WO2012133201A1 - 蒸着粒子射出装置、蒸着粒子射出方法および蒸着装置 - Google Patents

蒸着粒子射出装置、蒸着粒子射出方法および蒸着装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012133201A1
WO2012133201A1 PCT/JP2012/057544 JP2012057544W WO2012133201A1 WO 2012133201 A1 WO2012133201 A1 WO 2012133201A1 JP 2012057544 W JP2012057544 W JP 2012057544W WO 2012133201 A1 WO2012133201 A1 WO 2012133201A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vapor deposition
adherend
injection
temperature
particles
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/057544
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
通 園田
伸一 川戸
井上 智
智志 橋本
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US14/007,956 priority Critical patent/US20140014036A1/en
Priority to CN201280015939.4A priority patent/CN103476962B/zh
Priority to JP2013507521A priority patent/JP5512881B2/ja
Publication of WO2012133201A1 publication Critical patent/WO2012133201A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65DCONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D85/00Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
    • B65D85/70Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for materials not otherwise provided for
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition particle injection apparatus, a vapor deposition particle injection method, and a vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition particle injection apparatus as a vapor deposition source.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an organic EL display device including an organic EL element using electroluminescence (electroluminescence; hereinafter referred to as “EL”) of an organic material is an all-solid-state type, driven at a low voltage and has a high-speed response.
  • EL electroluminescence
  • the organic EL display device has, for example, a configuration in which an organic EL element connected to a TFT is provided on a substrate made of a glass substrate or the like provided with a TFT (thin film transistor).
  • the organic EL element is a light emitting element that can emit light with high luminance by low-voltage direct current drive, and has a structure in which a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode are stacked in this order. Of these, the first electrode is connected to the TFT.
  • the organic EL layer a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer
  • a hole injection layer a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer
  • a full-color organic EL display device is generally formed by arranging organic EL elements of red (R), green (G), and blue (B) as sub-pixels on a substrate, and using TFTs. Image display is performed by selectively emitting light from these organic EL elements with a desired luminance.
  • the organic EL element in the light emitting portion of such an organic EL display device is generally formed by stacking organic films.
  • a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color is formed in a predetermined pattern for each organic EL element that is a light emitting element.
  • an inkjet method, a laser transfer method, or the like can be applied in addition to a vapor deposition method using a mask called a shadow mask.
  • a shadow mask For film formation of a predetermined pattern by stacked vapor deposition, for example, an inkjet method, a laser transfer method, or the like can be applied in addition to a vapor deposition method using a mask called a shadow mask.
  • a vacuum deposition method using a mask called a shadow mask it is most common to use a vacuum deposition method using a mask called a shadow mask.
  • a vapor deposition source for evaporating or sublimating the vapor deposition material is disposed in a vacuum chamber capable of maintaining the inside in a reduced pressure state. To evaporate or sublimate the deposition material.
  • FIG. 13 is a diagram schematically showing a vapor deposition apparatus using a limiting plate different from the vacuum vapor deposition apparatus described in Patent Document 1.
  • a vapor deposition mask 1070 formed with a vapor deposition source 1060, a control block (corresponding to the vapor deposition flow control unit) 1085 composed of a plurality of control plates 1086, and a stripe-shaped opening 1071 extending in the Y-axis direction. And the vapor deposition source unit 1050. While the vapor deposition source unit 1050 is fixed, the substrate 1010 which is a vapor deposition target is moved in the Y-axis direction to form a film on the substrate 1010.
  • the vapor deposition particles 1091 are attached to the vapor deposition surface of the substrate 1010 by moving the substrate 1010 in the Y-axis direction. A plurality of striped films parallel to the direction are formed.
  • the vapor deposition particles 1091 emitted from the vapor deposition source opening 1061 of the vapor deposition source 1060 pass through the control block 1085 and reach the substrate 1010 through the vapor deposition mask 1070 for directivity control. It has become. As a result, the vapor deposition particles 1091 can be appropriately guided to the region to be vapor-deposited, so that vapor deposition blur does not occur.
  • control block 1085 when the control block 1085 is used, a part of the vapor deposition particles 1091 emitted from the vapor deposition source opening 1061 of the vapor deposition source 1060 contributes to vapor deposition through the control block 1085. Since this is shielded by the control block 1085 and is not contributed to the vapor deposition and is wasted, there arises a problem that the vapor deposition rate is lowered.
  • the heating temperature of the vapor deposition material may be increased in the vapor deposition source 1060.
  • the vapor deposition material is organic, the thermal conductivity is low. Due to the delay in heat conduction, the vapor deposition material is heated more than necessary and thermally decomposes, resulting in a problem that the vapor deposition material deteriorates.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a vapor deposition particle injection device capable of improving the vapor deposition rate without heating the vapor deposition material more than necessary. is there.
  • the vapor deposition particle injection apparatus includes an injection container having an injection port for injecting gaseous vapor deposition particles to the outside, and the vapor deposition material contained in the injection container and adhering the vapor deposition particles to the surface. It is characterized by comprising an adherend to be held and a heating device for heating the vapor deposition material held on the adherend surface to a temperature equal to or higher than a temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous.
  • the deposition rate can be improved.
  • the larger the surface area of the adherend the more vapor deposition particles can be adhered to the surface and the vapor deposition material can be held, so that more gaseous vapor deposition particles can be obtained at one time. That is, the deposition rate can be further improved.
  • the heating temperature for making the vapor deposition material held on the adherend surface gaseous is vaporized if the vapor deposition material is liquid. If the temperature and vapor deposition material are solid, the heating temperature is higher than the sublimation temperature, and a heating temperature as close as possible to these evaporation temperature and sublimation temperature is sufficient. Thereby, since it is not necessary to perform heating more than necessary to increase the vapor deposition rate, deterioration of the vapor deposition material due to excessive heating can be prevented.
  • the vapor deposition rate can be improved without heating the vapor deposition material more than necessary.
  • the vapor deposition particle injection apparatus is connected to a vapor deposition particle generation source that generates vapor deposition particles by heating vapor deposition material, and the vapor deposition particle generation source, and ejects the vapor deposition particles to the outside.
  • An injection container having an injection port, an adherend that is contained in the injection container and holds vapor deposition material on the surface by adhering vapor deposition particles, and a surface temperature of the adherend in the injection container
  • a surface temperature control device for controlling the vapor deposition material to be either a temperature lower than a temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous or a temperature equal to or higher than a temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous. Yes.
  • the temperature at which gaseous vapor deposition particles are generated from the vapor deposition material is the evaporation temperature when the vapor deposition material is liquid, and the sublimation temperature when the vapor deposition material is solid.
  • the surface temperature control device sets the surface temperature of the adherend to be lower than the temperature at which gaseous vapor deposition particles are generated from the vapor deposition material, It becomes possible to hold vapor deposition material by adhering gaseous vapor deposition particles.
  • the surface temperature control device sets the surface temperature of the adherend to be higher than the temperature at which gaseous deposition particles are generated from the vapor deposition material, the vapor deposition material held on the surface of the adherend It becomes possible to generate gaseous vapor deposition particles from.
  • gaseous deposition particles are attached to the surface of the adherend included in the injection container to hold the vapor deposition material, and then held on the adherend. Since vapor deposition particles are generated from the vapor deposition material, the vapor deposition material is put into a gaseous state at a time without increasing the heating temperature as compared with the case where the vapor deposition material is put in a crucible and heated to be gaseous.
  • the deposition material to be increased can be increased. That is, the deposition rate can be improved.
  • an injection container having an injection port for injecting gaseous vapor deposition particles to the outside, and the vapor deposition particles contained in the injection container and deposited on the surface by adhering the vapor deposition particles. Equipped with an adherend that holds the material and a heating device that heats the vapor deposition material held on the surface of the adherend to a temperature equal to or higher than the temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous. Even if it does not heat above, there exists an effect that a vapor deposition rate can be improved.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the outline of the whole vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition particle injection apparatus which concerns on one embodiment of this invention. It is a figure which shows the example of an arrangement
  • (A)-(c) is a figure which shows the principle of adhesion of the vapor deposition particle in the heating plate shown in FIG. 2, and vapor deposition material becoming gaseous.
  • (A)-(c) is a figure which shows the example of the to-be-adhered body which adheres vapor deposition particles other than the heating plate shown in FIG.
  • FIG. It is a figure which shows schematic structure of the vapor deposition processing system provided with the vapor deposition particle injection apparatus shown in FIG. It is sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescent display apparatus of RGB full color display. It is sectional drawing of the TFT substrate in an organic electroluminescence display. It is a flowchart which shows the manufacturing process of an organic electroluminescence display in order of a process. It is a figure which shows the outline of the vapor deposition processing system for comparing with the vapor deposition processing system shown in FIG. It is a figure which shows the outline of the whole vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition particle injection apparatus which concerns on other embodiment of this invention.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the outline of the vapor deposition material filling apparatus which makes vapor deposition particle adhere with respect to the heating plate unit used with the vapor deposition particle injection apparatus shown in FIG. It is a figure which shows the outline of the whole vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition particle injection apparatus which concerns on other embodiment of this invention. It is a schematic block diagram of the vacuum evaporation system provided with the evaporation flow control part.
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of a whole vapor deposition apparatus provided with a vapor deposition particle injection apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the vapor deposition apparatus has a configuration in which a vapor deposition particle injection device 501 is provided as a vapor deposition source in a vacuum chamber 500 as shown in FIG.
  • the vapor deposition particle injection device 501 includes a nozzle unit (injection container) 110 having a plurality of injection ports 111 and a vapor deposition particle generation unit (vapor deposition particle generation source) 120.
  • the vapor deposition particle generator 120 heats the vapor deposition material 124 in the crucible 123 contained in the container 121 by a heater (heating member) 122 provided outside the container 121 to evaporate (the vapor deposition material is a liquid material). In some cases) or by sublimation (when the deposition material is a solid material), gaseous deposition particles are generated.
  • the nozzle unit 110 and the vapor deposition particle generation unit 120 are connected by an introduction pipe (connection path) 130, and the vapor deposition particles generated by the vapor deposition particle generation unit 120 are introduced into the nozzle unit 110 through the introduction pipe 130. It is supposed to be.
  • the introduction pipe 130 is provided with a valve 140, and the introduction of the vapor deposition particles generated from the vapor deposition particle generation unit 120 into the nozzle unit 110 can be stopped or started as necessary.
  • the nozzle unit 110 includes a heating plate unit 100 including a plurality of heating plates (adhered bodies) 101 as adherends to which vapor deposition particles can adhere to the surface. Details of the heating plate unit 100 and the heating plate 101 will be described later.
  • the vapor deposition particle injection device 501 is provided with a cooling device 150 for cooling the nozzle unit 110 from the outside and a heating device 160 for heating the nozzle unit 110 from the outside.
  • the cooling device 150 cools the surface temperature of the heating plate 101 in the heating plate unit 100 in the nozzle unit 110 to a temperature lower than the temperature at which the vapor deposition material 124 becomes gaseous.
  • the surface temperature of the heating plate 101 in the heating plate unit 100 in the nozzle unit 110 is heated to a temperature higher than the vapor temperature of the vapor deposition material 124.
  • the cooling device 150 has a heat exchange member 151 for contacting the outer peripheral surface 110a of the nozzle portion 110 and removing heat from the nozzle portion 110.
  • the heat exchange member 151 is provided so as to be able to be separated from the casing outer peripheral surface 110a of the nozzle portion 110. That is, when the cooling of the nozzle unit 110 is necessary, the cooling device 150 comes into contact with the casing outer peripheral surface 110a of the nozzle unit 110 and the nozzle unit 110 does not need to be cooled ( When the heating by the heating device 160 is started, the heat exchange member 151 is detached from the casing outer peripheral surface 110a of the nozzle unit 110.
  • the heat exchange member 151 is driven by a driving mechanism (not shown).
  • the heating device 160 is provided with a heating member such as a heater (not shown) inside the nozzle unit 110 and drives the heating member to heat the inside of the nozzle unit 110. That is, the heating device 160 drives the heating member to heat the inside of the nozzle portion 110 when the inside of the nozzle portion 110 is necessary and heats the inside of the nozzle portion 110 (the cooling device 150). When the cooling is started, the driving of the heating member is stopped.
  • a heating member such as a heater (not shown) inside the nozzle unit 110 and drives the heating member to heat the inside of the nozzle unit 110. That is, the heating device 160 drives the heating member to heat the inside of the nozzle portion 110 when the inside of the nozzle portion 110 is necessary and heats the inside of the nozzle portion 110 (the cooling device 150).
  • the nozzle unit 110 is cooled by the cooling device 150 and the nozzle unit 110 is heated by the heating device 160, whereby the surface temperature of the heating plate 101 in the heating plate unit 100 in the nozzle unit 110.
  • the temperature is controlled so as to be lower than the temperature at which the vapor deposition material 124 becomes gaseous, and at or above the temperature at which the vapor deposition material 124 becomes gaseous. That is, the cooling device 150 and the heating device 160 function as a surface temperature control device that controls the surface temperature of the heating plate 101 in the heating plate unit 100 in the nozzle unit 110.
  • the temperature at which gaseous vapor deposition particles are generated from the vapor deposition material 124 refers to the evaporation temperature of the vapor deposition material 124 (when the vapor deposition material is a liquid material) or the sublimation temperature (when the vapor deposition material is a solid material). .
  • the cooling plate 150 causes the heating plate 101 to be heated. If the nozzle part 110 is cooled such that the surface temperature of the nozzle part 110 is lower than the temperature at which the vapor deposition material 124 becomes gaseous, the gaseous vapor deposition particles in the nozzle part 110 will be The vapor deposition material is held on the surface of the heating plate 101 by being attached to the surface of the heating plate 101.
  • the heating plate 101 having vapor deposition particles attached to the surface and holding the vapor deposition material is referred to as a vapor deposition particle adhering body.
  • the temperature of the vapor deposition particles attached to the surface of the heating plate 101 by the heating device 160 is If the nozzle part 110 is heated so that it may become more than the temperature which gaseous vapor deposition particle
  • an evaporation mask 300 and a deposition target substrate (deposition target body) 200 are arranged above the vacuum chamber 500 so as to face the nozzle part 110 of the deposition particle injection device 501.
  • the vapor deposition mask 300 and the deposition target substrate 200 are separated from each other, and the relative position between the vapor deposition mask 300 and the vapor deposition particle injection device 501 is constant. Accordingly, it is possible to perform the vapor deposition process by fixing any one of the vapor deposition mask 300 and the vapor deposition particle injection device 501 and the deposition target substrate 200 and moving the other in the substrate scanning direction.
  • the vacuum chamber 500 includes a vacuum pump (not shown) that evacuates the vacuum chamber 500 via an exhaust port (not shown) provided in the vacuum chamber 500 in order to keep the vacuum chamber 500 in a vacuum state during vapor deposition. Is provided.
  • the average free path of the vapor-deposited particles can provide a necessary and sufficient value when the degree of vacuum is higher than 1.0 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa.
  • the degree of vacuum is lower than 1.0 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa, the mean free path is shortened, so that the vapor deposition particles are scattered, so that the arrival efficiency to the deposition target substrate 200 is reduced, and the collimating component Or less.
  • the vacuum chamber 500 is set to a vacuum arrival rate of 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or more by a vacuum pump.
  • a restriction plate 131 for restricting the flow of vapor deposition particles is disposed between the nozzle unit 110 and the vapor deposition mask 300 of the vapor deposition particle injection device 501 as necessary.
  • the purpose of reducing the occurrence of vapor deposition blur (such as blurring at both ends of a stripe-shaped film) caused by the diffusion of vapor deposition particles, such as when the light emitting layer constituting the organic EL layer of the organic EL element is separately applied The restriction plate 131 is disposed.
  • the vapor deposition material 124 is heated by the heater (heating member) 122 provided in the vapor deposition particle generation unit 120 to evaporate (when the vapor deposition material is a liquid material) or sublimate (the vapor deposition material is a solid material). In some cases, gaseous deposition particles are generated.
  • the vapor deposition particles generated by the vapor deposition particle generation unit 120 are guided to the nozzle unit 110 that is being cooled by the cooling device 150 via the introduction pipe 130 connected to the vapor deposition particle generation unit 120, and each heating plate unit 100 is heated. It is attached to the surface of the plate 101. After that, the nozzle unit 110 is heated by the heating device 160, whereby the vapor deposition material held on the surface of each heating plate 101 of the heating plate unit 100 becomes a gaseous state and is mixed in the nozzle unit 110. From the injection ports 111 arranged in a line shape, the light is emitted to the outside toward the film formation substrate 200.
  • the vapor deposition particles injected to the outside from the vapor deposition particle injection device 501 adhere to the deposition target substrate 200 through the vapor deposition mask 300. Thereby, a vapor deposition film is formed on the surface of the deposition target substrate 200. At this time, vapor deposition particles adhere to the deposition target substrate 200 through the vapor deposition mask 300, whereby a pattern of the vapor deposition film is formed.
  • the vapor deposition mask 300 has an opening 301 (through hole) formed in a desired position and shape, and only vapor deposition particles passing through the vapor deposition mask 300 reach the deposition target substrate 200 to form a vapor deposition film pattern.
  • a mask (open mask) having an opening 301 for each pixel is used.
  • a mask (open mask) having an entire display area is used.
  • An example of forming each pixel is a light emitting layer, and an example of forming it on the entire display region is a hole transport layer.
  • the evaporation mask 300 has a size smaller than a deposition region of the deposition substrate 200 and is provided on the deposition surface 201 of the deposition substrate 200 so as to be separated from each other.
  • a case will be described as an example.
  • the vapor deposition mask 300 may be tightly fixed to the deposition target substrate 200 by a fixing unit (not shown), and has a size corresponding to the deposition target region in the deposition target substrate 200 (for example, the same size in plan view). May be.
  • the vapor deposition mask 300 can be omitted.
  • the vapor deposition mask 300 can be selectively provided, and may be one of the components constituting the vapor deposition apparatus as an accessory of the vapor deposition apparatus, or it may not be.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an arrangement example of the heating plates 101 in the heating plate unit 100.
  • a plurality of heating plates 101 are arranged in parallel as shown in FIG.
  • the surfaces of the respective heating plates 101 can be maintained in a state where they are not in contact with each other.
  • a linear space connected to the injection port 111 can be eliminated in the nozzle 110. Therefore, the vapor deposition particles guided to the nozzle 110 from the vapor deposition particle generator 120 through the introduction pipe 130 are prevented from being discharged from the injection port 111 to the vacuum chamber without coming into contact with the surface 101a of the heating plate 101. be able to. In other words, the probability that the vapor deposition particles 91 are attached to the surface 101a of the heating plate 101 increases.
  • FIGS. 3 (a) to 3 (c) are diagrams illustrating a process until vapor deposition particles are attached to the heating plate 101 and the vapor deposition material is held, and the held vapor deposition material becomes gaseous. is there.
  • the vapor deposition particles adhere to the surface 101a of the heating plate 101 as shown in FIG. 3A, and almost the entire surface 101a of the heating plate 101 as shown in FIG. 3B.
  • the vapor deposition particles 91 adhere to the surface.
  • the temperature of the surface 101 a of the heating plate 101 is set to a temperature lower than the temperature at which the vapor deposition material 124 becomes gaseous by the cooling of the nozzle unit 110 by the cooling device 150. . That is, the temperature of the surface 101 a of the heating plate 101 is set to a temperature lower than the evaporation temperature or the sublimation temperature of the vapor deposition material 124. For this reason, gaseous vapor deposition particles adhere to the surface 101a of the heating plate 101, and are hold
  • the vapor deposition particles also adhere to the inner wall surface of the nozzle portion 110 in the vicinity of the heating plate unit 100.
  • the vapor deposition particles do not adhere to the inner wall surface in the vicinity thereof. In other words, the introduction pipe 130 is not clogged.
  • the vapor deposition particles need only be adhered to the surface 101a of the heating plate 101 in the stage of deposition of the vapor deposition particles on the heating plate 101, the vapor deposition rate of the vapor deposition particles from the vapor deposition particle generating unit 120 to the nozzle unit 110 is high. do not have to.
  • the temperature of the surface 101 a of the heating plate 101 is set to a temperature equal to or higher than the temperature at which gaseous vapor deposition particles are generated from the vapor deposition material 124 by the heating of the nozzle unit 110 by the heating device 160.
  • the temperature of the surface 101 a of the heating plate 101 is set to a temperature equal to or higher than the evaporation temperature or the sublimation temperature of the vapor deposition material 124. For this reason, the vapor deposition particles 91 adhering to the surface 101a of the heating plate 101 are emitted again as gaseous vapor deposition particles.
  • the heating temperature for the vapor deposition particles 91 is changed from at least the vapor deposition material 124 to the gaseous vapor deposition particles. If the heating plate 101 is heated to a temperature equal to or higher than the temperature at which water vapor is generated, high-density vapor deposition particles can be released. As a result, the vapor deposition rate of the vapor deposition particles emitted from the heating plate 101 is improved.
  • gaseous vapor deposition particles are once attached to the surface 101a of the heating plate 101, and the heating plate 101 is heated, so that a high vapor deposition rate is obtained from the injection port 111 of the nozzle unit 110. It becomes possible to inject the deposited particles.
  • the internal structure of the heating plate unit 100 is not limited to a structure in which a plurality of plate-like heating plates 101 are arranged in parallel, and can have various shapes. The larger the surface area, the better.
  • 4 (a) to 4 (c) are diagrams showing examples other than the heating plate as an adherend to which vapor deposition particles can adhere to the surface.
  • a fin-like member as shown in FIG. 4A As an adherend, a fin-like member as shown in FIG. 4A, a mesh-like member as shown in FIG. 4B, a mesh member as shown in FIG. Examples thereof include a member having a fractal surface as shown. Also, a sponge-like member or the like may be used.
  • the fractal in the fractal surface shown in FIG. 4C is a geometric concept indicating that the graphic part and the whole have a self-similar shape. By intentionally forming a surface having properties, the surface area can be increased.
  • FIGS. 4 (a) to 4 (c) their shapes are described in a plane, but it is of course more preferable to form them three-dimensionally.
  • the adherend constituting the heating plate unit 100 preferably has a shape having a surface area as large as possible, and the material is a material that easily transmits heat (for example, titanium, tungsten, SUS, or the like). Metal) is preferred.
  • FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of the vapor deposition processing system according to the present embodiment.
  • the vapor deposition particle injection device 501 and the vapor deposition mask are fixed, and the film formation substrate 200 is moved (scanned) in the upward direction on the paper (in the direction orthogonal to the arrangement direction of the injection ports 111). Perform scan deposition.
  • the deposition target substrate 200 is fixed, and the vapor deposition particle injection device 501 is moved in a direction orthogonal to the direction in which the injection ports 111 are arranged to perform scan vapor deposition.
  • the vapor deposition processing system includes vapor deposition particle injection devices 501 arranged in parallel in the relative scanning direction of the deposition target substrate 200, and among these six columns of vapor deposition particle injection devices 501. Is integrated with the vapor deposition mask 300 to form a vapor deposition source unit 600. Only the vapor deposition particle injection device 501 constituting the vapor deposition source unit 600 indicates that the vapor deposition particles are in an injection state (deposition state), and the remaining five vapor deposition particle injection devices 501 are in a non-injection state (non-deposition state). It shows that there is.
  • the heat exchange member 151 of the cooling device 150 provided in each vapor-deposited particle injection device 501 is divided into four blocks along the outer peripheral surface 110a of the nozzle unit 110 as shown in FIG. Yes.
