KR970077147A - 박막과, 박막을 형성하기 위한 방법 및 장치와, 박막을 합체시킨 전자 구성품 - Google Patents

박막과, 박막을 형성하기 위한 방법 및 장치와, 박막을 합체시킨 전자 구성품 Download PDF

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Abstract

본 발명의 박막형성 방법은 가열된 표면위에 액체형태의 증착물질을 제공하는 단계와; 증착물질이 이동할동안에 가열된 표면위에 증착물질을 가열 및 증발시키는 단계; 및 상기 증착면위에 증착물질을 증착시키는 단계를 포함한다. 상기 증착물질은 증발된 증착물질이 증착면에 도달하지 않는 가열된 표면의 부분위로 제공된다.

Description

박막과, 박막을 형성하기 위한 방법 및 장치와, 박막을 합체시킨 전자 구성품
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1양상에 따라 박막을 형성하기 위한 박막 형성장치의 한 실시예를 도시하는 개략도.

Claims (62)

  1. 가열된 표면위에 액체형태로 증착물질을 제공하는 단계와; 상기 증착물질이 이동할동안에 가열된 표면위에 증착물질을 가열 및 증발시키는 단계 및; 상기 증착면위에 증착물질을 증착시키는 단계를 포함하는 박막형성 방법에 있어서, 상기 증착물질은 증발된 증착물질이 증착면에 도달하지 않는 가열된 표면의 위치로 공급되는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열된 표면위의 증착물질은 가열된 표면의 회전운동에 따라서 운반되는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가열된 표면위로 액체형태의 증착물질을 공급하는 단계는 분무된 상태 또는 증발된 상태중 한 상태에서 증착물질을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 증착물질을 공급하는 단계는 초음파 분무단계와, 스프레이 분무 단계와, 기계적인 분무 단계 및 증발 단계중 하나의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 증착물질을 공급하는 단계와, 가열 및 증발단계 및, 증착물질을 증착면에 증착하는 단계는 진공상태에서 실행되는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 증착물질은 경화가능한 수지물질이며, 증착면위에 증착물질을 증착하는 단계에 뒤를 이어서 상기 증착된 증착물질을 경화하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  7. 제6항에 있어서, 경화된 증착물질로부터 제조된 수지박막위에 증착물질과는 다른 물질의 다른 층을 형성하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 증착물질을 공급하기 위한 단계는 증착된 증착물질을 경화하는 단계와, 경화된 증착물질로 제조된 수지박막 위에서 증착물질과는 다른 물질로 제저된 다른 층을 형성하는 단계를 위하여 진공상태와는 다른 진공상태에서 실행되는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  9. 제8항에 있어서, 수지박막을 형성하는 단계와, 다른 층을 형성하는 단계를 교대로 실행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  10. 제1항에 있어서, 가열된 표면위의 증착물질은 가열된 표면을 따라서 증착물질을 이동시킴으로써 운반되는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 증착물질을 다수의 가열된 표면위로 이동시키는 단계를 포함하고, 상기 가열된 표면들은 온도가 서로 다른 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  12. 제10항에 있어서, 액체형태의 증착물질이 공급하는 가열된 표면의 영역은 가열된 표면의 다른 영역의 온도보다 더 낮은 온도에서 유지되는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 증착물질은 다수의 가열된 표면위에서 액체형태로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  14. 제10항에 있어서, 회전운동을 하는 가열된 표면위에 증착물질을 공급하는 단계와; 회전하는 가열된 표면에 의하여 증착물질을 운반하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  15. 제10항에 있어서, 용기의 가열된 표면을 따라서 운반되는 액체형태의 증착물질의 부분을 수집하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  16. 증착 면위로 증착물질을 증착시키는 단계를 포함하는 박막형성 방법에 있어서, 상기 방법은 증착면위로 증착물질을 증착시키기 전에, 증착물질 또는 증착면중의 하나이상위로 충전된 입자비임을 방사시키는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  17. 제16항에 있어서, 증착면위에 증착물질은 증착시키는 단계는 분무상태 또는 증발상태로 있는 증착물질중의 하나이상을 증착면위로 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 증착단계는 초음파 분무단계와;스프레이분무단계와; 기계적인 분무단계 및; 증발단계중의 한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 증발단계는 가열된 표면에 액체형태의 증착물질을 공급하는 단계를 포함하고, 상기 증착물질을 공급하는 단계는 분무상태 또는 증발상태로 있는 증착물질을 증착면위로 공급하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 충전된 입자비임은 전자비임 또는 이온비임중 하나이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  21. 