JPH01243234A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH01243234A JPH01243234A JP7041688A JP7041688A JPH01243234A JP H01243234 A JPH01243234 A JP H01243234A JP 7041688 A JP7041688 A JP 7041688A JP 7041688 A JP7041688 A JP 7041688A JP H01243234 A JPH01243234 A JP H01243234A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、薄膜型の垂直磁気記録媒体の製造方法に関す
るものであり、さらに詳しくは耐摩耗性を向上するため
のカーボン保護膜を有する薄膜型磁気記録媒体の製造方
法に関する。
るものであり、さらに詳しくは耐摩耗性を向上するため
のカーボン保護膜を有する薄膜型磁気記録媒体の製造方
法に関する。
[従来の技術]
薄膜型の磁気記録媒体では、耐摩耗性の向上のため、磁
性層上に保護層を積層し、さらに潤滑剤を塗布するなど
の工夫をしている。保護層としては種々の材料が検討さ
れており、中でもカーボンは適度な硬度と潤滑性を備え
ているため耐摩耗性向上に有効であり、従来より使用さ
れている。
性層上に保護層を積層し、さらに潤滑剤を塗布するなど
の工夫をしている。保護層としては種々の材料が検討さ
れており、中でもカーボンは適度な硬度と潤滑性を備え
ているため耐摩耗性向上に有効であり、従来より使用さ
れている。
前記カーボン保護層は従来よりプラズマ−CVD法、ス
パッタリング法、真空蒸着法などの真空薄膜形成法など
により形成されているか、プラズマ−CVD法では成膜
速度か遅く、プラスチックフィルムなど長尺の高分子基
材等へ連続的に形成するような場合の製法としては不適
当でおる。−方、真空蒸着法では成膜速度が速く上記の
問題点は解決できる。しかし、磁性層とカーボン層間の
接着力が不足し耐摩耗性を十分向上させることができな
い欠点がおる。この欠点を解決するための手段として逆
スパツタ法、イオンミーリング装置を使用する方法、プ
ラズマ反応装置を用いる方法などにより磁性層表面にイ
オン照射処理を行なった後カーボン保護層を形成する製
法が提案されている(特開昭61−210521 )。
パッタリング法、真空蒸着法などの真空薄膜形成法など
により形成されているか、プラズマ−CVD法では成膜
速度か遅く、プラスチックフィルムなど長尺の高分子基
材等へ連続的に形成するような場合の製法としては不適
当でおる。−方、真空蒸着法では成膜速度が速く上記の
問題点は解決できる。しかし、磁性層とカーボン層間の
接着力が不足し耐摩耗性を十分向上させることができな
い欠点がおる。この欠点を解決するための手段として逆
スパツタ法、イオンミーリング装置を使用する方法、プ
ラズマ反応装置を用いる方法などにより磁性層表面にイ
オン照射処理を行なった後カーボン保護層を形成する製
法が提案されている(特開昭61−210521 )。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、かかる従来の製法においても、イオン照射処理
の強度が強過ぎたり、処理時間が長過ぎたりすると、イ
オン照射を施さない時よりもむしろ耐摩耗性が低下して
しまうなどの問題があった。
の強度が強過ぎたり、処理時間が長過ぎたりすると、イ
オン照射を施さない時よりもむしろ耐摩耗性が低下して
しまうなどの問題があった。
本発明はかかる在来技術の諸欠点に鑑み創案されたもの
で、その目的は耐摩耗性に優れた薄膜型磁気記録媒体を
生産性よく製造する方法を提供することにある。
で、その目的は耐摩耗性に優れた薄膜型磁気記録媒体を
生産性よく製造する方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
かかる本発明の目的は、可撓性高分子基体上に、反応性
蒸着により磁性層を形成し、次いで該磁性層表面にイオ
ン照射処理を施した後、真空蒸着法によりカーホン保護
層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記照
射処理に使用するイオンが不活性ガスから選ばれるイオ
ンであり、該イオンの加速電圧か一500V〜−150
0Vの範囲であり、かつイオン電流密度と照射時間との
積が30〜60(mA−SeC/Cm2 )の条件でイ
オン照射処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法により達成される。
