KR840008534A - 고전도성, 고투과성 필름의 연속 부착방법 및 이의 장치 - Google Patents
고전도성, 고투과성 필름의 연속 부착방법 및 이의 장치 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 바람직한 실시 양태에서 각각의 전지층이 비결정 반도체 합금으로 형성된 다수의 p-i-n형 적지를 중첩하여 이루어진 광전지 장치의 단편적인 절단면도이며,
제2도는 기질물의 이동 웹상에 광투과성, 전기전도성 층을 연속적으로 부착시키기 위한 장치의 사시도이며,
제3도는 본 발명의 연속적인 부착장치를 예시하는 제2도의 3-3선을 따라 절단한 단면도.
Claims (30)
- 광투과성, 전기전도성의 얇은 필름을 움직이는 기질위에 연속적으로 부착시키는 방법에 있어서, 챔버를 진공상태로 하며; 재료기질의 웹을 챔버를 통하여 연속적으로 보내며; 금속재료원을 제공하며; 진공상태로 된 챔버내에서 금속재료를 증발시켜, 이로써 기질과 금속재료 사이에 한정된 지역에서 금속증기를 생성하며; 금속재료가 금속재료원에서 증발될 때 금속재료를 새로 공급하며; 지역속으로 산소가스를 도입하여; 지역속으로 전자기에너지를 도입하여 도입된 산소가스와 지역속으로 증발된 금속원자로부터 이온화된 플라즈마를 발생시켜 이로써 금속산화물 필름을 움직이는 기질위에 연속적으로 부착시키기에 적합한 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 산소가스가 금속재료와 반응할 때 산소가스를 새로 공급하여 이로써 챔버내에서 산소부분압을 실질적으로 일정하게 유지하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 금속재료의 융점이 45℃ 미만인 방법.
- 제2항에 있어서, 인듐, 주석, 카드뮴, 아연 및 이의 혼합물로부터 이루어진 그룹에서 금속재료를 선택하는 방법.
- 제1항에 있어서, 기질을 150 내지 400℃까지 가열하는 단계를 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, 기질을 150 내지 300℃까지 가열하여 챔버내에서 인듐-주석화합물을 증발시켜 이로써 인듐-주석화합물을 움직이는 기질의 표면위에 연속적으로 부착시키는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기의 지역내에 배치된 음극물 여기시키기 위해 채택한 고주파전원으로 전자기에너지를 공급하며, 상기의 음극음 약 13.56메가헤르쯔의 주파수까지 여기 되도록 채택된 음극인 방법.
- 제6항에 있어서, 챔버내의 압력이 약 10-2내지 10-4torr에서 유지되는 방법.
- 제1항에 있어서, 금속재료가 아연이며, 기질을 실온에서 유지하는 방법.
- 제5항에 있어서, 금속재료가 인듐이며, 기질을 약 300℃미만까지 가열하는 방법.
- 제1항에 있어서, 기질이 금속산화물 필름을 부착하는 맨 윗부분에 반도체 본체를 포함하는 방법.
- 제11항에 있어서, 반도체 본체가 다수의 비결정성 반도체층으로 이루어지는 방법.
- 진공챔버 ; 챔버내에 있는 가열수단 ; 가열수단에 의한 증발을 위해 효과적으로 배치된 금속재료원 ; 금속재료원으로부터 이격된 기질 ; 금속재료원과 기질사이에 형성된 증기지역 ; 증기지역속으로 산소를 도입하는 수단 ; 지역속으로 전자기원을 도입하여 증기지역내에서 산소가스와 금속원자로부터 이온화된 플라즈마를 발생시키는 수단을 포함하여 광투과성, 전기전도성 필름을 연속적으로 기질위에 부착시키기 위한 장치에 있어서, 장치를 통하여 기질을 연속적으로 보내는 수단 ; 및 금속재료가 증발할 때 금속재료를 연속적으로 새로 공급하여 움직이는 기질위에 금속산화물 필름을 연속적으로 부착시키도록 채택된 수단의 조합을 특징으로 하는 개선된 장치.
- 제13항에 있어서, 산소가 금속재료와 반응할 때 산소를 새로 공급하여 산소의 부분압을 챔버내에서 실질적으로 일정하게 유지하는 수단을 포함하는 장치.
- 제13항에 있어서, 기질을 가열하기 위한 수단이 제공된 장치.
- 제13항에 있어서, 가열수단에 의해 증발되도록 채택된 다수의 이격된 금속재료원을 포함하는 장치.
- 제13항에 있어서, 금속재료원을 가열하기 위한 수단이 저항가열기인 장치.
- 제13항에 있어서, 금속재료원을 가열하기 위한 수단이 유도가열기인 장치.
- 제13항에 있어서, 금속재료원을 가열하기 위한 수단이 전자비임인 장치.
- 제13항에 있어서, 기질이 신장된 웹 재료로 이루어지며, 장치를 통하여 기질을 연속적으로 보내는 수단이 다수의 로움러와 이와 관련된 구동장치로 이루어진 장치.
- 제13항에 있어서, 금속재료를 새로 공급하는 수단이 재료를 저장하는 저장호퍼와 호퍼로부터 원(source)까지 재료를 수송하는 위한 도관으로 이루어진 장치.
- 제13항에 있어서, 금속재료가 비교적 가늘게 신장된 와이어이며, 금속재료를 새로 공급하기 위한 수단이 주위에 금속와이어가 감긴 스풀과 스풀에서 원(surce)까지 금속와이어를 보내기 위해 채택된 공급수단으로 이루어져 금속재료를 연속적으로 새로 공급할 수 있는 장치.
- 제13항에 있어서, 에너지수단이 음극판을 포함하며, 이음극판이 금속재료의 증기화된 원자가 증기지역을 통과하는 적어도 하나의 음극구멍을 움직이는 장치.
- 제13항에 있어서, 챔버를 10-2내지 10-5torr에서 유지하기 위한 장치.
- 제13항에 있어서, 금속재료를 인듐, 카드뮴, 아연 및 이의 혼합물로부터 이루어진 그룹에서 선택하는 장치.
- 제13항에 있어서, 부착되도록 채택된 금속산화물 필름의 표면상에서 기질이 반도체 본체를 포함하는 장치.
- 제13항에 있어서, 반도체 본체가 다수의 비결정성 반도체 본체로 이루어진 장치.
- 제25항에 있어서, 스테인레스강으로부터 기질을 형성하는 장치.
- 제25항에 있어서, 합성플라스틱수지로부터 기질을 형성하는 장치채.
- 제25항에 있어서, 유리상 재료로부터 기질을 형성하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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