KR100639935B1 - 띠형 기판의 가스처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따라 띠 모양의 기판(1)을 가스로 처리하기 위한 처리장치(2)는 가스 공급원(5)을 가지고 있다. 하나의 모형판으로서 무한 연속 패턴밴드(7)를 다수의 회전롤러(8, 9, 10, 11)에 의하여 상기 가스 공급원(5) 주위를 회전시키도록 되어 있다. 상기 패턴밴드(7)는 하나의 여과필름으로 이루어져 있으며, 기판(1) 위에 가스로 처리해서는 안될 부분을 형성하기 위하여 상기 여과 필름 위에 마스크(14)로 덮는다.

Description

띠형 기판의 가스처리 장치{DEVICE FOR TREATING BAND-SHAPED SUBSTRATES WITH GAS}
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 처리장치의 측단면도 이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 처리장치의 사시도 이다.
도 3은 본 발명에 따른 패턴 밴드의 부분 평면도 이다.
도 4는 기판을 올려놓은 패턴 밴드의 단면도 이다.
도 5는 도 4의 패턴 밴드의 변형을 도시한 부분 사시도 이다.
도 6은 가스 공급원, 모형판 및 회전 롤러를 갖는 처리장치의 부분을 보여주는 도면이다.
도면의 주요부분에 대한 부호설명
1 : 기판 2 : 처리장치
3 : 가스 4 : 피복 롤러
5 : 가스 공급원 6 : 가스 배출구
7 : 패턴 밴드(pattern band) 8, 9, 10, 11 : 회전롤러
12 : 모터 13 : 구멍
14 : 마스크 15, 16 : 가열기
17 : 개방부(開放部) 18 : 구멍
19, 20 : 서포트 브리지(support bridge) 21, 22 : 간극배출로
23 : 쐐기
본 발명은 띠형(band-shpaed) 기판을 가스(gas)로 처리하기 위한 장치에 관한 것으로서, 상기 장치는 하나의 가스 공급원과, 그리고 상기 기판과 나란히 동일한 선속도(線速度)로 회전하는 하나의 모형판(模型板)을 가지고 있으며, 그 모형판은 상기 기판의 반대편에 장치된 상기 가스 공급원과 연결되어 있고, 상기 모형판에는 상기 기판 위에 원하는 부위 별로 가스를 공급하기 위한 구멍들이 형성되어 있다.
상기와 같은 종류의 장치는 여러 가지 목적에 사용될 수 있다. 그러한 장치들을 사용하여 예를 들어 가스를 기판에 접촉시켜 화학반응을 일으키거나, 기판을 피복할 수 있다. 그러한 장치들에 있어서는 통상 일컫는 증기(蒸氣)로서 기판 위에 응결(凝結)하는 매질(媒質)을 사용하는 장치들이 널리 보급되어 있다. 상기 후자의 경우에는 통상 기화증착장치에 관한 것이다. 예를 들어 독일특허출원 DE 197 34 477은 그러한 기화증착장치를 발명의 요지로 하고 있다. 종래에 공지된 기화증착장치는 기화유(氣化油)를 금속화(金屬化)할 필름 표면에 증착시켜, 다음 공정에서 기화유로 증착된 부위에 금속피복이 형성되지 않도록 하기 위하여 사용된다. 상기 독 일특허출원 명세서에서 예시한 기화증착장치에 있어서는 모형판이 회전하는 스크린 실린더(screen cylinder)로서 형성되어 있다. 상기 스크린 실린더 내에는 고정된 기화유 노즐이 장치되어, 기화용기와 연결되어 있다. 상기 기화증착장치를 운전할 때, 기화유 노즐로부터 모형판으로서 형성된 스크린 실린더를 통과하여 피복될 필름 표면에 분사되므로, 필름 표면에 모형판의 구멍과 똑같은 패턴이 생성된다.