蒸着により磁性層を形成し、次いで該磁性層表面にイオ
ン照射処理を施した後、真空蒸着法によりカーホン保護
層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記照
射処理に使用するイオンが不活性ガスから選ばれるイオ
ンであり、該イオンの加速電圧か一500V〜−150
0Vの範囲であり、かつイオン電流密度と照射時間との
積が30〜60(mA−SeC/Cm2 )の条件でイ
オン照射処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法により達成される。
本発明で用いることのできる可撓性高分子基体としては
、プラスチックフィルムなどの有機重合体材利か適して
おり、中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリエチレンジカルボキシレートなど
のポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリフェニレンス
ルフィドなどが適している。特に前記有機重合体材料の
二゛軸延伸されたフィルム、シー1〜類は、平面性、寸
法安定性に優れ、最も適している。
、プラスチックフィルムなどの有機重合体材利か適して
おり、中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリエチレンジカルボキシレートなど
のポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリフェニレンス
ルフィドなどが適している。特に前記有機重合体材料の
二゛軸延伸されたフィルム、シー1〜類は、平面性、寸
法安定性に優れ、最も適している。
基体の厚みも特に限定されるものではないが、加工性、
寸法安定性の点で3μ〜500μ、中でも4μ〜200
μの範囲が好ましい。
寸法安定性の点で3μ〜500μ、中でも4μ〜200
μの範囲が好ましい。
本発明における磁性層は真空雰囲気中に少なくとも酸素
カスを導入した反応性蒸着により形成されるものでおり
、例えば酸素ガスを導入しながら、強磁性(A料を真空
蒸着により溶融蒸着せしめ、蒸発蒸気流を斜めあるいは
垂直に差し向けて基体上に長手方向あるいは垂直方向に
磁化容易軸を有する磁性層を得るものでおり、したがっ
て本発明では得られる磁性層は強磁性材料の部分酸化物
より成るものでおる。
カスを導入した反応性蒸着により形成されるものでおり
、例えば酸素ガスを導入しながら、強磁性(A料を真空
蒸着により溶融蒸着せしめ、蒸発蒸気流を斜めあるいは
垂直に差し向けて基体上に長手方向あるいは垂直方向に
磁化容易軸を有する磁性層を得るものでおり、したがっ
て本発明では得られる磁性層は強磁性材料の部分酸化物
より成るものでおる。
本発明で使用される強磁性材料としては、コバルト、鉄
およびニッケルなどの強磁性材料の単体または合金必る
いは混合物が挙げられる。
およびニッケルなどの強磁性材料の単体または合金必る
いは混合物が挙げられる。
形成される磁性層の保磁力を大きくするためにはコバル
トおよび/または鉄が75重量%以上含まれていること
が好ましく、さらに耐摩耗性を向上するために、すなわ
ちカーボン保護層との接着力の点でコバルトおよび/ま
たは鉄の内50重量%以上がコバルトであることが好ま
しい。
トおよび/または鉄が75重量%以上含まれていること
が好ましく、さらに耐摩耗性を向上するために、すなわ
ちカーボン保護層との接着力の点でコバルトおよび/ま
たは鉄の内50重量%以上がコバルトであることが好ま
しい。
反応性蒸着に使用されるガスは酸素ガスまたはこれを主
体とするもので、酸素カスとともに使用されるガスとし
ては、化学的活性の小さいカス、例えばN2、Ar、N
e、He、Xe、Rnなどが挙げられる。
体とするもので、酸素カスとともに使用されるガスとし
ては、化学的活性の小さいカス、例えばN2、Ar、N
e、He、Xe、Rnなどが挙げられる。
本発明はこのように形成された磁性層表面に所定のイオ
ン照射処理、すなわち照射処理に使用されるイオンが不
活性カスから選ばれるイオンでおり、該イオンの加速電
圧が一500V〜−1500Vの範囲であり、かつイオ
ン電流密度と照射時間との積が30〜60 (mA−s
ec/cm2 )の条件を満足するイオン照射処理が施
こされる。
ン照射処理、すなわち照射処理に使用されるイオンが不
活性カスから選ばれるイオンでおり、該イオンの加速電
圧が一500V〜−1500Vの範囲であり、かつイオ
ン電流密度と照射時間との積が30〜60 (mA−s
ec/cm2 )の条件を満足するイオン照射処理が施
こされる。
本発明においてイオン照射処理時にイオンソースに供給
