JPS63235466A - 蒸着法 - Google Patents
蒸着法Info
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- JPS63235466A JPS63235466A JP6934087A JP6934087A JPS63235466A JP S63235466 A JPS63235466 A JP S63235466A JP 6934087 A JP6934087 A JP 6934087A JP 6934087 A JP6934087 A JP 6934087A JP S63235466 A JPS63235466 A JP S63235466A
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- vapor deposition
- vapor
- deposited
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- deposition
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
条件を一定に保ちながら蒸着を行なう場合などに利用さ
れる蒸着法に関するものである。
れる蒸着法に関するものである。
従来の技術
従来、真空蒸着において熱伝導性の悪い被蒸着物質を蒸
着する場合、蒸着源の形状によっては。
着する場合、蒸着源の形状によっては。
加熱により気化し、被蒸着物質が蒸着源の開口部の低温
の部分に凝縮し付着して開口部をふさぐことがある。
の部分に凝縮し付着して開口部をふさぐことがある。
発明が解決しようとする問題点
特に分子線エピタキシー法における分子線源であるクヌ
ーセン・セルでは、第３図に示すように開口部に比較し
て深さが深く、また各セル間は相互干渉をさけるために
液体窒素で冷却（図示せず）しているため、被蒸着物質
３が昇華性の物質では開口部に凝縮する（第３図で４で
示す）ことが起こりやすく、その場合第４図に示すごと
く時間の経過とともに蒸着速度が低下して、長時間に渡
り蒸着条件を一定に保つことが困難になる。
ーセン・セルでは、第３図に示すように開口部に比較し
て深さが深く、また各セル間は相互干渉をさけるために
液体窒素で冷却（図示せず）しているため、被蒸着物質
３が昇華性の物質では開口部に凝縮する（第３図で４で
示す）ことが起こりやすく、その場合第４図に示すごと
く時間の経過とともに蒸着速度が低下して、長時間に渡
り蒸着条件を一定に保つことが困難になる。
そこで、蒸着源の開口部での被蒸着物質の凝縮を防ぐた
めに、蒸着源の形状を均熱の良好なものに変更すること
が必要である。この為には蒸着源のルツボ及びヒーター
等を含めたクヌーセン・セル全般の設計改良が必要とな
るという問題点があった。
めに、蒸着源の形状を均熱の良好なものに変更すること
が必要である。この為には蒸着源のルツボ及びヒーター
等を含めたクヌーセン・セル全般の設計改良が必要とな
るという問題点があった。
本発明は上記の問題点を解決するもので、既存の蒸発源
を使用してこれには改良を加えずに蒸着源の均熱を良好
にすることにより、長時間にわたり蒸着条件を一定に保
つ蒸着法の提供を目的とするものである。
を使用してこれには改良を加えずに蒸着源の均熱を良好
にすることにより、長時間にわたり蒸着条件を一定に保
つ蒸着法の提供を目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術的手段は
、蒸着源内に、被蒸着物質とともに被蒸着物質と反応せ
ずかつ被蒸着物質の蒸着温度において十分安定でそれ自
身の蒸発が起こらない金属粉又は金属粒を入れることに
より蒸着源内の均熱を良好にしたものである。
、蒸着源内に、被蒸着物質とともに被蒸着物質と反応せ
ずかつ被蒸着物質の蒸着温度において十分安定でそれ自
身の蒸発が起こらない金属粉又は金属粒を入れることに
より蒸着源内の均熱を良好にしたものである。
作 用
本発明は例えばクヌーセン・セルのような複雑な形状の
蒸着源内に被蒸着物質とともに金属粉又は金属粒を入れ
ることにより蒸着源内の均熱を良好にして、蒸着源の開
口部での被蒸着物質の凝縮を防ぐことができるので、長
時間に渡って蒸着条件を一定に保って蒸着を行なうこと
が可能となる。
蒸着源内に被蒸着物質とともに金属粉又は金属粒を入れ
ることにより蒸着源内の均熱を良好にして、蒸着源の開
口部での被蒸着物質の凝縮を防ぐことができるので、長
時間に渡って蒸着条件を一定に保って蒸着を行なうこと
が可能となる。
蒸着源内に入れる金属粉又は金属粒としては、加熱時に
おいて被蒸着物質と反応を起こさないものを使用するこ
とが必要であり、たとえば被蒸着物質として各種フタロ
シアニンを使用するときには、フタロシアニンの中心金
属と同じ金属粉を使用することが望ましい。
おいて被蒸着物質と反応を起こさないものを使用するこ
とが必要であり、たとえば被蒸着物質として各種フタロ
シアニンを使用するときには、フタロシアニンの中心金
属と同じ金属粉を使用することが望ましい。
実施例
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。
蒸着源として第１図に示す超高真空蒸着用クヌーセン・
セルを使用し、蒸着用石英ルツボ内に被蒸着物質１とし
てニッケルフタロシアニン、金属粉又は金属粒２として
ニッケル粒子を混合して入れ、１０””０Ｔｏｒｒ台の
真空度で約２７０°Ｃの温度に加熱して蒸着を行なった
。このときの蒸着速度は約Ｉ Ａ ７ｍ ｉｎであり、
第２図に示すように長時間に渡ってこの蒸着速度を一定
に保ったまま蒸着を行なうことができた。
セルを使用し、蒸着用石英ルツボ内に被蒸着物質１とし
てニッケルフタロシアニン、金属粉又は金属粒２として
ニッケル粒子を混合して入れ、１０””０Ｔｏｒｒ台の
真空度で約２７０°Ｃの温度に加熱して蒸着を行なった
。このときの蒸着速度は約Ｉ Ａ ７ｍ ｉｎであり、
第２図に示すように長時間に渡ってこの蒸着速度を一定
に保ったまま蒸着を行なうことができた。
金属粉又は金属粒としては１００メツシー以上であるこ
とが望ましい。
とが望ましい。
発明の効果
以上のように本発明は、蒸着法において、蒸着源の中に
被蒸着物質とともに熱伝導性の良い金属粉又は金属粒を
