JPS6091625A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
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- JPS6091625A JPS6091625A JP20174983A JP20174983A JPS6091625A JP S6091625 A JPS6091625 A JP S6091625A JP 20174983 A JP20174983 A JP 20174983A JP 20174983 A JP20174983 A JP 20174983A JP S6091625 A JPS6091625 A JP S6091625A
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- JP
- Japan
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- thin film
- cluster
- substrate
- ion beam
- forming
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L21/02612—Formation types
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- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はイオン・ビームを用いて基板上に薄膜を形成
する方法に関するものである。
する方法に関するものである。
半導体集積回路装置などの製造に際して、基板上に薄膜
を形成するのに塊状原子集団（クラスタ）イオンを利用
する方法が提案されている。
を形成するのに塊状原子集団（クラスタ）イオンを利用
する方法が提案されている。
第１図はこの従来のクラスタ・イオン・ビームによる薄
膜形成方法を説明するための概念図で、（１）はるつば
、（２）はるつは内に収容された無地物質、（３１はる
つは（１）のノズル、（４）は加速粗細、（７）は加速
電極（６）に負電圧を供給する電源、（６）は基板、（
７）はイオン化用電子、（８）はクラスタ・イオン・ビ
ームである。
膜形成方法を説明するための概念図で、（１）はるつば
、（２）はるつは内に収容された無地物質、（３１はる
つは（１）のノズル、（４）は加速粗細、（７）は加速
電極（６）に負電圧を供給する電源、（６）は基板、（
７）はイオン化用電子、（８）はクラスタ・イオン・ビ
ームである。
この方法は、第１図に示したような構成で、加熱された
るつは（１）のノズル（３）から蒸着物質（２）を噴出
させ、断熱膨張を利用して形成したクラスタにイメン化
寛子（７）を照射して、クラスタ・イオン・ビーム（８
）とし、クラスタ加速電極（４）に加えた負電圧によっ
て加速し、基板（６）上に薄膜を形成するのである。こ
の方法によると、クラスタ・イオンが基板（６）に射突
した時に壊れて個々の原子となり、基板（６）の表面を
移動する効果（マイグレーション効果）があり、比較的
低い温度でも結晶性が向上する。
るつは（１）のノズル（３）から蒸着物質（２）を噴出
させ、断熱膨張を利用して形成したクラスタにイメン化
寛子（７）を照射して、クラスタ・イオン・ビーム（８
）とし、クラスタ加速電極（４）に加えた負電圧によっ
て加速し、基板（６）上に薄膜を形成するのである。こ
の方法によると、クラスタ・イオンが基板（６）に射突
した時に壊れて個々の原子となり、基板（６）の表面を
移動する効果（マイグレーション効果）があり、比較的
低い温度でも結晶性が向上する。
しかし、従来の方法でクラスタ・イオン・ビームを形成
した場合、形成されたビームは纂２図に示すようなエネ
ルギー分布を有している。すなわち、クラスタとはいえ
ども、集った原子の個数に分布がちり、イオン化の度合
いにも差があるので、エネルギーに分布を生じ、これに
よって、前述のマイグレーション効果にも差が生じ、結
晶性が悪くなる。また、るつぼ（１）から発生した蒸飛
物質（２）以外の物質が基板（６）上に照射され、形成
された薄膜の汚染源となる。
した場合、形成されたビームは纂２図に示すようなエネ
ルギー分布を有している。すなわち、クラスタとはいえ
ども、集った原子の個数に分布がちり、イオン化の度合
いにも差があるので、エネルギーに分布を生じ、これに
よって、前述のマイグレーション効果にも差が生じ、結
晶性が悪くなる。また、るつぼ（１）から発生した蒸飛
物質（２）以外の物質が基板（６）上に照射され、形成
された薄膜の汚染源となる。
〔発明の１’、ｔり〕
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、特
定の工坏ルギー範囲のクラスタ・イオンのみを選別して
用いることによって、結晶性のよい汚染の少ない薄膜を
基板上に形成できる方法を提供するものである。
定の工坏ルギー範囲のクラスタ・イオンのみを選別して
用いることによって、結晶性のよい汚染の少ない薄膜を
基板上に形成できる方法を提供するものである。
第３図はこの発明の一実施例を説明するための概念図で
、第１図と同一符号は同等部分を示しその説明は重複を
避ける。第３図において、（９）は質量分離器である。
、第１図と同一符号は同等部分を示しその説明は重複を
避ける。第３図において、（９）は質量分離器である。
蒸着物質（２）としてシリコン（Ｓｌ）を用いる場合を
例にとると、るつは（１）で加熱されて形成されたＳｌ
のクラスタがイオン化用電子（７）によってイオン化さ
れ、加速電極（４）に印加された５ｋＶ程度の負電圧に
よって加速されてクラスタ・イオン・ビーム（８）とな
る。これを質量分離器（９）によって、第４図に示すよ
うに、エネルギーが９０〜１００θ■のり２スタ・イオ
ンのみ選別して基板（６）に照射することによシ、結晶
性のよい汚染の少ないシリコン薄膜を毎分５０Ａ程度の
成長速度で形成する可能である。
例にとると、るつは（１）で加熱されて形成されたＳｌ
のクラスタがイオン化用電子（７）によってイオン化さ
れ、加速電極（４）に印加された５ｋＶ程度の負電圧に
よって加速されてクラスタ・イオン・ビーム（８）とな
る。これを質量分離器（９）によって、第４図に示すよ
うに、エネルギーが９０〜１００θ■のり２スタ・イオ
ンのみ選別して基板（６）に照射することによシ、結晶
性のよい汚染の少ないシリコン薄膜を毎分５０Ａ程度の
成長速度で形成する可能である。
なお、基板を回転させながら薄膜を被着させれば基板内
の成膜速度の均一性は向上する。
の成膜速度の均一性は向上する。
勿論、上側の８１以外の物質の薄膜の形成にもこの方法
は適用でき、加速電圧および選別エネルギー範囲もその
時に応じて適当に設定すべきものでおる。
は適用でき、加速電圧および選別エネルギー範囲もその