상기 기화증착장치로서 형성된 공지된 처리장치의 제작은 비용이 비교적 많이 든다. 기판을 피복할 때 때때로 상이한 패턴이 피복되어야 하기 때문에, 패턴을 바꿀때 마다 모형판 역할을 하는 스크린 실린더를 교체해야할 필요가 있다. 상기 스크린 실린더는 비교적 벽이 두터우며, 따라서 중량이 무거워져서 특히 폭이 넓은 필름에 있어서는 해체 및 조립이 복잡하고, 무엇보다도 제조비용이 비싸다. 제작할 매 패턴 마다 모형판이 필요하므로, 따라서 이를 위한 고가의 제조비용은 상기와 같은 모형판을 갖는 처리장치의 사용에 대한 현저한 제한사항이 되는 것이다.
따라서 본 발명의 목적은 가능한 한 적은 비용으로 상이한 여러 가지의 패턴을 제작할 수 있도록 모두에 언급한 종류의 처리장치를 실현하는 것이다.
이러한 목적은 본 발명에 따라, 모형판을 무한 연속 패턴밴드(pattern band)로 형성시키고, 여러 개의 회전롤러에 의하여 회전하게 함으로써 달성된다.
그러한 패턴밴드는 그 자체에 구멍들이 뚫려 있고 두께가 얇은 밴드로 이루어지기 때문에 매우 저렴하게 제조될 수 있다. 그러므로 상이한 패턴의 제조를 위하여 적은 비용으로 여러 가지 패턴밴드를 준비할 수 있다. 또한 적은 비용으로 그 때그때 원하는 구멍들을 형성시키거나, 또는 마스크(mask)를 사용하여 기존의 구멍들을 폐쇄하면서, 그때그때 원하는 패턴에 적합시킴으로써 띠 모양의 모형판을 사용할 수 있게 한다. 본 발명에 따른 패턴밴드는 벡터 그래픽스(vector graphics) 또는 래스터 그래픽스(raster graphics)에 적합하다. 만약 본 발명에 따른 처리장치를 인쇄장치로서 사용할 경우에는, 가스의 통과를 위한 패턴밴드 내의 구멍들은 치수가 매우 작기 때문에, 특히 인쇄매질을 형성하는 가스에 의하여 초박막(超薄膜) 패턴 피복이 달성되고, 높은 분산도(分散度)를 달성할 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한 상이한 반복 길이로의 신속한 전환과 높은 공정속도가 가능하다.
본 발명에 따른 처리장치는 대상(帶狀) 기판 위에 기화유를 증착하는 것에 국한하지 않는다. 가스 형태의 기름 대신에 처리장치로 또한 예를 들어 인쇄매질을 기판 위에 피복할 수 있으며, 이때 인쇄매질이 기판 위에 응결하여 경화하거나 또는 가스 상태에서 기판 표면과 반응하여 기판의 특정 부분에 착색작용을 일으킨다. 이를 위하여 기판 표면을 예비처리 하거나 또는 피복함으로써 응결된 매질이 기판표면과 소기(所期)의 반응을 일으키게 할 수 있다. 이 때 기판은 각종 밴드 모양의 재료, 특히 플라스틱 필름 또는 종이가 사용된다.
만약 패턴밴드를 여과필름으로 형성하고, 기판 상에 가스로 처리하지 않는 부위들을 생성시키기 위하여 패턴밴드에 마스크를 붙여서 처리될 기판과 직접 접촉시키면 특히 유리하다. 그와 같은 패턴밴드는 매우 저렴하게 제조할 수 있다. 상기 마스크는 예를 들어 피복 방법으로 만들 수 있다. 이때 우선 여과필름의 전체표면을 덮는다. 그 다음 구멍이 필요한 부위에만 레이저 광선을 이용하여 피복층을 제 거하여 구멍들을 생성시킨다. 상기 마스킹(masking)의 또 다른 장점은 기판이 모형판의 구멍들로부터 근소한 간격으로 이격되어 있다는 것이다. 배출되는 가스가 기판 표면 위에 완전히 응결하거나 반응하기 전에, 기판과 모형판 사이에 상기 마스크로 구획된 간극 안에서 분출된 가스 압력이 평형을 이룬다.
만약 기판 위에 관통된 밴드 모양의 패턴을 만들려고 할 경우에는, 본 발명의 다른 실시예에 따라, 상기 패턴밴드에 전체 둘레에 걸쳐 적어도 하나의 구멍을 형성하고, 그 구멍의 양쪽 측면에 위치하는 패턴밴드 부분을 함께 파지(把持)하기 위하여 그 구멍에 서포트 브리지(support bridges)들을 형성시키면 유리하다.
