JPH0665465U - 蒸着装置 - Google Patents

蒸着装置

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JPH0665465U
JPH0665465U JP753093U JP753093U JPH0665465U JP H0665465 U JPH0665465 U JP H0665465U JP 753093 U JP753093 U JP 753093U JP 753093 U JP753093 U JP 753093U JP H0665465 U JPH0665465 U JP H0665465U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shutter
vapor deposition
crucible
substrate
liquid nitrogen
Prior art date
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Pending
Application number
JP753093U
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English (en)
Inventor
真 篠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
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Publication of JPH0665465U publication Critical patent/JPH0665465U/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ルツボ内の蒸着物質を気化させて基板等に蒸
着を行う場合に、ルツボのシャッタを開閉させてもシャ
ッタ下部に付着した蒸着物質がルツボ内に落下しないよ
うにする。 【構成】 基板3に成膜を行うためには、ルツボ6をヒ
ータ9により所定の温度まで高め、蒸着物質が気化し安
定した状態でシャッタ4を開き、基板3に蒸着を行う。
しかし、蒸着開始前にはシャッタ4が閉じているので、
このシャッタ4に蒸着物が付着するが、シャッタ4は高
熱伝導材11を介して液体窒素シュラウド7により冷却
されるのでシャッタ4に付着した蒸着物は凝固し、シャ
ッタ4の裏面に堆積する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体製造等に利用される蒸着装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、蒸着装置は、真空チャンバ内で蒸発源からの蒸発粒子を例えば基板等 の試料表面に照射して、基板表面に順次単原子層を蒸着させてゆくことによって 蒸着薄膜を形成するように構成されている。ここで、この種の装置において、所 定の数の単原子層を精密に成長させる方法としては、あらかじめ単位時間当たり の蒸発粒子の量を測定しておき、単原子層を形成するための蒸発粒子の基板表面 への照射時間を設定し、その設定時間に基づいて例えばシャッタを開閉すること により、蒸発粒子の基板表面への照射量を制御する方法が採られている。
【0003】 従来の蒸着装置は、例えば、図2に示すように成膜を行う基板23等を保持す るためのホルダ22と、このホルダ22を回転させるためのホルダ用駆動部21 と、中に蒸着物質が収容され2重壁構造となっているルツボ26と、このルツボ 26の周囲を加熱し、蒸着物質を気化させて、蒸発粒子とするためのヒータ29 と、蒸発粒子が、基板23のほうへ向かわないようにするためのシャッタ24と 、シャッタ24を開閉するためのシャッタ用駆動部25等から構成されている。
【0004】 また、蒸着装置の中には高真空度を保つために、蒸着装置内で発生する不純物 ガス、例えば酸素、一酸化炭素、水蒸気等を吸着させるための液体窒素28が入 った液体窒素シュラウド27がルツボ26の周囲に配置されており、必要に応じ て液体窒素を補充できるようになっている。
【0005】 この液体窒素自体の温度は極めて低いので、上記の酸素、一酸化炭素、水蒸気 等の真空雰囲気中の不純物ガスは冷却され、液体窒素シュラウド27の壁面に凝 固して堆積されるために蒸着装置内の高真空度を維持することができる。
【0006】 そして、精密な単原子層を形成するためには、蒸発粒子の量の時間的な変動が 生じないように、ルツボ26が所定温度になるまでルツボ26は加熱状態のまま 維持されるとともに、シャッタ24を閉じた状態で保持し、ルツボ26が所定温 度になればシャッタ24を開き基板に蒸着を開始する。基板への蒸着が終了すれ ばシャッタ24を閉じる。
【0007】 上述の蒸着開始前においてシャッタ24を閉じた状態で保持している間、シャ ッタ24の下部にはルツボ26からの蒸着物が付着する。
【0008】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、シャッタ下部はルツボを加熱するヒータの輻射熱でかなり高温にな っているので、蒸着物が低融点の場合、シャッタ下部に付着した蒸着物がこの輻 射熱で液化し、シャッタ駆動時、その振動でルツボ内に落下することがある。
【0009】 一方、真空雰囲気中の不純物ガスは液体窒素シュラウドにより完全には吸着さ れないので、シャッタに付着した蒸着物は真空雰囲気中の不純物ガスによって汚 染されており、この液化した蒸着物がルツボ内に落下し、再び蒸発粒子として基 板の蒸着に用いられた場合には、蒸着後の膜質を劣化させることになる。
【0010】 また、蒸着装置内は高真空状態にあり、基板の成膜ごとにシャッタの清掃を行 うと、大気中にさらすことになり、再度成膜を行うためには時間をかけて高真空 状態にすることが必要であるので、シャッタ下部に付着し、液化した蒸着物のル ツボ内への落下を防ぐ有効な手段がなかった。
【0011】 本考案は、上記課題を解決するために創案されたものであり、基板に蒸着を行 うためにルツボのシャッタを開閉させても、シャッタ下部に付着した蒸着物質が ルツボ内に落下するのを防止することができる蒸着装置を提供することを目的と する。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本考案の蒸着装置は、蒸着物質が蒸着される基板 を保持するホルダと、蒸着物質を収容するルツボと、前記ルツボからの蒸着物質 を遮蔽するシャッタと、不純物ガスを吸着するための液体窒素シュラウドとを備 えた蒸着装置において、前記シャッタと液体窒素シュラウドとの間を熱伝導性の 高い材料で接続したことを特徴としている。
【0013】
【作用】