  • the heat exchange members 151 of these four blocks are separated from the casing outer peripheral surface 110a of the nozzle unit 110 during the vapor deposition operation (when heated by the heating device 150), and during the non-vapor deposition operation (when cooled by the cooling device). Is driven by a drive circuit (not shown) so as to be in close contact with the outer peripheral surface 110a of the casing of the nozzle unit 110.
  • the vapor deposition particle injection device 501 in the first row constituting the vapor deposition source unit 600 is in the vapor deposition operation state, and the vapor deposition particle injection devices 501 for the remaining five columns are in the non-vapor deposition operation state. That is, in the vapor deposition particle injection device 501 constituting the vapor deposition source unit 600, the heat exchange members 151 of the four blocks are all separated from the casing outer peripheral surface 110a of the nozzle unit 110, and the remaining vapor deposition particle injection devices 501 are placed. Is in a state where all the heat exchange members 151 of the four blocks are in close contact with the outer peripheral surface 110a of the casing of the nozzle unit 110.
  • vapor deposition particle injection device 501 constituting the vapor deposition source unit 600 actually performs vapor deposition on the deposition target substrate 200. That is, as shown in FIG. 5, among the six rows of vapor deposition particle injection devices 501, only one row of vapor deposition particle injection devices 501 ejects vapor deposition particles from the injection port 111 of the nozzle unit 110.
  • vapor deposition source unit 600 is used as the vapor deposition particle injection apparatus 501 in the next row and vapor deposition is performed.
  • the relative position between the vapor deposition particle injection device 501 and the vapor deposition mask 300 is constant.
  • the deposition target substrate 200 moves in one direction (in the direction of the arrow in the figure) at a constant speed on the opposite side of the vapor deposition mask 300 from the vapor deposition particle injection device 501.
  • On the upper surface of the vapor deposition particle injection device 501 a plurality of injection ports 111 each for discharging vapor deposition particles are formed, and the vapor deposition mask 300 has a plurality of openings 301 (mask openings (reference numeral 301 in FIG. 1)). Is formed.
  • the vapor deposition particles emitted from the injection port 111 pass through the mask opening and adhere to the deposition target substrate 200.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are separately applied by repeatedly performing vapor deposition for each color of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B constituting the organic EL layer (FIG. 7). Vapor deposition can be performed.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL display device 1 for RGB full-color display.
  • the organic EL display device 1 manufactured in the present embodiment includes an organic EL element 20 connected to the TFT 12 and an adhesive layer on the TFT substrate 10 on which the TFT 12 (see FIG. 7) is provided. 30 and the sealing substrate 40 have the structure provided in this order.
  • the organic EL element 20 includes a pair of substrates (TFT substrates) by bonding the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is laminated to a sealing substrate 40 using an adhesive layer 30. 10 and the sealing substrate 40).
  • TFT substrates substrates
  • the organic EL element 20 is sealed between the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40 in this way, so that oxygen or moisture can enter the organic EL element 20 from the outside. It is prevented.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL element 20 constituting the display unit of the organic EL display device 1.
  • the TFT substrate 10 has a configuration in which a TFT 12 (switching element) and wiring 14, an interlayer insulating film 13, an edge cover 15 and the like are formed on a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate. ing.
  • the organic EL display device 1 is a full-color active matrix type organic EL display device.
  • red (R), green (G), blue On the insulating substrate 11, red (R), green (G), blue ( The pixels 2R, 2G, and 2B of the respective colors including the organic EL elements 20 of the respective colors B) are arranged in a matrix.
  • the TFTs 12 are provided corresponding to the respective pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the structure of the TFT is conventionally well known. Therefore, illustration and description of each layer in the TFT 12 are omitted.
  • the interlayer insulating film 13 is laminated over the entire area of the insulating substrate 11 on the insulating substrate 11 so as to cover each TFT 12 and the wiring 14.
  • the first electrode 21 in the organic EL element 20 is formed on the interlayer insulating film 13.
  • the interlayer insulating film 13 is provided with a contact hole 13 a for electrically connecting the first electrode 21 in the organic EL element 20 to the TFT 12. Thereby, the TFT 12 is electrically connected to the organic EL element 20 through the contact hole 13a.
  • the edge cover 15 prevents the first electrode 21 and the second electrode 26 in the organic EL element 20 from being short-circuited when the organic EL layer becomes thin or the electric field concentration occurs at the end of the first electrode 21.
  • This is an insulating layer.
  • the edge cover 15 is formed on the interlayer insulating film 13 so as to cover the end of the first electrode 21.
  • the first electrode 21 is exposed at a portion where the edge cover 15 is not provided as shown in FIG. This exposed portion becomes the light emitting portion of each pixel 2R, 2G, 2B.
  • each of the pixels 2R, 2G, and 2B is partitioned by the edge cover 15 having an insulating property.
  • the edge cover 15 also functions as an element isolation film.
  • insulating substrate 11 for example, non-alkali glass or plastic can be used.
  • alkali-free glass having a thickness of 0.7 mm is used.
  • the interlayer insulating film 13 and the edge cover 15 a known photosensitive resin can be used.
  • the photosensitive resin include acrylic resin and polyimide resin.
  • the TFT 12 is manufactured by a known method.
  • the active matrix organic EL display device 1 in which the TFT 12 is formed in each of the pixels 2R, 2G, and 2B is taken as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and the present invention can also be applied to the manufacture of a passive matrix organic EL display device in which TFTs are not formed.
  • the organic EL element 20 is a light emitting element that can emit light with high luminance by low voltage direct current drive, and a first electrode 21, an organic EL layer, and a second electrode 26 are laminated in this order.
  • the first electrode 21 is a layer having a function of injecting (supplying) holes into the organic EL layer. As described above, the first electrode 21 is connected to the TFT 12 via the contact hole 13a.
  • the electron transport layer 24, and the electron injection layer 25 have the structure formed in this order.
  • a carrier blocking layer for blocking the flow of carriers such as holes and electrons may be inserted as necessary.
  • One layer may have a plurality of functions. For example, one layer serving as both a hole injection layer and a hole transport layer may be formed.
  • the stacking order is that in which the first electrode 21 is an anode and the second electrode 26 is a cathode.
  • the stacking order of the organic EL layers is reversed.
  • the hole injection layer is a layer having a function of increasing the efficiency of hole injection from the first electrode 21 to the organic EL layer.
  • the hole transport layer is a layer having a function of improving the efficiency of transporting holes to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 is uniformly formed on the entire display region of the TFT substrate 10 so as to cover the first electrode 21 and the edge cover 15.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 in which the hole injection layer and the hole transport layer are integrated is provided as the hole injection layer and the hole transport layer. ing.
  • this embodiment is not limited to this, and the hole injection layer and the hole transport layer may be formed as independent layers.
  • light emitting layers 23R, 23G, and 23B are formed corresponding to the pixels 2R, 2G, and 2B, respectively.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are layers having a function of emitting light by recombining holes injected from the first electrode 21 side and electrons injected from the second electrode 26 side.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are each formed of a material having high light emission efficiency, such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • the electron transport layer 24 is a layer having a function of increasing the electron transport efficiency to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the electron injection layer 25 is a layer having a function of increasing the electron injection efficiency from the second electrode 26 to the organic EL layer.
  • the electron transport layer 24 is formed on the light emitting layer 23R / 23G / 23B and the hole injection layer / hole transport layer 22 so as to cover the light emitting layer 23R / 23G / 23B and the hole injection layer / hole transport layer 22.
  • the TFT substrate 10 is formed uniformly over the entire display area.
  • the electron injection layer 25 is uniformly formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 on the electron transport layer 24 so as to cover the electron transport layer 24.
  • the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 may be formed as independent layers as described above, or may be provided integrally with each other. That is, the organic EL display device 1 may include an electron transport layer / electron injection layer instead of the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25.
  • the second electrode 26 is a layer having a function of injecting electrons into the organic EL layer composed of the organic layers as described above.
  • the second electrode 26 is uniformly formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 on the electron injection layer 25 so as to cover the electron injection layer 25.
  • organic layers other than the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are not essential layers as the organic EL layer, and may be appropriately formed according to the required characteristics of the organic EL element 20.
  • one layer may have a plurality of functions.
  • a carrier blocking layer can be added to the organic EL layer as necessary.
  • a carrier blocking layer as a carrier blocking layer between the light emitting layers 23R, 23G, and 23B and the electron transport layer 24, the holes are prevented from falling out to the electron transport layer 24, and the light emission efficiency is improved. can do.
  • layers other than the first electrode 21 (anode), the second electrode 26 (cathode), and the light emitting layers 23R, 23G, and 23B may be inserted as appropriate.
  • the first electrode 21 is formed by patterning corresponding to the individual pixels 2R, 2G, and 2B by photolithography and etching after an electrode material is formed by sputtering or the like.
  • the first electrode 21 various conductive materials can be used. However, in the case of a bottom emission type organic EL element that emits light toward the insulating substrate 11, it needs to be transparent or translucent.
  • the second electrode 26 needs to be transparent or translucent.
  • Examples of the conductive film material used for the first electrode 21 and the second electrode 26 include ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), and gallium-doped zinc oxide (A transparent conductive material such as GZO) or a metal material such as gold (Au), nickel (Ni), or platinum (Pt) can be used.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • IZO Indium Zinc Oxide
  • a transparent conductive material such as GZO
  • a metal material such as gold (Au), nickel (Ni), or platinum (Pt) can be used.
  • a sputtering method a vacuum vapor deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like can be used.
  • a vapor deposition apparatus according to this embodiment to be described later may be used for the lamination of the first electrode 21.
  • Each of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B may be a single material, or a mixed material in which a certain material is used as a host material and another material is mixed as a guest material or a dopant. .
  • Examples of the material of the hole injection layer, the hole transport layer, or the hole injection layer / hole transport layer 22 include anthracene, azatriphenylene, fluorenone, hydrazone, stilbene, triphenylene, benzine, styrylamine, triphenylamine, and porphyrin. , Triazole, imidazole, oxadiazole, oxazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, and derivatives thereof, thiophene compounds, polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, aniline compounds, etc. Examples thereof include conjugated monomers, oligomers, and polymers.
  • a material having high light emission efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex is used.
  • a material having high light emission efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • Examples of the material of the electron transport layer 24, the electron injection layer 25, or the electron transport layer / electron injection layer include tris (8-quinolinolato) aluminum complex, oxadiazole derivative, triazole derivative, phenylquinoxaline derivative, silole derivative and the like. Can be mentioned.
  • the TFT substrate 10 is used as a film formation substrate (film formation object), an organic light emitting material is used as a vapor deposition material, and the first electrode 21 is formed on the film formation substrate.
  • an organic EL layer is formed as a vapor deposition film using a vacuum vapor deposition method will be described as an example.
  • Pixels 2R, 2G, and 2B are arranged in a matrix.
  • each color of cyan (C), magenta (M), and yellow (Y) is used instead of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B of red (R), green (G), and blue (B), for example, each color of cyan (C), magenta (M), and yellow (Y) is used. You may have a light emitting layer, and you may have the light emitting layer of each color which consists of red (R), green (G), blue (B), and yellow (Y).
  • color images are displayed by selectively emitting these organic EL elements 20 with a desired luminance using the TFT 12.
  • the organic EL display device 1 in order to manufacture the organic EL display device 1, it is necessary to form a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color in a predetermined pattern for each organic EL element 20 on the deposition target substrate. is there.
  • the vapor deposition mask 300 has the opening 301 at a desired position and shape. As shown in FIG. 1, the vapor deposition mask 300 is disposed apart from the film formation surface 201 of the film formation substrate 200.
  • a vapor deposition particle injection device 501 is disposed as a vapor deposition source so as to face the film formation surface 201 of the film formation substrate 200.
  • the organic light emitting material is emitted from the injection port 111 of the nozzle unit 110 as gaseous vapor deposition particles by heating under high vacuum to vaporize or sublimate to form a gas. .
  • the vapor deposition material injected from the injection port 111 of the nozzle unit 110 as vapor deposition particles is vapor deposited on the deposition target substrate 200 through the opening 301 provided in the vapor deposition mask 300.
  • an organic film having a desired film formation pattern is vapor-deposited as a vapor deposition film only at a desired position of the film formation substrate 200 corresponding to the opening 301 of the vapor deposition mask 300.
  • vapor deposition is performed for every color of a light emitting layer (this is called "separate vapor deposition").
  • FIG. 8 is a flowchart showing manufacturing steps of the organic EL display device 1 in the order of steps.
  • the TFT substrate 10 is fabricated, and the first electrode 21 is formed on the fabricated TFT substrate 10 (S101).
  • the TFT substrate 10 can be manufactured using a known technique.
  • a hole injection layer and a hole transport layer are formed over the entire pixel region by vacuum deposition using an open mask as the deposition mask 300.
  • the hole injection layer and the hole transport layer can be the hole injection layer / hole transport layer 22 as described above.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are separately deposited by vacuum vapor deposition (S103). Thereby, a pattern film corresponding to each pixel 2R, 2G, and 2B is formed.
  • the electron transport layer 24, the electron injection layer 25, and the second electrode 26 are sequentially formed on the TFT substrate 10 on which the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are formed, using the open mask as the vapor deposition mask 300.
  • the entire pixel region is formed (S104 to S106).
  • the region (display unit) of the organic EL element 20 is sealed so that the organic EL element 20 is not deteriorated by moisture or oxygen in the atmosphere with respect to the substrate on which vapor deposition has been completed (S107). .
  • Sealing includes a method of forming a film that does not easily transmit moisture or oxygen by a CVD method or the like, and a method of bonding a glass substrate or the like with an adhesive or the like.
  • the organic EL display device 1 is manufactured by the process as described above.
  • the organic EL display device 1 can perform desired display by causing a current to flow from the driving circuit formed outside to the organic EL element 20 in each pixel to emit light.
  • the first point is a decrease in the deposition rate by a mechanism that controls the deposition flow such as a limiting plate. For example, if only 1/10 of the vapor deposition flow is contributed to vapor deposition by the limiting plate, the vapor deposition rate is reduced to 1/10. For example, when the vapor deposition flow is injected from the injection port of the vapor deposition source at a vapor deposition rate of 1 nm / s, the vapor deposition rate of the vapor deposition material actually deposited on the substrate is 0.1 nm / s.
  • the second point is that a high deposition rate is required in principle. That is, in the scan deposition, since the film is formed on the substrate only while passing over the opening of the small deposition mask, the length of the deposition mask in the scanning direction is divided by the scanning speed of the substrate. Only vapor deposited. For example, when the opening length of the vapor deposition mask in the scanning direction is 150 mm and the scanning speed of the substrate is 15 mm / s, the total vapor deposition time for a certain area of the substrate is 10 s. If the length of the substrate is 750 mm, the time required for vapor deposition on the entire surface of the substrate is 50 s.
  • the vapor deposition rate is lowered due to the above-mentioned first problem, while a high vapor deposition rate is necessary due to the second problem.
  • the total deposition time can be increased by a number of scanning processes, and a sufficient deposition film thickness can be obtained even at a low deposition rate, but the processing tact (total time required from substrate loading to dispensing) Becomes longer.
  • the vapor deposition material is generally supplied in the form of powder or lump to the crucible in the vapor deposition source.
  • the temperature rise of the material depends on the thermal conductivity of the material.
  • Organic materials used for organic EL elements generally have a lower thermal conductivity than metals. Therefore, only the vapor deposition material in the vicinity of the inner wall of the crucible is excessively heated until the entire vapor deposition material is sufficiently heated, and deterioration due to thermal decomposition occurs. Therefore, there is a limit in improving the deposition rate by increasing the heating temperature. For example, if the deposition rate injected from the outlet of the deposition source in the above-mentioned example can be increased up to 10 nm / s without thermal degradation by increasing the heating temperature, the net deposition rate on the substrate is 1 nm / s. .
  • FIG. 9 is a diagram showing an outline of a vapor deposition processing system for comparison with the vapor deposition processing system shown in FIG.
  • the deposition target substrate 200 is moved in the substrate scanning direction by using six rows of vapor deposition sources 700, and vapor deposition is simultaneously performed by the five rows of vapor deposition sources 700.
  • the necessary vapor deposition rate (5 nm / s) described in the second problem described above can be obtained.
  • the remaining one row of vapor deposition sources 700 is used for exchanging vapor deposition materials and is in a standby state.
  • the vapor deposition material is exhausted in one row of the vapor deposition source 700, another row is operated as an alternative, during which the vapor deposition material is re-supplied, and the re-supplied vapor deposition source 700 is put into a standby state instead. .
  • the vapor deposition source 700 is formed integrally with the vapor deposition mask, the same number of vapor deposition masks are required as the vapor deposition source 700 increases.
  • the vapor deposition mask requires high precision and fine opening processing and is expensive, leading to an increase in equipment cost.
  • the evaporation source unit includes a mechanism for fixing the evaporation source and the evaporation mask, a heater, and the like, it is much heavier than the substrate, and the alignment mechanism becomes complicated and large, which is also expensive. It becomes a factor. In addition, since the inertial force increases, the alignment accuracy also decreases.
  • vapor deposition flows are simultaneously ejected from a plurality of vapor deposition sources 700, a vapor deposition material is lost while the deposition target substrate 200 is not on the vapor deposition mask corresponding to the vapor deposition source 700.
  • the deposition rate can be improved if the deposition flow restriction by the restriction plate is relaxed, but this is not realistic.
  • loosening the restriction of the vapor deposition flow by the limiting plate means that the vapor deposition blur (the width formed by the vapor deposition film extending beyond the opening width of the vapor deposition mask) increases, the injection port, the restriction plate, the substrate,
  • variations in the film thickness, position, width, etc. of the vapor deposition film pattern due to positional deviation of the vapor deposition mask opening and the like and shape accuracy increase. Since such a problem arises, it becomes difficult to form a highly accurate vapor deposition film pattern. As a result, a large-sized or high-definition organic EL display device cannot be manufactured, or the yield decreases.
  • the vapor deposition apparatus can solve various problems that occur in the scan vapor deposition described above.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 are arranged in six rows in parallel in the relative scanning direction of the deposition target substrate 200. Only the vapor deposition particle injection device 501 for injecting the vapor deposition particles is integrated with the vapor deposition mask 300 to constitute the vapor deposition source unit 600. In the vapor deposition processing system shown in FIG. 9, vapor deposition particles are simultaneously ejected from five rows of vapor deposition sources 700 out of six rows of vapor deposition sources 700, whereas in the example shown in FIG. Vapor deposition particles are injected only from the apparatus 501. The remaining five rows of vapor deposition particle injection devices 501 do not inject vapor deposition particles.
  • the vapor deposition particles attached to the surface 101 a of the heating plate 101 constituting the heating plate unit 100 included in the nozzle unit 110 in the vapor deposition particle emitting device 501 heat the heating plate 101. Released.
  • the temperature for vapor deposition at this time may be lower than the temperature at which the crucible 123 is heated in the vapor deposition particle generation unit 120. This is because the vapor deposition particles are not a lump but adhere to the surface 101a of the heating plate 101 so that heat is easily transmitted.
  • the temperature of the vapor deposition particles adhering to the surface 101a of the heating plate 101 needs to be heated to the evaporation temperature or the sublimation temperature of the vapor deposition material 124, it is released from the heating plate 101 without raising the temperature so much.
  • the vapor deposition rate when the vapor deposition particles to be ejected from the ejection port 111 of the nozzle unit 110 can be increased.
  • the vapor deposition rate may be set.
  • the vapor deposition source unit 600 by heating the nozzle unit 110 in the vapor deposition particle injection device 501, 50 nm / s can be obtained as the vapor deposition rate of the vapor deposition particles injected from the injection port 111 of the nozzle unit 110, 5 nm / s can be obtained as the deposition rate on the net deposition target substrate 200 through the limiting plate 131.
  • the vapor deposition material 124 is gasified from the vapor deposition particle generation unit 120 (FIG. 1) to the nozzle unit 110 (FIG. 1) at 10 nm / s.
  • the deposited particles are supplied.
  • These are simultaneously supplied to the nozzles 110 of the five rows of vapor deposition particle injection devices 501.
  • the inner surface of the heating plate unit 100 included in the nozzle unit 110 and the peripheral nozzle unit 110 are cooled, and vapor deposition particles adhere to the surfaces thereof.
  • the five rows of vapor deposition particle injection devices 501 that are not injecting the vapor deposition particles have the vapor deposition particle adhering body (heating plate) with the vapor deposition particles adhered inside. 101 with a vapor deposition material held on the surface 101).
  • each vapor deposition particle injection device 501 constitutes the vapor deposition source unit 600
  • the nozzle unit 110 is heated to obtain 50 nm / s as the vapor deposition rate of the vapor deposition particles emitted from the injection port 111. 5 nm / s can be obtained as the deposition rate on the net substrate that has undergone the above. This is the desired deposition rate as described above.
  • the vapor deposition rate of the vapor deposition particles is five times, so that the time until the vapor deposition material 124 is completely consumed is 1/5 of the conventional time.
  • the six rows of vapor deposition particle injection devices 501 are sequentially used one by one, the vapor deposition material 124 can be supplied to the nozzle unit 110 again while another vapor deposition particle injection device 501 is being used.
  • Such a procedure can solve various problems (deterioration of the material due to an increase in the deposition rate and an increase in the heating temperature) that occur in the above-described deposition processing system shown in FIG.
  • one vapor deposition mask 300 is sufficient because the vapor deposition particles are ejected from one vapor deposition particle injection device 501. Therefore, not only the number of vapor deposition masks 300 equal to the number of vapor deposition particle injection devices 501 is required, but the deposition mask 300 and the deposition substrate 200 are aligned by moving the deposition substrate 200 side instead of the deposition source unit 600 side. It is possible to suppress the complexity and cost increase of the alignment mechanism. In addition, for this reason, it is also easy to increase the number of vapor deposition particle injection devices 501 arranged in parallel.
  • the heating member such as the heating plate 101 constituting the heating plate unit 100 in the nozzle unit 110 of the vapor deposition particle injection apparatus 501 serving as the vapor deposition source in advance.
  • the deposition material is fixed to the surface 101a of the structure having a large surface area.
  • the vapor deposition particle adhering body which vapor deposition particle adhered to the surface and hold
  • this vapor deposition particle adhesion body be a sub vapor deposition particle generation part different from vapor deposition particle generation part 120.
  • the deposition rate is improved by heating the sub-evaporated particle generating part at once. Thereby, the following effects are acquired.
  • the vapor deposition material held on the surface of the sub vapor deposition particle generating portion can be heated quickly and uniformly without depending on the thermal conductivity of the vapor deposition material, the vapor deposition rate can be improved even at a low temperature. Moreover, thermal deterioration of the vapor deposition material can be suppressed.
  • the vapor deposition material held on the heating plate 101 is removed from the step of attaching the vapor deposition particles to the heating plate 101 using the cooling device 150 and the heating device 160 inside the vapor deposition particle injection device 501.
  • the heating process to make the gas again is performed, but the present invention is not limited to this.
  • the process of attaching the vapor deposition particles to the heating plate 101 is performed by another apparatus, and the vapor deposition particles adhered to the heating plate 101. Only the heating process for making the gas again gaseous may be performed.
  • the step of attaching vapor deposition particles to a heating plate and holding the vapor deposition material on the surface of the heating plate is performed by another device, and the vapor deposition material held by the heating plate is made gaseous again
  • a vapor deposition particle injection apparatus that performs only the above will be described.
  • FIG. 10 is a diagram showing an outline of the entire vapor deposition apparatus including the vapor deposition particle injection apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • the vapor deposition apparatus includes a vapor deposition particle injection device 502 having a nozzle unit (vapor deposition particle injection unit) 110 having a plurality of injection ports 111 as a vapor deposition source in a vacuum chamber 500. .