されるカスとしてはHe、、Ne1△r1Kr、 Xn
、Rnなどの不活性ガスが使用される。
されるカスとしてはHe、、Ne1△r1Kr、 Xn
、Rnなどの不活性ガスが使用される。
イオン照射処理に使用されるイオンソースとしては、熱
陰極PIG(Pemming Ionization
Qauge)型に属するカルトロン型、冷陰極PI
G型に属するマグネトロン型、熱陰極電子衝撃型に属す
るカウフマン型、電子振動型に属するMAS (Ma
1Tiple Al:)erture 3ourc
e)型などの大電流を引出せるものが使用できるか、真
空槽内への設置の容易性、操作の容易性、イオン電流密
度が大きいなどの点から冷陰極PIG型に属するマグネ
トロン型が好ましい。
陰極PIG(Pemming Ionization
Qauge)型に属するカルトロン型、冷陰極PI
G型に属するマグネトロン型、熱陰極電子衝撃型に属す
るカウフマン型、電子振動型に属するMAS (Ma
1Tiple Al:)erture 3ourc
e)型などの大電流を引出せるものが使用できるか、真
空槽内への設置の容易性、操作の容易性、イオン電流密
度が大きいなどの点から冷陰極PIG型に属するマグネ
トロン型が好ましい。
磁性層表面に所定のイオン照射処理を施された= 6
− 後、真空蒸着法によりカーボン保護層を形成される。
− 後、真空蒸着法によりカーボン保護層を形成される。
次に、本発明の製造方法について図面を用いて説明する
。第1図は本発明方法を実施するための真空蒸着装置の
一例を示ずもので、以下に説明するごとく、垂直磁気記
録媒体の製造等に使用するものて必る。
。第1図は本発明方法を実施するための真空蒸着装置の
一例を示ずもので、以下に説明するごとく、垂直磁気記
録媒体の製造等に使用するものて必る。
第1図において1は真空槽であり、隔壁4により上槽2
と下槽3に分けられてあり、各槽には排気口5.6が設
けられ、図示していない排気系により所定の真空度に調
節可能である。上槽の内部には長尺基体の搬送系か配設
される。すなわち巻き出し軸7にセラ1へされたコアか
ら巻き出された高分子基体12はニップロール8、トラ
ム9、ニップロール10を経て基体巻き取り軸5に装着
されたコアに巻き取られる。
と下槽3に分けられてあり、各槽には排気口5.6が設
けられ、図示していない排気系により所定の真空度に調
節可能である。上槽の内部には長尺基体の搬送系か配設
される。すなわち巻き出し軸7にセラ1へされたコアか
ら巻き出された高分子基体12はニップロール8、トラ
ム9、ニップロール10を経て基体巻き取り軸5に装着
されたコアに巻き取られる。
4′、4′は各隔壁4の先端からドラム9の下槽側周面
の所定幅に沿って所定長だけ延在形成されたマスク形成
用延在部で、その先端には蒸発蒸気流入射用の開口部を
備えたマスク1Bが形成されている。マスク18は蒸発
蒸気流のうち、基体に対し斜めに入射する成分を遮蔽す
るため図示のごとくドラム9に近接して配設するのがよ
く、また蒸発蒸気流の入射角が45°以下になるように
配設するのがよい。
の所定幅に沿って所定長だけ延在形成されたマスク形成
用延在部で、その先端には蒸発蒸気流入射用の開口部を
備えたマスク1Bが形成されている。マスク18は蒸発
蒸気流のうち、基体に対し斜めに入射する成分を遮蔽す
るため図示のごとくドラム9に近接して配設するのがよ
く、また蒸発蒸気流の入射角が45°以下になるように
配設するのがよい。
13は該延在部4″の各中間部から分岐して延在形成さ
れたガス供給室形成用の囲いで、ドラム9と該ドラムに
対向して配設された電子ビーム蒸着器17の中間に位置
する、該囲い13とマスク18で囲まれる空間によりガ
ス供給室22が形成される。
れたガス供給室形成用の囲いで、ドラム9と該ドラムに
対向して配設された電子ビーム蒸着器17の中間に位置
する、該囲い13とマスク18で囲まれる空間によりガ
ス供給室22が形成される。
該ガス供給室にはカス供給管14が囲い13を貫通して
設【プられており、バルブ15をコントロールすること
により所定の組成、流量のカスが供給てぎるようになさ
れている。
設【プられており、バルブ15をコントロールすること
により所定の組成、流量のカスが供給てぎるようになさ
れている。
16は電子ビーム蒸着器17に充填された強磁性体(オ
利、21は後述するイオン照射処理に使用されるイオン
ソース、19はこれに不活性ガスを供給するガス供給管
である。
利、21は後述するイオン照射処理に使用されるイオン
ソース、19はこれに不活性ガスを供給するガス供給管
である。
この様な装置を使用して磁性層を形成するには、2まず
長尺フィルム走行系に高分子基体を配設し、電子ビーム
