JPS6023992Y2 - 酸化亜鉛薄膜の製造装置 - Google Patents

酸化亜鉛薄膜の製造装置

Info

Publication number
JPS6023992Y2
JPS6023992Y2 JP1979010774U JP1077479U JPS6023992Y2 JP S6023992 Y2 JPS6023992 Y2 JP S6023992Y2 JP 1979010774 U JP1979010774 U JP 1979010774U JP 1077479 U JP1077479 U JP 1077479U JP S6023992 Y2 JPS6023992 Y2 JP S6023992Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zinc oxide
thin film
oxide thin
target
film production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1979010774U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55112874U (ja
Inventor
光男 坂倉
和久 土屋
稔 竹田
Original Assignee
東光株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東光株式会社 filed Critical 東光株式会社
Priority to JP1979010774U priority Critical patent/JPS6023992Y2/ja
Publication of JPS55112874U publication Critical patent/JPS55112874U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6023992Y2 publication Critical patent/JPS6023992Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、酸化亜鉛薄膜の製造装置に係るもので、特に
、添加物を含む酸化亜鉛薄膜の製造装置に関するもので
ある。
近時使用されている弾性表面波素子のための圧電材料と
して酸化亜鉛薄膜が注目されている。
特性、コスト面で単結晶圧電体、圧電セラミックよりも
優れているが、製造上の問題があるとされていた。
そこで酸化亜鉛に添加物を含ませることによって膜の成
長、特性を制御することが一般に行なわれている。
現在、酸化亜鉛薄膜の製造方法として最も行なわれてい
るのは、スパッタリング法である。
スパッタリング法にも種々あり、それに用いる装置も多
種あるが、いずれにせよ、基板ホルダとターゲットとの
間に直流または高周波の電界を加えて、ターゲットの亜
鉛または酸化亜鉛をスパッタして基板ホルダに取り付け
た基板に酸化亜鉛薄膜を形成する。
添加物も亜鉛または酸化亜鉛と一緒にスパッタされる。
添加物をスパッタするためのターゲットには三種類ある
第一は、添加物を含んだ組成のターゲットを焼結または
溶融して固化したものがある。
第二に、亜鉛または酸化亜鉛のターゲット中に添加物を
埋め込んだものがある。
第三は、亜鉛または酸化亜鉛と添加物のターゲットを別
個に具えたものである。
上記の三種類のターゲットにはそれぞれ問題がある。
先ず、第一のターゲットは、ターゲットの製造が困難で
あり、作成されたものは高価となってしまう。
第二のターゲットは、添加物のチャージアップ、熱伝導
の問題を回避しなければならず、そのために金属添加物
を使用するために高価となってしまう。
また、添加量の制御が難しく、膜中に添加量のムラが生
じ易い欠点がある。
第三のターゲットは、高周波スパッタリング法には適さ
ないという問題があり、直流スパッタリング法にしか適
していない。
上記のように、ターゲットを用いてスパッタリング法の
みで添加物を含む酸化亜鉛薄膜を形成することは困難で
あり、何かの他の方法及び装置を考えなければならない
本考案は、上記の問題を解決して、容易に、安定した特
性の酸化亜鉛薄膜を得るための装置を提供することを目
的とする。
本考案は、添加物はスパッタせずに加熱蒸発させて、酸
化亜鉛薄膜中に当該添加物を含ませる酸化亜鉛薄膜の製
造装置である。
以下、図面に従って説明する。
第1図は、本考案の実施例の正面図を示している。
ベルジャ10内に基板ホルダ11とターゲット12を対
向させて直流または高周波の電流を印加するとプラズマ
放電が生じてスパッタ効果によりターゲット12の亜鉛
はベルジャ内に叩き出される。
ベルジャ内の雰囲気中の酸素と反応して酸化亜鉛となっ
て基板に堆積する。
本考案による装置においては、亜鉛をスパッタするだけ
でなく、添加物の加熱蒸発源13によって添加物を蒸気
化して基板に堆積し、酸化亜鉛薄膜中に含まれるように
する。
以下、本考案の装置を用いて、酸化亜鉛薄膜中に硼素を
含ませる例で説明する。
蒸発源に入れる硼素としては金属硼素は使用が困難であ
る。
なぜなら、融点が2000°C以上、沸点も2550℃
と高く、ベルジャ内の温度が非常に上昇してしまうし、
蒸発源としてのるつぼも特殊なものが必要となるからで
ある。
そこで、蒸発材料としては酸化硼素B2o3を用いると
良い。
酸化硼素は融点が57TC。沸点は1500℃以上であ
るが、スパッタリング中のベルジャ内の雰囲気のカス圧
はIQ、Torr前後であるので、沸点も下がり、IQ
、Torrのガス圧となる蒸発源温度は約600℃であ
る。
酸化硼素に蒸気圧は1O−2TOrr以下であることが
必要であるので、蒸発源の温度は600℃以下とする。
加熱蒸発源はできるだけ多く平均して配置するのが良い
が、ターゲットを取り囲むようにして複数個配置してお
くと、添加物の飛散の方向性が無くなるので、酸化亜鉛
薄膜の中に均一に含まれるようになる。
もちろん、ターゲットを取り囲むように設けた環状の蒸
発源を用いても良い。
加熱の方法は特に限定はされないが、ヒータ加熱の法が
最も適している。
前記の酸化硼素の例では600℃以下に加熱するが、あ
まり温度が低くなると酸化硼素の蒸気圧が下がり、酸化
亜鉛の薄膜中に含まれてなくなってしまう。
そこで、この場合は、温度を300℃〜600℃の範囲
とするのが良い。
前記の例は酸化硼素について説明したが、他の物質を添
加する場合であっても、加熱温度の範囲についてはそれ
ぞれ異なるけれど同様にじて加熱蒸発させれば良い。
、。本考案によれば、極めて簡単
な装置によって、酸化亜鉛薄膜に容易に添加物を含ませ
ることができる。
添加物の材料の種類も適宜選択でき、スパッタに適さな
い粉末の物質であってもそのまま使用できる。
それによって、材料コストの低減を計ることも可能とな
る。
本考案によれば、ターゲットを用いてスパッタする場合
に比較して、添加量を制御することが極めて容易となる
すなわち、加熱温度によって蒸気圧を正確に調整でき、
それによって酸化亜鉛の薄膜内に含まれる添加物の量を
制御できるものである。
したがって酸化亜鉛薄膜の特性を一定&と維持できるの
で、極めて信頼性の高いものが得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例の正面図を示す。 10・・・・・・ベルジャ、11・・・・・・基板ホル
ダ、12・・・・・・ターゲット、13・・・・・・加
熱蒸発源。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 酸素雰囲気中で亜鉛のターゲットをスパッタすることに
    よって基板上に酸化亜鉛を蒸着させる酸化亜鉛薄膜の製
    造装置において、酸化亜鉛薄膜への添加物の加熱蒸発源
    が該ターゲットの周囲に配置されたことを特徴とする酸
    化亜鉛薄膜の製造装置。
JP1979010774U 1979-02-01 1979-02-01 酸化亜鉛薄膜の製造装置 Expired JPS6023992Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1979010774U JPS6023992Y2 (ja) 1979-02-01 1979-02-01 酸化亜鉛薄膜の製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1979010774U JPS6023992Y2 (ja) 1979-02-01 1979-02-01 酸化亜鉛薄膜の製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55112874U JPS55112874U (ja) 1980-08-08
JPS6023992Y2 true JPS6023992Y2 (ja) 1985-07-17

