 Toray Industries, Inc. Dispositif de depot par faisceaux d'electrons et procede de fabrication de couches minces a l'aide de ce dispositif
JP2012041641A (ja) * 2011-11-29 2012-03-01 Tsukishima Kikai Co Ltd 真空成膜装置、樹脂フィルムの真空成膜方法、および樹脂フィルム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999027149A1 (fr) * 1997-11-20 1999-06-03 Toray Industries, Inc. Dispositif de depot par faisceaux d'electrons et procede de fabrication de couches minces a l'aide de ce dispositif
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