蒸着器17の凹部に例えばコバルトを配設する。次いで
真空槽1を排気口5.6より各々排気して、上槽2と下
槽3の圧力は所定の圧力以下に排気した後、バルブ15
により、所定の真空度までガスをガス供給室に供給する
。この状態で上記高分子基体を走行させながら、電子ビ
ーム蒸着機17からの電子ビームにより強磁性材料16
を加熱溶融して高分子基体上に磁性層を連続的に形成す
るものでおる。
長尺フィルム走行系に高分子基体を配設し、電子ビーム
蒸着器17の凹部に例えばコバルトを配設する。次いで
真空槽1を排気口5.6より各々排気して、上槽2と下
槽3の圧力は所定の圧力以下に排気した後、バルブ15
により、所定の真空度までガスをガス供給室に供給する
。この状態で上記高分子基体を走行させながら、電子ビ
ーム蒸着機17からの電子ビームにより強磁性材料16
を加熱溶融して高分子基体上に磁性層を連続的に形成す
るものでおる。
垂直磁気記録媒体を形成する場合、供給ガスとしては少
なくとも酸素を含むカスが使用される。
なくとも酸素を含むカスが使用される。
供給カスの組成としては特に限定されないが、好ましく
は酸素(02)と他のガス(X>との組成比(体積比)
で、02:Xが100 : O〜5:95の範囲で使用
するのか好ましい。
は酸素(02)と他のガス(X>との組成比(体積比)
で、02:Xが100 : O〜5:95の範囲で使用
するのか好ましい。
垂直方向の磁気特性を改善し、磁性層に生じるクランク
を低減するために、他のガスとしてはN2、Ar、He
、Xe、Rnなとの不活性カスを使用するのが好ましく
、またカス供給室の圧力は1X10−3丁orr 〜5
x10−2丁orrの範囲とするのか望ましい。
を低減するために、他のガスとしてはN2、Ar、He
、Xe、Rnなとの不活性カスを使用するのが好ましく
、またカス供給室の圧力は1X10−3丁orr 〜5
x10−2丁orrの範囲とするのか望ましい。
なあ、長手方向磁気記録媒体を形成する場合は蒸発蒸気
流のうち、基体に対し垂直に入射する成分を遮蔽するた
め、例えば第2図または第3図に示すごとくマスク23
またはマスク24を配置し、ガス供給室に少量の酸素カ
スを供給するのがよい。
流のうち、基体に対し垂直に入射する成分を遮蔽するた
め、例えば第2図または第3図に示すごとくマスク23
またはマスク24を配置し、ガス供給室に少量の酸素カ
スを供給するのがよい。
長手方向の磁気特性を低下させないためマスク23.2
4は、蒸発蒸気流の最小入射角が30’以上となるよう
設置するのがよい。なお第2.3図中、マスク23.2
4以外の装置部分は第1図のものと同一でおるため符号
を省略している。
4は、蒸発蒸気流の最小入射角が30’以上となるよう
設置するのがよい。なお第2.3図中、マスク23.2
4以外の装置部分は第1図のものと同一でおるため符号
を省略している。
次いでこのようにして形成された磁性層上、例えば第1
図の装置を使用して得られた垂直磁気記録媒体上に所定
のイオン照射処理が施される。
図の装置を使用して得られた垂直磁気記録媒体上に所定
のイオン照射処理が施される。
すなわち、第1図の装置で垂直磁化膜を形成後、真空槽
1の真空をブレークし、磁性層が形成された基体を再び
巻き出し軸側にセラ1〜して真空槽1内を排気する。次
いて表面に磁性層か形成された基体を走行させながら、
ガス供給管19よりイオンソース21の内部に不活性ガ
スを供給し、イオンソースに所定の加速電圧、イオン電
流を与えて磁性層面に対し連続的にイオン照射が施され
るが、この際イオンソースに供給するガスとして不活性
ガスを使用するとともに、該イオンの加速電圧として一
500V〜−1500Vの範囲を採用し、かつイオン電
流密度と照射時間との積が30〜60 (mA−sec
/cm2 )を満足する条件でイオン照射処理を施すこ
とが重要であり、これにより磁性層上に形成されるカー
ボン保護層の耐摩耗性を著しく向上させることができる
。
1の真空をブレークし、磁性層が形成された基体を再び
巻き出し軸側にセラ1〜して真空槽1内を排気する。次
いて表面に磁性層か形成された基体を走行させながら、
ガス供給管19よりイオンソース21の内部に不活性ガ
スを供給し、イオンソースに所定の加速電圧、イオン電
流を与えて磁性層面に対し連続的にイオン照射が施され
るが、この際イオンソースに供給するガスとして不活性
ガスを使用するとともに、該イオンの加速電圧として一
500V〜−1500Vの範囲を採用し、かつイオン電
流密度と照射時間との積が30〜60 (mA−sec
/cm2 )を満足する条件でイオン照射処理を施すこ
とが重要であり、これにより磁性層上に形成されるカー
ボン保護層の耐摩耗性を著しく向上させることができる