  • the configuration of the vapor deposition particle injection device 502 is basically the same as that of the vapor deposition particle injection device 501 described in the first embodiment, but the vapor deposition particles are applied to the heating plate 101 of the heating plate unit 100 within the nozzle unit 110. It differs in that it is not designed to adhere.
  • the deposition particles are attached to the heating plate 101 of the heating plate unit 100 in the vapor deposition material filling device 180 (FIG. 11) separately provided outside the vacuum chamber 500. Therefore, in the present embodiment, the vapor deposition particle injection system 502 is configured by the vapor deposition particle injection device 502 as the vapor deposition source and the vapor deposition material filling device 180. Details of the vapor deposition material filling device 180 will be described later.
  • the heating plate unit 100 is formed into a cartridge and is detachable from the nozzle unit 110, as in the vapor deposition particle injection device 501 of the first embodiment.
  • the heating plate 101 to which the vapor deposition particles as the particle generation unit are attached is heated by the heating device 160 so that the held vapor deposition material is made gaseous again, and the gaseous vapor deposition particles are ejected from the injection port 111 to the outside. It has become.
  • the same effects as in the first embodiment that is, (1) because the vapor deposition particles adhering to the surface of the sub vapor deposition particle generating portion can be heated quickly and uniformly without depending on the thermal conductivity of the vapor deposition material.
  • the deposition rate can be improved even at a low temperature. Moreover, thermal deterioration of the vapor deposition material can be suppressed.
  • the vapor deposition material filling device 180 has substantially the same configuration as the vapor deposition particle injection device 501 shown in FIG. 1 of the first embodiment, and instead of the nozzle unit 110 including the heating plate unit 100. The difference is that a heating container (filling container) 170 containing the heating plate unit 100 is provided. However, the vapor deposition material filling device 180 is also the same in that vapor deposition particles adhere to the surface of the heating plate 101 of the heating plate unit 100, similarly to the vapor deposition particle injection device 501.
  • the procedure for attaching the vapor deposition particles to the surface of the heating plate 101 of the heating plate unit 100 is the same as that in the first embodiment.
  • the heating container 170 is heated to such an extent that the vapor deposition material does not adhere by the heating device 161, while the heating plate unit 100 is cooled by the cooling device 150 so that the vapor deposition material adheres. Therefore, in the heating container 170, temperature adjustment is performed so that gaseous vapor deposition particles supplied from the vapor deposition particle generation unit 120 to the introduction tube 130 can adhere to only the heating plate unit 100 as much as possible.
  • the heating plate unit 100 is adapted to attach the vapor deposition particles not only to the heating plate 101 but also to a cartridge-like casing (not shown) constituting the heating plate unit 100. Thereby, in addition to the vapor deposition particles adhering to the heating plate 101, the vapor deposition particles adhering to the cartridge-like casing constituting the heating plate unit 100 can be made into a gas state at once. The deposition rate can be further improved.
  • the heating plate unit 100 on which the deposition of the vapor deposition particles has been completed is taken out from the vapor deposition material filling device 180 and inserted into the nozzle portion 110 of the vapor deposition particle injection device 502 in the vacuum chamber 500. Thereafter, the nozzle unit 110 is heated by the heating device 160, whereby the vapor deposition material held on the heating plate 101 of the heating plate unit 100 becomes gaseous again, and gaseous vapor deposition particles are ejected from the ejection port 111.
  • the heating plate unit 100 is fixed in the nozzle unit 110 as in the vapor deposition apparatus of the first embodiment, if the vapor deposition particles attached to the heating plate 101 in the heating plate unit 100 disappear, the heating plate unit 100 again.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 that are vapor deposition sources are arranged in a plurality of rows.
  • vapor deposition is performed using the vapor deposition particle injection device 501 in which vapor deposition particles adhere to the surface of the heating plate 101 of the heating plate unit 100 among the remaining vapor deposition particle injection devices 501. Processing is performed.
  • the deposition process of the vapor deposition particles to the heating plate 101 of the heating plate unit 100 is performed by the vapor deposition material filling apparatus 180 provided separately from the vapor deposition particle injection apparatus 502. Therefore, there is no cooling period (deposition period of deposited particles) of the nozzle part 110.
  • the heating plate unit 100 when the vapor deposition particles adhering to the heating plate 101 of the heating plate unit 100 become a certain amount of gas, the heating plate unit 100 is taken out from the nozzle unit 110 and newly added. A heating plate unit 100 in which vapor deposition particles are attached to the heating plate 101 is attached to the nozzle portion 110.
  • vapor deposition particle injection devices 502 it is not necessary to arrange a plurality of vapor deposition particle injection devices 502 as vapor deposition sources, and the vapor deposition source may be arranged in only one row.
  • the vapor deposition rate in the vapor deposition particle injection device 502 of the vapor deposition apparatus is provided separately with the vapor deposition material filling device 180, so the vapor deposition rate from the crucible 123 of the vapor deposition particle generating unit 120. Does not depend on.
  • the vapor deposition particle injection device 501 since the vapor deposition particle injection device 501 has the same function as the vapor deposition material filling device 180, the lower the vapor deposition rate from the crucible 123 of the vapor deposition particle generation unit 120, the more the parallel arrangement is achieved.
  • the number of vapor deposition particle injection devices 501 as vapor deposition sources to be increased must be increased, and the size of the vacuum chamber 500 increases accordingly.
  • the vacuum chamber 500 includes other mechanisms such as an alignment mechanism for the deposition target substrate 200 and the vapor deposition mask 300, so that the volume of the vacuum chamber 500 is increased, but the vapor deposition material filling device 180. Since it is only necessary to arrange the heating plate unit 100 in the heating container 170, the volume of the heating container 170 can be reduced. Therefore, the vapor deposition material filling device 180 can be downsized, the decompression time can be shortened, and the vapor deposition material filling device 180 can be simplified, leading to cost reduction of the equipment. At the same time, since the number of vapor deposition material filling devices 180 can be easily increased, the vapor deposition rate of the vapor deposition particle generating unit 120 can be further reduced, and thermal deterioration of the vapor deposition material can be further reduced.
  • the heating plate unit 100 formed into a cartridge is replaced when the vapor deposition particles adhering to the surface of the heating plate 101 are exhausted. Sequential deposition can be performed by sequentially replacing the heating plate unit 100.
  • the heating plate is heated to a temperature at which vapor deposition particles do not evaporate or sublime in the vacuum chamber 500 or a chamber attached thereto so that the vapor deposition rate can be quickly obtained when the nozzle unit 110 is charged.
  • the unit 100 may be preheated.
  • a plurality of nozzle portions 110 may be arranged in parallel. For example, by arranging two nozzle units 110 in parallel and using them alternately, it is possible to continue the vapor deposition even during replacement of the heating plate unit 100 or until the vapor deposition rate is stabilized. Processing can be performed.
  • the configuration is basically the same as that of the vapor deposition particle injection device 501 shown in FIG. 1 of the first embodiment, but as shown in FIG. 12, instead of the vapor deposition particle injection device 501 shown in FIG.
  • the vapor deposition particle injection device 503 is provided in the vapor deposition device.
  • the vapor deposition particle injection device 503 includes a first heating device 162 and a second heating device 163 as shown in FIG.
  • the first heating device 162 is configured to heat the nozzle part 110 that is the injection container from the outside, and the surface of the heating plate 101 of the heating plate unit 100 in the nozzle part 110 is the evaporation temperature of the vapor deposition material.
  • the nozzle unit 110 is controlled to be heated so as not to be heated to the sublimation temperature.
  • the second heating device 163 directly heats the heating plate unit 100 loaded in the nozzle unit 110 that is the injection container, and the surface of the heating plate 101 of the heating plate unit 100 is a deposition material. This is a device that controls the heating of the nozzle part 110 so that the evaporation temperature or the sublimation temperature becomes higher.
  • the vapor deposition particle injection device 503 having the above configuration, when vapor deposition particles are attached to the heating plate 101 of the heating plate unit 100, only the first heating device 162 is driven to heat the nozzle unit 110. In this case, since the surface temperature of the heating plate 101 of the heating plate unit 100 in the nozzle unit 110 is controlled so as not to be heated to the evaporation temperature or sublimation temperature of the vapor deposition material, the gas supplied to the nozzle unit 110 The vapor-deposited particles adhere to the surface of the heating plate 101 of the heating plate unit 100.
  • the second heating device 163 is driven to heat the nozzle unit 110.
  • the surface of the heating plate 101 of the heating plate unit 100 is heated so as to be equal to or higher than the evaporation temperature or the sublimation temperature of the vapor deposition material, so that the vapor deposition material is gaseous from the surface of the heating plate 101 of the heating plate unit 100. It becomes a vapor deposition particle, and vapor deposition particle is inject
  • the vapor deposition material held on the heating plate 101 of the heating plate unit 100 can be quickly turned into a gaseous state. Can respond. This is because when the vapor deposition particles are attached to the heating plate 101 of the heating plate unit 100, the heating by the first heating device 162 is performed, and this heating becomes the preheating to the heating plate unit 100 in the nozzle unit 110. Because.
  • the nozzle unit 110 when vapor deposition particles are attached to the heating plate 101 of the heating plate unit 100, the nozzle unit 110 is positively cooled. Therefore, the heated heating plate unit 100 is heated once. However, in the present embodiment, the nozzle unit 110 is heated rather than cooled as described above.
  • the nozzle portion 110 when vapor deposition particles are attached to the heating plate 101 of the heating plate unit 100, the nozzle portion 110 is not actively cooled as in the first embodiment. If the heating plate unit 100 is heated to be equal to or higher than the evaporation temperature or the sublimation temperature of the vapor deposition material, the time required for cooling the heating plate unit 100 becomes longer. For this reason, compared with the first embodiment, since it takes time to deposit the vapor deposition particles, the total vapor deposition processing time becomes longer.
  • a plurality of vapor deposition particle injection devices 503 are arranged, and during the cooling period of the nozzle unit 110 of a certain vapor deposition particle injection device 503, the remaining vapor deposition particle injection devices 503 are arranged. If the vapor deposition process is performed using the vapor deposition particle injection device 503 in which vapor deposition particles are attached to the surface of the heating plate 101 of the heating plate unit 100, the total vapor deposition process can be shortened.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 are arranged below the deposition target substrate 200, and the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 are disposed via the opening 301 of the vapor deposition mask 300.
  • the case where vapor deposition particles are vapor-deposited (up-deposition) from below to above has been described as an example. However, the present invention is not limited to this.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 are provided above the deposition target substrate 200, and the vapor deposition particles are deposited (down-deposited) on the deposition target substrate 200 from above through the opening 301 of the vapor deposition mask 300. Position).
  • a high-definition pattern can be formed without using a technique such as an electrostatic chuck as a substrate holding member that holds the deposition target substrate 200 in order to suppress the self-weight deflection.
  • the film can be formed with high accuracy over the entire surface of the deposition target substrate 200.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 have a mechanism for injecting vapor deposition particles in the lateral direction, and the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 are disposed on the film formation surface 201 side of the film formation substrate 200.
  • the vapor deposition particles may be vapor-deposited (side-deposited) on the deposition target substrate 200 in the lateral direction through the vapor deposition mask 300 in a state where the vertical direction is faced to the side.
  • the opening shape (planar shape) of the injection port 111 of the nozzle part 110 is not specifically limited, It can be set as various shapes, such as circular and square.
  • injection ports 111 of the nozzle unit 110 may be arranged one-dimensionally (that is, in a line shape), or may be arranged two-dimensionally (that is, in a planar shape).
  • the organic EL display device 1 includes the TFT substrate 10 and an organic layer is formed on the TFT substrate 10 has been described as an example.
  • the present invention is limited to this. is not.
  • the organic EL display device 1 may be a passive substrate in which a TFT is not formed on a substrate on which an organic layer is formed, instead of the TFT substrate 10, and the passive substrate is used as the film formation substrate 200. It may be used.
  • the present invention is not limited to this, and instead of the organic layer, The present invention can also be applied when the second electrode 26 is deposited. Moreover, when using a sealing film for sealing of the organic EL element 20, it is applicable also when performing vapor deposition of this sealing film.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 and the vapor deposition device can be applied to all production methods and production apparatuses for depositing a patterned film by vapor deposition in addition to the method for producing the organic EL display device 1 as described above.
  • the present invention can be preferably applied. Among these, it can use especially suitably for the vapor deposition method which requires the vapor deposition source of a high vapor deposition rate.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 and the vapor deposition device can be suitably applied to, for example, the manufacture of functional devices such as organic thin film transistors in addition to the organic EL display device 1, for example.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 have been described as line type vapor deposition sources.
  • the present invention is not limited to this, and a crucible type vapor deposition source (point type vapor deposition source) or a surface type is not limited thereto. It does not matter as a deposition source.
  • the effect exhibited in the present invention does not depend on the shape of the nozzle outlet. That is, even when a large number of injection ports are arranged, the injection port in which one long opening is formed may be used.
  • the present invention is particularly effective for materials having a long deposition rate stabilization time. For example, it is possible to improve the processing tact (throughput) of a material that is likely to deteriorate due to a rapid temperature rise, such as an organic material, by rapidly reaching the deposition rate. Furthermore, the present invention is particularly effective for expensive vapor deposition materials. For example, a material for forming an organic layer of an organic EL element. By shortening the stabilization time of the vapor deposition rate and combining a plurality of vapor deposition material supply sources, the vapor deposition material can be used effectively because it can contribute to vapor deposition even when the temperature is raised or lowered.
  • the vapor deposition particle injection device according to the present invention can be applied not only to the manufacture of an organic EL display device but also to other materials that form a film by vapor deposition.
  • the application of the vapor deposition film pattern using the limiting plate has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this. It can also be applied when forming an organic film.
  • the deposition rate can be improved by applying the method of the present invention, the deposition time can be shortened, and the processing tact of the apparatus can be improved. can do.
  • the present invention can be similarly applied to an organic EL light-emitting device in which all layers are formed over the entire light-emitting region without forming a pattern with high definition as in lighting applications.
  • organic EL illumination is very effective in reducing the cost by shortening the processing tact, and if the method of the present invention is used, a high vapor deposition rate can be obtained, so that the processing tact can be shortened.
  • the present invention can be applied not only to the organic film but also to the deposition of the second electrode or the sealing film.
  • the present invention can be applied not only to the manufacture of an organic EL display device but also to a manufacturing process or a product that forms a film by vapor deposition and requires a high vapor deposition rate.
  • the adherend is provided so as to be detachable from the injection container.
  • the adherend is provided so as to be detachable from the injection container, the vapor deposition particles are attached to the adherend and held by the apparatus different from the vapor deposition particle injection apparatus. It becomes possible to do.
  • the vapor deposition particle injection apparatus is connected to a vapor deposition particle generation source that generates vapor deposition particles by heating vapor deposition material, and the vapor deposition particle generation source, and ejects the vapor deposition particles to the outside.
  • An injection container having an injection port, an adherend that is contained in the injection container and holds vapor deposition material on the surface by adhering vapor deposition particles, and a surface temperature of the adherend in the injection container
  • a surface temperature control device for controlling the vapor deposition material to be either a temperature lower than a temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous or a temperature equal to or higher than a temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous. Yes.
  • the surface temperature control device includes: a cooling device that cools the adherend so that a surface temperature of the adherend in the injection container is lower than a temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous; and the injection And a heating device that heats the adherend so that the surface temperature of the adherend in the container is equal to or higher than the temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous.
  • the surface temperature of the adherend heated above the temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous by the heating device can be attached to the adherend by the cooling device. It is possible to quickly cool to a low temperature, that is, a temperature lower than the temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous.
  • the surface temperature control device includes: a first heating device that heats the surface of the adherend in the injection container to a temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous; and the adherend in the injection container. You may be comprised with the 2nd heating apparatus which heats the surface above the temperature from which the said vapor deposition material becomes gaseous.
  • a 1st heating apparatus heats the surface of the to-be-adhered body in the container for injection filled with the gaseous vapor deposition particle to temperature lower than the temperature from which vapor deposition material becomes gaseous.
  • gaseous vapor deposition particles in the injection container can be adhered to the surface of the adherend, and the vapor deposition material can be held on the surface of the adherend.
  • the second heating device heats the surface of the adherend in the injection container to a temperature higher than the temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous, so that the vapor deposition material held on the adherend surface is in a gaseous state. It becomes possible to discharge vapor deposition particles.
  • the surface of the adherend is heated by the first heating device. 2 Since the preheating of the surface of the adherend is performed by the heating device, the time from the start of heating of the second heating device to the release of gaseous vapor deposition particles from the vapor deposition material held on the surface of the adherend is greatly increased. It can be shortened.
  • the adherend is preferably composed of a plurality of heating plates.
  • the surface area for adhering vapor deposition particles can be increased. Accordingly, the number of vapor deposition particles to be attached at a time can be increased, and thus the number of gaseous vapor deposition particles released by heating the surface of the adherend can be increased. Therefore, the vapor deposition rate of the vapor deposition particles injected from the injection container can be greatly improved.
  • the adherend since the adherend can increase the number of deposited particles as the surface area increases, it may be the following member having a large surface area.
  • the adherend is preferably a fin-shaped member.
  • the adherend is preferably a mesh member.
  • the adherend is a member having a fractal surface.
  • the vapor deposition particle injection system includes a vapor deposition particle generation source that generates vapor deposition particles by heating vapor deposition material, and a gaseous state generated by the vapor deposition particle generation source connected to the vapor deposition particle generation source.
  • Vapor deposition material filling apparatus comprising: a filling container filled with vapor deposition particles; and a vapor deposition particle adhering means for adhering the vapor deposition particles to the surface of an adherend contained in the filling container; Including an adherend that holds a vapor deposition material obtained by adhering a vapor-deposited particle on the surface, and an injection container having an injection port for injecting gaseous vapor-deposited particles to the outside; and the injection container And a vapor deposition particle injection device including a heating device that heats the adherend to a temperature higher than a temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous.
  • the apparatus for attaching the vapor deposition particles to the adherend and holding the vapor deposition material, and vaporizing the vapor deposition material held by the adherend are ejected to the outside. Since the apparatus for vapor deposition particle injection is separately provided, the vapor deposition rate at the time of the deposition treatment of the vapor deposition particles to the adherend in the vapor deposition material filling apparatus is released from the adherend in the vapor deposition particle injection apparatus. It does not depend on the deposition rate at the time of injection of the deposited particles.
  • the vapor deposition rate in the vapor deposition particle injection apparatus is not affected. That is, in the vapor deposition material filling device, the vapor deposition particles can be adhered to the adherend at a low vapor deposition rate, so that it is not necessary to raise the heating temperature for the vapor deposition particle generating source in the vapor deposition material filling device so much.
  • the vapor deposition particle injection system may include a cartridge that is detachably formed on the vapor deposition material filling device and encloses the adherend.
  • the vapor deposition material held in the surface of the adherend contained in the injection container having an injection port for injecting gaseous vapor deposition particles to the outside is used. It is characterized by including a heating step of heating to a temperature equal to or higher than a certain temperature.
  • the deposition rate can be improved.
  • the deposition rate can be further improved.
  • the heating temperature for making the vapor deposition material held on the adherend surface gaseous is a liquid. If it is, the evaporating temperature is higher than the sublimation temperature if the vapor deposition material is fixed, and a heating temperature as close as possible to these evaporating temperature and sublimation temperature is sufficient. Thereby, since it is not necessary to perform heating more than necessary to increase the vapor deposition rate, deterioration of the vapor deposition material due to excessive heating can be prevented.
  • the vapor deposition rate can be improved without heating the vapor deposition material more than necessary.
  • the vapor deposition particle injection method includes a vapor deposition particle supply step of supplying vapor deposition particles in the form of a vapor deposition material to an injection container in which an adherend to which vapor deposition particles can adhere is encapsulated, and the vapor deposition described above. With the particles being supplied, the surface of the adherend in the injection container is adjusted to a temperature lower than the temperature at which the vapor deposition material evaporates, and the vapor deposition particles adhere to the surface of the adherend.
  • the vapor deposition material holding step for holding the vapor deposition material on the surface and the vapor deposition material held on the adherend surface by the vapor deposition material holding step to a temperature equal to or higher than the temperature at which the vapor deposition material becomes gaseous.
  • the temperature at which gaseous vapor deposition particles are generated from the vapor deposition material is the evaporation temperature when the vapor deposition material is liquid, and the sublimation temperature when the vapor deposition material is solid.
  • the deposition material held on the adherend after the deposition particles are attached to the surface of the adherend and held on the surface of the adherend contained in the injection container. Therefore, it is possible to increase the vapor deposition material that is made gaseous at a time without increasing the heating temperature as compared with the case where the vapor deposition material is put in a crucible or the like and heated to be gaseous. That is, the deposition rate can be improved.
  • the vapor deposition apparatus includes the vapor deposition particle injection apparatus as a vapor deposition source.
  • the vapor deposition rate can be improved without heating the vapor deposition material more than necessary.
  • the vapor deposition apparatus preferably includes a vapor deposition mask for forming a vapor deposition film pattern.
  • a desired film formation pattern can be obtained by using a vapor deposition mask.
  • the predetermined pattern can be an organic layer in an organic electroluminescence element.
  • the said vapor deposition apparatus can be used suitably as a manufacturing apparatus of an organic electroluminescent element. That is, the said vapor deposition apparatus may be a manufacturing apparatus of an organic electroluminescent element.
  • a TFT substrate / first electrode manufacturing step of manufacturing a first electrode on a TFT substrate, and at least a light emitting layer on the TFT substrate An organic layer deposition step for depositing an organic layer containing a second electrode deposition step for depositing a second electrode, and in at least one of the organic layer deposition step and the second electrode deposition step, Use a vapor deposition particle injection device.
  • the vapor deposition rate can be improved without heating the vapor deposition material more than necessary.
  • the vapor deposition material is not wasted, and the utilization efficiency of the vapor deposition material can be improved.
  • the cost for manufacturing the organic electroluminescence element can be reduced, and as a result, the organic EL display device can be manufactured at low cost.
  • the vapor deposition particle injection apparatus and vapor deposition apparatus of the present invention are suitably used for an organic EL display device manufacturing apparatus, a manufacturing method, and the like used in a film forming process such as separate formation of an organic layer in an organic EL display device, for example. Can do.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

