JPH09310172A

JPH09310172A - 樹脂薄膜の製造方法及び製造装置及び電子部品

Info

Publication number: JPH09310172A
Application number: JP12540096A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Honda; 和義本田; Masaru Odagiri; 優小田桐; Kiyoshi Takahashi; 喜代司高橋
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-05-21
Filing date: 1996-05-21
Publication date: 1997-12-02

Abstract

(57)【要約】【課題】樹脂薄膜の製造方法及び薄膜の製造装置及び
電子部品において、特に、樹脂薄膜の欠陥を低減し、溶
剤希釈無しに欠陥の少ない樹脂薄膜を提供すること。【解決手段】樹脂系材料が付与されつつある、周回し
つつ加熱された加熱ローラ１１の表面から蒸発した前記
樹脂系材料をＡｌ蒸着基板３上に付着させて薄膜を形成
する樹脂薄膜の製造方法であり、加熱ローラ１１の表面
に、一次霧化装置によって樹脂系材料を付与し、一次霧
化装置から前記Ａｌ蒸着基板３が直接見通せない位置関
係下で減圧雰囲気の下、薄膜を形成することにより、溶
剤希釈を行わなくとも極薄の樹脂薄膜が安定して得られ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は樹脂薄膜の製造方法
及び製造装置及び樹脂薄膜を用いた電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】現代社会に於て薄膜の果たす役割は非常
に広範囲であり、包装紙、磁気テ−プ、コンデンサ、半
導体等日常生活の様々な分野において薄膜が利用されて
いる。これらの薄膜無しには、近年に於ける高性能化や
小型化といった技術の基本トレンドを語ることは出来な
い。

【０００３】同時に、工業的需要を満足する形で薄膜を
形成する方法についても種々の開発がなされており、例
えば包装紙、磁気テ−プ、コンデンサ等の用途において
は、高速大量生産に有利な連続巻取り真空蒸着が行われ
ている。その際、蒸発材料と基板材料を形成する薄膜の
目的に合わせて選ぶと同時に、必要に応じて真空槽内に
反応ガスを導入することや、基板に電位を設けた状態で
薄膜を形成することによって所望の特性を持った薄膜を
形成することが出来る。

【０００４】例えば、磁気記録媒体の製造においてはＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等の磁性元素を含む蒸発材料を用い、真
空槽中に酸素ガスを導入しながら反応蒸着を行うことに
よって長尺の磁気記録媒体を得ることが出来る。また、
半導体に於いては主にスパッタ法によって薄膜が形成さ
れている。一方、樹脂材料を用いた薄膜の形成は塗装に
よる方法が用いられ、リバースコートや、ダイコートが
工業的に用いられており、溶剤で希釈した材料を塗工後
乾燥硬化させることが一般的である。また、これらの工
法で形成される樹脂薄膜の膜厚の下限は使用する材料に
よるが、１μｍ前後であることが多く、それ以下の膜厚
は得られにくい場合が多い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、様々な
成膜法を用いて薄膜が作製されているが、一般的な塗工
手段では塗工直後の塗布厚が数μｍ以上となるために、
極薄樹脂膜の形成には溶剤希釈が必要であり、しかも１
μｍ以下の樹脂薄膜が得られない場合も多い。

【０００６】さらに溶剤希釈を行うと乾燥後の塗膜に欠
陥が生じ易い他、環境保護の観点からも好ましくない。

【０００７】そこで本発明は上記課題を解決し、溶剤希
釈を行わなくとも樹脂薄膜が形成できる方法及び、極薄
の樹脂薄膜が安定に得られる方法を提供することを目的
とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、これらの課題
を解決するために、樹脂系材料が付与されつつある、周
回しつつ加熱された支持体の表面から蒸発した前記樹脂
系材料を基板上に付着させて薄膜を形成する樹脂薄膜の
製造方法及び製造装置を示すと共に、樹脂薄膜を用いた
高性能電子部品を示すものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、樹脂系材料が付与されつつある、周回しつつ加熱さ
れた支持体の表面から蒸発した前記樹脂系材料を基板上
に付着させて薄膜を形成する樹脂薄膜の製造方法とした
ものであり、このことにより、溶剤希釈無しで平滑性に
優れた極薄の樹脂薄膜が得られ、高性能電子部品が実現
できる。