入れることにより蒸着源内の均熱を良好にして、蒸着源
の開口部に被蒸着物質が凝縮することを防ぐことが可能
となり、長時間に渡って蒸着条件を一定に保つことがで
き、その効果は大きい。
被蒸着物質とともに熱伝導性の良い金属粉又は金属粒を
入れることにより蒸着源内の均熱を良好にして、蒸着源
の開口部に被蒸着物質が凝縮することを防ぐことが可能
となり、長時間に渡って蒸着条件を一定に保つことがで
き、その効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例における蒸着熱法の蒸着源の
断面図、第２図は実施例における蒸着時間と膜厚の間の
関係図、第３図は従来の蒸着法の蒸着源の断面図、第４
図は従来の蒸着熱法による蒸着時間と膜厚の間の関係図
である。 １・・・被蒸着物質、２・・・金属粉又は金属粒。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
断面図、第２図は実施例における蒸着時間と膜厚の間の
関係図、第３図は従来の蒸着法の蒸着源の断面図、第４
図は従来の蒸着熱法による蒸着時間と膜厚の間の関係図
である。 １・・・被蒸着物質、２・・・金属粉又は金属粒。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (4)
- （１）蒸着源の中に、被蒸着物質と被蒸着物質の蒸着温
度においてそれ自身の蒸発が起こらず、かつ被蒸着物質
と反応しない金属粉又は金属粒とを混入した状態で、前
記蒸着源を加熱することを特徴とする蒸着法。 - （２）被蒸着物質としてフタロシアニンを使用すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の蒸着法。 - （３）金属粉又は金属粒として、被蒸着物質のフタロシ
アニンの中心金属と同じ金属粉を使用することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の蒸着法。 - （４）蒸着源としてクヌーセン・セルを使用することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6934087A JPS63235466A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6934087A JPS63235466A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 蒸着法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63235466A true JPS63235466A (ja) | 1988-09-30 |
Family
ID=13399721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6934087A Pending JPS63235466A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63235466A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0962511A1 (de) * | 1998-06-05 | 1999-12-08 | MERCK PATENT GmbH | Mittel zur Herstellung von wasserabweisenden Beschichtungen auf optischen Substraten |
| JP2001323367A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-11-22 | Junji Kido | 有機化合物の蒸着方法、及び有機化合物の精製方法 |
| JP2003002778A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 薄膜堆積用分子線セル |
| JP2007500794A (ja) * | 2003-05-16 | 2007-01-18 | エスブイティー アソーシエイツ インコーポレイテッド | 薄膜蒸着エバポレーター |
| JP2007084911A (ja) * | 2005-03-23 | 2007-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 金属酸化物の蒸着方法、複合材料層の作製方法及び表示装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP6934087A patent/JPS63235466A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0962511A1 (de) * | 1998-06-05 | 1999-12-08 | MERCK PATENT GmbH | Mittel zur Herstellung von wasserabweisenden Beschichtungen auf optischen Substraten |
| JP2001323367A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-11-22 | Junji Kido | 有機化合物の蒸着方法、及び有機化合物の精製方法 |
| JP2003002778A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 薄膜堆積用分子線セル |
| JP2007500794A (ja) * | 2003-05-16 | 2007-01-18 | エスブイティー アソーシエイツ インコーポレイテッド | 薄膜蒸着エバポレーター |
| JP2007084911A (ja) * | 2005-03-23 | 2007-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 金属酸化物の蒸着方法、複合材料層の作製方法及び表示装置の製造方法 |
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