JPS61574A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
- Publication number
- JPS61574A JPS61574A JP12248684A JP12248684A JPS61574A JP S61574 A JPS61574 A JP S61574A JP 12248684 A JP12248684 A JP 12248684A JP 12248684 A JP12248684 A JP 12248684A JP S61574 A JPS61574 A JP S61574A
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- Japan
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- substrate
- vapor
- duct
- vapor deposition
- thin film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜蒸着装置に関し、特にその蒸着物質の基
板への蒸着効率の改善に関するものである。
板への蒸着効率の改善に関するものである。
従来の薄膜蒸着装置の一例として第１図に示すものがあ
った。図において、１は所定の真空度に保持された真空
槽、２は蒸着物質を溶融蒸発せしめるためのるつぼ、３
は該るつぼ２の受台、４は蒸着させようとする物質、５
は基板取付台、６は基板取付台の支持棒、７は基板、８
は電子線発生装置、９は該電子線発生装置８の電源を示
す。
った。図において、１は所定の真空度に保持された真空
槽、２は蒸着物質を溶融蒸発せしめるためのるつぼ、３
は該るつぼ２の受台、４は蒸着させようとする物質、５
は基板取付台、６は基板取付台の支持棒、７は基板、８
は電子線発生装置、９は該電子線発生装置８の電源を示
す。
次に動作について説明する。
上記従来のＷＩＩ膜蒸着装置では、真空槽１内を高真空
とした状態で、電子線発生装置８から電子線をるつぼ２
内の蒸着物質４の表面に照射し、該物質４を加熱して熔
かし、その表面から蒸発させる。
とした状態で、電子線発生装置８から電子線をるつぼ２
内の蒸着物質４の表面に照射し、該物質４を加熱して熔
かし、その表面から蒸発させる。
そして蒸発した物質は真空槽ｌ内にほぼ均一に充満し、
基板７の表面に付着して結晶成長し、これにより薄膜が
形成される。
基板７の表面に付着して結晶成長し、これにより薄膜が
形成される。
このような動作において、真空槽１内に充満した蒸着物
質４の蒸気は、比較的温度の低い真空槽１の内壁にも付
着する。そして通常基板７の面積は真空槽１の内壁面積
と比較して小さく、そのため蒸着物質４の蒸発した量に
対する基板７に付着で した物質の量の比率は、非常に小赤い。即ち、蒸着物質
４の基板１への付着比率が小さく、材料歩留は極端に悪
い。このため、従来の薄膜蒸着装置では、基板７０表面
にｌｌ膜を結晶成長させた基板製品の価格は高くなると
いう欠点があった。また、上記従来装置では、真空槽１
の内壁に付着した蒸着物質を回収するため、真空槽１の
内壁を例えば化学的に洗い流す方法などが採用されてい
たが、回収費がかかったり、回収作業のために装置の運
転を一時中断せざるを得す、そのため生産性が落ちたり
する等の欠点もあった。
質４の蒸気は、比較的温度の低い真空槽１の内壁にも付
着する。そして通常基板７の面積は真空槽１の内壁面積
と比較して小さく、そのため蒸着物質４の蒸発した量に
対する基板７に付着で した物質の量の比率は、非常に小赤い。即ち、蒸着物質
４の基板１への付着比率が小さく、材料歩留は極端に悪
い。このため、従来の薄膜蒸着装置では、基板７０表面
にｌｌ膜を結晶成長させた基板製品の価格は高くなると
いう欠点があった。また、上記従来装置では、真空槽１
の内壁に付着した蒸着物質を回収するため、真空槽１の
内壁を例えば化学的に洗い流す方法などが採用されてい
たが、回収費がかかったり、回収作業のために装置の運
転を一時中断せざるを得す、そのため生産性が落ちたり
する等の欠点もあった。
本発明は上記のような従来装置の欠点を除去し−ようと
するもので・蒸気を基板に誘導するための蒸気案内ダク
トを加熱炉と基板取付台との間に設け、あるいはさらに
、蒸気案内ダクトを加熱する加熱手段を設けることによ
り、蒸着物質が真空槽内壁に付着するのを防止して、蒸
着物質を基板に効率よく蒸着せしめることができ、蒸着
物質の歩留を大幅に向上できる薄膜蒸着装置を提供する
ことを目的としている。
するもので・蒸気を基板に誘導するための蒸気案内ダク
トを加熱炉と基板取付台との間に設け、あるいはさらに
、蒸気案内ダクトを加熱する加熱手段を設けることによ
り、蒸着物質が真空槽内壁に付着するのを防止して、蒸
着物質を基板に効率よく蒸着せしめることができ、蒸着
物質の歩留を大幅に向上できる薄膜蒸着装置を提供する