 本発明に係る蒸着粒子射出装置は、気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口(111)を有したノズル部(110)と、上記ノズル部(110)に内包され、蒸着粒子を付着させることで表面に蒸着材料を保持する複数の加熱板(101)を有する加熱板ユニット(100)と、上記加熱板(101)表面に保持された蒸着材料を、当該蒸着材料が気体状になる温度以上の温度に加熱する加熱装置(160)とを備える。

Description

蒸着粒子射出装置、蒸着粒子射出方法および蒸着装置
 本発明は、蒸着粒子射出装置、蒸着粒子射出方法および蒸着粒子射出装置を蒸着源として備えた蒸着装置に関するものである。
 近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
 そのような状況下において、有機材料の電界発光(エレクトロルミネッセンス;以下、「EL」と記す)を利用した有機EL素子を備えた有機EL表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
 有機EL表示装置は、例えば、TFT(薄膜トランジスタ)が設けられたガラス基板等からなる基板上に、TFTに接続された有機EL素子が設けられた構成を有している。
 有機EL素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極、有機EL層、および第2電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第1電極はTFTと接続されている。
 また、第1電極と第2電極との間には、上記有機EL層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。
 フルカラーの有機EL表示装置は、一般的に、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色の有機EL素子をサブ画素として基板上に配列形成してなり、TFTを用いて、これら有機EL素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。
 このような有機EL表示装置の発光部における有機EL素子は、一般的に、有機膜の積層蒸着によって形成される。有機EL表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機EL素子毎に所定のパターンで成膜される。
 積層蒸着による所定のパターンの成膜には、例えば、シャドウマスクと称されるマスクを用いた蒸着法の他、インクジェット法、レーザ転写法等が適用可能である。そのうち、現在では、シャドウマスクと称されるマスクを用いた真空蒸着法を用いるのが最も一般的である。
 シャドウマスクと称されるマスクを用いた真空蒸着法では、内部を減圧状態に保持することができる真空チャンバ内に、蒸着材料を蒸発あるいは昇華させる蒸着源を配置し、例えば高真空下で蒸着材料を加熱して蒸着材料を蒸発または昇華させる。
 ところで、上記真空蒸着法を有機EL表示装置の製造に用いた場合、発光層の塗り分けでは、蒸着すべき領域に対して蒸着粒子を適切に導く必要がある。仮に蒸着すべき領域に対して蒸着粒子が適切に導くことができなければ、蒸着すべき領域の境界領域が明確にならず、蒸着ボケが生じる。例えば真空チャンバ内の蒸着源と蒸着対象物との間に、蒸着流(蒸着粒子の流れ)の高指向性化の制御を行うための制限板などの蒸着流制御部が設けることで、蒸着ボケを低減する技術(例えば特許文献1等)が提案されている。
 図13は、特許文献1に記載の真空蒸着装置とは異なる制限板を用いた蒸着装置を模式的に示した図である。
 図13に示す蒸着装置では、蒸着源1060、複数の制御板1086からなる制御ブロック(上記の蒸着流制御部に相当)1085、Y軸方向に延びるストライプ状の開口1071が形成された蒸着マスク1070とで蒸着源ユニット1050を構成している。蒸着源ユニット1050は固定したままで、蒸着対象物である基板1010をY軸方向に移動させて、当該基板1010に被膜を形成する。すなわち、蒸着源1060の複数の蒸着源開口1061から蒸着粒子1091を放出した状態において、基板1010をY軸方向に移動させることで、基板1010の被蒸着面に蒸着粒子1091を付着させ、Y軸方向に平行な複数のストライプ状の被膜を形成する。
 図13に示す蒸着装置では、蒸着源1060の蒸着源開口1061から放出された蒸着粒子1091は、指向性制御のために、制御ブロック1085を通って蒸着マスク1070を介して基板1010に届くようになっている。これにより、蒸着すべき領域に対して蒸着粒子1091を適切に導くことができるので、蒸着ボケが生じない。
日本国公開特許公報「特開2004-137583号公報(2004年5月13日公開)」
 しかしながら、上記のように、制御ブロック1085を用いた場合、蒸着源1060の蒸着源開口1061から放出された蒸着粒子1091のうち、一部は制御ブロック1085を通って蒸着に寄与するが、大部分は制御ブロック1085によって遮蔽されて蒸着に寄与されず無駄になるので、蒸着レートが低くなるという問題が生じる。
 ここで、蒸着レートを上げるためには、蒸着源1060において蒸着材料の加熱温度を上げればよいが、蒸着材料は有機物であるので熱伝導率が低いので、加熱温度を上げすぎると、蒸着材料の熱伝導の遅延のために当該蒸着材料が必要以上に加熱されて熱分解してしまい、蒸着材料が劣化するという問題が生じる。
 本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、蒸着材料を必要以上に加熱してなくても、蒸着レートを向上させることのできる蒸着粒子射出装置を提供することにある。
 本発明に係る蒸着粒子射出装置は、気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有した射出用容器と、上記射出用容器に内包され、蒸着粒子を付着させることで表面に蒸着材料を保持する被付着体と、上記被付着体表面に保持された蒸着材料を、当該蒸着材料が気体状になる温度以上の温度に加熱する加熱装置とを備えたことを特徴としている。
 上記構成によれば、被付着体表面には、蒸着粒子が付着して蒸着材料が保持された状態となっているので、当該蒸着材料に加えられた熱は蒸着材料全体に伝わり易い。このため、蒸着材料が気体状になる温度以上に、当該被付着体表面に保持された蒸着材料を加熱するだけで、多くの気体状の蒸着粒子を一度に得ることができる。つまり、蒸着レートを向上させることができる。
 また、被付着体の表面積が大きければ大きいほど、多くの蒸着粒子を表面に付着させて蒸着材料を保持できるので、さらに、多くの気体状の蒸着粒子を一度に得ることができる。つまり、蒸着レートをさらに向上させることができる。
 しかも、上記のように、加えられた熱が蒸着材料全体に伝わり易いので、被付着体表面に保持されている蒸着材料を気体状にするための加熱温度は、蒸着材料が液体であれば蒸発温度、蒸着材料が固体であれば昇華温度以上であって、これら蒸発温度、昇華温度にできるだけ近い加熱温度で十分である。これにより、蒸着レートを上げるために必要以上の加熱を行う必要がなくなるので、過度な加熱による蒸着材料の劣化を防止することができる。
 したがって、上記構成によれば、蒸着材料を必要以上に加熱してなくても、蒸着レートを向上させることができるという効果を奏する。
 本発明に係る蒸着粒子射出装置は、蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる蒸着粒子発生源と、上記蒸着粒子発生源と接続され、上記気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器と、上記射出用容器に内包され、蒸着粒子を付着させることで表面に蒸着材料を保持する被付着体と、上記射出用容器内の上記被付着体の表面温度を、上記蒸着材料が気体状になる温度よりも低い温度、または、上記蒸着材料が気体状になる温度以上の温度の何れかになるように制御する表面温度制御装置とを備えたことを特徴としている。
 ここで、蒸着材料から気体状の蒸着粒子が発生する温度は、蒸着材料が液体の場合、蒸発温度とし、蒸着材が固体の場合、昇華温度とする。
 上記構成によれば、表面温度制御装置によって、被付着体の表面温度が、蒸着材料から気体状の蒸着粒子が発生する温度よりも低い温度になるように設定されれば、被付着体表面に気体状の蒸着粒子を付着させて蒸着材料を保持させることが可能となる。また、表面温度制御装置によって、被付着体の表面温度が、蒸着材料から気体状の蒸着粒子が発生する温度以上の温度になるように設定されれば、被付着体表面で保持された蒸着材料から気体状の蒸着粒子を発生させることが可能となる。
 このように、上記構成の蒸着粒子射出装置において、射出用容器に内包された被付着体表面に、気体状の蒸着粒子を付着させて蒸着材料を保持させた後、被付着体に保持された蒸着材料から気体状の蒸着粒子を発生させるようにしているので、蒸着材料をるつぼなどに入れて加熱して気体状にする場合に比べて、加熱温度をあまり上げずに、一度に気体状にする蒸着材料を増加させることができる。すなわち、蒸着レートを向上させることができる。
 本発明に係る蒸着粒子射出装置によれば、気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有した射出用容器と、上記射出用容器に内包され、蒸着粒子を付着させることで表面に蒸着材料を保持する被付着体と、上記被付着体表面に保持された蒸着材料を、当該蒸着材料が気体状になる温度以上の温度に加熱する加熱装置とを備えたことで、蒸着材料を必要以上に加熱してなくても、蒸着レートを向上させることができるという効果を奏する。
本発明の一実施の形態に係る蒸着粒子射出装置を備えた蒸着装置全体の概略を示す図である。 図1に示す蒸着粒子射出装置に備えられた加熱板ユニット内の加熱板の配列例を示す図である。 (a)~(c)は、図2に示す加熱板における蒸着粒子の付着と蒸着材料が気体状になる原理を示す図である。 (a)~(c)は、図2に示す加熱板以外の蒸着粒子を付着させる被付着体の例を示す図である。 図1に示す蒸着粒子射出装置を備えた蒸着処理システムの概略構成を示す図である。 RGBフルカラー表示の有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。 有機EL表示装置におけるTFT基板の断面図である。 有機EL表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。 図5に示す蒸着処理システムと比較するための蒸着処理システムの概略を示す図である。 本発明の他の実施の形態に係る蒸着粒子射出装置を備えた蒸着装置全体の概略を示す図である。 図10に示す蒸着粒子射出装置で用いる加熱板ユニットに対して蒸着粒子を付着させる蒸着材料充填装置の概略を示す図である。 本発明のさらに他の実施の形態に係る蒸着粒子射出装置を備えた蒸着装置全体の概略を示す図である。 蒸着流制御部を備えた真空蒸着装置の概略構成図である。
 〔実施の形態1〕
 本発明の一実施の形態について説明すれば、以下の通りである。
 <蒸着装置の全体構成>
 図1は、本発明の一実施の形態に係る蒸着粒子射出装置を備えた蒸着装置全体の概略を示す図である。
 上記蒸着装置は、図1に示すように、真空チャンバ500内に、蒸着源として、蒸着粒子射出装置501が設けられた構成を有している。
 蒸着粒子射出装置501は、複数の射出口111を有するノズル部(射出用容器)110と、蒸着粒子発生部(蒸着粒子発生源)120とを備えている。
 上記蒸着粒子発生部120は、容器121の外側に設けられたヒータ(加熱部材)122により、当該容器121に内包されたるつぼ123内の蒸着材料124を加熱して蒸発(蒸着材料が液体材料である場合)または昇華(蒸着材料が固体材料である場合)させることにより、気体状の蒸着粒子を発生させる。
 上記ノズル部110と蒸着粒子発生部120とは、導入管(接続路)130により接続されており、上記蒸着粒子発生部120で発生した蒸着粒子を、導入管130を介してノズル部110に導入するようになっている。この導入管130には、バルブ140が設けられており、蒸着粒子発生部120から発生した蒸着粒子のノズル部110への導入を必要に応じて停止あるいは開始させることが可能となっている。
 上記ノズル部110には、表面に蒸着粒子が付着可能な被付着体としての複数の加熱板(被付着体)101からなる加熱板ユニット100が内包されている。加熱板ユニット100及び加熱板101の詳細については後述する。
 また、上記蒸着粒子射出装置501には、上記ノズル部110を外部から冷却するための冷却装置150と、上記ノズル部110を外部から加熱するための加熱装置160とが設けられている。
 上記冷却装置150は、上記ノズル部110内の上記加熱板ユニット100における加熱板101の表面温度を、上記蒸着材料124が気体状になる温度よりも低い温度に冷却し、上記加熱装置160は、上記ノズル部110内の上記加熱板ユニット100における加熱板101の表面温度を、上記蒸着材料124が気体状の温度以上に加熱するようになっている。
 上記冷却装置150は、ノズル部110の筐体外周面110aに接触して、当該ノズル部110の熱を除去するための熱交換部材151を有している。この熱交換部材151は、ノズル部110の筐体外周面110aに対して離接可能に設けられている。つまり、冷却装置150は、ノズル部110の冷却が必要なときに、上記熱交換部材151が当該ノズル部110の筐体外周面110aに接触し、ノズル部110の冷却が不要になったとき(加熱装置160による加熱が開始されるとき等)に、上記熱交換部材151が当該ノズル部110の筐体外周面110aから離脱するようになっている。なお、上記熱交換部材151は、図示しない駆動機構により駆動されるものとする。
 上記加熱装置160は、ノズル部110内部に図示しないヒータ等の加熱部材を設けて、加熱部材を駆動することで、当該ノズル部110内部を加熱するようになっている。つまり、加熱装置160は、ノズル部110内部の加熱が必要なときに、上記加熱部材を駆動して、当該ノズル部110内部を加熱し、ノズル部110内部の加熱が不要なとき(冷却装置150による冷却が開始されるとき等)に、上記加熱部材の駆動を停止するようになっている。
 このように、上記冷却装置150によって上記ノズル部110を冷却すると共に、上記加熱装置160によって上記ノズル部110を加熱することによって、上記ノズル部110内の加熱板ユニット100における加熱板101の表面温度が、上記蒸着材料124が気体状になる温度よりも低い温度となるように、また、上記蒸着材料124が気体状になる温度以上の温度となるように制御されている。つまり、冷却装置150及び加熱装置160は、ノズル部110内の加熱板ユニット100における加熱板101の表面温度を制御する表面温度制御装置として機能している。
 ここで、蒸着材料124から気体状の蒸着粒子が発生する温度とは、蒸着材料124の蒸発温度(蒸着材料が液体材料である場合)または昇華温度(蒸着材料が固体材料である場合)をいう。
 したがって、上記ノズル部110内に気体状の蒸着粒子が導入され、まだ、加熱板ユニット100における各加熱板101の表面に蒸着粒子が付着されていないとき、上記冷却装置150によって、上記加熱板101の表面温度が、上記蒸着材料124が気体状になる温度よりも低い温度になるようにノズル部110が冷却されれば、ノズル部110内の気体状の蒸着粒子は、加熱板ユニット100の各加熱板101の表面に付着され、当該加熱板101の表面に蒸着材料が保持される。
ここで、表面に蒸着粒子が付着され、蒸着材料が保持された加熱板101を蒸着粒子付着体と称する。
 また、上記ノズル部110内の加熱板ユニット100における各加熱板101の表面に蒸着粒子が付着されているとき、上記加熱装置160によって、上記加熱板101の表面に付着した蒸着粒子の温度が、上記蒸着材料124から気体状の蒸着粒子が発生する温度以上となるようにノズル部110が加熱されれば、各加熱板101に保持された蒸着材料を気体状にする。
 また、真空チャンバ500内の上方には、蒸着粒子射出装置501のノズル部110に対向して、蒸着マスク300および被成膜基板(被蒸着体)200が配置されている。なお、蒸着マスク300と被成膜基板200とは離間されており、さらに、蒸着マスク300と蒸着粒子射出装置501との相対位置は一定である。これにより、蒸着マスク300および蒸着粒子射出装置501と、被成膜基板200との何れか一方を固定して、他方を基板走査方向に移動させることで蒸着処理を行うことが可能となる。
 上記真空チャンバ500には、蒸着時に該真空チャンバ500内を真空状態に保つために、該真空チャンバ500に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ500内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。
 蒸着粒子の平均自由行程は、1.0×10-3Paよりも高い真空度となることで、必要十分な値が得られる。一方、真空度が1.0×10-3Paよりも低いと、同平均自由行程が短くなるため、蒸着粒子が散乱されて、被成膜基板200への到達効率が低下したり、コリメート成分が少なくなったりする。
 このため、真空チャンバ500は、真空ポンプによって、1.0×10-4Pa以上の真空到達率に設定されている。
 また、上記蒸着粒子射出装置501のノズル部110と蒸着マスク300との間に、蒸着粒子の流れ(蒸着流)を制限するための制限板131が必要に応じて配置される。例えば、有機EL素子の有機EL層を構成する発光層の塗り分け時のように、蒸着粒子が拡散することにより生じる蒸着ボケ(ストライプ状の被膜の両端縁のボヤケ等)の発生を低減させる目的で上記制限板131が配置される。
 上記構成の蒸着装置では、蒸着粒子発生部120に設けられたヒータ(加熱部材)122により蒸着材料124を加熱して蒸発(蒸着材料が液体材料である場合)または昇華(蒸着材料が固体材料である場合)させることにより、気体状の蒸着粒子を発生させる。
 蒸着粒子発生部120で発生させた蒸着粒子は、蒸着粒子発生部120に接続された導入管130を介して、冷却装置150による冷却中のノズル部110に誘導され、加熱板ユニット100の各加熱板101の表面に付着される。その後、加熱装置160によってノズル部110が加熱されることにより、加熱板ユニット100の各加熱板101の表面に保持された蒸着材料が気体状になり、当該ノズル部110内で混合された後、ライン状に配列した射出口111から、被成膜基板200に向けて外部に射出される。
 蒸着粒子射出装置501から外部に射出された蒸着粒子は、蒸着マスク300を介して被成膜基板200に付着する。これにより、被成膜基板200の表面に蒸着膜が形成される。このとき、蒸着マスク300を介して被成膜基板200に蒸着粒子が付着することで、蒸着膜のパターンが形成される。
 蒸着マスク300は、所望の位置・形状に開口部301(貫通穴)が形成されており、それを通過した蒸着粒子のみが被成膜基板200に到達し蒸着膜のパターンを形成する。画素ごとにパターンを形成する場合には、画素ごとに開口部301が開口したマスク(ファインマスク)を用い、表示領域全面に蒸着する場合には、表示領域全面が開口したマスク(オープンマスク)を用いる。画素ごとに形成する例としては、例えば発光層があり、表示領域全面に形成する例としては、正孔輸送層などがある。
 なお、本実施の形態では、蒸着マスク300が、被成膜基板200における被成膜領域よりも小さいサイズを有し、被成膜基板200の被成膜面201に、離間して設けられた場合を例に挙げて説明する。
 しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。蒸着マスク300は、被成膜基板200と図示しない固定手段によって密着固定されていてもよく、被成膜基板200における被成膜領域に対応した大きさ(例えば平面視同一サイズ)を有していてもよい。
 また、被成膜基板200に蒸着膜のベタパターンを形成する場合には、蒸着マスク300を省略することができる。
 蒸着マスク300は、選択的に設けることができ、蒸着装置の付属部品として蒸着装置を構成する構成物の一つであってもよく、そうでなくても構わない。
 以下に、上記構成の蒸着装置における蒸着レート向上の原理について説明する。
 <加熱板ユニット100の詳細>
 図2は、加熱板ユニット100内の加熱板101の配列例を示す図である。
 上記加熱板ユニット100には、図2に示すように、複数の加熱板101が並列に配置されている。このように、複数の加熱板101が並列に配置されることで、それぞれの加熱板101の表面が互いに接触されない状態を維持できるので、蒸着粒子91が付着される加熱板101の表面積を多く確保して、各加熱板101の表面に付着させる蒸着粒子91の数を多くすることが可能となる。さらに、加熱板101を図2のように配置することで、ノズル110内において、射出口111と繋がる直線状の空間をなくすことができる。そのため、蒸着粒子発生部120から導入管130を介してノズル110に誘導された蒸着粒子が、加熱板101の表面101aに接触することなく、射出口111から真空チャンバへ放出されるのを防止することができる。換言すれば、蒸着粒子91が加熱板101の表面101aに付着される確率が高くなる。
 図3の(a)~図3の(c)は、加熱板101への蒸着粒子の付着して蒸着材料が保持され、保持された蒸着材料が気体状になるまでの工程を説明する図である。
 まず、気体状の蒸着粒子は、図3の(a)に示すように、加熱板101の表面101aに付着し、図3の(b)に示すように、加熱板101の表面101aのほぼ全面に蒸着粒子91が付着する。ここで、図1に示すように、冷却装置150によるノズル部110の冷却によって、加熱板101の表面101aの温度が、上記蒸着材料124が気体状になる温度よりも低い温度に設定されている。つまり、加熱板101の表面101aの温度は、蒸着材料124の蒸発温度または昇華温度よりも低い温度に設定されている。このため、気体状の蒸着粒子は、加熱板101の表面101aに付着して蒸着材料として保持される。