제16항에 있어서, 상기 충전된 입자비임의 가속전압은 약 50V 이상인 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  22. 제16항에 있어서, 상기 증착물질은 경화가능한 수지물질이고, 증착면 위로 증착물질을 증착하는 단계에 뒤를 이어서, 증착된 증착물질을 경화하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  23. 제22항에 있어서, 정상온도 및 정상압력으로 있는 상기 경화가능한 물질의 점도는 약 30cps 내지 약 800cps의 범위인 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  24. 제 16항에 있어서, 상기 증착면위로 증착물질을 증착시키는 단계와 ,충전된 입자비임을 방사하는 단계는 서로 다른 진공상태에서 실행되는 것을 특징으로 하는 박막형성 방법.
  25. 수지박막을 형성하는 단계와; 산소가스를 포함하는 방전 분위기로 수지박막을 노출시킴으로써 방전처리를 수행하는 단계 및; 상기 금속박막을 수지박막위에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공상태에서 수지박막과 금속박막을 형성하는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 수지박막을 형성하는 단계와, 방전처리를 수행하는 단계, 및 금속박막을 형성하는 단계는 진공분위기에서 연속적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 진공상태에서 수지박막과 금속박막을 형성하는 방법.
  27. 자외선 경화가능한 수지를 증착시키는 단계와; 산소가스를 포함하는 분위기에서 초음파 경화가능한 수지위로 자외선을 방사함으로써 불완전하게 경화되는 상기 경화된 수지박막을 형성하는 단계 및; 상기 수지박막위에 금속박막위에 금속박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지박막과 금속박막을 형성하는 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 금속박막을 형성하는 단계는 전자비임 증착방법을 사용함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 수지박막과 금속박막을 형성하는 방법.
  29. 제27항에 있어서, 상기 금속박막을 형성하는 단계는 수지박막위로 전자비임을 방사할 동안에 금속박막을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지박막과 금속박막을 형성하는 방법.
  30. 제27항에 있어서, 상기 자외선 경화가능한 수지는 아크릴형 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 수지박막과 금속박막을 형성하는 방법.
  31. 제27항에 있어서, 상기 수지박막을 형성하는 단계와, 금속박막을 형성하는 단계를 교대로 수행하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수지박막과 금속박막을 형성하는방법.
  32. 증착물질을 운반할동안에 증착물질을 가열 및 증발하기 위하여 가열된 표면을 가지는 히터와; 상기 가열된 표면에 증착물질을 공급하는 공급기와; 증발된 증착물질이 증착면위에 증착될 수 있도록 증착면을 가지는 기판을 유지하는 지지체와; 상기 증착면위에 증착물질을 경화하는 경화장치를 포함하는 박막형성장치에 있어서, 상기 증착물질은 증발된 증착물질이 증착면에 도달하지 않는 가열된 표면의 부분에서 공급되는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 히터는 증발할 때 증착물질이 증착면에 직접도달하는 위치에서 가열된 표면으로 공급되는 증착물질을 운반하고 회전하는 가열된 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  34. 제33항에 있어서, 상기 히터는 가열된 표면을 가지는 가열된 롤러인 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  35. 제33항에 있어서, 상기 히터는 가열된 표면을 구비하는 가열된 벨트인 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  36. 제33항에 있어서, 분무상태 또는 증발상태로 있는 증착물질을 미리설정된 위치로 공급하기 위한 공급기를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  37. 제36항에 있어서, 상기 공급기는 초음파 분무장치; 스프레이 분무장치; 기계적인 분무장치 및; 증발장치 중 하나의 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  38. 제32항에 있어서, 가열된 표면으로 공급되는 증착물질이 유동하여, 가열된 표면위로 이동할 동안에 가열 및 증발될수 있도록 상기 히터의 가열된 표면은 경사져 있는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  39. 제32항에 있어서, 증착물질이 가열된 표면과 증착면으로 공급되는 위치사이에서의 차단벽을 부가로 포함함으로써, 증착물질은 증착면에 선형방식으로 도달되는 것이 방지되는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  40. 제38항에 있어서, 제2히터를 부가로 포함하고, 상기 제2히터는 히터로부터 제1의 가열된 표며위로 증착물질을 회전하며 수용하고, 증착물질을 운반할동안에 증착물질을 가열 및 증발시키는 제1의 가열된 표면을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  41. 제40항에 있어서, 상기 다른 히터는 가열된 표면을 가지는 가열된 롤러와, 가열된 표면을 가지는 가열된 벨트중의 하나이상을 포함하는 것을 특징으로 하면 박막형성 장치.