만약 상기 서포트 브리지들이 패턴밴드의 표면으로부터 맞은 편에 기판 쪽으로 배향융기(背向隆起)시키면 서포트 브리지들이 이들의 점유부분 내에서 가스 증착(蒸着)을 방해하지 않는다.
만약 기판 위에 이형제를 도포(塗布) 하거나 또는 기판을 예를 들어 금속으로 증착할 때, 가스 공급원은 전열기로 가열되는 기화용기를 사용하는 것이 유리하다.
모두에 언급한 DE 197 34 477에 따른 기화증착장치와 똑같은 가스 공급원을 모형판 옆에 장치하고, 가스를 도관(導管)을 이용하여 모형판 밑으로 도입시킬 수 있다. 그러나, 본 발명의 유리한 실시예에 따라 상기 패턴밴드를 가스 공급원 주위를 선회시키도록 하면, 처리장치는 특히 저렴한 비용으로 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 매우 구조적으로 간단한 실시예는 패턴밴드를 회전시키기 위하여 4개의 회전롤러를 구조설계에 따른 가상(假想)의 직사각형 네 모퉁이에 장치 하고, 상부 2개의 회전롤러들 사이에 패턴밴드 부분의 바로 밑에 배출구가 있는 가스 공급원을 장치하는 것이다.
상기 패턴밴드 위에서 기판이 양쪽 회전롤러들 사이에서 진행하는 패턴밴드 부분과 직선으로 접촉시킬 때에는 다른 구조부품들을 해체하지 않고 패턴밴드의 교환을 할 수 있다.
만약 상기 기판을 피복롤러의 하부 면을 따라 진행시키고, 상부 회전롤러들 사이의 패턴밴드를 상기 피복롤러에 감겨있는 기판에 접촉시키면, 상기 패턴밴드가 가스를 증착시킬 기판에 확실히 밀착되며, 이것은 윤곽이 뚜렷한 패턴을 형성시킨다.
상기 패턴밴드를 가열기를 연하여 진행시킴으로써, 패턴밴드 위에 가스가 응결하는 것을 간단히 방지할 수 있다. 그밖에 부분에 가스응결을 방지하기 위하여, 가스와 접촉하는 기타 모든 장치부분을 가열한다. 상기 모형판의 구멍들에서는 기판과 가열된 모형판 사이의 직접적인 접촉이 이루어지지 않기 때문에 기판에 증착될 부분에는 가스가 응결할 수 있을 만큼 충분히 냉각되어 있다. 그 밖에 본 발명에 따른 장치에 있어서 가능한 한 높은 기판진행속도는 가스의 응결온도 이상으로 가열되는 것을 방지할 만큼 충분하다.
만약 가스 공급원이 패턴밴드에 대하여 간극배출로(間隙排出路)에 의하여 기판의 이동 방향 및 반대방향으로 밀폐하면, 가스 공급원과 모형판 사이의 밀폐는 접촉하지 않고, 따라서 마멸됨이 없이 이루어진다. 그와 같은 간극배출로에 있어서는 펌프에 있어서와 마찬가지로 가스가 모형판의 표면에 의하여 모형판의 이동방향 으로 공급된다. 상기 가스 공급원의 뒤쪽의 간극배출로 내에 남아있는 가스는 시간이 충분히 지나면 모형판에 의하여 기판에 도달한다.
패턴밴드의 이동방향에 위치하는 회전롤러 쪽의 간극배출로가 쐐기를 형성할 때에는 마지막 남은 가스 잔류분(殘溜分)도 역시 상기 기판에 도달한다.
본 발명은 여러 가지의 실시예가 가능하다. 그 중 몇 가지를 극히 개략적인 도면으로 예시하고 설명하면 다음과 같다.
도 1은 모형을 제조하기 위하여 금속으로 기화 증착할 기판으로서 특정한 부분에 금속으로 피복해서는 안 되는 기판(1)을 보여주고 있다. 이를 위하여, 처리장치(2)를 사용하여 통상 '기름'으로 표시되는 매질로부터 가스(3)를 발생시킨 다음, 이 가스를 상기 기판(1)의 피복하지 않을 부분에 증착시킨다. 상기 기판(1)은 피복 롤러(4)에 의하여 공급된다.