 このとき、加熱板ユニット100付近のノズル部110の内壁表面にも蒸着粒子は付着する。但し、ノズル部110の導入管130付近は冷却されていないため、その付近では蒸着粒子は内壁表面に付着しない。換言すれば、導入管130が詰まらないようになっている。
 なお、加熱板101への蒸着粒子の付着段階では、蒸着粒子を単に加熱板101の表面101aに付着させるだけでよいので、蒸着粒子発生部120からノズル部110への蒸着粒子の蒸着レートは高くする必要はない。
 次に、図3の(b)に示すように、加熱板101の表面101aに蒸着粒子91が付着された状態で、当該加熱板101が加熱されると、表面101aに付着した蒸着粒子91が再度気体状となり、図3の(c)に示すように、加熱板101から放出される。
 ここで、図1に示すように、加熱装置160によるノズル部110の加熱によって、加熱板101の表面101aの温度が、上記蒸着材料124から気体状の蒸着粒子が発生する温度以上の温度に設定されている。つまり、加熱板101の表面101aの温度は、蒸着材料124の蒸発温度または昇華温度以上の温度に設定されている。このため、加熱板101の表面101aに付着した蒸着粒子91は、再度、気体状の蒸着粒子となって放出される。
 ここで、蒸着粒子91は、加熱板101の表面101aに沿って付着されているだけなので、加熱板101に与えられた熱は当該蒸着粒子91に直ぐに伝わる。このため、加熱板101の表面101aの温度が、当該表面101aに付着した蒸着粒子91の温度とほぼ等しい関係となるので、蒸着粒子91に対する加熱温度を、少なくとも蒸着材料124から気体状の蒸着粒子が発生する温度以上の温度になるように、加熱板101を加熱すれば、高密度の蒸着粒子を放出することができる。この結果、加熱板101から放出される蒸着粒子の蒸着レートが向上する。
 したがって、上記加熱板ユニット100を用いて、気体状の蒸着粒子を一旦加熱板101の表面101aに付着させて、その加熱板101を加熱することで、ノズル部110の射出口111から高蒸着レートの蒸着粒子を射出させることが可能となる。
 <加熱板以外の被付着体の例>
 上記加熱板ユニット100の内部構造は、図2に示すように、複数の板状の加熱板101を並列に配置した構造に限定されるものではなく、様々な形状とすることができ、その形状の表面積が大きければ大きいほどよい。
 図4の(a)~図4の(c)は、表面に蒸着粒子が付着可能な被付着体として加熱板以外の例を示す図である。
 被付着体として、図4の(a)に示すような、ひれ状(フィン状)部材、図4の(b)に示すような、網目状(メッシュ状)部材、図4の(c)に示すような、フラクタル面を有する形状の部材などが挙げられる。また、スポンジ状の部材などでもよい。
 ここで、図4(c)に示したフラクタル面における、フラクタルとは、図形の部分と全体とが自己相似的な形状を有していることを示す幾何学的な概念であり、そのような性質を有する面を意図的に形成することによって、表面積を大きくすることができる。
 また、図4の(a)~図4の(c)ではそれらの形状を平面的に記載しているが、無論立体的に形成しているほうがより好ましい。
 このように、加熱板ユニット100を構成している被付着体としては、できるだけ表面積が大きくなるような形状が好ましく、また、その材料としては熱が伝わりやすい材料(例えばチタン、タングステンやSUS等の金属)が好ましい。
 <蒸着処理システム>
 次に、上記構成の蒸着装置を用いた蒸着処理システムについて説明する。
 図5は、本実施の形態に係る蒸着処理システムの概略構成を示す図である。
 本実施の形態では、例えば、蒸着粒子射出装置501と蒸着マスクを固定して、被成膜基板200を紙面の上方向(射出口111の並び方向と直交する方向)に移動(走査)させてスキャン蒸着を行う。あるいは、被成膜基板200を固定して、蒸着粒子射出装置501を射出口111の並び方向と直交する方向に移動させてスキャン蒸着を行う。
 上記蒸着処理システムは、図5に示すように、被成膜基板200の相対走査方向に並列して6列並べられた蒸着粒子射出装置501を含み、これら6列の蒸着粒子射出装置501のうちの一つが蒸着マスク300と一体化されて蒸着源ユニット600を構成している。蒸着源ユニット600を構成している蒸着粒子射出装置501のみが蒸着粒子を射出状態(蒸着状態)であることを示し、残りの5つの蒸着粒子射出装置501は非射出状態(非蒸着状態)であることを示している。
 ここで、各蒸着粒子射出装置501に設けられた冷却装置150の熱交換部材151は、図5に示すように、ノズル部110の筐体外周面110aに沿って、4つのブロックに分割されている。これら4つのブロックの熱交換部材151は、蒸着動作時(加熱装置150による加熱時)には、ノズル部110の筐体外周面110aから離間し、非蒸着動作時(冷却装置による冷却時)には、ノズル部110の筐体外周面110aに密着するように、図示しない駆動回路によって駆動される。
 図5では、蒸着源ユニット600を構成している1列目の蒸着粒子射出装置501が蒸着動作状態であり、残りの5列分の蒸着粒子射出装置501は非蒸着動作状態である。つまり、蒸着源ユニット600を構成している蒸着粒子射出装置501は、ノズル部110の筐体外周面110aから4つのブロックの熱交換部材151全てが離間した状態となり、残りの蒸着粒子射出装置501は、ノズル部110の筐体外周面110aに4つのブロックの熱交換部材151全てが密着した状態となっている。
 このように、本実施の形態では、実際に、被成膜基板200に対して蒸着を行っているのは、蒸着源ユニット600を構成している蒸着粒子射出装置501のみである。つまり、図5に示すように、6列ある蒸着粒子射出装置501のうち、1列の蒸着粒子射出装置501のみが蒸着粒子をノズル部110の射出口111から射出していることになる。
 また、蒸着を行っていない残りの5列の蒸着粒子射出装置501では、ノズル部110内で、被付着体に蒸着粒子を付着させる処理が行われている。したがって、現在蒸着を行っている蒸着粒子射出装置501において射出される蒸着粒子が無くなれば、次の列の蒸着粒子射出装置501を蒸着源ユニット600とし、蒸着を行わせる。
 上記蒸着源ユニット600において、蒸着粒子射出装置501と蒸着マスク300との相対位置は一定である。被成膜基板200が、図5に示すように、蒸着マスク300に対して蒸着粒子射出装置501とは反対側を一定速度で一方向(図中の矢印方向)に移動する。蒸着粒子射出装置501の上面には、それぞれが蒸着粒子を放出する複数の射出口111が形成されており、蒸着マスク300には、複数の開口部301(マスク開口(図1の符号301))が形成されている。射出口111から放出された蒸着粒子は、マスク開口を通過して被成膜基板200に付着する。
 このように、上記蒸着処理システムを用いれば、有機EL層(図7)を構成する発光層23R,23G,23Bの各色別に繰り返して蒸着を行うことにより、発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着を行うことができる。
 ここで、上記蒸着装置を用いて製造される有機EL表示装置とその製造方法について説明する。
 <有機EL表示装置の全体構成>
 上記有機EL表示装置の全体構成について以下に説明する。
 図6は、RGBフルカラー表示の有機EL表示装置1の概略構成を示す断面図である。
 図6に示すように、本実施の形態で製造される有機EL表示装置1は、TFT12(図7参照)が設けられたTFT基板10上に、TFT12に接続された有機EL素子20、接着層30、封止基板40が、この順に設けられた構成を有している。
 図6に示すように、有機EL素子20は、該有機EL素子20が積層されたTFT基板10を、接着層30を用いて封止基板40と貼り合わせることで、これら一対の基板(TFT基板10、封止基板40)間に封入されている。
 上記有機EL表示装置1は、このように有機EL素子20がTFT基板10と封止基板40との間に封入されていることで、有機EL素子20への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
 次に、上記有機EL表示装置1におけるTFT基板10および有機EL素子20の構成について詳述する。
 <TFT基板10の構成>
 図7は、有機EL表示装置1の表示部を構成する有機EL素子20の概略構成を示す断面図である。
 図7に示すように、TFT基板10は、ガラス基板等の透明な絶縁基板11上に、TFT12(スイッチング素子)および配線14、層間絶縁膜13、エッジカバー15等が形成された構成を有している。
 有機EL表示装置1は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機EL表示装置であり、絶縁基板11上には、配線14で囲まれた領域に、それぞれ、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色の有機EL素子20からなる各色の画素2R・2G・2Bが、マトリクス状に配列されている。
 TFT12は、それぞれ、各画素2R・2G・2Bに対応して設けられている。なお、TFTの構成は従来よく知られている。したがって、TFT12における各層の図示並びに説明は省略する。
 層間絶縁膜13は、各TFT12および配線14を覆うように、上記絶縁基板11上に、上記絶縁基板11の全領域に渡って積層されている。
 層間絶縁膜13上には、有機EL素子20における第1電極21が形成されている。
 また、層間絶縁膜13には、有機EL素子20における第1電極21をTFT12に電気的に接続するためのコンタクトホール13aが設けられている。これにより、TFT12は、上記コンタクトホール13aを介して、有機EL素子20に電気的に接続されている。
 エッジカバー15は、第1電極21の端部で有機EL層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機EL素子20における第1電極21と第2電極26とが短絡することを防止するための絶縁層である。
 エッジカバー15は、層間絶縁膜13上に、第1電極21の端部を覆うように形成されている。
 第1電極21は、図7に示すように、エッジカバー15のない部分で露出している。この露出部分が各画素2R・2G・2Bの発光部となる。
 言い換えれば、各画素2R・2G・2Bは、絶縁性を有するエッジカバー15によって仕切られている。エッジカバー15は、素子分離膜としても機能する。
 <TFT基板10の製造方法>
 絶縁基板11としては、例えば、無アルカリガラスやプラスチック等を用いることができる。本実施の形態においては、板厚0.7mmの無アルカリガラスを使用した。
 層間絶縁膜13およびエッジカバー15としては、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等が挙げられる。
 また、TFT12は既知の方法にて作製される。なお、本実施の形態においては、上記したように、TFT12を各画素2R・2G・2Bに形成したアクティブマトリクス型の有機EL表示装置1を例に挙げている。
 しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、TFTが形成されていないパッシブマトリクス型の有機EL表示装置の製造についても、本発明を適用することができる。
 <有機EL素子20の構成>
 有機EL素子20は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極21、有機EL層、第2電極26が、この順に積層されている。
 第1電極21は、上記有機EL層に正孔を注入(供給)する機能を有する層である。第1電極21は、前記したようにコンタクトホール13aを介してTFT12と接続されている。
 第1電極21と第2電極26との間には、図7に示すように、有機EL層として、第1電極21側から、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層22、発光層23R・23G・23B、電子輸送層24、および電子注入層25が、この順に形成された構成を有している。
 なお、図示してないが、必要に応じて正孔、電子といったキャリアの流れをせき止めるキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。また、一つの層が複数の機能を有していてもよく、例えば、正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた一つの層を形成してもよい。
 なお、上記積層順は、第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としたものである。第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極とする場合には、有機EL層の積層順は反転する。
 正孔注入層は、第1電極21から有機EL層への正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層23R・23G・23Bへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層22は、第1電極21およびエッジカバー15を覆うように、上記TFT基板10における表示領域全面に一様に形成されている。
 なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層22を設けている。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。
 正孔注入層兼正孔輸送層22上には、発光層23R・23G・23Bが、それぞれ、画素2R・2G・2Bに対応して形成されている。
 発光層23R・23G・23Bは、第1電極21側から注入された正孔と第2電極26側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層23R・23G・23Bは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
 電子輸送層24は、発光層23R・23G・23Bへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層25は、第2電極26から有機EL層への電子注入効率を高める機能を有する層である。
 電子輸送層24は、発光層23R・23G・23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22を覆うように、これら発光層23R・23G・23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22上に、上記TFT基板10における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
 また、電子注入層25は、電子輸送層24を覆うように、電子輸送層24上に、上記TFT基板10における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
 なお、電子輸送層24と電子注入層25とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、有機EL表示装置1は、電子輸送層24および電子注入層25に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。
 第2電極26は、上記のような有機層で構成される有機EL層に電子を注入する機能を有する層である。第2電極26は、電子注入層25を覆うように、電子注入層25上に、上記TFT基板10における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
 なお、発光層23R・23G・23B以外の有機層は有機EL層として必須の層ではなく、要求される有機EL素子20の特性に応じて適宜形成すればよい。
 また、正孔注入層兼正孔輸送層22および電子輸送層兼電子注入層のように、一つの層は、複数の機能を有していてもよい。
 また、有機EL層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層23R・23G・23Bと電子輸送層24との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層24に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
 上記構成において、第1電極21(陽極)、第2電極26(陰極)、および発光層23R・23G・23B以外の層は、適宜挿入すればよい。
 <有機EL素子20の製造方法>
 第1電極21は、電極材料をスパッタ法等で形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、個々の画素2R・2G・2Bに対応してパターン形成されている。
 第1電極21としては、様々な導電性材料を用いることができるが、絶縁基板11側に光を放射するボトムエミッション型の有機EL素子の場合、透明または半透明の必要がある。
 一方、基板とは反対側から光を放射するトップエミッション型有機EL素子の場合には、第2電極26が透明または半透明の必要がある。
 これら第1電極21および第2電極26に用いられる導電膜材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)、IZO(Indium Zinc Oxide:インジ
ウム亜鉛酸化物)、ガリウム添加酸化亜鉛(GZO)等の透明導電材料、金(Au)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)等の金属材料を用いることができる。
 また、上記第1電極21および第2電極26の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、CVD(chemical vapor deposition、化学蒸着)法、プラズマCVD法、印刷法
等を用いることができる。例えば、上記第1電極21の積層に、後述する本実施の形態に係る蒸着装置を用いてもよい。
 有機EL層の材料としては、既知の材料を用いることができる。なお、発光層23R・23G・23Bには、それぞれ、単一の材料を用いてもよく、ある材料をホスト材料とし、他の材料をゲスト材料またはドーパントとして混ぜ込んだ混合材料を用いてもよい。
 正孔注入層、正孔輸送層、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層22の材料としては、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。
 発光層23R・23G・23Bの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、等が挙げられる。
 電子輸送層24、電子注入層25、あるいは電子輸送層兼電子注入層の材料としては、例えば、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。
 <真空蒸着法を用いた成膜パターンの形成方法>
 ここで、真空蒸着法を用いた成膜パターンの形成方法について、主に図8を用いて以下に説明する。
 なお、以下の説明では、被成膜基板(被成膜物)としてTFT基板10を使用するとともに、蒸着材料として有機発光材料を使用し、第1電極21が形成された被成膜基板上に、真空蒸着法を用いて、蒸着膜として有機EL層を形成する場合を例に挙げて説明する。
 フルカラーの有機EL表示装置1では、前記したように、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色の発光層23R・23G・23Bを備えた有機EL素子20からなる各色の画素2R・2G・2Bが、マトリクス状に配列されている。
 なお、勿論、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光層23R・23G・23Bに代えて、例えば、シアン(C)、マゼンタ(M)、黄(Y)からなる各色の発光層を有していてもよく、赤(R)、緑(G)、青(B)、黄(Y)からなる各色の発光層を有していてもよい。
 このような有機EL表示装置1では、TFT12を用いて、これら有機EL素子20を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行う。
 このため、有機EL表示装置1を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、被成膜基板上に、有機EL素子20毎に所定のパターンで成膜する必要がある。
 前記したように、蒸着マスク300には、所望の位置・形状に開口部301が形成されている。図1に示すように、蒸着マスク300は、被成膜基板200の被成膜面201と離間して配置されている。
 また、蒸着マスク300を挟んで被成膜基板200と反対側には、被成膜基板200の被成膜面201に対向するように、蒸着源として蒸着粒子射出装置501が配置されている。
 有機EL表示装置1を製造する場合、有機発光材料は、高真空下で加熱して蒸着または昇華させて気体にすることで、気体状の蒸着粒子としてノズル部110の射出口111から射出される。
 蒸着粒子としてノズル部110の射出口111から射出された蒸着材料は、蒸着マスク300に設けられた開口部301を通して被成膜基板200に蒸着される。
 これにより、蒸着マスク300の開口部301に対応する、被成膜基板200の所望の位置にのみ、所望の成膜パターンを有する有機膜が、蒸着膜として蒸着形成される。なお、蒸着は、発光層の色毎に行われる(これを「塗り分け蒸着」と言う)。
 例えば、図7における正孔注入層兼正孔輸送層22の場合、表示部全面に成膜を行うため、表示部全面および成膜が必要な領域のみ開口しているオープンマスクを蒸着マスク300として用いて、成膜を行う。