【００１０】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態について図面を用いて説明する。図１で巻出しロール
から回転方向に沿って巻出されたＡｌ蒸着基板３は円筒
状キャン４の周側面に沿って走行中に遮蔽板５の開口部
で樹脂薄膜の形成を受けた後に巻き取りロール８に巻き
取られる。一次霧化装置として超音波振動子を用い、樹
脂材料は液供給管９から超音波振動子１０の表面に供給
される。超音波振動によって微小粒子化された樹脂材料
は加熱ロ−ラ１１の周面に到着した後、加熱ロ−ラ１１
の表面から再び微粒子となって離脱し、Ａｌ蒸着基板３
の上に樹脂薄膜を形成する。

【００１１】その後、紫外線照射装置７によって紫外線
を照射されて硬化する。紫外線照射の代わりに電子線照
射を用いること、またはこれらの組合せとすることも可
能である。Ａｌ蒸着基板３は厚さ２μｍのポリエチレン
テレフタレート基板上にＡｌを３０ｎｍ形成したものを
用い、樹脂材料として１．９ノナンジオールジアクリレ
ートに光重合開始剤を１０ｗｔ％混ぜたものを用いた。
加熱ロ−ラ１１の温度は１３０゜Ｃとした。

【００１２】（比較例１）実施の形態１において加熱ロ
−ラ１１を取り除いた他は実施の形態１と同様の構成で
樹脂薄膜の形成を行った。

【００１３】図５に比較例１の構成の概略を示す。（実施の形態２）次に、本発明の第２の実施の形態につ
いて図面を用いて説明する。図２で巻出しローラ１から
巻出されたＡｌ蒸着基板３は円筒状キャン４の周側面に
沿って走行中に樹脂薄膜の形成を受けた後に巻き取りロ
ール８に巻き取られる。一次霧化装置として蒸発源を用
い、樹脂材料は液供給管９から液蒸発源１３に供給され
る。液蒸発源１３から蒸発した樹脂材料は加熱ロ−ラ１
１の周面に到着した後、加熱ロ−ラ１１の表面から再び
微粒子となって離脱し、Ａｌ蒸着基板３の上に樹脂薄膜
を形成する。

【００１４】その後、紫外線照射装置７によって紫外線
を照射されて硬化する。紫外線照射の代わりに電子線照
射を用いること、またはこれらの組合せとすることも可
能である。Ａｌ蒸着基板３は厚さ５μｍのポリエチレン
テレフタレート基板上にＡｌを５０ｎｍ形成したものを
用い、樹脂材料としてジメチノールトリシクロデカンジ
アクリレートに光重合開始剤を０．５ｗｔ％混ぜたもの
を用いた。加熱ロ−ラ１１の温度は１１０℃とした。

【００１５】（比較例２）実施の形態２において加熱ロ
−ラ１１を取り除いた他は実施の形態２と同様の構成で
樹脂薄膜の形成を行った。図６に比較例２の構成の概略
を示す。

【００１６】（実施の形態３）次に、本発明の第３の実
施の形態について図面を用いて説明する。図３で巻出し
ローラ１から巻出されたＡｌ蒸着基板３は円筒状キャン
４の周側面に沿って走行中に樹脂薄膜の形成を受けた後
に巻き取りロール８に巻き取られる。一次霧化装置とし
てスプレーノズル１５を用い、樹脂材料は液供給管から
スプレーノズル１５に供給される。スプレーノズル１５
で霧化した樹脂材料は加熱ロ−ラ１１の周面に到着した
後、加熱ロ−ラ１１の表面から再び微粒子となって離脱
し、Ａｌ蒸着基板３の上に樹脂薄膜を形成する。

【００１７】その後、電子線照射装置１６によって電子
線を照射されて硬化する。電子線照射の代わりに紫外線
照射を用いること、またはこれらの組合せとすることも
可能である。Ａｌ蒸着基板３は厚さ４μｍのポリエチレ
ンナフタレート基板上にＡｌを７０ｎｍ形成したものを
用い、樹脂材料として１．９ノナンジオールジアクリレ
ートとジメチノールトリシクロデカンジアクリレートの
１：１混合液を用いた。加熱ロ−ラ１１の温度は１２０
゜Ｃとした。