。
イオン照射時の加速電圧が一500V未満またはイオン
電流密度と照射時間の積が、30(mA・sec/cm
2)未満の場合には磁性層表面とカーボン保護膜の接着
力の向上効果は見られず、耐摩耗性を向上させることで
できない。
電流密度と照射時間の積が、30(mA・sec/cm
2)未満の場合には磁性層表面とカーボン保護膜の接着
力の向上効果は見られず、耐摩耗性を向上させることで
できない。
一方加速電圧が一1500Vを越える場合、またはイオ
ン電流密度と照射時間の積が、60 (mA−SeC/
Cm2 )を越える場合には耐摩耗性が低下するため好
ましくない。
ン電流密度と照射時間の積が、60 (mA−SeC/
Cm2 )を越える場合には耐摩耗性が低下するため好
ましくない。
磁性層表面に所定のイオン照射処理が施された後、次い
で真空蒸着法によりカーホン保護層が形成される。
で真空蒸着法によりカーホン保護層が形成される。
すなわち、イオン照射処理が終了後、再び真空層をブレ
ークして磁性層にイオン照射を施した基体を取り出し、
巻き出し軸7に再セットする。次いで、電子ビーム蒸着
器の凹部にカーボンを配して真空槽1の内部を所定圧力
になるまで排気する。
ークして磁性層にイオン照射を施した基体を取り出し、
巻き出し軸7に再セットする。次いで、電子ビーム蒸着
器の凹部にカーボンを配して真空槽1の内部を所定圧力
になるまで排気する。
続いて基体を走行させながら、カーボンを蒸発させ磁性
層上に連続的に耐摩耗性の向上したカーボン膜が形成さ
れる。。
層上に連続的に耐摩耗性の向上したカーボン膜が形成さ
れる。。
本発明において、磁性層およびカーボン保護層は真空蒸
着法により形成されるか、真空蒸着としては、抵抗加熱
蒸着、誘導加熱蒸着、イオンブレーティングなど公知の
真空蒸着法が適宜使用できるが、蒸発速度が速く、操作
性が良い点で電子ビーム蒸着法か好ましい。
着法により形成されるか、真空蒸着としては、抵抗加熱
蒸着、誘導加熱蒸着、イオンブレーティングなど公知の
真空蒸着法が適宜使用できるが、蒸発速度が速く、操作
性が良い点で電子ビーム蒸着法か好ましい。
上述の説明では高分子基体の片面に磁性層、イオン照射
処理、保護層を形成した例を説明したが、勿論基体の両
面においても実施できることはいうまでもない。
処理、保護層を形成した例を説明したが、勿論基体の両
面においても実施できることはいうまでもない。
[作用]
上述のごとく、イオン照射条件を本発明のように選んで
磁性層表面をよイオン照射し、次いで真空蒸着によりカ
ーボン保護膜を積層することにより、耐摩耗性が著しく
向上した。この原因については明確にはできていないが
、イオン照射処理後の磁性層表面をFE−3EM (F
i e I d Emission−3canni
bg Electroron Microsbop
e:電界効果型走査電子顕微鏡)写真などで観察すると
、本発明を満足するイオン照射条件で処理した試料の場
合はその表面に適度な凹凸が形成されていること、また
ポリエステル粘着剥離テストによりカーボン層が磁性層
面から剥離せず、接着力が強くなっていることなどわか
った。
磁性層表面をよイオン照射し、次いで真空蒸着によりカ
ーボン保護膜を積層することにより、耐摩耗性が著しく
向上した。この原因については明確にはできていないが
、イオン照射処理後の磁性層表面をFE−3EM (F
i e I d Emission−3canni
bg Electroron Microsbop
e:電界効果型走査電子顕微鏡)写真などで観察すると
、本発明を満足するイオン照射条件で処理した試料の場
合はその表面に適度な凹凸が形成されていること、また
ポリエステル粘着剥離テストによりカーボン層が磁性層
面から剥離せず、接着力が強くなっていることなどわか
った。
本発明で規定したイオン照射時の加速電圧またはイオン
電流密度と照射時間との積を越えて処理を行なった場合
、基板フィルムは何らかの熱損傷を受けるが、あるいは
熱損傷を受けない場合でも耐摩耗性が著しく低下した。
電流密度と照射時間との積を越えて処理を行なった場合
、基板フィルムは何らかの熱損傷を受けるが、あるいは
熱損傷を受けない場合でも耐摩耗性が著しく低下した。
耐摩耗性が低下した試料の表面をFE−3Eて観察する
と、相対的に平坦になっているのが観察された。またポ
リエステル粘着剥離テストを行なってみるとカーボンと
磁性層間で剥離し、ポリエステル粘着テープの粘着層部
分にカーボンが付着する結果となり接着力が著しく低下
していた。
と、相対的に平坦になっているのが観察された。またポ
リエステル粘着剥離テストを行なってみるとカーボンと
磁性層間で剥離し、ポリエステル粘着テープの粘着層部