 なお、電子輸送層24や電子注入層25、第2電極26についても、同様である。
 一方、図7において、赤色を表示する画素の発光層23Rの成膜を行う場合、赤色の発光材料を蒸着させる領域のみが開口したファインマスクを蒸着マスク300として用いて、成膜を行う。
 <有機EL表示装置1の製造工程の流れ>
 図8は、有機EL表示装置1の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
 まず、TFT基板10を作製し、この作製したTFT基板10上に、第1電極21を形成する(S101)。なお、TFT基板10は、公知の技術を用いて作製することができる。
 次に、この第1電極21が形成されたTFT基板10上に、オープンマスクを蒸着マスク300として用いて、正孔注入層および正孔輸送層を、真空蒸着法により、画素領域全面に形成する(S102)。なお、正孔注入層および正孔輸送層としては、前記したように、正孔注入層兼正孔輸送層22とすることができる。
 次いで、ファインマスクを蒸着マスク300として用いて、発光層23R・23G・23Bを、真空蒸着法により塗り分け蒸着する(S103)。これにより、各画素2R・2G・2Bに応じたパターン膜を形成する。
 その後、発光層23R・23G・23Bが形成されたTFT基板10上に、オープンマスクを蒸着マスク300として用いて、電子輸送層24、電子注入層25、第2電極26を、順に、真空蒸着法により、画素領域全面に形成する(S104~S106)。
 以上のように、蒸着が完了した基板に対して、有機EL素子20が大気中の水分や酸素にて劣化しないように、有機EL素子20の領域(表示部)の封止を行う(S107)。
 封止は、水分や酸素の透過し難い膜をCVD法等で形成する方法、ガラス基板等を接着剤等により貼り合わせる方法等がある。
 以上のような工程により、有機EL表示装置1が作製される。有機EL表示装置1は、外部に形成された駆動回路から、個々の画素にある有機EL素子20に電流を流し発光させることで、所望の表示を行うことができる。
 以下に、本実施の形態に係る蒸着装置による作用・効果について説明する。
 <作用・効果について>
 一般的なスキャン蒸着では、以下に示す2点の問題が発生する。
 1点目は、制限板などの蒸着流を制御する機構による蒸着レートの低下である。例えば、制限板によって、蒸着流の1/10のみを蒸着に寄与させたとすると、蒸着レートは1/10に低下する。例えば、1nm/sの蒸着レートで蒸着源の射出口から蒸着流が射出されていた場合、基板上に対して実際に成膜される蒸着材料の蒸着レートは0.1nm/sとなる。
 2点目は、原理上高蒸着レートが必要になることである。すなわち、スキャン蒸着では、小型の蒸着マスクの開口部上を通過する間のみ基板上に成膜されることになるため、蒸着マスクの走査方向の長さを基板の走査速度で割った時間の間だけ蒸着される。例えば蒸着マスクの走査方向における開口長が150mm、基板の走査速度が15mm/sの場合、基板のある領域に対する総蒸着時間は10sとなる。基板の長さが750mmとすれば、基板全面に対して蒸着するのに要する時間は50sである。
 ここで、蒸着膜の膜厚を50nmとすると、もし基板全面に一括に蒸着する時に必要な蒸着レートは50(nm)/50(s)=1nm/sであるが、スキャン蒸着のような走査しながら蒸着を行う場合、50(nm)/10(s)=5nm/sの蒸着レートが必要になる。
 以上のことから、一般的なスキャン蒸着では、上述した1点目の問題にて蒸着レートが低下する一方、2点目の問題にて高い蒸着レートが必要となる。なお、多数回の走査処理により、総蒸着時間を増やし、低蒸着レートでも十分な蒸着膜の膜厚を得ることはできるが、処理タクト(基板の投入から払い出しまでに総合的に必要な時間)は長くなる。
 これらの問題を回避するためには、蒸着源内における蒸着材料の加熱温度をさらに上昇させる方法がある。これにより、蒸着レートが向上する。
 しかしながら、蒸着材料は、一般的に粉状あるいは塊状で蒸着源内のるつぼに供給される。
 したがって、るつぼを加熱すると、るつぼの内壁に接触する一部の蒸着材料がまず加熱され、次に材料自身の熱伝導によって、それ以外の材料が加熱される。
 したがって、材料の温度上昇は材料の熱伝導率に依存することになる。有機EL素子に用いられる有機材料は一般的に金属と比較して熱伝導率は低い。そのため、蒸着材料全体が十分に加熱されるまでに、るつぼ内壁付近の蒸着材料のみが過度に加熱されてしまい、熱分解による劣化が生じる。よって、加熱温度の上昇による蒸着レートの向上には限界がある。例えば、前項の例で蒸着源の射出口から射出される蒸着レートを加熱温度の上昇により、10nm/sまでは熱劣化なく高められるとすると、基板上の正味の蒸着レートは1nm/sとなる。
 さらに、蒸着レートを高める方法としては、蒸着源を並列して同時に蒸着する方法が挙げられる。
 図9は、図5に示す蒸着処理システムと比較するための蒸着処理システムの概略を示す図である。
 図9に示す蒸着処理システムでは、6列の蒸着源700を用い、被成膜基板200を基板走査方向に移動させて、5列の蒸着源700にて同時に蒸着を行うようになっている。
 この場合、見かけの蒸着レートは1×5=5nm/sとなり、上述した2点目の問題で説明した必要とする蒸着レート(5nm/s)を得ることが可能となる。残りの1列の蒸着源700は蒸着材料の交換用であり待機状態となっている。1列の蒸着源700にて蒸着材料がなくなった場合には、代替として別の1列が稼働し、その間に蒸着材料が再供給され、再供給された蒸着源700が代わって待機状態となる。
 ところで、図9に示す蒸着処理システムでは、以下の問題が発生する。
 第1に、蒸着源700は蒸着マスクと一体的に形成されているため、蒸着源700が増加した分、蒸着マスクも同数必要となる。蒸着マスクは高精度で微細な開口加工が必要であり、高価であるため、設備コストの増大に繋がる。
 第2に、被成膜基板200と蒸着マスクとの位置合わせを個々で合わせる必要がある。その際、被成膜基板200のほうを動かして一つの蒸着マスクとの位置合わせをすると、他の蒸着マスクとの位置がずれてしまうため、蒸着源ユニットのほうを動かして位置合わせする必要がある。蒸着源ユニットは、蒸着源と蒸着マスクとを固定化する機構やヒータ等を含むため、基板よりも遥かに重くなり、位置合わせの機構が複雑かつ大がかりなものとなってしまい、これも高コスト化要因となる。また、慣性力が大きくなるため位置合わせ精度も低下する。
 第3には、同時に複数の蒸着源700から蒸着流を射出させているため、当該蒸着源700に対応する蒸着マスク上に被成膜基板200がない間蒸着材料の損失となってしまう。例えば、1つの蒸着源700につき15sの時間蒸着するとして、5列の蒸着源700にて同時に蒸着流を射出させているとすると、他の蒸着源700にて蒸着している時間(15s×4列=60s)は蒸着材料の損失となる。
 以上のように、一般的なスキャン蒸着においては、蒸着レートの向上は難しく、また仮に、図9に示す蒸着処理システムのように、蒸着レートが向上できたとしても、上述した3つの問題点が新たに発生する。
 なお、制限板による蒸着流の制限を緩めれば、蒸着レートを向上することができるが、現実的ではない。つまり、制限板による蒸着流の制限を緩めるということは、蒸着ボケ(蒸着マスクの開口部幅を越えて蒸着膜が広がって形成される幅)が大きくなったり、射出口や制限板、基板、蒸着マスク開口部等の位置ずれ、形状精度による蒸着膜パターンの膜厚、位置、幅などのバラツキが大きくなったりするという問題が生じる。このような問題が生じることから、高精度の蒸着膜パターン形成が困難となり、その結果、大型や高精細の有機EL表示装置の製造ができない、あるいは歩留まりが低下するという問題が生じる。
 これに対して、本実施の形態に係る蒸着装置では、上述したスキャン蒸着において生じる種々の問題を解決することができる。
 すなわち、本実施の形態に係る蒸着装置を用いた蒸着処理システムは、図5に示すように、蒸着粒子射出装置501が、被成膜基板200の相対走査方向に並列して6列並べられており、そのうちの蒸着粒子を射出する蒸着粒子射出装置501のみが蒸着マスク300と一体化されて蒸着源ユニット600を構成している。図9に示す蒸着処理システムでは、6列の蒸着源700のうち、5列の蒸着源700から同時に蒸着粒子を射出させていたのに対し、図5に示す例では、1列の蒸着粒子射出装置501だけから蒸着粒子を射出させている。残りの5列の蒸着粒子射出装置501は蒸着粒子を射出しない。
 上記蒸着源ユニット600では、蒸着粒子射出装置501内のノズル部110に内包された加熱板ユニット100を構成する加熱板101の表面101aに付着した蒸着粒子が、当該加熱板101を加熱することで放出される。このときの蒸着のための温度は、蒸着粒子発生部120において、るつぼ123を加熱するときの温度よりも低い温度で済む。これは、蒸着粒子が塊ではなく、加熱板101の表面101aに付着して熱が伝わりやすくなっているためである。
 したがって、加熱板101の表面101aに付着している蒸着粒子の温度を、蒸着材料124の蒸発温度または昇華温度以上に加熱する必要があるものの、あまり温度を上げなくても、加熱板101から放出される蒸着粒子がノズル部110の射出口111から射出されるときの蒸着レートを高めることができる。
 ここで、上述したように、蒸着に必要な蒸着レートとして5nm/s必要であれば、制限板131による影響を考慮して、10倍の50nm/sを蒸着源ユニット600から射出される蒸着粒子の蒸着レートに設定すればよい。
 すなわち、蒸着源ユニット600において、蒸着粒子射出装置501内のノズル部110を加熱することで、ノズル部110の射出口111から射出される蒸着粒子の蒸着レートとして50nm/sを得ることができ、制限板131を経た正味の被成膜基板200上の蒸着レートとして5nm/sを得ることができる。
 また、蒸着粒子を射出していない5列の蒸着粒子射出装置501では、蒸着粒子発生部120(図1)からノズル部110(図1)に対して10nm/sにて蒸着材料124を気体化した蒸着粒子が供給される。5列の蒸着粒子射出装置501のノズル部110に対して各々同時に供給する。その際、ノズル部110に内包されている加熱板ユニット100およびその周辺のノズル部110の内壁面は冷却されており、それらの表面に蒸着粒子が付着する。
 つまり、蒸着源ユニット600が蒸着粒子を射出している間に、蒸着粒子を射出していない5列の蒸着粒子射出装置501は、内部に、蒸着粒子が付着された蒸着粒子付着体(加熱板101の表面に蒸着材料が保持されたもの)を生成するようになっている。
 その後、それぞれの蒸着粒子射出装置501が蒸着源ユニット600を構成した場合、ノズル部110を加熱することで、射出口111から出射される蒸着粒子の蒸着レートとして50nm/sを得、制限板131を経た正味の基板上の蒸着レートとして5nm/sを得ることができる。これは上述したように、所望としている蒸着レートである。
 このように、本実施の形態に係る蒸着処理システムによれば、蒸着粒子の蒸着レートが5倍になるため、蒸着材料124を完全に消費するまでの時間は、これまでの1/5になるが、6列の蒸着粒子射出装置501を順に一つずつ使用するため、他の蒸着粒子射出装置501を使用している間に、蒸着材料124を再びノズル部110に供給することができる。このような手順により、前述したような図9に示す蒸着処理システムにおいて生じる諸問題(蒸着レートの向上と加熱温度の上昇による材料の劣化)を解決することができる。
 さらに、本実施の形態に係る蒸着処理システムによれば、蒸着粒子を射出するのは1つの蒸着粒子射出装置501のため、蒸着マスク300が1つでよい。そのため、蒸着粒子射出装置501と同数の蒸着マスク300を必要としないばかりか、蒸着源ユニット600側ではなく被成膜基板200側を動かして蒸着マスク300と被成膜基板200との位置合わせを行うことができ、位置合わせ機構の複雑化や高コスト化を抑制することができる。また、合わせてこの理由により、蒸着粒子射出装置501の並列配置数を増やすことも容易となる。
 したがって、蒸着源である蒸着粒子射出装置501の数の増加により、蒸着粒子発生部120からノズル部110に蒸着粒子を供給する際の蒸着レートをさらに低下させることができ、材料劣化をより低減することができる。
 なお、蒸着粒子射出装置501の数を増やしても、稼働する(蒸着粒子を射出する)蒸着源は1つのため、同時に複数の蒸着源を使用する場合のような蒸着材料の損失は発生しない。
 以上まとめると、本実施の形態に係る蒸着装置によれば、予め、蒸着源である蒸着粒子射出装置501のノズル部110内の加熱板ユニット100を構成する加熱板101等の加熱部材(フィンなどの表面積の大きい構造物)の表面101aに蒸着材料を固着させる。これにより、表面に蒸着粒子が付着させて蒸着材料を保持させた蒸着粒子付着体を形成する。この蒸着粒子付着体を、蒸着粒子発生部120とは別のサブ蒸着粒子発生部とする。
 その後、サブ蒸着粒子発生部を一気に加熱することで蒸着レートを向上させる。これにより、以下の効果が得られる。
 (1)蒸着材料の熱伝導率に依存せず、サブ蒸着粒子発生部の表面に保持された蒸着材料を迅速かつ均一に加熱ができるため、低い温度でも蒸着レートを向上させることができる。また、蒸着材料の熱劣化を抑制できる。
 (2)蒸着粒子の発生に係る昇温を迅速に行えるために、蒸着レートの安定化までの時間を短縮でき、蒸着材料のロスを低減できる。
 (3)蒸着レートを稼ぐために、蒸着源および蒸着マスクを同時に稼働し、位置合わせする必要がないので、高精度なパターン形成が可能となる。
 なお、本実施の形態では、蒸着粒子射出装置501内部で、冷却装置150と加熱装置160とを用いて、蒸着粒子を加熱板101に付着させる工程から、加熱板101に保持された蒸着材料を再度気体状にする加熱工程までを行っているが、これに限定されるものではなく、上記の蒸着粒子を加熱板101に付着させる工程を別装置で行い、加熱板101に付着された蒸着粒子を再度気体状にする加熱工程のみを行うようにしてもよい。以下の実施の形態2では、蒸着粒子を加熱板に付着させて、当該加熱板表面に蒸着材料を保持させる工程を別装置で行い、加熱板で保持された蒸着材料を再度気体状にする工程のみを行う蒸着粒子射出装置の例について説明する。
 〔実施の形態2〕
 本発明の他の実施の形態について説明すれば以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態1と同じ機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その詳細な説明は省略する。
 <蒸着装置全体の説明>
 図10は、本発明の他の実施の形態に係る蒸着粒子射出装置を備えた蒸着装置全体の概略を示す図である。
 上記蒸着装置は、図10に示すように、真空チャンバ500内に、蒸着源として、複数の射出口111を備えたノズル部(蒸着粒子射出部)110を有する蒸着粒子射出装置502を備えている。
 上記蒸着粒子射出装置502の構成は、基本的に、前記実施の形態1に記載の蒸着粒子射出装置501と同じであるが、ノズル部110内で加熱板ユニット100の加熱板101に蒸着粒子を付着させるようになっていない点で異なる。
 本実施の形態では、加熱板ユニット100の加熱板101への蒸着粒子の付着を、真空チャンバ500外に、別途設けた蒸着材料充填装置180(図11)において行う。したがって、本実施の形態では、蒸着源である蒸着粒子射出装置502と、蒸着材料充填装置180とで、蒸着粒子射出システムを構成している。この蒸着材料充填装置180の詳細は後述する。
 上記蒸着粒子射出装置502では、加熱板ユニット100はカートリッジ化されており、ノズル部110に対して着脱可能となっている以外、前記実施の形態1の蒸着粒子射出装置501と同様に、サブ蒸着粒子発生部としての蒸着粒子が付着した加熱板101を加熱装置160によって加熱して、保持された蒸着材料を再度気体状にして、気体状の蒸着粒子を射出口111から外部に射出するようになっている。
 したがって、前記実施の形態1と同様の効果、すなわち、(1)蒸着材料の熱伝導率に依存せず、サブ蒸着粒子発生部の表面に付着した蒸着粒子を迅速かつ均一に加熱ができるため、低い温度でも蒸着レートを向上させることができる。また、蒸着材料の熱劣化を抑制できる。(2)蒸着粒子の発生に係る昇温を迅速に行えるために、蒸着レートの安定化までの時間を短縮でき、蒸着材料のロスを低減できる。(3)蒸着レートを稼ぐために、蒸着源および蒸着マスクを同時に稼働し、位置合わせする必要がないので、高精度なパターン形成が可能となる。
 さらに、本実施の形態では、蒸着粒子発生部120に相当する部材が蒸着粒子射出装置502内に存在しないので、真空チャンバ500の小型化を可能にするという効果も奏する。
 <蒸着材料充填装置180>
 上記蒸着材料充填装置180は、図11に示すように、前記実施の形態1の図1に示す蒸着粒子射出装置501とほぼ同じ構成であり、加熱板ユニット100を内包したノズル部110の代わりに、加熱板ユニット100を内包した加熱容器(充填容器)170が設けられている点で異なる。しかしながら、蒸着材料充填装置180においても、上記蒸着粒子射出装置501と同様に、加熱板ユニット100の加熱板101表面に蒸着粒子を付着させる点で同じである。
 また、加熱板ユニット100の加熱板101表面に蒸着粒子を付着させる手順も、前記実施の形態1と同様である。但し、加熱容器170は、加熱装置161により蒸着材料が付着しない程度に加熱されており、一方で、冷却装置150により加熱板ユニット100は蒸着材料が付着するように冷却されている。したがって、加熱容器170内では、蒸着粒子発生部120から導入管130へ供給された気体状の蒸着粒子が、できるだけ加熱板ユニット100のみに付着できるように温度調整が行われる。
 また、加熱板ユニット100は、加熱板101のみならず、当該加熱板ユニット100を構成するカートリッジ状の筐体(図示せず)にも蒸着粒子を付着させるようになっている。これにより、加熱板101に付着した蒸着粒子に加えて、加熱板ユニット100を構成するカートリッジ状の筐体に付着した蒸着粒子も一気に気体状にすることが可能となるので。蒸着レートを更に向上させることができる。
 蒸着粒子の付着が完了した加熱板ユニット100は、蒸着材料充填装置180から取り出され、真空チャンバ500内の蒸着粒子射出装置502のノズル部110内へ挿入される。その後、加熱装置160によりノズル部110を加熱することで、加熱板ユニット100の加熱板101に保持されている蒸着材料が再度気体状となり、気体状の蒸着粒子が射出口111より射出される。
 ここで、前記実施の形態1の蒸着装置のように、加熱板ユニット100がノズル部110内で固定されている場合、加熱板ユニット100内の加熱板101に付着した蒸着粒子が無くなれば、再び加熱板101に蒸着粒子を付着させるためにノズル部110を冷却する必要がある。このため、ノズル部110の冷却期間(蒸着粒子付着期間)は、蒸着処理を行うことができないので、前記実施の形態1では、蒸着源である蒸着粒子射出装置501を複数列配置して、ある蒸着粒子射出装置501のノズル部110の冷却期間に、残りの蒸着粒子射出装置501のうち加熱板ユニット100の加熱板101の表面に蒸着粒子が付着している蒸着粒子射出装置501を用いて蒸着処理を行うようにしている。
 これに対して、本実施の形態の蒸着装置では、加熱板ユニット100の加熱板101への蒸着粒子の付着処理を蒸着粒子射出装置502とは別に設けられた蒸着材料充填装置180で行うようになっているので、ノズル部110の冷却期間(蒸着粒子付着期間)が存在しない。
 つまり、本実施の形態での蒸着装置では、上記加熱板ユニット100の加熱板101に付着した蒸着粒子がある程度の量気体状になったら、当該加熱板ユニット100をノズル部110から取り出して、新たに蒸着粒子を加熱板101に付着させた加熱板ユニット100をノズル部110に装着するようになっている。
 したがって、蒸着源としての蒸着粒子射出装置502を複数列配置する必要はなく、蒸着源は1列のみの配置でよいことになる。
 また、上述のように本実施の形態では、蒸着装置の蒸着粒子射出装置502における蒸着レートは、蒸着材料充填装置180が別途設けられているので、蒸着粒子発生部120のるつぼ123からの蒸着レートに依存しない。
 例えば、前記実施の形態1では、蒸着粒子射出装置501が蒸着材料充填装置180と同じ機能を有しているので、蒸着粒子発生部120のるつぼ123からの蒸着レートが低くなればなるほど、並列配置する蒸着源としての蒸着粒子射出装置501の個数も増やさなければならず、その分真空チャンバ500の大きさが大きくなる。
 これに対して、本実施の形態では、蒸着源としての蒸着粒子射出装置502は常に真空チャンバ500に一つだけであり、真空チャンバ500外に別途設けた蒸着材料充填装置180の数を増やせばよいだけあるため、真空チャンバ500が巨大化することがない。
 また、真空チャンバ500内には、被成膜基板200や蒸着マスク300の位置合わせ機構など、他の機構も含まれているため、当該真空チャンバ500の容積が大きくなるが、蒸着材料充填装置180は、加熱容器170内へは加熱板ユニット100を配置するだけでよいため、加熱容器170の容積を小さくすることができる。そのため、蒸着材料充填装置180の小型化や減圧時間の短縮化、蒸着材料充填装置180の簡略化が可能となり、設備の低コスト化に繋がる。同時に蒸着材料充填装置180の数の増加が容易なため、蒸着粒子発生部120の蒸着レートをより低くすることができ、蒸着材料の熱劣化をより低減することができる。
 さらに、本実施の形態では、ノズル部110内で蒸着粒子を加熱板ユニット100に付着させる必要がないので、気体状の蒸着粒子を滞留させて当該蒸着粒子を冷却させるための空間を設ける必要がない。これにより、ノズル部110を小型化できるので、蒸着装置の設備コストを低減させることができる。
 カートリッジ化された加熱板ユニット100は、加熱板101の表面に付着した蒸着粒子が枯渇した時点で交換する。順次、加熱板ユニット100を交換することで連続して蒸着を行うことができる。