時に応じて適当に設定すべきものでおる。
以上説明したように、この発明の方法では薄膜を形成す
べき基板の表面に照射されるクラスタ・イオン・ビーム
をそのエネルギーが所要範囲のものに限定することによ
って結晶性のよい、しかもるつほなどからの汚染の少な
い良質な薄膜を形成できる。
べき基板の表面に照射されるクラスタ・イオン・ビーム
をそのエネルギーが所要範囲のものに限定することによ
って結晶性のよい、しかもるつほなどからの汚染の少な
い良質な薄膜を形成できる。
第１図は従来のクラスタ・イオン・ビームによる薄膜形
成方法を説明するための概念図、第２図はこの従来方法
におけるクラスタ・イオン・ビームのエネルギー分布図
、第Ｓ図はこの発明の一実施例を説明するための概念図
、第４図はこの実施例におけるクラスタ・イオン−ビー
ムのエネルギー分布図である。 図において、ｆｉ＋はるりｒｅ、＋２１は蒸着物質（薄
膜となるべき物質） 、（３１はノズル、（８）はクラ
スタ・イオン・ビーム、（９１は質量分離器である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 ｆ−１’願昭 ５８−２０１’２４９
号３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
成方法を説明するための概念図、第２図はこの従来方法
におけるクラスタ・イオン・ビームのエネルギー分布図
、第Ｓ図はこの発明の一実施例を説明するための概念図
、第４図はこの実施例におけるクラスタ・イオン−ビー
ムのエネルギー分布図である。 図において、ｆｉ＋はるりｒｅ、＋２１は蒸着物質（薄
膜となるべき物質） 、（３１はノズル、（８）はクラ
スタ・イオン・ビーム、（９１は質量分離器である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 ｆ−１’願昭 ５８−２０１’２４９
号３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）対象とする基板の表面に薄膜となるべき物質の塊
状原子集団（クラスタ）・イオン・ビームを照射させて
上記薄膜を形成するに際して、所要のエネルギー範囲の
上記クラスタ・イオンのビームのみを照射させることを
特徴とする薄膜の形成方法。 ＋２１ Ｐｋ要のエネルギー範囲のクラスタ・イオンの
みを得るのに質重分離器を用いることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の薄膜の形成方法。 （３） シリコンの薄膜を形成するに際して９０〜１０
０ｅＶのエネルギー範囲のクラスタ・イオンのビームの
みを用いることを特徴とする特許請求の範囲ｉ１項記載
の薄１１にの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20174983A JPS6091625A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20174983A JPS6091625A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091625A true JPS6091625A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16446299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20174983A Pending JPS6091625A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091625A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01501583A (ja) * | 1986-10-15 | 1989-06-01 | ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー | イオン化されたクラスタビームの質量分離装置 |
| JPH0286824A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-03-27 | Anelva Corp | 真空蒸着装置 |
| US5185287A (en) * | 1990-02-22 | 1993-02-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a quantum well structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5016679A (ja) * | 1973-06-18 | 1975-02-21 | ||
| JPS55118627A (en) * | 1979-03-06 | 1980-09-11 | Futaba Corp | Compound semiconductor wafer and its manufacturing method |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP20174983A patent/JPS6091625A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5016679A (ja) * | 1973-06-18 | 1975-02-21 | ||
| JPS55118627A (en) * | 1979-03-06 | 1980-09-11 | Futaba Corp | Compound semiconductor wafer and its manufacturing method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01501583A (ja) * | 1986-10-15 | 1989-06-01 | ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー | イオン化されたクラスタビームの質量分離装置 |
| JPH0286824A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-03-27 | Anelva Corp | 真空蒸着装置 |
| US5185287A (en) * | 1990-02-22 | 1993-02-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a quantum well structure |
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