分にカーボンが付着する結果となり接着力が著しく低下
していた。
加速電圧が一500V未満、またはイオン電流密度と照
射時間との積が30 (mA−sec/cm2)未満で
は、試料の表面形態、接着力等は未処理の試料と大差が
なかった。
射時間との積が30 (mA−sec/cm2)未満で
は、試料の表面形態、接着力等は未処理の試料と大差が
なかった。
以上のことから本発明で規定した条件によりイオン照射
を施すことにより、試料表面に適当な凹凸を形成できる
こと、またカーボン保護層と磁性層間の接着力を強くで
きたことなどが耐摩耗性向上に寄与したものと推定され
る。
を施すことにより、試料表面に適当な凹凸を形成できる
こと、またカーボン保護層と磁性層間の接着力を強くで
きたことなどが耐摩耗性向上に寄与したものと推定され
る。
[特性の測定方法・評価基準]
■ 磁気特性の測定方法
磁性層の磁気特性は、JIS C−2561で示され
ている振動試料型磁力計法や、磁気磁束計法によって測
定できる。本発明では振動試料型磁力計(理研電子(株
)製、BHV−30)により測定した。
ている振動試料型磁力計法や、磁気磁束計法によって測
定できる。本発明では振動試料型磁力計(理研電子(株
)製、BHV−30)により測定した。
■ イオン電流密度と照射時間について本発明において
イオンソースとして日本電子(株)製のマグネトロン型
イオン源”MIS−250型″イオン源を使用した。イ
オンの電流密度はイオン源電極と被処理基材間の距離お
よびイオン電流によって決まるか、本発明の実施例では
後述のごとく、距離を15Qcrrlに固定し、イオン
電流の調節によりイオン電流密度を変えた。また照射時
間はフィルムの走行速度により変更した。
イオンソースとして日本電子(株)製のマグネトロン型
イオン源”MIS−250型″イオン源を使用した。イ
オンの電流密度はイオン源電極と被処理基材間の距離お
よびイオン電流によって決まるか、本発明の実施例では
後述のごとく、距離を15Qcrrlに固定し、イオン
電流の調節によりイオン電流密度を変えた。また照射時
間はフィルムの走行速度により変更した。
■ 耐摩耗性の評価方法
試料を市販の3.5インチサイズに打ち扱きセンターハ
ブを取り付けてハードケースに収め試験試itとする。
ブを取り付けてハードケースに収め試験試itとする。
この試験試わ1を市販の3.5インチ両面フロッピーデ
ィスクドライブ(松下通信工業(株)製”JU−364
”)により、記録信号として125Kl−1zて記録し
た後、同一1〜ラツクを継続して走行させた時、再生出
力が初期値の70%以下になるまでの走行回数を耐摩耗
性とした。
ィスクドライブ(松下通信工業(株)製”JU−364
”)により、記録信号として125Kl−1zて記録し
た後、同一1〜ラツクを継続して走行させた時、再生出
力が初期値の70%以下になるまでの走行回数を耐摩耗
性とした。
ただし走行回数の最大値を1000万パスまでとした。
■ 試料の表面形態の観察方法
試料の表面形態は下記の電界放射型走査電子顕微鏡(F
E−3EM)により写真を眼影し観察しlこ。
E−3EM)により写真を眼影し観察しlこ。
装置:日立製作新製” S−800型″加速電圧:25
KV 試料傾斜角度:300 ■ 磁性層とカーボン層との接着力の測定方法10Qm
mx200 m rTlのザイス′以上に切り出した試
験試料に日東電気工業(株)製″ポリエステル粘着テー
プ″の片方の端をもって180°方向に引き剥かして試
験試料の剥離状態、″ポリエステル粘着テープ゛側への
カーボンの付着状態などを観察して接着力を判定する。
KV 試料傾斜角度:300 ■ 磁性層とカーボン層との接着力の測定方法10Qm
mx200 m rTlのザイス′以上に切り出した試
験試料に日東電気工業(株)製″ポリエステル粘着テー
プ″の片方の端をもって180°方向に引き剥かして試
験試料の剥離状態、″ポリエステル粘着テープ゛側への
カーボンの付着状態などを観察して接着力を判定する。
[実施例]
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例1〜5、比較例1〜5
−16 =
第1図に示した真空蒸着装置を用い、基体帆走系に厚さ
50μmの二軸延伸ポリエステルフィルム(東しく株式
会社)製゛′ルミラー″)を突条し、電子ビーム蒸着器
に純度99.9%以上のコハル1〜を配して、排気系に
より上槽を5 X 10’Torr以下、下槽を5 x
10−5Torr以下になるまで排気した後、酸素と
窒素の混合ガス(体積比で酸素:窒素−10:90)を
圧力が2X10″3Torrになるまで導入した状態で
、前記基体を磁性層の膜厚が3000人になるような速
度で走行させ、電子ビームによりコハル1〜を溶融蒸発
