JPS6362871A - 金属クロム薄膜の生成方法 - Google Patents
金属クロム薄膜の生成方法Info
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- JPS6362871A JPS6362871A JP20680386A JP20680386A JPS6362871A JP S6362871 A JPS6362871 A JP S6362871A JP 20680386 A JP20680386 A JP 20680386A JP 20680386 A JP20680386 A JP 20680386A JP S6362871 A JPS6362871 A JP S6362871A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1m1立且旦ユ1
本発明はEB蒸着法、特にイオンプレーティング法によ
って、ガラス、セラミック、シリコンウェハー材料、特
にガラスの基板上に導電性の電極等を形成して電子回路
、表示素子等の回路基板に使用するために、金属クロム
を均一厚さでしかもピンホールがなく生成させる方法に
関するものである。
って、ガラス、セラミック、シリコンウェハー材料、特
にガラスの基板上に導電性の電極等を形成して電子回路
、表示素子等の回路基板に使用するために、金属クロム
を均一厚さでしかもピンホールがなく生成させる方法に
関するものである。
の および
無機物質特にガラス基板上に導電性の金属薄膜を形成さ
せるために、通常A!7 、 Cu 、 Au 。
せるために、通常A!7 、 Cu 、 Au 。
N1等が用いられる。これらは直接ガラス基板に蒸着し
ても密着性に乏しくはがれ易い。そのためガラス基板と
Ac1.Cu、Au、Ni膜の間に接着層として、Cr
、Ni −Cr 、 Ti等が一般的に使用され、こ
の接着層の生成方法として、イオンプレーティング法、
EB蒸着法、スパッタリング法等が用いられている。そ
の中のイオンプレーティング法、EB蒸着法で、特に金
属クロムを蒸着する場合、金属クロムは昇華性の金属で
あり、蒸着時の電子銃の出力が小さくても金属クロムは
簡単に昇華する。そのため基板上に成膜はできるが、市
販の金属クロム蒸着材、さらに粉状の蒸着材においては
、気薄なガス、水分が吸着しておりそれらが単なる真空
雰囲気では仲々抜は切れないため、金属クロムがスプラ
ッシュし目視出来ない小さな火花が飛び散る。スプラッ
シュした金属クロムが基板に付着すると、成膜後、たと
えば膜表面を軽くこするだけで金属クロム粒が脱落し、
ピンホールが多数発生するなど問題点がしばしば発生し
た。
ても密着性に乏しくはがれ易い。そのためガラス基板と
Ac1.Cu、Au、Ni膜の間に接着層として、Cr
、Ni −Cr 、 Ti等が一般的に使用され、こ
の接着層の生成方法として、イオンプレーティング法、
EB蒸着法、スパッタリング法等が用いられている。そ
の中のイオンプレーティング法、EB蒸着法で、特に金
属クロムを蒸着する場合、金属クロムは昇華性の金属で
あり、蒸着時の電子銃の出力が小さくても金属クロムは
簡単に昇華する。そのため基板上に成膜はできるが、市
販の金属クロム蒸着材、さらに粉状の蒸着材においては
、気薄なガス、水分が吸着しておりそれらが単なる真空
雰囲気では仲々抜は切れないため、金属クロムがスプラ
ッシュし目視出来ない小さな火花が飛び散る。スプラッ
シュした金属クロムが基板に付着すると、成膜後、たと
えば膜表面を軽くこするだけで金属クロム粒が脱落し、
ピンホールが多数発生するなど問題点がしばしば発生し
た。
シ。
本発明の目的は前述した金属クロム膜の生成方法によっ
て得られ難かった、ピンホールのない強固な金属クロム
膜をガラス基板上あるいはITO膜を有する基板上に得
る方法を提供するものである。
て得られ難かった、ピンホールのない強固な金属クロム
膜をガラス基板上あるいはITO膜を有する基板上に得
る方法を提供するものである。
口 、を “ るための
本発明は上記目的を達成するため、ガラス基板、ITO
I!!11を有する基板表面にピンホールのない金属ク
ロム膜をより確実に生成するために、イオンプレーティ
ング装置、EB蒸着装置で蒸着する前工程として真空槽
内で、金属クロムを予備溶解して、脱ガス、脱水分する
と共に出来うる限り金属クロムをブロック状の形状とし
、その後、基板へ金属クロムを強固に蒸着するために基
板を一定温度に保持してピンホールのない金属クロム膜
を生成させる方法に関するものである。
I!!11を有する基板表面にピンホールのない金属ク
ロム膜をより確実に生成するために、イオンプレーティ
ング装置、EB蒸着装置で蒸着する前工程として真空槽
内で、金属クロムを予備溶解して、脱ガス、脱水分する
と共に出来うる限り金属クロムをブロック状の形状とし
、その後、基板へ金属クロムを強固に蒸着するために基
板を一定温度に保持してピンホールのない金属クロム膜
を生成させる方法に関するものである。
の および 用