상기 처리장치(2)는 기화용기로 형성된 가스 공급원(5)을 가지고 있으며, 그 가스 공급원(5)은 위쪽에 노즐 역할을 하는 가스 배출구(6)가 형성되어 있고, 상기 가스 공급원(5) 내에 상기 매질이 들어있고, 그 매질로부터 가스(3)가 발생된다. 상기 가스 공급원(5) 주위에는 하나의 패턴 밴드(pattern band)(7)가 회전롤러(8, 9, 10, 11) 위에 장치되어 있다. 상기 4개의 회전 롤러(8, 9, 10, 11)들의 종축(縱軸)들은 도 1에서 도면상의 네 모퉁이에 장치되어 있다. 상기 회전 롤러(11)는 모터(12)에 의하여 구동될 수 있다는 것이 도시되어 있다. 따라서 상기 패턴 밴드(7)는 기판(1)과 동일한 원주속도로 구동시킬 수 있다. 도 1에서, 상기 피복 롤러(4) 는 회전 롤러(9, 10)들 사이의 패턴 밴드(7)를 아래쪽으로 누르고 있는 것을 알 수 있다. 따라서 상기 패턴 밴드(7)를 기판(1)위에 확실하게 장착할 수 있다. 상기 패턴 밴드(7)를 가스(3)의 응축온도 이상의 온도로 가열하기 위하여 상기 패턴 밴드(7)의 이동로를 따라 2개의 가열기(15, 16)를 장치한다.
도 3은 체 밴드(sieve band)로 형성되어 마스크(14)로 덮은 패턴 밴드(7)가 도시되어 있다. 요망하는 패턴을 만들기 위하여 레이저 광선을 이용하여 상기 마스크(14)의 특정한 부분을 제거함으로써, 그 곳에 개방된 구멍(13)들이 생겨서 그 구멍들을 통하여 가스(3)가 통과할 수 있게 된다.
상기 가스(3)를 띠 모양의 기판(1)에 공급하기 위하여 상기 기화용기로서 형성된 가스 공급원(5)에서 발생된 가스(3)를 가스 배출구(6)를 통하여, 회전하는 패턴 밴드(7)의 구멍(13)들을 통과하여 기판(1)에 도달하고, 그 가스(3)는 기판(1) 위에 응결함으로써, 차후의 금속기화증착 공정을 위한 이형제층(離型劑層)을 형성한다.
도 2에 따른 실시태양에 있어서는 기판(1)은 상기 가스 공급원(5) 구역에서 피복 롤러(4)에 의하여 회전되지 않는다. 그 대신 상기 기판(1)은 회전 롤러(9, 10)들 사이에서 상기 패턴 밴드(7) 위에 평탄하게 놓여있다. 상술한 실시예에 있어서 패턴 밴드(7)의 최상부(最上部) 아래쪽에 회전 롤러(9, 10)들 사이에 가스 공급원(5)이 장치되고, 그로부터 가스 배출구(6)를 통하여 가스(3)가 배출되어 패턴 밴드(7)를 통과하여 기판(1)에 도달된다.
도 4는 기판(1) 밑에 패턴 밴드(7) 위에 마스크(14)에 의하여 뚜렷하게 구획 된 개방부(開放部)(17)가 생긴다. 상기 개방부(17) 내에서 구멍(13)들을 통하여 나온 가스(3)의 압력 균등화가 일어남으로써, 가스(3)가 기판(1)과 균일하게 접촉할 수 있게 된다.
도 5에 따른 실시태양에 있어서는 패턴밴드(7)의 전체 둘레에 걸쳐 하나의 구멍(18)이 형성되어, 기판(1) 상에 하나의 연속된 밴드가 가스(3)와 접촉을 이룬다. 상기 패턴밴드(7)에서 구멍(18)에 의하여 서로 격리된 부위(7a, 7b)를 서로 연결하기 위하여 상기 구멍(18)을 가로질러 서포트 브리지(support bridge)(19, 20)들이 기판(1) 쪽으로 배향융기하여 형성된다.
도 6은 가스 공급원(5)의 가스 배출구(6)와 패턴밴드(7) 사이의 밀봉을 도시한다. 상기 도면에서, 상기 가스 배출구(6)의 앞뒤에 진입 및 진출 부분에는 각각 간극배출로(21, 22)들이 형성되어 있고, 회전롤러(10) 쪽으로 진출 부분의 간극통로(22)는 그 단부에 형성된 쐐기(23)에 의하여 막혀서 밀폐된다.
본 발명에 따른 처리장치에 의하면, 가능한 한 적은 비용으로 상이한 여러 가지의 패턴을 제작할 수 있고, 인쇄매질을 형성하는 가스에 의하여 초박막(超薄膜) 패턴 피복이 달성되며, 높은 분산도(分散度)를 달성할 수 있다. 또한 상이한 반복 길이로의 신속한 전환과 높은 공정속도가 가능하다.