ことを目的としている。
以下、本願発明の実施例を図について説明する。
第２図は本願の第２の発明の一実施例を示す。
図において、第１図と同一符号は同−又は相当部分を示
し、１０はるつぼ２と基板取付台５との間に設けられ蒸
気を基板７に導くための蒸気案内ダクトであり、該案内
ダクト１０はるつぼ２からの熱伝導による熱損失を低減
するために熱伝導率の低い材料を用いて形成されている
。なお、熱損失の低減のためにはるつぼ２．案内ダクト
１０．基板取付台５の接続部に断熱層を設けることもで
きる。また図示していないが、基板７は結晶成長に適し
た温度となるよう加熱または冷却できるようになってい
る。
し、１０はるつぼ２と基板取付台５との間に設けられ蒸
気を基板７に導くための蒸気案内ダクトであり、該案内
ダクト１０はるつぼ２からの熱伝導による熱損失を低減
するために熱伝導率の低い材料を用いて形成されている
。なお、熱損失の低減のためにはるつぼ２．案内ダクト
１０．基板取付台５の接続部に断熱層を設けることもで
きる。また図示していないが、基板７は結晶成長に適し
た温度となるよう加熱または冷却できるようになってい
る。
１）はるつぼ２を加熱するためのるつぼフィラメント、
１２は該るつぼフィラメント１）用加熱電源、１３はる
つぼフィラメント１）とるつぼ２間に電圧を印加して電
子線をるつぼ２に照射するるつぼフィラメント１）用直
流電源、１４は真空槽１を貫通するるつぼフィラメント
１）用貫通端子、１５は蒸気案内ダクト１０を加熱する
ためのダクトフィラメント、１６は該ダクトフィラメン
ト１５を発熱せしめるための加熱電源、１７はダクトフ
ィラメント１５と蒸気案内ダクト１０間に電圧を印加し
て、電子線を上記蒸気案内ダクト１０に照射するダクト
フィラメント１５用直流電源、１８は真空槽１を貫通す
るダクトフィラメント１５用貫通端子を示す。
１２は該るつぼフィラメント１）用加熱電源、１３はる
つぼフィラメント１）とるつぼ２間に電圧を印加して電
子線をるつぼ２に照射するるつぼフィラメント１）用直
流電源、１４は真空槽１を貫通するるつぼフィラメント
１）用貫通端子、１５は蒸気案内ダクト１０を加熱する
ためのダクトフィラメント、１６は該ダクトフィラメン
ト１５を発熱せしめるための加熱電源、１７はダクトフ
ィラメント１５と蒸気案内ダクト１０間に電圧を印加し
て、電子線を上記蒸気案内ダクト１０に照射するダクト
フィラメント１５用直流電源、１８は真空槽１を貫通す
るダクトフィラメント１５用貫通端子を示す。
次に作用効果について説明する。
真空槽１内を高真空とした状態で、るつぼ２の周囲のる
つぼフィラメント１）を加熱電源１２により加熱し、直
流電源１３によりるつぼ２とるつぼフィラメント１）間
に電圧を印加する。するとるつぼフィラメント１）から
出た電子線がるつぼ２の外壁に照射されて物質４を加熱
し、溶融させる。そして溶融した蒸着物質４の表面から
該蒸着物質４が蒸発し、該蒸気は蒸気案内ダクト１０に
より基板７に誘導されてこれに付着し、これにより基板
７にＷｔｌｌｌｌ！が結晶成長する。
つぼフィラメント１）を加熱電源１２により加熱し、直
流電源１３によりるつぼ２とるつぼフィラメント１）間
に電圧を印加する。するとるつぼフィラメント１）から
出た電子線がるつぼ２の外壁に照射されて物質４を加熱
し、溶融させる。そして溶融した蒸着物質４の表面から
該蒸着物質４が蒸発し、該蒸気は蒸気案内ダクト１０に
より基板７に誘導されてこれに付着し、これにより基板
７にＷｔｌｌｌｌ！が結晶成長する。
そしてこの際、蒸気案内ダクトＩＯの温度が低い場合は
これの内壁に蒸気が付着し易いが、本実施例では、付着
する蒸気量を押さえるために蒸気案内ダクト１０を加熱
しており、この加熱方法について説明すれば、蒸気案内
ダクト１０の周りに設けたダクトフィラメント１５を加
熱電源１６により加熱し、ダクトフィラメント１５と蒸
気案内ダクト１０との間に直流電源１７により電圧を印
加する。すると、ダクトフィラメント１５から出た電子
線が蒸気案内ダクト１０に照射され、これにより蒸気案
内ダクト１０が加熱され、その結果蒸気案内ダクト１０
への蒸気の付着量を低減できる。そしてこの場合、ダク
トフィラメント１５用直流電源１７とるつぼフィラメン
ト１）用直流電源１３とは個別に制御できるよう別電源
となっているので、蒸気案内ダクト１０を蒸気が付着す
るのを押さえるために必要な温度に容易に制御できる。
これの内壁に蒸気が付着し易いが、本実施例では、付着
する蒸気量を押さえるために蒸気案内ダクト１０を加熱
しており、この加熱方法について説明すれば、蒸気案内
ダクト１０の周りに設けたダクトフィラメント１５を加
熱電源１６により加熱し、ダクトフィラメント１５と蒸
気案内ダクト１０との間に直流電源１７により電圧を印
加する。すると、ダクトフィラメント１５から出た電子
線が蒸気案内ダクト１０に照射され、これにより蒸気案
内ダクト１０が加熱され、その結果蒸気案内ダクト１０
への蒸気の付着量を低減できる。そしてこの場合、ダク