第1図は本発明によって、金属クロムを蒸着生成させる
方法に使用する高周波イオンプレーティング装置を説明
するための概略図である。同図において、真空槽1の内
部には蒸着材を加熱、蒸発させるための電子銃2と水冷
ルツボ3がある。水冷ルツボ3の中には、さらにもう−
っのルツボであるグラファイトハースライナ−中に蒸着
材4である高1i1if!!クロムのショット状(2〜
3 s )のものが充填されている。水冷ルツボ3の上
部にはシャッター5があり蒸着材4に対向して基板6が
セットされ基板と同面上に蒸着速度を計測するための膜
厚モニター7がセットされている。さらに基板の蒸着面
近傍に蒸着面温度を測定、制御するための温度センサ8
が取付けられ、基板上方には基板加熱用のヒーター9が
あり、1@射熱により基板を加熱できるようになってい
る。
方法に使用する高周波イオンプレーティング装置を説明
するための概略図である。同図において、真空槽1の内
部には蒸着材を加熱、蒸発させるための電子銃2と水冷
ルツボ3がある。水冷ルツボ3の中には、さらにもう−
っのルツボであるグラファイトハースライナ−中に蒸着
材4である高1i1if!!クロムのショット状(2〜
3 s )のものが充填されている。水冷ルツボ3の上
部にはシャッター5があり蒸着材4に対向して基板6が
セットされ基板と同面上に蒸着速度を計測するための膜
厚モニター7がセットされている。さらに基板の蒸着面
近傍に蒸着面温度を測定、制御するための温度センサ8
が取付けられ、基板上方には基板加熱用のヒーター9が
あり、1@射熱により基板を加熱できるようになってい
る。
又、真空槽内にはプラズマを発生させる高周波コイル1
0があり、アルゴンガスを供給するための配管バルブ1
1、予備バルブ12および真空計13が取付けられてい
る。
0があり、アルゴンガスを供給するための配管バルブ1
1、予備バルブ12および真空計13が取付けられてい
る。
金属クロム膜を生成するためには、まず基板をセットせ
ずに、真空槽内を排気し、圧力が1O−4Torr以下
好ましくは10−4Torr台に入ったら水冷ルツボ3
のもう一つのルツボであるグラファイトハースライナ−
に充填された金成りロムを電子銃出力を蒸着時の数倍の
出力で溶し込む。すると金属クロムは、昇華しながら溶
融し、金属クロムに吸着したガス、水分、等の追い出し
が行われ、表面が滑らかな形状になる。電子銃出力を切
ったあと、溶解された金属クロムが充分冷えたら、又、
ショット状の金属クロムを補充し、上述の操作を行いこ
れを数回繰返しグラファイトハースライナ−内に充分な
る溶解クロムのストックを作る。
ずに、真空槽内を排気し、圧力が1O−4Torr以下
好ましくは10−4Torr台に入ったら水冷ルツボ3
のもう一つのルツボであるグラファイトハースライナ−
に充填された金成りロムを電子銃出力を蒸着時の数倍の
出力で溶し込む。すると金属クロムは、昇華しながら溶
融し、金属クロムに吸着したガス、水分、等の追い出し
が行われ、表面が滑らかな形状になる。電子銃出力を切
ったあと、溶解された金属クロムが充分冷えたら、又、
ショット状の金属クロムを補充し、上述の操作を行いこ
れを数回繰返しグラファイトハースライナ−内に充分な
る溶解クロムのストックを作る。
この操作では溶解クロムの表面に、未溶解の金属クロム
が存在しない様にしなければならない。
が存在しない様にしなければならない。
この様に金属クロムの予備溶解を行った後、基板をセッ
トし、基板温度を150〜250℃の範囲内で設定し蒸
着速度は10〜30人/ secの範囲内に保持して、
アルゴンプラズマ中で蒸着し膜厚500〜2000人の
ピンホールが生じないクロム膜を得ることが出来る。基
板加熱をするのは膜の密着性を高めるためである。処理
中イオンの衝突により基板温度も上昇するがせいぜいi
oo ’c程度までであり、強固な膜は得られない。し
たがってヒーターの輻射熱によって基板を150℃〜2
50℃に加熱保持する。150℃以下では膜の付着力は
充分ではない。
トし、基板温度を150〜250℃の範囲内で設定し蒸
着速度は10〜30人/ secの範囲内に保持して、
アルゴンプラズマ中で蒸着し膜厚500〜2000人の
ピンホールが生じないクロム膜を得ることが出来る。基
板加熱をするのは膜の密着性を高めるためである。処理
中イオンの衝突により基板温度も上昇するがせいぜいi
oo ’c程度までであり、強固な膜は得られない。し
たがってヒーターの輻射熱によって基板を150℃〜2
50℃に加熱保持する。150℃以下では膜の付着力は
充分ではない。
また250℃以上では付着力の向上は認められず、経済
的でない。
的でない。
蒸着速度は10〜30人/ SeCが適当である。10
人/ Sec以下では成膜に長時間かかり実用的でない
。
人/ Sec以下では成膜に長時間かかり実用的でない
。
また、300人/ sec以上とするとクロムメタルの
スプラッシュの原因となり、きれいな膜が得られない。
スプラッシュの原因となり、きれいな膜が得られない。
又、この方法は通常のEB蒸着装置にも適用できること
