JPS61246357A - 真空蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は均質な蒸着膜を形成することができる真空蒸着
装置に関する。

（従来技術） 抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着法などのいわゆる真空
蒸着法は（イ）簡易な手段で比較的容易に薄膜を形成す
ることができる、（ロ）薄膜の成長速度が早いので真空
槽からの汚染が少なく所望の膜厚を得ることができる、
（ハ）被着面前面に開口部を有するマスクを置くことに
より所望のパターンの薄膜が容易に得られる、などの利
点があるために、Ｚ　Ｓ、ＺｏＳｅ、ＣｄＳ、ＣａＳｅ
などのＩＩ−ＩＶ族化合物半導体薄膜の成膜手段として
広く用いられており、たとえば簿膜ＥＬ素子の発光層や
薄膜トランジスタの薄膜半導体層の形成手段として実用
化されている。

ｆｆ−ＩＶ族化合物半導体を真空蒸着法で成膜するとき
の共通する問題点として、母材のＩ−ＩＶ族化合物が蒸
発源により加熱されるとき、蒸気として蒸発するだけで
なく粒子としても飛散するために膜面に数ミクロンの母
材粒子が散在した状態で蒸着膜が得られ、表面形態およ
び膜質の面内分布が悪いという問題があった。

このような問題を解決する手段としてたとえば特開昭５
７−９９７２３号では第３図に示すように、真空槽１内
に被着面２を有する基体３を置き、基体３と対向する位
置にＩＩ　−Ｖｌ族化合物半導体となる材料（以下「母
材」と略称する）４を収容する蒸発源５を置く。６は母
材４を加熱するための電子ビーム発生源である。基体３
と蒸発源５との間には蒸気のみ通過させ母材の飛散粒子
は阻止するメツシュアを配置する。このようにして蒸着
すればメツシュアによって被着面２に付着する母材粒子
を大幅に低減することができ膜質を向上することができ
る。

しかしながら、このような真空蒸着装置においては、蒸
着の進行とともにメツシュには被着基体に比べて少なく
とも数倍の母材膜が堆積するため（イ）メツシュに厚く
被着した膜が蒸着中剥離して蒸発源に落下し再蒸発して
コンタミネーション（一度被着した母材が再蒸発する現
象）を起こす、（ロ）メツシュの開口部が蒸着の進行と
ともにせばまり成膜速度が著しく減少して均質な膜が得
にくいという問題があった。

（発明の目的および構成） 本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、真空槽
内にメツシュを介して被着基体と母材を含む蒸発源とを
配置し、母材を加熱することにより得られる蒸気を前記
メツシュを介して前記被着基体上に蒸着する真空蒸着装
置において、均質な蒸着膜を形成することを目的とし、
この目的を達成するために、メツシュを加熱するように
構成した。

（実施例） 以下本発明を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明による真空蒸着装置の一実施例を示して
おり、図中第３図と同じ参照数字は同じ構成部分を示す
。

真空槽１内に被着面２を有する基体３が配置され、基体
３の下方には母材４を収容する蒸発源５が配置されてい
る。母材４は電子ビーム発生源６により加熱され蒸発さ
れる。基体３と蒸発源５との間には金属性メツシュ８と
このメツシュ８を支える支持体９とが配置されており、
この金属性メツシュ８を加熱するための赤外線ランプ１
０がメツシュ８の上方周辺に配置されている。

蒸着を開始する前に赤外線ランプ１０を点灯して金属性
メツシュ８を充分加熱しておく。

電子ビーム発生源６からエネルギーを蒸発源５に供給し
蒸着を開始する。蒸気に混じって飛散する母材粒子はメ
ツシュ８により従来と同様に阻止される。一方舟材が気
化した蒸気のうちメツシュ８の開口部に飛来したものは
そのまま通過し基体３の被着面２への成膜に寄与する。

メツシュ８の金属部に飛来した母材粒子は、従来は大部
分がその部分に被着したが、本装置ではメッシュ８自体
が赤外線ランプ１０により充分加熱されているため母材
粒子の一部のみが被着し、はとんくは反射もしくは再蒸
発、して下方に押し返される。常温の被着率を１とした
ときメツシュ８を３５０″Ｃに加熱したときの被着率が
、たとえばＺ。Ｓで１／４５、ＺＳ　　で１／２０．ｃ
ｄＳで１／３０以下に減少することが実験で確かめられ
た。

このように金属性メツシュ８に堆積する母材が著しく減
少するため目詰まりの問題と剥落した膜によるコンタミ
ネーションの問題とを同時に解決できる。

第２図は本発明による真空蒸着装置の他の実施例を示し
ており、図中第１図と同じ参照数字は同じ構成部分を示
す。

この実施例はメツシュ自身を発熱させる例である。金属
性メツシュ８は支持体９で支えられているが、碍子１１
により電気的に絶縁されている。

金属性メツシュ８には太い低抵抗のリード線１２が接続
され、リード線１２は真空槽１に取りつけた電流導入端
子を介して真空槽外に設置された加熱電源１３に結線さ
れている。

蒸着に先立って加熱電源１３からリード線１２を介して
メツシュ８に給電するとメツシュ８は自己発熱し温度が
上がるので前記実施例と同じように母材粒子の一部は被
着するもののほとんどは反射または再蒸発して下方に押
し返され目詰りすることはなくコンタミネーションの問
題もない。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明は真空槽内にメツシュを介
して被着基体と母材を含む蒸発源とを配置し、母材を加
熱することにより得られる蒸気をメツシュを通して被着
基体上に蒸着する真空蒸着装置において、メツシュを加
熱するように構成したので、メツシュの目詰まりが解消
でき均質な蒸着膜が形成できるとともに剥落した蒸着膜
の再蒸発によるコンタミネーションを防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による真空蒸着装置の一実施例の概略線
図、第２図は本発明による真空蒸着装置の他の実施例の
概略線図、第３図は従来の真空蒸着装置の一例の概略線
図である。 １・・・真空槽、２・・・被着基体の被着面、３・・・
被着基体、４・・・母材、５・・・蒸発源、６・・・電
子ビーム発生源、８・・・メツシュ、９・・・メツシュ
の支持体、１０・・・赤外線ランプ、１１・・・絶縁碍
子、１２・・・リード線、１３・・・加熱電源。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空槽内にメッシュを介して被着基体と母材を含む蒸発
   源とを配置し、母材を加熱することにより得られる蒸気
   を前記メッシュを介して前記被着基体上に蒸着する真空
   蒸着装置において、前記メッシュを加熱する加熱手段を
   設けたことを特徴とする真空蒸着装置。