Claims (13)

  1. 띠형(band-shaped) 기판을 가스(gas)로 처리하기 위하여, 하나의 가스 공급원과, 그리고 상기 기판과 나란히 동일한 선속도(線速度)로 회전하는 하나의 모형판(模型板)을 가지고 있으며, 그 모형판은 상기 기판의 반대편에 장치된 상기 가스 공급원과 연결되어 있고, 상기 모형판에는 상기 기판 위에 원하는 부위 별로 가스를 공급하기 위한 구멍들이 형성되어 있는 장치에 있어서, 상기 모형판은 무한연속(無限連續) 패턴밴드(7)로서 형성되며, 다수의 회전롤러에 의하여 회전/이동하고, 상기 패턴밴드(7)는 전체 둘레에 걸쳐 적어도 하나의 구멍(18)을 갖고 있으며, 상기 구멍(18)의 양쪽 측면의 패턴밴드(7) 부분(7a, 7b)을 지지하기 위하여 상기 구멍(18)을 가로질러 서포트 브리지(19, 20)들이 형성되는 것을 특징으로 하는 띠형 기판의 가스처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패턴밴드(7)는 여과필름(체)으로 이루어져 있고, 상기 기판(1) 상에 가스(3)로 증착되지 않은 부분을 만들기 위하여 마스크(14)를 덮어, 바로 그 위에 기판(1)이 놓이는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 서포트 브리지(19, 20)들이 패턴밴드(7)의 표면으로부터 맞은 편의 기판 쪽으로 배향융기(背向隆起)시키는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  5. 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 공급원(5)은 전열기로 가열되는 기화용기인 것을 특징으로 하는 처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 패턴밴드(7)는 상기 가스 공급원(5) 주위로 안내되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 패턴밴드(7)를 회전시키기 위하여 모두 4개의 회전롤러(8, 9, 10, 11)를 구조설계에 따른 가상의 직사각형 네 모퉁이에 장치하고, 위쪽 2개의 회전롤러(9, 10)들 사이에 패턴밴드(7) 부분의 바로 밑에 배출구(6)가 있는 가스 공급원(5)을 장치하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 기판(1)은 상기 회전롤러(9, 10)들 사이에서 진행하는 패턴밴드(7) 부분과 접촉하여 직선으로 안내되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 기판(1)은 피복롤러(4)의 하부 면을 따라 안내되며, 상기 상부 회전롤러(9, 10) 사이의 패턴밴드(7)가 상기 피복롤러(4)에 면접(面接) 되어 있는 기판(1)과 접촉하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 패턴밴드(7)는 가열기들(15, 16)을 연하여 안내되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급원(5)은 패턴밴드(7)에 대하여 간극배출로에 의하여 기판의 이동 방향 및 반대방향으로 밀폐되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 패턴밴드(7)의 진행방향으로 위치하는 회전롤러(10) 쪽의 간극배출로(22)가 쐐기(23)를 형성하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  13. 띠형(band-shaped) 기판을 가스(gas)로 처리하기 위하여, 하나의 가스 공급원과, 그리고 상기 기판과 나란히 동일한 선속도(線速度)로 회전하는 하나의 모형판(模型板)을 가지고 있으며, 그 모형판은 상기 기판의 반대편에 장치된 상기 가스 공급원과 연결되어 있고, 상기 모형판에는 상기 기판 위에 원하는 부위 별로 가스를 공급하기 위한 구멍들이 형성되어 있는 장치에 있어서, 상기 모형판은 무한연속(無限連續) 패턴밴드(7)로서 형성되며, 다수의 회전롤러에 의하여 회전/이동하고 상기 패턴밴드(7)는 여과필름(체)으로 이루어져 있고, 상기 기판(1) 상에 가스(3)로 증착되지 않은 부분을 만들기 위하여 마스크(14)를 덮어, 바로 그 위에 기판(1)이 놓이는 것을 특징으로 하는 띠형 기판의 가스처리장치.
KR1019990055652A 1999-01-14 1999-12-08 띠형 기판의 가스처리 장치 KR100639935B1 (ko)

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DE19901088A DE19901088B4 (de) 1999-01-14 1999-01-14 Vorrichtung zum Behandeln eines bandförmigen Substrates mit einem Gas