 なお、ノズル部110に投入した際に、迅速に蒸着レートが得られる状態まで加熱されるように、真空チャンバ500あるいはそれに付帯するチャンバにて、蒸着粒子が蒸発または昇華しない温度程度まで当該加熱板ユニット100を予備加熱しておいてもよい。
 また、ノズル部110を複数並列配置していてもよい。例えば、2台のノズル部110を並列配置し、交代で使用することによって、加熱板ユニット100の交換中や蒸着レートを安定化させるまでの時間においても蒸着を継続することができ、不断の蒸着処理を行うことができる。
 〔実施の形態3〕
 本発明のさらに他の実施の形態について説明すれば以下の通りである。
 本実施の形態では、基本的に、前記実施の形態1の図1に示す蒸着粒子射出装置501の構成と同じあるが、図12に示すように、図1に示す蒸着粒子射出装置501の代わりに、蒸着粒子射出装置503を蒸着装置に備えた構成となっている。
 上記蒸着粒子射出装置503は、図12に示すように、第1加熱装置162,第2加熱装置163を備えた構成となっている。
 上記第1加熱装置162は、上記射出用容器であるノズル部110を外側から加熱するようになっており、当該ノズル部110内の上記加熱板ユニット100の加熱板101表面が蒸着材料の蒸発温度または昇華温度にまで加熱されないように上記ノズル部110を加熱制御する装置である。
 上記第2加熱装置163は、上記射出用容器であるノズル部110に装填されている加熱板ユニット100を直接加熱するようになっており、上記加熱板ユニット100の加熱板101の表面が蒸着材料の蒸発温度または昇華温度以上となるように上記ノズル部110を加熱制御する装置である。
 上記構成の蒸着粒子射出装置503では、加熱板ユニット100の加熱板101に蒸着粒子を付着させる場合、第1加熱装置162のみを駆動させて、ノズル部110を加熱する。この場合、ノズル部110内の加熱板ユニット100の加熱板101の表面温度は、蒸着材料の蒸発温度または昇華温度にまで加熱されないように加熱制御されているので、ノズル部110に供給された気体状の蒸着粒子は、加熱板ユニット100の加熱板101の表面に付着する。
 また、蒸着粒子が加熱板101に付着した加熱板ユニット100から再び蒸着材料を気体状にする場合、第1加熱装置162に加えて、第2加熱装置163を駆動させて、ノズル部110を加熱する。これにより、加熱板ユニット100の加熱板101の表面が蒸着材料の蒸発温度または昇華温度以上となるように加熱されるので、当該加熱板ユニット100の加熱板101の表面から蒸着材料が気体状の蒸着粒子となり、蒸着粒子はノズル部110の射出口111から高密度で外部に射出される。
 このように、2つの加熱装置(第1加熱装置162、第2加熱装置163)を用いれば、加熱板ユニット100の加熱板101に保持された蒸着材料を再度気体状にする場合に、迅速に対応することができる。これは、加熱板ユニット100の加熱板101に蒸着粒子を付着させるときに、第1加熱装置162による加熱が行われ、この加熱が、ノズル部110内の加熱板ユニット100への予備加熱になるためである。
 なお、前記実施の形態1では、加熱板ユニット100の加熱板101に蒸着粒子を付着させる場合、ノズル部110に対して積極的に冷却するようにしていたため、一旦、加熱された加熱板ユニット100の加熱板101に対して迅速に蒸着粒子を付着させることが可能となるが、本実施の形態では、上述のように、ノズル部110を冷却ではなく加熱している。
 つまり、本実施の形態では、加熱板ユニット100の加熱板101に蒸着粒子を付着させる場合、前記実施の形態1のように、ノズル部110を積極的に冷却させるようになっていないので、一旦、加熱板ユニット100が蒸着材料の蒸発温度または昇華温度以上となるように加熱されれば、当該加熱板ユニット100の冷却にかかる時間が長くなる。このため、前記実施の形態1と比べて、蒸着粒子を付着させるのに時間を要することから、トータルの蒸着処理の時間が長くなる。
 しかしながら、前記実施の形態1の図5に示すように、蒸着粒子射出装置503を複数列配置して、ある蒸着粒子射出装置503のノズル部110の冷却期間に、残りの蒸着粒子射出装置503のうち加熱板ユニット100の加熱板101の表面に蒸着粒子が付着している蒸着粒子射出装置503を用いて蒸着処理を行うようにすれば、トータルの蒸着処理を短くすることができる。
 <ダウンデポジション>
 なお、前記実施の形態1~3では、蒸着粒子射出装置501~503が被成膜基板200の下方に配されており、蒸着粒子射出装置501~503が、蒸着マスク300の開口部301を介して、蒸着粒子を下方から上方に向かって蒸着(アップデポジション)させる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
 例えば、蒸着粒子射出装置501~503を、被成膜基板200の上方に設け、蒸着マスク300の開口部301を介して蒸着粒子を上方から下方に向かって被成膜基板200に蒸着(ダウンデポジション)させても構わない。
 このようにダウンデポジションにより蒸着を行う場合、自重撓みを抑制するために被成膜基板200を保持する基板保持部材として例えば静電チャック等の手法を使用しなくても、高精細のパターンを、被成膜基板200の全面に渡って、精度良く形成することができる。
 <サイドデポジション>
 また、例えば、上記蒸着粒子射出装置501~503は、横方向に向けて蒸着粒子を射出する機構を有しており、被成膜基板200の被成膜面201側が蒸着粒子射出装置501~503側を向いて垂直方向に立てられている状態で、蒸着マスク300を介して蒸着粒子を横方向に被成膜基板200に蒸着(サイドデポジション)させてもよい。
 <その他変形例>
 また、ノズル部110の射出口111の開口形状(平面形状)は、特に限定されるものではなく、円形、方形等、様々な形状とすることができる。
 また、ノズル部110の射出口111は、一次元(すなわち、ライン状)に配列されていてもよく、それぞれ二次元(すなわち、面状)に配列されていても構わない。
 被成膜基板200と蒸着マスク300とを一方向に相対移動させる蒸着装置の場合、射出口の個数を多くするほど、大面積の被成膜基板200に対応することができる。
 また、実施の形態1では、有機EL表示装置1がTFT基板10を備え、該TFT基板10上に有機層を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。有機EL表示装置1は、TFT基板10に代えて、有機層を形成する基板にTFTが形成されていないパッシブ型の基板であってもよく、被成膜基板200として、上記パッシブ型の基板を用いてもよい。
 また、実施の形態1では、上記したようにTFT基板10上に有機層を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機層に代えて、第2電極26の蒸着を行う場合にも適用できる。また、有機EL素子20の封止に封止膜を使用する場合、該封止膜の蒸着を行う場合にも適用できる。
 また、上記蒸着粒子射出装置501~503および蒸着装置は、上記したように有機EL表示装置1の製造方法以外にも、パターン化された膜を蒸着により成膜する、あらゆる製造方法並びに製造装置に対して好適に適用することができる。そのなかでも、高蒸着レートの蒸着源を必要とする蒸着方法に特に好適に用いることができる。
 上記蒸着粒子射出装置501~503および蒸着装置は、例えば、有機EL表示装置1以外にも、例えば有機薄膜トランジスタ等の機能デバイスの製造にも好適に適用できる。
 前記実施の形態1~3においては、蒸着粒子射出装置501~503を、ライン型蒸着源として説明したが、これに限定されるものではなく、るつぼ型蒸着源(点型蒸着源)や面型蒸着源としても構わない。
 また、本発明において奏する効果は、ノズルの射出口形状に因らない。すなわち、射出口が多数配列している場合でも、一つの長尺な開口が形成されている射出口であってもよい。
 さらに、本発明は蒸着レートの安定化時間が長い材料に関して、特に有効である。例えば、有機材料のような急激な昇温により劣化が起こりやすい材料に対して、迅速な蒸着レートの到達による処理タクト(スループット)の向上を図れる。さらに、高価な蒸着材料に対して、本発明は特に有効である。例えば、有機EL素子の有機層を形成する材料などである。蒸着レートの安定化時間の短縮や、複数の蒸着材料供給源を組み合わせることで、昇温時・降温時も蒸着に寄与させることができるため、蒸着材料を有効に使用することができる。
 また、本発明に係る蒸着粒子射出装置は、有機EL表示装置の製造だけでなく、蒸着により膜を形成する物であれば他にも適用できる。
 前記実施の形態1では、制限板を用いた蒸着膜パターンの塗分け形成を例に挙げて説明したが、これに限らず、表示領域全面が開口した蒸着マスクにて、画素領域全面に一括して有機膜を形成する際にも適用できる。
 例えば、正孔輸送層などを画素領域全面に一括して形成する場合、本発明の方法を適用することで、蒸着レートを向上させることができ、蒸着時間を短縮し、装置の処理タクトを向上することができる。
 さらに、照明用途などのように、高精細にパターン形成することなく、全層を発光領域全面に渡って形成する有機EL発光装置の場合にも、本発明は同様に適用することができる。特に、有機EL照明については、処理タクトの短縮による低コスト化に非常に有効であり、本発明の方法を用いれば、高い蒸着レートを得ることができるため、処理タクトの短縮が可能となる。
 また、本発明は、有機膜だけでなく、第二電極やあるいは封止膜の蒸着にも適用し得る。
 さらに、本発明は、有機EL表示装置の製造だけでなく、蒸着により膜を形成する物であり、高い蒸着レートを必要とするような製造工程あるいは製造物においても適用できる。
 また、上記被付着体は、上記射出用容器から着脱可能に設けられていることが好ましい。
 このように、被付着体が射出用容器から着脱可能に設けられていることで、蒸着粒子射出装置とは別の装置によって、被付着体に蒸着粒子を付着させて蒸着材料を保持させる処理を行わせることが可能となる。
 これにより、被付着体表面に蒸着材料を保持させるための装置を蒸着粒子射出装置内に設ける必要がないので、当該蒸着粒子射出装置の小型化を図ることができる。
 本発明に係る蒸着粒子射出装置は、蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる蒸着粒子発生源と、上記蒸着粒子発生源と接続され、上記気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器と、上記射出用容器に内包され、蒸着粒子を付着させることで表面に蒸着材料を保持する被付着体と、上記射出用容器内の上記被付着体の表面温度を、上記蒸着材料が気体状になる温度よりも低い温度、または、上記蒸着材料が気体状になる温度以上の温度の何れかになるように制御する表面温度制御装置とを備えたことを特徴としている。
 上記表面温度制御装置は、上記射出用容器内の上記被付着体の表面温度が、上記蒸着材料が気体状になる温度よりも低くなるように当該被付着体を冷却する冷却装置と、上記射出用容器内の上記被付着体の表面温度が、上記蒸着材料が気体状になる温度以上になるように当該被付着体を加熱する加熱装置とで構成されていてもよい。
 上記の構成によれば、加熱装置により蒸着材料が気体状になる温度以上に加熱された被付着体の表面温度を、冷却装置により、気体状の蒸着粒子を被付着体に付着させることが可能な温度、すなわち蒸着材料が気体状になる温度よりも低い温度まで迅速に冷却することができる。
 これにより、蒸着粒子を放出して、蒸着粒子が枯渇した被付着体に対して、次の気体状の蒸着粒子を付着させて蒸着材料を保持させるまでの時間を短くできる。
 したがって、蒸着処理に係るトータルの時間を大幅に短くすることができる。
 上記表面温度制御装置は、上記射出用容器内の上記被付着体の表面を、上記蒸着材料が気体状となる温度まで加熱する第1加熱装置と、上記射出用容器内の上記被付着体の表面を、上記蒸着材料が気体状になる温度以上に加熱する第2加熱装置とで構成されていてもよい。
 上記の構成によれば、第1加熱装置は、気体状の蒸着粒子が充填された射出用容器内の被付着体の表面を、蒸着材料が気体状になる温度よりも低い温度まで加熱することで、射出用容器内の気体状の蒸着粒子を被付着体表面に付着させて、当該被付着体表面に蒸着材料を保持させることが可能となる。
 また、上記第2加熱装置は、射出用容器内の被付着体の表面を、蒸着材料が気体状になる温度以上に加熱することで、被付着体表面に保持された蒸着材料から気体状の蒸着粒子を放出させることが可能となる。
 ここで、被付着体への蒸着粒子の付着処理から、被付着体表面に付着した蒸着粒子の放出処理までを連続して行う場合、上記第1加熱装置による被付着体表面の加熱が、第2加熱装置による被付着体表面の加熱の予備加熱となるので、第2加熱装置の加熱開始から被付着体表面に保持された蒸着材料から気体状の蒸着粒子を放出するまでの時間を大幅に短縮することができる。
 上記被付着体は、複数の加熱板からなることが好ましい。
 このように、被付着体として複数の加熱板を用いることで、蒸着粒子が付着するための表面積を大きくすることができる。これにより、一度に付着させる蒸着粒子を多くすることができるので、被付着体表面を加熱することで放出される気体状の蒸着粒子の数を多くすることができる。したがって、射出用容器から射出される蒸着粒子の蒸着レートを大幅に向上させることができる。
 以下のように、被付着体は、表面積が大きければ大きいほど蒸着粒子が付着する数を増やすことができるので、表面積が大きな以下のような部材であってもよい。
 上記被付着体は、ひれ状の部材であることが好ましい。
 上記被付着体は、網目状の部材であることが好ましい。
 上記被付着体は、フラクタル面を有する部材であることが好ましい。
 本発明に係る蒸着粒子射出システムは、蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる蒸着粒子発生源と、上記蒸着粒子発生源と接続され、上記蒸着粒子発生源で発生した気体状の蒸着粒子が充填される充填容器と、上記充填容器に内包された被付着体表面に、上記蒸着粒子を付着させる蒸着粒子付着手段とを備えた蒸着材料充填装置と、上記蒸着材料充填装置によって気体状の蒸着粒子を表面に付着して得られた蒸着材料を保持した被付着体を内包し、気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有した射出用容器と、上記射出用容器に内包された被付着体の表面温度が当該蒸着材料が気体状になる温度以上に当該被付着体を加熱する加熱装置とを備えた蒸着粒子射出装置とを含むことを特徴としている。
 上記構成によれば、被付着体に蒸着粒子を付着させて蒸着材料を保持させるための装置(蒸着材料充填装置)と、被付着体に保持された蒸着材料を気体状にして外部に射出するための装置(蒸着粒子射出装置)とが別々に設けられているので、蒸着材料充填装置における被付着体への蒸着粒子の付着処理時の蒸着レートは、蒸着粒子射出装置における被付着体か放出される蒸着粒子の射出時の蒸着レートに依存されない。
 これにより、蒸着材料充填装置における被付着体への蒸着粒子の付着処理時の蒸着レートを低くしても、蒸着粒子射出装置における蒸着レートに影響を与えない。つまり、蒸着材料充填装置においては、低蒸着レートで蒸着粒子を被付着体への付着を行わせることができるので、蒸着材料充填装置内の蒸着粒子発生源に対する加熱温度をあまり上げなくて済む。
 したがって、蒸着材料に対して必要以上の加熱を行わずに済むので、蒸着材料の過度の加熱による劣化を無くすことが可能となる。
 上記蒸着粒子射出システムは、上記蒸着材料充填装置に着脱可能に形成され、上記被付着体を内包したカートリッジを備えていてもよい。
 本発明に係る蒸着粒子射出方法は、気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器に内包された被付着体表面に保持された蒸着材料を、当該蒸着材料が気体状になる温度以上の温度に加熱する加熱工程を含むことを特徴としている。
 上記構成によれば、蒸着粒子は被付着体表面に付着しているので、当該被付着体に加えられた熱が蒸着粒子全体に伝わり易い。このため、蒸着材料が気体状になる温度以上に、当該被付着体を加熱するだけで、多くの気体状の蒸着粒子を一度に得ることができる。つまり、蒸着レートを向上させることができる。
 また、被付着体の表面積が大きければ大きいほど、多くの蒸着粒子を表面に付着させることができるので、さらに、多くの気体状の蒸着粒子を一度に得ることができる。つまり、蒸着レートをさらに向上させることができる。
 しかも、上記のように、被付着体に加えられた熱が蒸着粒子全体に伝わり易いので、被付着体表面に保持されている蒸着材料を気体状にするための加熱温度は、蒸着材料が液体であれば蒸発温度、蒸着材料が固定であれば昇華温度以上であって、これら蒸発温度、昇華温度にできるだけ近い加熱温度で十分である。これにより、蒸着レートを上げるために必要以上の加熱を行う必要がなくなるので、過度な加熱による蒸着材料の劣化を防止することができる。
 したがって、上記構成によれば、蒸着材料を必要以上に加熱してなくても、蒸着レートを向上させることができるという効果を奏する。
 本発明に係る蒸着粒子射出方法は、表面に蒸着粒子が付着可能な被付着体が内包された射出用容器に、蒸着材料を気体状にした蒸着粒子を供給する蒸着粒子供給工程と、上記蒸着粒子が供給されている状態で、上記射出用容器内の上記被付着体の表面を、上記蒸着材料が蒸発する温度よりも低い温度に調整して、当該被付着体の表面に蒸着粒子を付着させることで、上記表面に蒸着材料を保持させる蒸着材料保持工程と、蒸着材料保持工程により、上記被付着体表面に保持された蒸着材料を、当該蒸着材料が気体状になる温度以上の温度に加熱する加熱工程と、上記加熱工程により、気体状となった蒸着粒子を射出口から被蒸着体に向けて射出する蒸着粒子射出工程とを含むことを特徴としている。
 ここで、蒸着材料から気体状の蒸着粒子が発生する温度は、蒸着材料が液体の場合、蒸発温度とし、蒸着材が固体の場合、昇華温度とする。
 上記構成によれば、射出用容器に内包された被付着体に対して、当該被付着体表面に序着粒子を付着させて蒸着材料を保持させた後、被付着体に保持された蒸着材料を気体状にしているので、蒸着材料をるつぼなどに入れて加熱して気体状する場合に比べて、加熱温度をあまり上げずに、一度に気体状にする蒸着材料を増加させることができる。すなわち、蒸着レートを向上させることができる。
 また、本発明にかかる蒸着装置は、蒸着源として、上記蒸着粒子射出装置を備えている。
 このため、上記蒸着装置によれば、蒸着材料を必要以上に加熱してなくても、蒸着レートを向上させることができる。
 また、上記蒸着装置は、蒸着膜の成膜パターンを形成するための蒸着マスクを備えていることが好ましい。
 蒸着マスクを用いることで、所望の成膜パターンを得ることができる。
 また、上記所定のパターンは、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機層とすることができる。上記蒸着装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置として好適に用いることができる。すなわち、上記蒸着装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置であってもよい。
 本発明にかかる蒸着粒子射出装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法では、例えば、TFT基板上に第1電極を作製するTFT基板・第1電極作製工程と、前記TFT基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第2電極を蒸着する第2電極蒸着工程とを備え、上記有機層蒸着工程および第2電極蒸着工程の少なくとも一方の工程において、蒸着源として上記蒸着粒子射出装置を使用する。
 このように、蒸着源として本発明に係る蒸着粒子射出装置を使用することにより、蒸着材料を必要以上に加熱してなくても、蒸着レートを向上させることができるので、蒸着レートを向上させても、蒸着材料が無駄にならず、蒸着材料の利用効率を向上させることができる。
 これにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造にかかる費用を低減でき、結果として、有機EL表示装置を安価に製造することが可能となる。
 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
 本発明の蒸着粒子射出装置および蒸着装置は、例えば、有機EL表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機EL表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。
1 有機EL表示装置
2R・2G・2B 画素
10 TFT基板
11 絶縁基板
12 TFT
13 層間絶縁膜
13a コンタクトホール
14 配線
15 エッジカバー
20 有機EL素子
21 第1電極
22 正孔注入層兼正孔輸送層
23R 発光層
23R・23G・23B 発光層
24 電子輸送層
25 電子注入層
26 第2電極
30 接着層
40 封止基板
91 蒸着粒子
100 加熱板ユニット
101 加熱板
101a 表面
110 ノズル部(射出用容器)
110a 筐体外周面
111 射出口
120 蒸着粒子発生部
121 容器
122 ヒータ
124 蒸着材料
130 導入管
131 制限板
140 バルブ
150 冷却装置
151 熱交換部材
160 加熱装置
161 加熱装置
162 第1加熱装置
163 第2加熱装置
170 加熱容器
171 射出口
180 蒸着材料充填装置
200 被成膜基板
201 被成膜面
300 蒸着マスク
301 開口部
500 真空チャンバ
501 蒸着粒子射出装置
502 蒸着粒子射出装置
503 蒸着粒子射出装置
600 蒸着源ユニット
700 蒸着源