【００１８】（比較例３）実施の形態３において加熱ロ
−ラ１１を取り除いた他は実施の形態３と同様の構成で
樹脂薄膜の形成を行った。図７に比較例３の構成の概略
を示す。

【００１９】（実施の形態４）次に、本発明の第４の実
施の形態について図面を用いて説明する。図４で巻出し
ローラ１から巻出されたＡｌ蒸着基板３は円筒状キャン
４の周側面に沿って走行中に樹脂薄膜の形成を受けた後
に巻き取りロール８に巻き取られる。一次霧化装置とし
て機械霧化装置１７を用い、樹脂材料は液供給管から機
械霧化装置１７に供給される。機械霧化装置１７で霧化
した樹脂材料は加熱ロ−ラ１１の周面に到着した後、加
熱ロ−ラ１１の表面から再び微粒子となって離脱し、Ａ
ｌ蒸着基板３の上に樹脂薄膜を形成する。

【００２０】その後、紫外線照射装置７によって紫外線
を照射されて硬化する。紫外線照射の代わりに電子線照
射を用いること、またはこれらの組合せとすることも可
能である。Ａｌ蒸着基板３は厚さ１２μｍのポリプロピ
レンサルファイド基板上にＣｕを５０ｎｍ形成したもの
を用い、樹脂材料としてイソボルニルアクリレートに光
重合開始剤を１ｗｔ％混ぜたものを用いた。加熱ロ−ラ
１１の温度は８０゜Ｃとした。機械霧化装置１７は対向
する２枚の翼を回転させる機構のものを用いたが、他の
方式でも良いと思われる。

【００２１】（比較例４）実施の形態４において加熱ロ
−ラ１１を取り除いた他は実施の形態４と同様の構成で
樹脂薄膜の形成を行った。図８に比較例４の構成の概略
を示す。

【００２２】（比較例５）次に、本発明の第５の比較例
について図面を用いて説明する。図９で巻出しローラ１
から巻出されたＡｌ蒸着基板３は円筒状キャン４の周側
面に沿って走行中に樹脂薄膜の形成を受けた後に巻き取
りロール８に巻き取られる。樹脂材料は液供給管９から
直接加熱ロ−ラ１１に供給される。樹脂材料は加熱ロ−
ラ１１の表面から微粒子となって離脱し、Ａｌ蒸着基板
３の上に樹脂薄膜を形成する。

【００２３】その後、紫外線照射装置によって紫外線を
照射されて硬化する。Ａｌ蒸着基板３は厚さ５μｍのポ
リエチレンテレフタレート基板上にＡｌを５０ｎｍ形成
したものを用い、樹脂材料としてジメチノールトリシク
ロデカンジアクリレートに光重合開始剤を０．５ｗｔ％
混ぜたものを用いた。

【００２４】実施の形態１〜実施の形態４及び比較例１
〜比較例５によって基板の早々速度を変えることによっ
て種々の膜厚に形成した樹脂薄膜について光学顕微鏡観
察及び電子顕微鏡観察を行った。顕微鏡観察による樹脂
薄膜の測定は、樹脂薄膜の一部をセロハンテープ等で剥
した後の電子顕微鏡観察で膜厚が約０．１μｍ及び約
０．８μｍの樹脂薄膜を用い、５ｃｍｘ５ｃｍの範囲に
於ける光学顕微鏡観察での異常粒の最大粒径と、直径３
μｍ以上の異常粒の数で評価した。異常粒数の多いもの
については１ｃｍｘ１ｃｍの範囲での観察結果を２５倍
した。

【００２５】また、形成した樹脂薄膜の上にＡｌを更に
１ｃｍｘ１ｃｍの大きさに１００ｎｍ蒸着形成して上部
電極とし、高分子基板上の蒸着Ａｌとの間の絶縁性につ
いても調べた。樹脂薄膜の絶縁性は、Ａｌの膜厚を共に
５０ｎｍとし、５Ｖの直流電圧を印加した時の抵抗値で
評価した。測定結果を（表１）に示す。なお、基板とし
てＡｌ蒸着の無い高分子基板を用いたときにも、異常粒
の様子や数はほとんど変わらなかった。