させ、しせい層を連続的に形成した。継いで同様の条件
により裏面側にも磁性層を形成した。得られた磁性層の
磁気特性は垂直方向保磁力(Hc >が1380(O
e)、異方性磁界Hkが3.8 (KOe)の垂直磁化
膜でめった。なお上記実施例においては入射角が26°
を越える蒸発蒸気流が基体に入射しないようにマスクを
配置した。
50μmの二軸延伸ポリエステルフィルム(東しく株式
会社)製゛′ルミラー″)を突条し、電子ビーム蒸着器
に純度99.9%以上のコハル1〜を配して、排気系に
より上槽を5 X 10’Torr以下、下槽を5 x
10−5Torr以下になるまで排気した後、酸素と
窒素の混合ガス(体積比で酸素:窒素−10:90)を
圧力が2X10″3Torrになるまで導入した状態で
、前記基体を磁性層の膜厚が3000人になるような速
度で走行させ、電子ビームによりコハル1〜を溶融蒸発
させ、しせい層を連続的に形成した。継いで同様の条件
により裏面側にも磁性層を形成した。得られた磁性層の
磁気特性は垂直方向保磁力(Hc >が1380(O
e)、異方性磁界Hkが3.8 (KOe)の垂直磁化
膜でめった。なお上記実施例においては入射角が26°
を越える蒸発蒸気流が基体に入射しないようにマスクを
配置した。
磁性層を形成したフィルムを再び搬送系に配して、上槽
を5 x 10 ’Torr以下、下1を5X10’
Torr以下になるまで排気した後、カス供給管19を
経てイオンソース(日本電子(株)製のマグネトロン型
イオン源”Mis−250型″を使用した。またイオン
源電極と被処理基材間の距離は150cmに設定した)
内にArガスを5Q、cc/minの速度で供給しなが
ら、表1に示すイオン照@4処理条件でイオン照射処理
を行なった。本発明を満足するものを実施例1〜5とす
る。なお実施例1〜5は裏面側の磁性層にも表側と同様
の条件でイオン照射を施した。また本発明の条件を外れ
るものを比較例2〜5とする。比較例2〜5の裏面側磁
性層についてもそれぞれ表面側と同様の条件でイオン照
射を施した。またイオン原則を施さないものを比較例1
とした。
を5 x 10 ’Torr以下、下1を5X10’
Torr以下になるまで排気した後、カス供給管19を
経てイオンソース(日本電子(株)製のマグネトロン型
イオン源”Mis−250型″を使用した。またイオン
源電極と被処理基材間の距離は150cmに設定した)
内にArガスを5Q、cc/minの速度で供給しなが
ら、表1に示すイオン照@4処理条件でイオン照射処理
を行なった。本発明を満足するものを実施例1〜5とす
る。なお実施例1〜5は裏面側の磁性層にも表側と同様
の条件でイオン照射を施した。また本発明の条件を外れ
るものを比較例2〜5とする。比較例2〜5の裏面側磁
性層についてもそれぞれ表面側と同様の条件でイオン照
射を施した。またイオン原則を施さないものを比較例1
とした。
次いで真空槽をブレークし、再びイオン照射処理を施し
たフィルムを巻出し側に配し、電位ビーム蒸着器に黒鉛
質カーボン(日本カーボン(株〉製)を配置した状態で
排気系により、上槽を5X1Q Torr以下、下槽
を5 X 10−5Torr以下になるまて排気した後
、前記フィルムをカーボン層の= 18− 膜厚が220人になるようなスピードで走行させ、電子
ビーム蒸着により実施例1〜5および比較例1〜5の表
面側にカーボン層を形成した。また裏面側についても同
様の条件でカーボン層を形成した。
たフィルムを巻出し側に配し、電位ビーム蒸着器に黒鉛
質カーボン(日本カーボン(株〉製)を配置した状態で
排気系により、上槽を5X1Q Torr以下、下槽
を5 X 10−5Torr以下になるまて排気した後
、前記フィルムをカーボン層の= 18− 膜厚が220人になるようなスピードで走行させ、電子
ビーム蒸着により実施例1〜5および比較例1〜5の表
面側にカーボン層を形成した。また裏面側についても同
様の条件でカーボン層を形成した。
表1に評価結果を示す。表1より明らかなごとく本発明
を満足する実施例1〜5はいずれも耐摩耗性が760万
パス〜1000万パス以上と極めて優れているのに対し
て、比較例1〜5のものは耐摩耗性が12万パス以下で
おり、実用に供し難いいものであった。
を満足する実施例1〜5はいずれも耐摩耗性が760万
パス〜1000万パス以上と極めて優れているのに対し
て、比較例1〜5のものは耐摩耗性が12万パス以下で
おり、実用に供し難いいものであった。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明の製造方法によれば、耐摩耗
性に優れた薄膜型磁気記録媒体を得ることができる上、