トフィラメント１５用直流電源１７とるつぼフィラメン
ト１）用直流電源１３とは個別に制御できるよう別電源
となっているので、蒸気案内ダクト１０を蒸気が付着す
るのを押さえるために必要な温度に容易に制御できる。
また第２図に示すように、るつぼ２と蒸気案内ダクト１
０及び該案内ダクト１０と基板取付台５とはそれぞれ接
しているが、蒸気案内ダクト１０は熱伝導率の低い材料
を使用して形成されているので、熱伝導による熱移動を
防止でき、熱損失を低減できる。
０及び該案内ダクト１０と基板取付台５とはそれぞれ接
しているが、蒸気案内ダクト１０は熱伝導率の低い材料
を使用して形成されているので、熱伝導による熱移動を
防止でき、熱損失を低減できる。
なお、上記第２の発明の実施例では蒸気案内ダクト１０
に、これを加熱するためのダクト加熱手段を設けたが、
このダクト加熱手段は必ずしも必要ないものであり、こ
のダクト加熱手段を設けず蒸気案内ダクト１０のみを設
けたものが本願の第１の発明に相当し、上記第２の発明
の実施例と略同様の効果が得られる。
に、これを加熱するためのダクト加熱手段を設けたが、
このダクト加熱手段は必ずしも必要ないものであり、こ
のダクト加熱手段を設けず蒸気案内ダクト１０のみを設
けたものが本願の第１の発明に相当し、上記第２の発明
の実施例と略同様の効果が得られる。
＃ ＪｆｆＪ″″＝″″′″１）ゝ１“１）
”ゝ１れば、加熱炉からの物質蒸気を基板に導くための
蒸気案内ダクトを設け、あるいはさらに該蒸気案内ダク
トを加熱する加熱手段を設けたので、蒸着物質の歩留率
を大きく向上することができ、薄膜を蒸着形成した基板
製品の価格を低減できる効果がある。
”ゝ１れば、加熱炉からの物質蒸気を基板に導くための
蒸気案内ダクトを設け、あるいはさらに該蒸気案内ダク
トを加熱する加熱手段を設けたので、蒸着物質の歩留率
を大きく向上することができ、薄膜を蒸着形成した基板
製品の価格を低減できる効果がある。
第１図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第２図は本
願の第２の発明の一実施例による薄膜蒸着装置の概略構
成図である。 １・・・真空槽、２・・・加熱炉（るつぼ）、４・・・
蒸着物質、５・・・基板取付台、７・・・基板、１０・
・・蒸気案内ダクト、１５・・・加熱手段（ダクトフィ
ラメント）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
願の第２の発明の一実施例による薄膜蒸着装置の概略構
成図である。 １・・・真空槽、２・・・加熱炉（るつぼ）、４・・・
蒸着物質、５・・・基板取付台、７・・・基板、１０・
・・蒸気案内ダクト、１５・・・加熱手段（ダクトフィ
ラメント）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）真空中で基板表面に蒸着物質の薄膜を蒸着形成す
る薄膜蒸着装置において、蒸着物質を溶融蒸発せしめる
加熱炉と、上記基板を保持する基板取付台と、該基板取
付台と加熱炉との間に設けられ上記蒸着物質の蒸気を基
板に導く蒸気案内ダクトとを備えたことを特徴とする薄
膜蒸着装置。 - （２）真空中で基板表面に蒸着物質の薄膜を蒸着形成す
る薄膜蒸着装置において、蒸着物質を溶融蒸発せしめる
加熱炉と、上記基板を保持する基板取付台と、該基板取
付台と加熱炉との間に設けられ上記蒸着物質の蒸気を基
板に導く蒸気案内ダクトと、該蒸気案内ダクトを加熱す
る加熱手段とを備えたことを特徴とする薄膜蒸着装置。 - （３）上記加熱手段は、ダクト加熱用フィラメントから
なることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜
蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12248684A JPS61574A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12248684A JPS61574A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61574A true JPS61574A (ja) | 1986-01-06 |
Family
ID=14837036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12248684A Pending JPS61574A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61574A (ja) |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP12248684A patent/JPS61574A/ja active Pending
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