【００２６】

【表１】

【００２７】（表１）の結果から分かるように、４種す
べての一次霧化方法に対して、加熱ロ−ラを介して樹脂
薄膜を形成することにより、異常粒子の欠陥が大幅に減
少している。これは一次霧化で発生した樹脂粒子が加熱
ロ−ラ上からの離脱時にはほとんど微粒子化されている
ことを示している。また、抵抗値の測定結果からも異常
粒子の少ない緻密な樹脂薄膜の形成が達成されたことが
分かる。

【００２８】また、比較例５の結果から、単に加熱ロ−
ラに樹脂を直接供給するのではなく、一次霧化装置を経
由して加熱ロ−ラに樹脂材料を付与することによって欠
陥の少ない膜が得られたことは明らかである。

【００２９】次に一次霧化装置と加熱ロ−ラ及び基板上
への樹脂薄膜形成位置の位置関係について検討した。

【００３０】実施の形態１〜実施の形態４においては、
図１０の模式図の様に、一次霧化装置１８において霧化
が行われる部分と加熱ロ−ラ１１の端部の延長線の範囲
外にも樹脂薄膜形成位置が広がっていた。これに対して
図１１の模式図の様に、一次霧化装置１８と樹脂薄膜の
形成位置の間の直線経路を加熱ロ−ラ１１が完全に遮蔽
する様にして、樹脂薄膜を形成し、位置関係が樹脂薄膜
の特性に与える影響を調べた。実施の形態１〜実施の形
態４のそれぞれの構成で一次霧化装置１８からの直線経
路を遮断したものがそれぞれ実施の形態５〜実施の形態
８である。実施の形態５〜実施の形態８によって作成し
た樹脂薄膜について先程と同様の評価を行った結果を
（表２）に示す。

【００３１】

【表２】

【００３２】（表２）から、一次霧化霧化装置と樹脂薄
膜の形成位置の間の直線経路を加熱ロ−ラで完全に遮蔽
する事によって形成された樹脂薄膜上の異常粒子は更に
減少することが分かる。また、抵抗値の測定結果から
も、欠陥が少なくなったことで絶縁性の高い膜が得られ
ることが示されている。

【００３３】従って、実施の形態１，２，３，４で見ら
れた異常粒子の大多数は一次霧化装置から直接基板上に
到達した樹脂材料によるものであると思われる。実施の
形態１，２，３，４に対して実施の形態５，６，７，８
では樹脂の付着効率は若干低下するが欠陥の少ない樹脂
薄膜を得る方法として更に望ましいと言える。

【００３４】以上の実施の形態１，２，３，４，５，
６，７，８において基板としてロール状の高分子基板及
びその上に金属薄膜を形成したものを用いた場合につい
てのみ述べたが、本発明はこれらの基板によって制限さ
れるものではなく、ロール状以外の、平板状や曲面形状
の基板も用いることが出来る他、金属、ガラス、半導体
上に本発明によって樹脂薄膜を形成することもできる。
更には周回する支持体上に樹脂薄膜を繰り返し積層する
ことや、図１２の様に繰り返し積層の間に他の薄膜を挟
み込んで複合膜とすることもできる。

【００３５】即ち、ＡｌやＣｕ等の金属薄膜と樹脂薄膜
の交互積層によって高周波損失の小さい導体を形成する
ことが出来る。あるいは同様の構成で交互に電極の引出
しをすればコンデンサが形成できる。繰り返し積層の場
合にはキャン上に直接あるいは下地層を介して積層膜を
形成しておき、積層後にキャンから積層膜を剥してもよ
い。

【００３６】金属薄膜の形成方法として電子ビーム蒸着
を用いる場合には図１３に示したように反射電子の一部
を遮蔽板５に設けた開口部と水冷板２６によって電子を
誘導する事で、別個の硬化装置を用いずに樹脂の硬化を
行うことも出来る。

【００３７】また、実施の形態としては膜厚０．１μｍ
及び０．８μｍの樹脂薄膜の比較についてのみ述べた
が、０．０５μｍにおいても樹脂薄膜が得られること、
及び少なくとも０．０５〜３μｍの範囲で、本実施の形
態の結果と同様の効果が得られることを確認した。さら
に、本発明の実施の形態では３種のアクリレート樹脂を
用いた場合についてのみ述べたが、他のアクリレート樹
脂は言うまでもなく、アクリレート以外の樹脂を用いた
場合にも本発明は広く適用できるものである。