Claims (16)

  1.  蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる蒸着粒子発生源と、
     上記蒸着粒子発生源と接続され、上記気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器と、
     上記射出用容器に内包され、蒸着粒子を付着させることで表面に蒸着材料を保持する被付着体と、
     上記射出用容器内の上記被付着体の表面温度を、上記蒸着材料が気体状になる温度よりも低い温度、または、上記蒸着材料が気体状になる温度以上の温度の何れかになるように制御する表面温度制御装置とを備えたことを特徴とする蒸着粒子射出装置。
  2.  上記表面温度制御装置は、
     上記射出用容器内の上記被付着体の表面温度が、上記蒸着材料が気体状になる温度よりも低くなるように当該被付着体を冷却する冷却装置と、
     上記射出用容器内の上記被付着体の表面温度が、上記蒸着材料が気体状になる温度以上になるように当該被付着体を加熱する加熱装置とからなることを特徴とする請求項1に記載の蒸着粒子射出装置。
  3.  上記表面温度制御装置は、
     上記射出用容器内の上記被付着体の表面を、上記蒸着材料が気体状となる温度まで加熱する第1加熱装置と、
     上記射出用容器内の上記被付着体の表面を、上記蒸着材料が気体状となる温度以上に加熱する第2加熱装置とからなることを特徴とする請求項1に記載の蒸着粒子射出装置。
  4.  気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有した射出用容器と、
     上記射出用容器に内包され、蒸着粒子を付着させることで表面に蒸着材料を保持する被付着体と、
     上記被付着体表面に保持された蒸着材料を、当該蒸着材料が気体状になる温度以上の温度に加熱する加熱装置とを備えたことを特徴とする蒸着粒子射出装置。
  5.  上記被付着体は、上記射出用容器から着脱可能に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の蒸着粒子射出装置。
  6.  上記被付着体は、複数の加熱板からなることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置。
  7.  上記被付着体は、ひれ状部材からなることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置。
  8.  上記被付着体は、網目状部材からなることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置。
  9.  上記被付着体は、フラクタル面を有することを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置。
  10.  蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる蒸着粒子発生源と、上記蒸着粒子発生源と接続され、上記蒸着粒子発生源で発生した気体状の蒸着粒子が充填される充填容器と、上記充填容器に内包された被付着体表面に、上記蒸着粒子を付着させる蒸着粒子付着手段とを備えた蒸着材料充填装置と、
     上記蒸着材料充填装置によって気体状の蒸着粒子を表面に付着して得られた蒸着材料を保持した被付着体を内包し、気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有した射出用容器と、上記射出用容器に内包された被付着体の表面温度が当該蒸着材料が気体状になる温度以上に当該被付着体を加熱する加熱装置とを備えた蒸着粒子射出装置とを含むことを特徴とする蒸着粒子射出システム。
  11.  請求項10に記載の蒸着材料充填装置に着脱可能に形成され、上記被付着体を内包したカートリッジ。
  12.  気体状の蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器に内包された被付着体表面に保持された蒸着材料を、当該蒸着材料が気体状になる温度以上の温度に加熱する加熱工程を含むことを特徴とする蒸着粒子射出方法。
  13.  表面に蒸着粒子が付着可能な被付着体が内包された射出用容器に、蒸着材料を気体状にした蒸着粒子を供給する蒸着粒子供給工程と、
     上記蒸着粒子が供給されている状態で、上記射出用容器内の上記被付着体の表面を、上記蒸着材料が蒸発する温度よりも低い温度に調整して、当該被付着体の表面に蒸着粒子を付着させることで、上記表面に蒸着材料を保持させる蒸着材料保持工程と、
     蒸着材料保持工程により、上記被付着体表面に保持された蒸着材料を、当該蒸着材料が気体状になる温度以上の温度に加熱する加熱工程と、
     上記加熱工程により、気体状となった蒸着粒子を射出口から被蒸着体に向けて射出する蒸着粒子射出工程とを含むことを特徴とする蒸着粒子射出方法。
  14.  蒸着源として、請求項1~9の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置を備えていることを特徴とする蒸着装置。
  15.  蒸着膜の成膜パターンを形成するための蒸着マスクを備えていることを特徴とする請求項14に記載の蒸着装置。
  16.  上記成膜パターンが、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機層であることを特徴とする請求項15に記載の蒸着装置。
PCT/JP2012/057544 2011-03-30 2012-03-23 蒸着粒子射出装置、蒸着粒子射出方法および蒸着装置 WO2012133201A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/007,956 US20140014036A1 (en) 2011-03-30 2012-03-23 Deposition particle emitting device, deposition particle emission method, and deposition device
CN201280015939.4A CN103476962B (zh) 2011-03-30 2012-03-23 蒸镀颗粒射出装置、蒸镀颗粒射出方法和蒸镀装置
JP2013507521A JP5512881B2 (ja) 2011-03-30 2012-03-23 蒸着処理システム及び蒸着処理方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-076491 2011-03-30
JP2011076491 2011-03-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012133201A1 true WO2012133201A1 (ja) 2012-10-04

Family

ID=46930924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/057544 WO2012133201A1 (ja) 2011-03-30 2012-03-23 蒸着粒子射出装置、蒸着粒子射出方法および蒸着装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140014036A1 (ja)
JP (1) JP5512881B2 (ja)
CN (1) CN103476962B (ja)
WO (1) WO2012133201A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018530664A (ja) * 2016-01-15 2018-10-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 有機材料のための蒸発源、有機材料のための蒸発源を有する装置、及び有機材料を堆積させるための方法。

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6383522B2 (ja) * 2013-01-30 2018-08-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物を発塵させる装置および発塵要因分析装置
CN105296934B (zh) * 2015-11-09 2018-06-19 合肥欣奕华智能机器有限公司 一种线形蒸发源及蒸镀设备
CN105603364B (zh) * 2016-03-16 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 导热装置与蒸镀坩埚
KR20210061639A (ko) * 2019-11-20 2021-05-28 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법 및 전자 디바이스 제조 방법
CN116005114B (zh) * 2023-01-04 2024-07-23 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀源和蒸镀装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4945989B1 (ja) * 1969-02-28 1974-12-07
JPH09310172A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂薄膜の製造方法及び製造装置及び電子部品
JPH11209870A (ja) * 1997-03-17 1999-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜の製造方法及び製造装置
JP2003002778A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
JP2010073743A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Tokyo Electron Ltd 重合膜の成膜方法および成膜装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2671360C (en) * 2008-07-08 2017-01-10 Virginia Optoelectronics, Inc. Modular led lighting systems and flexible or rigid strip lighting devices
US8334195B2 (en) * 2009-09-09 2012-12-18 International Business Machines Corporation Pixel sensors of multiple pixel size and methods of implant dose control
WO2011129043A1 (ja) * 2010-04-12 2011-10-20 シャープ株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
KR101671489B1 (ko) * 2010-07-29 2016-11-02 삼성디스플레이 주식회사 유기물 증발원 및 그를 포함하는 증착 장치
US20130240870A1 (en) * 2010-12-21 2013-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device, vapor deposition method and organic el display device
WO2012086480A1 (ja) * 2010-12-21 2012-06-28 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4945989B1 (ja) * 1969-02-28 1974-12-07
JPH09310172A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂薄膜の製造方法及び製造装置及び電子部品
JPH11209870A (ja) * 1997-03-17 1999-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜の製造方法及び製造装置
JP2003002778A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
JP2010073743A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Tokyo Electron Ltd 重合膜の成膜方法および成膜装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018530664A (ja) * 2016-01-15 2018-10-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 有機材料のための蒸発源、有機材料のための蒸発源を有する装置、及び有機材料を堆積させるための方法。

Also Published As

Publication number Publication date
CN103476962B (zh) 2015-07-01
CN103476962A (zh) 2013-12-25
JP5512881B2 (ja) 2014-06-04
JPWO2012133201A1 (ja) 2014-07-28
US20140014036A1 (en) 2014-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5324010B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着方法
JP5710734B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
JP5623598B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
KR101760897B1 (ko) 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
JP5373221B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着方法
TWI540777B (zh) 薄膜沉積裝置以及使用該裝置製造有機發光顯示元件的方法
KR101502715B1 (ko) 증착 장치, 증착 방법 및 유기 el 표시 장치
US20150171148A1 (en) Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
JP5529329B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置の製造方法
JP6429491B2 (ja) 蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5512881B2 (ja) 蒸着処理システム及び蒸着処理方法
KR20190101303A (ko) 모듈식 한정형 유기 프린트 헤드 및 시스템
US9614155B2 (en) Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescent element
JP2015110819A (ja) 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5384770B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
JP2014232727A (ja) 有機層エッチング装置及び有機層エッチング法
WO2012108363A1 (ja) 坩堝、蒸着装置、蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12764921

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013507521

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14007956

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12764921

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1