KR850003480A - 투광성 전도박막 침착장치 및 방법 - Google Patents

투광성 전도박막 침착장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR850003480A
KR850003480A KR1019830005817A KR830005817A KR850003480A KR 850003480 A KR850003480 A KR 850003480A KR 1019830005817 A KR1019830005817 A KR 1019830005817A KR 830005817 A KR830005817 A KR 830005817A KR 850003480 A KR850003480 A KR 850003480A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
metal material
depositing
combustion chamber
deposited
Prior art date
Application number
KR1019830005817A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910007380B1 (ko
Inventor
프램나스
Original Assignee
원본미기재
에너지 컨버젼 디바이스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=23779157&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR850003480(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 원본미기재, 에너지 컨버젼 디바이스 인코포레이티드 filed Critical 원본미기재
Publication of KR850003480A publication Critical patent/KR850003480A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910007380B1 publication Critical patent/KR910007380B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

투광성 전도박막 침착장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 셀의 각층이 비결정 반도체 합금으로부터 형성된 다수의 p-i-n형 셀을 구비하는 적층광전지장치에 대한 부분단면도. 제2도는 연속으로 이동하는 기판상에 필름을 침착시키기 위한 장치를 도시하는 단면도. 제3도는 제2도 침착장치의 동적성분에 대한 단면도.

Claims (26)

  1. 연소실을 진공으로 하는 단계, 연소실 내에서 기판을 지지하는 단계, 금속재료원을 공급하는 단계, 기판과 금속재료원 사이에 형성된 대역에서 금속증기를 발생용 진공연소실내에 금속재료를 증착시키는 단계, 산소가스를 내역내로 주입시키는 단계, r. f. 전력 캐소드를 금속재료원에 인접하게 배치시키는 단계와 대역내로 주입된 산소가스원자와 대역내로 증착된 금속원자로부터 이온화 플라즈마를 발생시키도록 캐소드를 호라성화시키는 단계를 포함하여, 투명하고 투광성이며 전기전도성인 필름을 기판상에 참착시키는 개선된 방법으로서, 금속산화물필름이 기판상에 침착되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  2. 제1항에 의한 방법으로서, 금속재료가 450℃ 이하의 융점을 가지는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  3. 제2항에 의한 방법으로서, 금속재료가 인듐, 주석, 칸듐, 아연과 그 혼합물로 구성되어 있는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  4. 기판을 150-300℃로 가열하는 단계와 연소실내에 인듐-주석성분을 증착시키는 단계를 내장하는 제1항에 의한 방법으로서, 인듐-주석이 기판표면에 침착되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  5. 제4항에 의한 방법으로서, 전원이 약 13.56MHz 주파수로 활성화 되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  6. 제4항에 의한 방법으로서, 연소실내의 압력이 약 10-2내지 10-4torr로 유지되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  7. 제1항에 의한 방법으로서, 금속재료가 아연이며 기판이 실내온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  8. 제1항에 의한 방법으로서, 금속재료가 인듐이며 기판이 약 300℃ 이하의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  9. 제1항에 의한 방법으로서, 금속산화물필름은 연속적으로 이동하는 기판상에 침착시키는 부가적인 단계를 내장하는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  10. 제1항에 의한 방법으로서, 기판이 금속산화물필름이 침착되는 반도체 본체를 내장하는 것을 특징으로 하는 투광성 전도박막 침착방법.