【００３８】加えて、紫外線あるいは電子線による硬化
領域と薄膜形成領域を分離する事で、樹脂薄膜の形成領
域の圧力を任意とする事が出来る他、樹脂材料によって
は大気中熱硬化を用いることも出来る。従って、本発明
の樹脂薄膜の形成方法は、特殊な場合を除いては本質的
には雰囲気の圧力やガスに制限を受けるものではない。
ただし、蒸発速度を早めることが出来ると言う点では減
圧雰囲気が望ましい。

【００３９】減圧雰囲気下で蒸発速度が速まることによ
る利点は、成膜速度の向上のみならず、設備の加熱部分
で樹脂の硬化付着が起こりにくい事にもあり、硬化温度
近くまで蒸気圧が余り高くならない材料を用いる場合等
にはその効果が大きい。減圧雰囲気とする場合当然の事
ながら減圧設備が必要になるが、紫外線硬化が安定に行
われ易いこと、電子線硬化も導入し易いこと、前述のよ
うな他の方式の薄膜製造装置との組合せによって積層膜
が作製できること等、他の利点も多い。

【００４０】また、加熱ロ−ラの温度については、使用
材料や作成条件等によって適宜変えればよく、実施の形
態に示した温度によって制限されるものではない。ま
た、実施の形態１，２，３，４等からもわかる様に、加
熱ロ−ラの回転方向は基本的に正逆どちらの方向でもよ
い。また、これまでの実施の形態では加熱支持体として
加熱ロ−ラを用いたものについて述べたが、加熱支持体
はロ−ラ形状に限らず、例えば図１４に示したような加
熱ベルト２７を用いることもできる。

【００４１】図１４において液供給管９から供給された
樹脂材料は超音波振動子１０の表面で一次霧化された後
に周回する加熱ベルト２７の表面に供給される。加熱ベ
ルト２７は第一駆動ロ−ラ２９及び第二駆動ロ−ラ３０
によって周回されており、一次霧化された粒子はヒータ
によって加熱された加熱ベルト２７の表面から再び微粒
子として離脱し、Ａｌ蒸着基板３に付着して樹脂薄膜を
形成する。この様にベルトを用いることによって小型の
設備化及び平滑樹脂薄膜に於ける一次霧化粒子の高利用
効率化が出来る。

【００４２】更に、第二駆動ロ−ラ３０を冷却すればベ
ルトが一次霧化装置側にあるときのベルト面からの樹脂
の蒸発を低減することもできる。

【００４３】また、図１５は、ベルトを用いた樹脂薄膜
と異種薄膜の積層繰り返し装置の一例を示す図であり、
加熱支持体のみならず積層基板部分にもベルトを用い、
樹脂薄膜形成部と異種薄膜形成部の差圧分離が効率よく
なされて高い生産性が求められる場合に適している。ベ
ルトの材質はステンレス薄板、高分子帯等様々なものを
用いることが出来る。

【００４４】また、図１５に於いては、紫外線照射装置
７の周囲を差圧構造として内部に酸素供給管３２を導入
している。酸素供給管３２は流量制御装置３３を介して
酸素ガスの供給を行っており、これによって紫外線硬化
時に微量の酸素を導入することが出来る。この構成を用
いれば、酸素の存在によって硬化が妨げられる材料系を
用いることによって樹脂薄膜の硬化度を制御することが
出来るので、例えば薄膜形成時の硬化度を必要最低限に
抑えておき、積層膜の形成終了後にこれを平坦に保持し
た後に更に熱硬化を加えるなどすれば樹脂薄膜形成時の
反り等が容易に修正できる。あるいは、積層膜の厚み方
向に硬化度を変えて上下面近傍だけを硬化の進んだ状態
として取扱に耐えるようにして中央部は余り硬化の進ん
でいないままで次工程に送る事等も可能である。

【００４５】なお、霧化粒子の基板上への入射角につい
ても、本発明の効果が実施の形態に示した角度に限定さ
れるものではなく、特に配向性の利用等の目的用途に応
じては、適宜入射角を最適化する事も可能である事は言
うまでもない。