磁性層、カーボンソ保護層の形成は真空蒸着により行な
うため、膜形成速度が速く生産性に優れた製造方法を提
供することができた。
性に優れた薄膜型磁気記録媒体を得ることができる上、
磁性層、カーボンソ保護層の形成は真空蒸着により行な
うため、膜形成速度が速く生産性に優れた製造方法を提
供することができた。
第1図は本発明方法の実施に使用する装置の1例を示す
概略説明図、第2図および第3図は本発明の実施に使用
する装置の他の例を示す概略説明図である。 1:真空槽、 4:隔壁、 4−:マスク形成用延在部、 7:巻き出し軸、 9ニドラム、 12:高分子基体、 13:ガス供給至形成用囲い、 14.19:ガス供給室、 17:電子ビーム蒸着器、 18.23.24:マスク、 21;イオンソース。
概略説明図、第2図および第3図は本発明の実施に使用
する装置の他の例を示す概略説明図である。 1:真空槽、 4:隔壁、 4−:マスク形成用延在部、 7:巻き出し軸、 9ニドラム、 12:高分子基体、 13:ガス供給至形成用囲い、 14.19:ガス供給室、 17:電子ビーム蒸着器、 18.23.24:マスク、 21;イオンソース。
Claims (1)
- 1 可撓性高分子基体上に、反応性蒸着により磁性層を
形成し、次いで該磁性層表面にイオン照射処理を施した
後、真空蒸着法によりカーボン保護層を形成する磁気記
録媒体の製造方法において、前記照射処理に使用するイ
オンが不活性ガスから選ばれるイオンであり、該イオン
の加速電圧が−500V〜−1500Vの範囲であり、
かつイオン電流密度と照射時間との積が30〜60(m
A・sec/cm^2)の条件でイオン照射処理するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7041688A JPH01243234A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7041688A JPH01243234A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01243234A true JPH01243234A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13430847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7041688A Pending JPH01243234A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01243234A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006260709A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Tokai Univ | 磁性材料薄膜の製造方法 |
WO2009116413A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP7041688A patent/JPH01243234A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006260709A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Tokai Univ | 磁性材料薄膜の製造方法 |
WO2009116413A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | Hoya株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
US8414966B2 (en) | 2008-03-17 | 2013-04-09 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic recording medium and manufacturing method of the same |
US9093100B2 (en) | 2008-03-17 | 2015-07-28 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic recording medium including tailored exchange coupling layer and manufacturing method of the same |
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