  11. 제10항에 의한 방법으로서, 반도체 본체가 다수의 비결정 반도체층을 구비하는 것을 특징으로 하는 투광성 박막 침착장치.
  12. 진공열소실, 연소실내의 저항가열기, 가열기로 증착시키기 위해 장치된 금속재료원, 금속재료원으로부터 간격을 띄워 배치된 기판과 금속재료원과 기판사이에 형성된 증기대역을 구비하고 산소가스를 증기대역내로 주입시키기 위한 수단과 증기대역내의 산소가스와 금속원자로부터 이온화 플라즈마를 침착시키기 위해 금속재료원에 인접하여 장치된 r.f.전력캐소드를 구비하는 투광성 전도필름을 기판상에 침착시키는 장치로서, 장치가 금속산화물필름을 기판상에 침착시키는데 작용되는 것을 특징으로 하는 투광성 박막 침착장치.
  13. 제12항에 의한 장치로서, 금속재료는 인듐, 주석, 칸듐, 아연과 그 혼합물로 구성되어 있는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 투광성 박막 침착장치.
  14. 제13항에 의한 장치로서, 기판가열수단이 공급되는 것을 특징으로 하는 투광성 박막 침착장치.
  15. 제14항에 의한 장치로서, 연소실을 10-2내지 10-5torr의 압력으로 유지시키기 위한 수단이 공급되는 것을 특징으로 하는 투광성 박막 침착장치.
  16. 제12항에 의한 장치로서, 연소실이 소정의 속도비로 기판을 연속적으로 이동시키기 위한 수단을 내장하며, 소정의 두께인 금속산화물 박막이 기판상에 연속적으로 침착되는 것을 특징으로 하는 투광성 박막 침착장치.
  17. 제16항에 의한 장치로서, 금속산화물필름이 침착되는 표면에 반도체 본체를 기판이 내장하는 것을 특징으로 하는 투광성 전도 박막 침착장치.
  18. 제17항에 의한 장치로서, 반도체 본체가 다수의 비결정반도체 층을 두비하는 것을 특징으로 하는 투광성 전도 박막 침착장치.
  19. 제12항에 의한 장치로서, 기판이 스테인레스 강으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도 박막 침착장치.
  20. 제12항에 의한 장치로서, 기판이 합성플라스틱 수지로 형성되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도 박막 침착장치.
  21. 제12항에 의한 장치로서, 기판이 유리와 같은 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 투광성 전도 박막 침착장치.
  22. 다수의 재료원을 공급하는 단계와 동일거리로 상호간에 간격을 띄우고 기판으로부터 간격을 띄워 지지하는 단계를 내장하여, 플라즈마내로 분리시키고 기판상에 침착시키기 위해 재료를 증기대역내로 증착시키므로써 형성된 필름을 기판표면상에 균일하게 침착시키는 방법으로서, 인접소스사이의 간격과 소스와 기판사이의 간격으로 실제 균일한 두께로 필름이 침착되는 것을 특징으로 하는 투광성 박막 침착방법.
  23. 제22항에 의한 방법으로서, 실제 동일간격으로 띄워진 4개의 소스를 공하기 위한 단계를 내장하는 것을 특징으로 하는 투광성 박막 침착방법.
  24. 제22항에 의한 방법으로서, 인듐, 주석, 칸듐, 아연과 그 결합물을 구비하는 그룹으로부터 재료를 공급하고 이온화된 플라즈마내에 산소를 포함하는 부가적인 단계를 내장하는 것을 특징으로 하는 투광성 전도 박막 침착방법.
  25. 제24항에 의한 방법으로서, 각 4개의 소스를 기판으로부터 약 18inch 간격으로 띄우는 단계를 내장하는 것을 특징으로 하는 투광성 전도 박막 침착방법.
  26. 제25항에 의한 방법으로서, 각 4개의 소스를 상호간에 약 11 간격으로 띄우는 부가적인 단계를 내장하는 것을 특징으로 하는 투광성 전도 박막 침착방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830005817A 1982-12-09 1983-12-08 투광성 전도박막 침착장치 및 방법 KR910007380B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US448,139 1982-12-09
US06/448,139 US4605565A (en) 1982-12-09 1982-12-09 Method of depositing a highly conductive, highly transmissive film
US448139 1982-12-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR850003480A true KR850003480A (ko) 1985-06-17
KR910007380B1 KR910007380B1 (ko) 1991-09-25