【００４６】本発明で得られる樹脂薄膜の利用分野は極
めて広いものであり、若干の例を示せば、高周波用導体
・コンデンサ・薄膜コイル等の電子部品、回路基板、保
護膜、機能性フィルム等が挙げられるがこれらに限定さ
れるものではない。例えば図１６に示すようにＡｌやＣ
ｕ等を金属薄膜層とし、アクリレートを樹脂薄膜層とし
て積層することで高周波特性がきわめて優れた導体を形
成することが出来る。必要に応じて溶射などの方法で形
成した引出し電極を設けるとよい。

【００４７】また、板上の積層体に機械加工、エッチン
グ等を施せばこれを回路基板として用いることが出来
る。特に本発明で述べた様な極薄の樹脂薄膜を用いるこ
とで、高周波導体の厚みを薄くすることが出来るので、
曲げに強い導体を形成でき、応用範囲も広い。この場
合、例えばＡｌ等の金属薄膜層を５０〜２０００ｎｍ、
樹脂薄膜層を０．５〜３μｍとすればよい。金属薄膜層
をストライプ状とすることで多チャンネル化も可能とな
る。また、金属薄膜層を一種とせず、例えばＡｌ層とＣ
ｕ層の混在とすることによって特性の補完がなされ、使
用条件によっては高性能化が図れる。

【００４８】また、図１７に示すように金属薄膜層３４
の引出しを交互にすることで大容量小型コンデンサが実
現できる。この場合、例えばＡｌ等の金属薄膜層３４を
２０〜１００ｎｍ、樹脂薄膜層３５を０．０５〜１μｍ
とすればよい。電極の引出しには溶射その他の方法が使
用可能である。欠陥の少ない樹脂薄膜層３５を用いるこ
とにより、従来１μｍ前後が限界であった高分子フィル
ムを用いたコンデンサに比べて、大容量化、低コスト化
が出来る。

【００４９】また、積層後の裁断の際には裁断始めや裁
断終わりでエッジだれが起こり易いので積層始めあるい
は積層終わりの一層当たりの樹脂薄膜層厚を積層半ばの
それよりも厚めにしておくことは不良率低減に効果的で
ある。

【００５０】

【発明の効果】以上の様に本発明の樹脂薄膜の製造方法
及び製造装置及び電子部品によれば、溶剤希釈無しで平
滑性に優れた、極薄の樹脂薄膜が得られ、高性能電子部
品が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における樹脂薄膜の製造方法及び製造装
置の一例を示す図