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821348B2 (en) * 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
US7247221B2 (en) * 2002-05-17 2007-07-24 Applied Films Corporation System and apparatus for control of sputter deposition process
US7153180B2 (en) * 2003-11-13 2006-12-26 Eastman Kodak Company Continuous manufacture of flat panel light emitting devices
JP4455937B2 (ja) * 2004-06-01 2010-04-21 東北パイオニア株式会社 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
KR100744912B1 (ko) * 2006-05-26 2007-08-01 삼성전기주식회사 자가조정 기능을 갖는 ｒｃ 발진기
US20080011225A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Mcclure Donald J Apparatus and methods for continuously depositing a pattern of material onto a substrate
JP4369532B2 (ja) * 2008-02-15 2009-11-25 パナソニック株式会社 薄膜形成方法および成膜装置
US20120090544A1 (en) * 2010-10-18 2012-04-19 Kim Mu-Gyeom Thin film deposition apparatus for continuous deposition, and mask unit and crucible unit included in thin film deposition apparatus
CN204162778U (zh) * 2014-10-09 2015-02-18 香港纺织及成衣研发中心有限公司 一种可生成图案的磁控溅射卷绕镀膜机
TWI780815B (zh) * 2021-07-13 2022-10-11 聚合興企業有限公司 複合材料樹脂塊自動供膠系統

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59177365A (ja) * 1983-03-24 1984-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸発方法とその装置
JPS61143577A (ja) * 1984-12-14 1986-07-01 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 薄膜形成装置
US4681780A (en) * 1983-12-01 1987-07-21 Polaroid Corporation Continuously cleaned rotary coating mask
JPH05295524A (ja) * 1992-04-23 1993-11-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 連続真空蒸着装置
KR970006538A (ko) * 1995-07-28 1997-02-21 원본미기재 금속증착시 무금속띠 형성방법 및 장치
JPH09310172A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂薄膜の製造方法及び製造装置及び電子部品

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE869661C (de) * 1944-09-15 1953-03-05 Hydrawerk Ag Verfahren und Vorrichtung zur Verhinderung der Metallisierung auf Unterlagen mit Hilfe einer Abdeckvorrichtung
US2590557A (en) * 1949-11-15 1952-03-25 John E Fast & Co Metallizing process and apparatus
US3511212A (en) * 1968-05-16 1970-05-12 Du Pont Vapor deposition apparatus including a polyimide containing mask
US3738315A (en) * 1969-12-03 1973-06-12 Western Electric Co Coating apparatus including conveyor-mask
US3799792A (en) * 1971-12-14 1974-03-26 Texas Instruments Inc Vapor deposition method
US4265932A (en) * 1979-08-02 1981-05-05 Hughes Aircraft Company Mobile transparent window apparatus and method for photochemical vapor deposition
JPS5989765A (ja) * 1982-11-12 1984-05-24 Hitachi Ltd 薄膜パタ−ン連続成膜装置
JPS61261471A (ja) * 1985-05-13 1986-11-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 部分被覆方法
EP0488535A3 (en) 1990-11-08 1992-09-23 Bmc Technology Corporation Method and apparatus for manufacturing electrodes for multilayer ceramic capacitors
JPH0578818A (ja) * 1991-09-19 1993-03-30 Hitachi Cable Ltd 部分被膜の形成方法
DE4310085A1 (de) 1993-03-27 1994-09-29 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Mustern auf Substraten
DE4311581A1 (de) 1993-03-27 1994-12-08 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Muster auf Substraten
JP3281703B2 (ja) * 1994-01-12 2002-05-13 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59177365A (ja) * 1983-03-24 1984-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸発方法とその装置
US4681780A (en) * 1983-12-01 1987-07-21 Polaroid Corporation Continuously cleaned rotary coating mask
JPS61143577A (ja) * 1984-12-14 1986-07-01 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 薄膜形成装置
JPH05295524A (ja) * 1992-04-23 1993-11-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 連続真空蒸着装置
KR970006538A (ko) * 1995-07-28 1997-02-21 원본미기재 금속증착시 무금속띠 형성방법 및 장치
JPH09310172A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂薄膜の製造方法及び製造装置及び電子部品

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
04681780 *

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Publication number Publication date
DE19901088B4 (de) 2008-11-27
US6328806B2 (en) 2001-12-11
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GB0000660D0 (en) 2000-03-01
KR20000052432A (ko) 2000-08-25

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