Family

ID=23779157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019830005817A KR910007380B1 (ko) 1982-12-09 1983-12-08 투광성 전도박막 침착장치 및 방법

Country Status (12)

Country Link
US (1) US4605565A (ko)
EP (1) EP0112132B1 (ko)
JP (1) JPH0622202B2 (ko)
KR (1) KR910007380B1 (ko)
AU (1) AU564776B2 (ko)
BR (1) BR8306745A (ko)
CA (1) CA1219968A (ko)
DE (1) DE3379489D1 (ko)
ES (2) ES8505838A1 (ko)
IN (1) IN163675B (ko)
MX (1) MX155196A (ko)
ZA (1) ZA838885B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010078862A (ko) * 2001-05-02 2001-08-22 조육형 산화물 증착 플라스틱 필름의 연속 열처리 방법 및 시스템

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4514437A (en) * 1984-05-02 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
US4639277A (en) * 1984-07-02 1987-01-27 Eastman Kodak Company Semiconductor material on a substrate, said substrate comprising, in order, a layer of organic polymer, a layer of metal or metal alloy and a layer of dielectric material
WO1987005637A1 (en) * 1986-03-12 1987-09-24 Tobi Co., Ltd. Continuous ion plating device for rapidly moving film
JPH0734332B2 (ja) * 1986-03-12 1995-04-12 株式会社ト−ビ 透明導電性フイルムの製造方法
US4842705A (en) * 1987-06-04 1989-06-27 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing transparent conductive indium-tin oxide layers
JP2686266B2 (ja) * 1988-01-28 1997-12-08 株式会社日立製作所 受光素子の製造方法
US5008215A (en) * 1989-07-07 1991-04-16 Industrial Technology Research Institute Process for preparing high sensitivity semiconductive magnetoresistance element
EP0597670B1 (en) * 1992-11-09 1998-02-18 Chugai Ings Co., Ltd Method of manufacturing electromagnetic wave shielding plastic molding
US5698262A (en) * 1996-05-06 1997-12-16 Libbey-Owens-Ford Co. Method for forming tin oxide coating on glass
US6153271A (en) * 1999-12-30 2000-11-28 General Vacuum, Inc. Electron beam evaporation of transparent indium tin oxide
EP1289025A1 (fr) * 2001-08-30 2003-03-05 Universite De Neuchatel Procédé de dépot d'une couche d'oxyde sur un substrat et cellule photovoltaique utilisant ce substrat
ATE488614T1 (de) * 2002-08-28 2010-12-15 Moxtronics Inc Hybridstrahl-beschichtungssystem und verfahren zur herstellung von zno-schichten
WO2004072329A1 (en) * 2003-02-14 2004-08-26 The University Of Hong Kong Device for and method of generating ozone
US20070054158A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Ovshinsky Stanford R Combination of photovoltaic devices and batteries which utilize a solid polymeric electrolyte
US9276142B2 (en) 2010-12-17 2016-03-01 First Solar, Inc. Methods for forming a transparent oxide layer for a photovoltaic device
US8476105B2 (en) 2010-12-22 2013-07-02 General Electric Company Method of making a transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device
JP2014107421A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Shimadzu Corp 成膜装置、放射線検出器および放射線検出器の製造方法
US10270010B2 (en) 2014-01-28 2019-04-23 Kaneka Corporation Substrate with transparent electrode and method for producing same
RU2609764C1 (ru) * 2015-10-26 2017-02-02 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4170662A (en) * 1974-11-05 1979-10-09 Eastman Kodak Company Plasma plating
US4342631A (en) * 1980-06-16 1982-08-03 Illinois Tool Works Inc. Gasless ion plating process and apparatus
US4336277A (en) * 1980-09-29 1982-06-22 The Regents Of The University Of California Transparent electrical conducting films by activated reactive evaporation
GB2085482B (en) * 1980-10-06 1985-03-06 Optical Coating Laboratory Inc Forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques
US4417092A (en) * 1981-03-16 1983-11-22 Exxon Research And Engineering Co. Sputtered pin amorphous silicon semi-conductor device and method therefor
JPS5880877A (ja) * 1981-11-10 1983-05-16 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 太陽電池及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010078862A (ko) * 2001-05-02 2001-08-22 조육형 산화물 증착 플라스틱 필름의 연속 열처리 방법 및 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
ES527828A0 (es) 1985-06-16
AU2223183A (en) 1984-06-14
DE3379489D1 (en) 1989-04-27
US4605565A (en) 1986-08-12
EP0112132A3 (en) 1985-07-03
BR8306745A (pt) 1984-07-17
MX155196A (es) 1988-02-01
KR910007380B1 (ko) 1991-09-25
IN163675B (ko) 1988-10-29
ES8505838A1 (es) 1985-06-16
EP0112132A2 (en) 1984-06-27
JPH0622202B2 (ja) 1994-03-23
ES540320A0 (es) 1986-11-16
ES8700977A1 (es) 1986-11-16
AU564776B2 (en) 1987-08-27
EP0112132B1 (en) 1989-03-22
JPS59117178A (ja) 1984-07-06
CA1219968A (en) 1987-03-31
ZA838885B (en) 1984-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850003480A (ko) 투광성 전도박막 침착장치 및 방법
US4728406A (en) Method for plasma - coating a semiconductor body
US5487787A (en) Apparatus and method for plasma deposition
US4514437A (en) Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
EP0931853A3 (en) Method of depositing barrier coatings by plasma assisted chemical vapour deposition
JPS6417870A (en) Manufacture of carbon
AU4768793A (en) Microwave energized deposition process with substrate temperature control
US4856457A (en) Cluster source for nonvolatile species, having independent temperature control
GB2118212A (en) Glow-discharge deposition apparatus including a non-horizontally disposed cathode for depositing amorphous layers
GB1532759A (en) Production of monocrystalline layers on substrates
KR960034479A (ko) 산화물박막의 제조방법 및 그것에 사용되는 화학증착장치
KR840007320A (ko) 글로방전 침착장치 및 방법
KR100593805B1 (ko) 필름상 중합체에 금속박막을 연속적으로 형성하기 위한장치 및 방법
JPS55162275A (en) Manufacture of solar battery
KR840008534A (ko) 고전도성, 고투과성 필름의 연속 부착방법 및 이의 장치
JPS5655564A (en) Method of forming hard cladding layer on the surface of member for cutting tool
JPH079059B2 (ja) 炭素薄膜の製造方法
JPS56121629A (en) Film forming method
JPH07122133B2 (ja) イオンプレ−テイング方法とその装置
Kinoshita et al. Physical properties of nitrogen-doped diamond-like amorphous carbon films deposited by supermagnetron plasma chemical vapor deposition
JPS5662827A (en) Antistatic treatment
JPH05247655A (ja) 堆積膜形成装置
KR880001037A (ko) 복수 챔버 침전 시스템
JPS5614498A (en) Manufacture of transparent electrically conductive thin film
KR100593808B1 (ko) 입체상 중합체에 금속박막을 연속적으로 형성하기 위한장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030718

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term