  42. 제32항에 있어서, 상기 증착물질을 수집하기 위한 용기를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  43. 제36항에 있어서, 진공실을 부가로 포함하고, 상기 진공실은 히터, 지지체 및 경화장치를 포함하고, 상기 공급기는 진공실의 외부로부터 히터의 가열된 표면으로 증착물질을 공급하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  44. 제32항에 있어서, 상기 경화장치는 자외선 방사장치와, 전자비임 방사장치 및 서모셋팅 장치중 하나이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  45. 제32항에 있어서, 상기 경화장치는 자외선 방사장치와, 상기 자외선 방사장치에 제공되는 산소가스 유입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  46. 분무되거나 증발되는 증착물질을 공급하는 제1공급기와; 분무되거나 증발되는 증착물질이 증착면위로 증착될 수 있도록 증착면을 가진 기판을 유지시키는 지지체와; 증착물질과 증착면중의 하나이상위로 충전된 입자비임을 방사시키기 위한 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  47. 제46항에 있어서, 상기 제1공급기는 자외선 분무장치와; 스프레이 분무장치와; 기계적인 분무장치 및; 증발장치중의 하나의 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  48. 제46항에 따른 증착물질을 증발하기 위하여 가열된 표면을 가진 제1공급기를 구비하는 박막형성 장치에 있어서, 제1공급기의 가열된 표면위에서 증발되는 증착물질과 분무된 증착물질중의 하나이상을 공급하는 제2공급기를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  49. 제48항에 있어서, 상기 충전된 입자 방사장치는 전자비임 방사장치와 이온 비임 방사장치중의 하나이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  50. 제46항에 있어서, 증착면위에 증착된 증착물질을 경화하기 위한 경화장치를 부가로 포함하고, 상기 경화장치는 자외선 방사장치와, 전자 방사장치 및 서모셋팅 장치중의 하나이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형성 장치.
  51. 진공상태에서 수지박막과 금속박막을 연속적으로 형성하기 위한 박막형성 장치에 있어서, 상기 수지박막의 표면은 수지박막이 형성된 다음에 산소가스를 포함하는 방전 분위기에 노출되는 것을 특징으로 하는 진공상태에서 수지박막과 금속박막을 연속적으로 형성하기 위한 박막형성 장치.
  52. 진공상태에서 수지박막과 금속박막을 연속적으로 형성하기 위한 박막형성 장치에 있어서, 수지박막이 형성된 다음에 산소를 포함하는 분위기에서 자외선을 가지고 수지박막의 표면을 방사하기 위한 자외선 방사장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공상태에서 수지박막과 금속박막을 연속적으로 형성하기 위한 박막형성 장치.
  53. 적층된 금속박막과 수지박막 사이의 경제면을 포함하는 박막에 있어서, 수지박막과 금속박막사이의 경제면 근처에서의 산소농도는 수지박막의 두께방향으로 있는 수지박막의 중간부부의 산소농도보다 더 높은 것을 특징으로 하는 적층된 금속박막과 수지박막 사이의 경계면을 포함하는 박막.
  54. 제53항에 있어서, 상기 경계면의 근처에서의 산소농도는 수지박막의 두께방향으로 있는 수지박막의 중간부분에서의 산소농도의 약 1.3배 이상인 것을 특징으로 하는 적층된 금속박막과 수지박막 사이의 경계면을 포함하는 박막.
  55. 제53항에 있어서, 상기 수지박막은 하나이상의 아크릴 모노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층된 금속박막과 수지박막 사이의 경계면을 포함하는 박막.
  56. 제53항에 있어서, 상기 수지박막과 금속박막은 교대로 적층되는 것을 특징으로 하는 적층된 금속박막과 수지박막 사이의 경계면을 포함하는 박막.
  57. 제56항에 따른 박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 구성품.
  58. 제 57항에 있어서, 상기 금속박막의 두께는 약 50nm 내지 약 2000nm의 범위이고, 수지박막의 두께는 약 0.05㎛ 내지 약 3㎛범위인 것을 특징으로 하는 전자 구성품.
  59. 제58항에 있어서, 상기 금속박막은 스트라이프형 박막인 것을 특징으로 하는 전자 구성품.
  60. 제 58항에 있어서, 상기 금속박막은 서로 다른 금속물질로 제조된 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 구성품.
  61. 제59항에 있어서, 상기 금속박막의 두께는 약 15 내지 100nm의 범위이고, 수지박막의 두께는 약 0.05㎛내지 약 1㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 전자 구성품.
  62. 제 61항에 따른 전자 구성품 중 하나인 커패시터에 있어서, 상기 수지 박막의 최외부 층은 상기 다른 수지박막층보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 커패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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