【図２】本発明における樹脂薄膜の製造方法及び製造装
置の一例を示す図

【図３】本発明における樹脂薄膜の製造方法及び製造装
置の一例を示す図

【図４】本発明における樹脂薄膜の製造方法及び製造装
置の一例を示す図

【図５】本発明における樹脂薄膜の製造方法及び製造装
置の比較例を示す図

【図６】本発明における樹脂薄膜の製造方法及び製造装
置の比較例を示す図

【図７】本発明における樹脂薄膜の製造方法及び製造装
置の比較例を示す図

【図８】本発明における樹脂薄膜の製造方法及び製造装
置の比較例を示す図

【図９】本発明における樹脂薄膜の製造方法及び製造装
置の比較例を示す図

【図１０】本発明における一次霧化装置と加熱ロ−ラの
位置関係の一例を示す図

【図１１】本発明における一次霧化装置と加熱ロ−ラの
位置関係の別の例を示す図

【図１２】本発明の樹脂薄膜の製造方法及び製造装置の
一例を示す図

【図１３】本発明の樹脂薄膜の製造方法及び製造装置の
一例を示す図

【図１４】本発明の樹脂薄膜の製造方法及び製造装置の
一例を示す図

【図１５】本発明の樹脂薄膜の製造方法及び製造装置の
一例を示す図

【図１６】本発明の電子部品の一例を示す図

【図１７】本発明の電子部品の一例を示す図

【符号の説明】

１巻出しロ−ラ２回転方向３Ａｌ蒸着基板４キャン５遮蔽板６ガイドロ−ラ７紫外線照射装置８巻き取りロール９液供給管１０超音波振動子１１加熱ロ−ラ１２バルブ１３液蒸発源１４加熱ヒータ１５スプレーノズル１６電子線照射装置１７機械霧化装置１８一次霧化装置１９薄膜形成に寄与する一次霧化粒子２０真空槽２１排気系２２差圧ノズル２３電子ビーム蒸発源２４電子ビーム２５開口部２６水冷板２７加熱ベルト２８加熱ランプ２９駆動ロ−ラＡ３０駆動ロ−ラＢ３１ベルト状基板３２酸素供給管３３流量制御装置３４金属薄膜層３５樹脂薄膜層３６電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂系材料が付与されつつある、周回し
つつ加熱された支持体の表面から蒸発した前記樹脂系材
料を基板上に付着させて薄膜を形成する樹脂薄膜の製造
方法。
【請求項２】前記支持体の表面に、超音波噴霧、蒸
着、スプレー、機械霧化のいずれかを含む一次霧化装置
によって前記樹脂系材料を付与することを特徴とする請
求項１記載の樹脂薄膜の製造方法。
【請求項３】前記一次霧化装置から前記基板上の前記
薄膜の形成域が直接見通せない位置関係下で前記薄膜を
形成する請求項２記載の樹脂薄膜の製造方法。
【請求項４】減圧雰囲気で前記薄膜を形成する事を特
徴とする請求項１，２又は３記載の樹脂薄膜の製造方
法。
【請求項５】前期薄膜の形成後、紫外線照射、電子線
照射、熱硬化の少なくとも一つによって前期薄膜を硬化
させることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の
樹脂薄膜の製造方法。
【請求項６】前記一次霧化装置及び前記加熱支持体及
び前記薄膜の形成域を含む空間を周囲空間との差圧構造
とし、周囲空間において前記薄膜の硬化または前記基板
上への異種薄膜の形成または前記薄膜上への異種薄膜の
形成の少なくとも一つを実施する事を特徴とする請求項
１，２，３，４又は５記載の樹脂薄膜の製造方法。
【請求項７】前記薄膜と前記異種薄膜の繰り返し積層
を行うことを特徴とする請求項６記載の薄膜の製造方
法。
【請求項８】前期繰り返し積層の進行に伴い、前期差
圧状態が略一定となるように前期差圧構造部分を移動さ
せることを特徴とする請求項７記載の薄膜の製造方法。
【請求項９】樹脂薄膜の硬化手段として、少なくとも
減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気での紫外線照射を用
いると共に、微量の酸素ガスを導入することによって硬
化度を調整することを特徴とする樹脂薄膜の製造方法。
【請求項１０】樹脂系材料の供給装置と前記供給装置
から前記樹脂系材料の供給を受け、前記樹脂系材料を霧
化する一次霧化装置と、前記一次霧化装置によって霧化
された前記樹脂材料を付与される、周回する加熱支持体
及び、前記加熱支持体から蒸発した前記樹脂材料を付着
させる基板及び、硬化装置を備えた樹脂薄膜の製造装
置。
【請求項１１】前記一次霧化装置から前記基板上の前
記薄膜の形成域が直接見通せない位置関係にあることを
特徴とする請求項１０記載の樹脂薄膜の製造装置。
【請求項１２】硬化手段として、紫外線照射装置、電
子線照射装置、熱硬化装置の少なくとも一つを備えるこ
とを特徴とする請求項１０又は１１記載の樹脂薄膜の製
造装置。
【請求項１３】硬化手段として少なくとも減圧雰囲気
または不活性ガス雰囲気での紫外線照射装置を備えると
共に、微量酸素の導入手段を有することを特徴とする請
求項１０又は１１記載の樹脂薄膜の製造装置。
【請求項１４】金属薄膜層と樹脂薄膜層が略交互に積
層されてなる電子部品。
【請求項１５】前記金属薄膜層を５０〜２０００ｎ
ｍ、前記樹脂薄膜層を０．０５〜３μｍとすることを特
徴とする請求項１４記載の電子部品。
【請求項１６】前記金属薄膜層をストライプ状とする
事を特徴とする請求項１４又は１５記載の電子部品。
【請求項１７】前記金属薄膜層の一部が他と異なる組
成であることを特徴とする請求項１４，１５又は１６記
載の電子部品。
【請求項１８】層厚１５〜１００ｎｍの金属薄膜層と
層厚０．０５〜１μｍの樹脂薄膜層を略交互積層し、前
記金属薄膜層からの電極引出しを略交互とした電子部
品。
【請求項１９】前記積層始めまたは前記積層終わりの
少なくとも一方で前記積層半ばよりも前記樹脂薄膜層の
一層当たりの膜厚が厚いことを特徴とする請求項１８記
載の電子部品。