は申すまでもない。
は申すまでもない。
実施例
第1図に示すイオンプレーティング装置を使用し、20
.角の大きさのガラス基板10枚をセットし’119.
99%の金属クロムを蒸着材として装填して膜厚100
0人のクロム膜を形成した。
.角の大きさのガラス基板10枚をセットし’119.
99%の金属クロムを蒸着材として装填して膜厚100
0人のクロム膜を形成した。
まず金属クロムも溶解精製工程として真空槽内を排気し
、圧力が10−4Torrになったら電子銃の出力を上
げ金属クロムを溶融する。この溶融操作を5回くり返し
グラファイトハースライナ−内にクロムのストックを作
った。
、圧力が10−4Torrになったら電子銃の出力を上
げ金属クロムを溶融する。この溶融操作を5回くり返し
グラファイトハースライナ−内にクロムのストックを作
った。
次に基板をセットし、ヒーターを利用して基板温度を2
00±10℃に保持し、蒸着速度20人/ Secでク
ロム膜を形成した。
00±10℃に保持し、蒸着速度20人/ Secでク
ロム膜を形成した。
このようにして得られたクロム皮膜は表面を強くこすっ
てもピンホールは発生せず、緻密で強固な皮膜であった
。
てもピンホールは発生せず、緻密で強固な皮膜であった
。
更に、このクロム皮膜の上に銅を1μm厚さに蒸着した
。このCr /Cu複層皮膜の強度を引張試験したとこ
ろ、平均2゜1 kl / is 2であり、密着性に
優れたメタライズ基板となっていることが判明した。
。このCr /Cu複層皮膜の強度を引張試験したとこ
ろ、平均2゜1 kl / is 2であり、密着性に
優れたメタライズ基板となっていることが判明した。
第1図は本発明に使用するイオンプレーティング装置の
一例を示す概要図である。
一例を示す概要図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高周波イオンプレーティング装置又は、通常のEB蒸着
装置によつて基板表面に金属クロム薄膜を生成する方法
において、 (1)蒸着材である金属クロムを電子銃を用いて10^
−^4Torr以下の真空中で充分に溶し込む予備溶解
の工程と、 (2)アルゴンプラズマ中で基板の温度を150〜25
0℃の温度に保持し前記電子銃によつて蒸着材である金
属クロムを蒸発させ10〜30Å/secの蒸着速度で
基板へ蒸着させる工程、から成ることを特徴とする金属
クロム薄膜の生成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20680386A JPS6362871A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 金属クロム薄膜の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20680386A JPS6362871A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 金属クロム薄膜の生成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362871A true JPS6362871A (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=16529351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20680386A Pending JPS6362871A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 金属クロム薄膜の生成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6362871A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63171875A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | Kobe Steel Ltd | イオンプレ−テイング装置と方法 |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP20680386A patent/JPS6362871A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63171875A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | Kobe Steel Ltd | イオンプレ−テイング装置と方法 |
JPH0784653B2 (ja) * | 1987-01-08 | 1995-09-13 | 株式会社神戸製鋼所 | イオンプレ−テイング装置と方法 |
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