本考案の蒸着装置は、蒸着物質の蒸発粒子を遮蔽しておくためのシャッタと真 空雰囲気中の不純物ガスを吸着させるための液体窒素シュラウドとが熱伝導性の 高い材料で接続されているので、シャッタ自体がかなり低温まで冷却されること となる。したがって、シャッタに付着した蒸着物質の蒸発粒子が液化することが なく、凝固して固体となりシャッタ下部に蓄積される。
【0014】
【実施例】
本考案の実施例を、以下、図1に基づいて説明する。図1に示すように、本考 案の蒸着装置は、蒸着物質を収容するためのルツボ6と、このルツボ6を加熱し 、蒸着物質を気化させるためのヒータ9と、ルツボ6からの蒸着物質の蒸発粒子 を遮蔽するためのシャッタ4と、このシャッタ4を開閉制御するためのシャッタ 用駆動部5と、蒸着を行う基板3を保持するホルダ2と、このホルダ2を回転制 御するためのホルダ用駆動部1と、高真空度を保つために、蒸着装置内で発生す る不純物ガスを吸着させるための液体窒素8が入れられた液体窒素シュラウド7 等から構成されている。
【0015】 またシャッタ4と液体窒素シュラウド7間は銅の編み上げ線等の熱伝導度が高 く、フレキシビリティが高い高熱伝導材11で接続され、この高熱伝導材11は シャッタ4及び液体窒素シュラウド7の壁面にネジ等で固定されている。
【0016】 さらにルツボ6は2重壁構造となっており、ヒータ9の熱が逃げないようにヒ ータ9はルツボ6の2重壁間に配置されている。
【0017】 ルツボ6内には蒸着物質としてガリウムが収容されており、これを気化し蒸発 粒子とするためには、ルツボ温度を900℃に上昇させる必要があり、ヒータ9 により温度上昇を行わせる。
【0018】 しかし、基板3に蒸着させる膜厚はあらかじめ定められた厚さにしなければな らないので、ルツボ温度を900℃に高め、いつでもガリウム粒子が飛び出せる 状態にした後、シャッタ4を開き基板に対して蒸着を開始する。
【0019】 基板上に均一な膜厚を形成するために、ホルダ用駆動部1の制御によりホルダ 2を回転させながら蒸着を行い、一定時間経過後シャッタ4を閉じて成膜を終了 する。
【0020】 ところで、上述のルツボ温度を900℃に維持し、シャッタ4を閉じている間 にもガリウムは気化し、蒸発粒子となりシャッタ4の方へ飛来してくるので、シ ャッタ4の下部(ルツボ側)にはガリウムの蒸発粒子が付着する。
【0021】 しかし、液体窒素シュラウド7とシャッタ4とは、熱伝導度が高く、フレキシ ビリティが高い高熱伝導材11で接続されているので、シャッタ4から約−20 0℃位に冷却された液体窒素シュラウド7側に熱が拡散してゆき、シャッタ4は 約−30℃〜−40℃位の低温まで冷却される。
【0022】 一方、ガリウムの融点は約30℃であるので、シャッタ4が上記温度になって いれば、シャッタの付着物であるガリウムを凝固させることができる。固体にな った付着物は、かなりの厚さ(約0.5ミリ位)になるまでは、シャッタ4から ルツボ6へ落下する可能性はほとんどない。
【0023】 また、シャッタ4は約−30℃〜−40℃位の低温まで冷却されるので、蒸着 物質としてガリウムだけでなく他のほとんどの物質を蒸着物質として使用しても 同様な効果が得られる。
【0024】 以上の実施例では、液体窒素シュラウドとシャッタとを接続する材料として銅 を使用しているが、銅はガリウムに対して腐食されやすいので、銅の編み上げ線 の表面を銀等でメッキしたものを用いて耐腐食性を高めるようにしても良い。
【0025】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案の蒸着装置はシャッタと液体窒素シュラウド間を 熱伝導度が高く、フレキシビリティが高い材料で接続しているので、シャッタを 冷却することができ、シャッタに付着した蒸着物質を凝固させるので、シャッタ を開閉させてもシャッタ下部に付着した蒸着物質がルツボ内に落下しない。
【0026】 また、液体窒素シュラウドの冷却効果を利用しているのでシャッタを冷却する ための冷却システムは特に不要であり、簡単な構造で付着物の落下を防止するこ とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の蒸着装置の一実施例を示す図である。
【図2】従来の蒸着装置を示す図である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 蒸着物質が蒸着される基板を保持するホ
    ルダと、蒸着物質を収容するルツボと、前記ルツボから
    の蒸着物質を遮蔽するシャッタと、不純物ガスを吸着す
    るための液体窒素シュラウドとを備えた蒸着装置におい
    て、前記シャッタと液体窒素シュラウドとの間を熱伝導
    性の高い材料で接続したことを特徴とする蒸着装置。
JP753093U 1993-02-26 1993-02-26 蒸着装置 Pending JPH0665465U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP753093U JPH0665465U (ja) 1993-02-26 1993-02-26 蒸着装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP753093U JPH0665465U (ja) 1993-02-26 1993-02-26 蒸着装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0665465U true JPH0665465U (ja) 1994-09-16

Family

ID=11668339

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JP753093U Pending JPH0665465U (ja) 1993-02-26 1993-02-26 蒸着装置

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JP (1) JPH0665465U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011230053A (ja) * 2010-04-27 2011-11-17 Canon Inc 洗浄装置、および洗浄方法
CN115449756A (zh) * 2022-09-21 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀装置

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JP2011230053A (ja) * 2010-04-27 2011-11-17 Canon Inc 洗浄装置、および洗浄方法
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