Family

ID=28823982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1979010774U Expired JPS6023992Y2 (ja) 1979-02-01 1979-02-01 酸化亜鉛薄膜の製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6023992Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55112874U (ja) 1980-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4731172A (en) Method for sputtering multi-component thin-film
JP2003158307A (ja) 超伝導材料の製造方法
US3749658A (en) Method of fabricating transparent conductors
US3514320A (en) Method of forming single crystal films by nonepitaxial growth
JPS6023992Y2 (ja) 酸化亜鉛薄膜の製造装置
US6154119A (en) TI--CR--AL--O thin film resistors
US5227204A (en) Fabrication of ferrite films using laser deposition
US2762722A (en) Method and apparatus for coating by thermal evaporation
Hao et al. Magnetron sputtering electrode on the BaTiO3-based PTCR ceramics and the effect of heat treatment on their properties
JPS63166965A (ja) 蒸着用タ−ゲツト
JPH0329216A (ja) 透明電導膜の形成方法
JPS5850419B2 (ja) 圧電性薄膜の製造方法
JP2012067331A (ja) 成膜方法およびスパッタリング装置
JPH0320007A (ja) 磁性体薄膜の製造方法
JP6566750B2 (ja) 不連続金属膜の形成方法
US6420826B1 (en) Flat panel display using Ti-Cr-Al-O thin film
JPS6320302B2 (ja)
JPS61194171A (ja) 基板上に形成させたMoBN膜の表面に窒化ボロンを析出させた積層材料の製造方法
JPH048506B2 (ja)
Ojha The deposition of cermet films from a powder target by RF sputtering
JP2777599B2 (ja) 単結晶薄膜の製造方法
JPH0324261A (ja) 不透明薄膜の製造方法
JPS6362871A (ja) 金属クロム薄膜の生成方法
JPS6043914B2 (ja) スパツタリング製膜方法
US3877913A (en) Method of making a cathode for RF sputtering amorphous semiconducting thin films