JPS63243264A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
- Publication number
- JPS63243264A JPS63243264A JP62077752A JP7775287A JPS63243264A JP S63243264 A JPS63243264 A JP S63243264A JP 62077752 A JP62077752 A JP 62077752A JP 7775287 A JP7775287 A JP 7775287A JP S63243264 A JPS63243264 A JP S63243264A
- Authority
- JP
- Japan
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- thin film
- film manufacturing
- communicating tube
- tube
- manufacturing apparatus
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体や電子部品等の製造に係り、基板上に各
種材質の数人から数μの薄膜を形成する薄膜製造装置に
関する。
種材質の数人から数μの薄膜を形成する薄膜製造装置に
関する。
従来の技術
各種の基板上に薄膜を形成する工業上の手法は様々提案
されて来ている。特に近年では真空中で数オングストロ
ームの膜を作り出す技術が半導体、電子部品等の分野で
著しく重要性が増して来た。
されて来ている。特に近年では真空中で数オングストロ
ームの膜を作り出す技術が半導体、電子部品等の分野で
著しく重要性が増して来た。
第３図は金属薄膜を作る技術として従来より用いられて
来た蒸着法による成膜装置の一例である。
来た蒸着法による成膜装置の一例である。
１はチャンバーであシ、真空排気系と、排気口２によっ
て接続されている。チャンバー１の内部にはサセプター
３．基板４．ヒーター６等が設置されている。アルミ等
の材料６はヒーター６によシ加熱され溶融し、蒸発する
。この蒸発した材料６のガスは基板４に向って飛び、基
板４上で凝縮して膜を形成する。
て接続されている。チャンバー１の内部にはサセプター
３．基板４．ヒーター６等が設置されている。アルミ等
の材料６はヒーター６によシ加熱され溶融し、蒸発する
。この蒸発した材料６のガスは基板４に向って飛び、基
板４上で凝縮して膜を形成する。
発明が解決しようとする問題点
上記の様な蒸着装置を用いる場合、ＣＶＤ法等で薄膜を
作る場合と異なり、膜材料が固体であるため材料６の供
給が連続的に出来ないという問題があった。つまシチャ
ンバー内部は１０−４〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒ程度の真空度
に保ちつつ成膜を行うが、材料供給のために真空を破る
と、所定の真空値に復帰するのに多大な時間が必要とな
る。その上、材料は一定温度にコントロールして溶融さ
れる必要があるが材料の供給によって一度材料温度を低
下させその後昇温させることになるので定常になるまで
の待ち時間が非常に長く、材料の使用効率低下及び単位
時間当シの生産性悪化という問題があった。
作る場合と異なり、膜材料が固体であるため材料６の供
給が連続的に出来ないという問題があった。つまシチャ
ンバー内部は１０−４〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒ程度の真空度
に保ちつつ成膜を行うが、材料供給のために真空を破る
と、所定の真空値に復帰するのに多大な時間が必要とな
る。その上、材料は一定温度にコントロールして溶融さ
れる必要があるが材料の供給によって一度材料温度を低
下させその後昇温させることになるので定常になるまで
の待ち時間が非常に長く、材料の使用効率低下及び単位
時間当シの生産性悪化という問題があった。
本発明は新規な薄膜製造装置を提案し、前記の材料の使
用効率を向上させ、かつ材料供給による待ち時間を短縮
し、生産性を向上させようとするものである。
用効率を向上させ、かつ材料供給による待ち時間を短縮
し、生産性を向上させようとするものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、真空容器内へ加熱ができる構成を有し、一方
を開ロ一方を閉止した連通管を設け、内部に投入された
材料を溶融させて、その材料を流動可能な状態とし、開
口端から材料を蒸発させて基板上に薄膜を形成させるも
のである。
を開ロ一方を閉止した連通管を設け、内部に投入された
材料を溶融させて、その材料を流動可能な状態とし、開
口端から材料を蒸発させて基板上に薄膜を形成させるも
のである。
作 用
上記手段によって、溶融した材料は閉止端から開口端へ
連通管の原理に従って連続的に供給される。つまシ、一
方の開口端から蒸発して減少する材料分だけ閉止端から
供給されることになる。この際、閉止端の断面は開口端
部よシ大きく取るため、全体の溶融液レベルの減少はわ
ずかとなる。
連通管の原理に従って連続的に供給される。つまシ、一
方の開口端から蒸発して減少する材料分だけ閉止端から
供給されることになる。この際、閉止端の断面は開口端
部よシ大きく取るため、全体の溶融液レベルの減少はわ
ずかとなる。
このため基板への成膜は、非常に長時間に渡って同一条
件で連続的に行えることになるのである。
件で連続的に行えることになるのである。
実施例
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図は本発明の一実施例の薄膜製造装置の概略図である
。チャンバー７は主排気口８により真空排気系と接続さ
れておシ、真空排気が可能となっている。チャンバ−７
内部には、サセプター９が設置されてお９、サセプター
９には基板１０が取り付けられている。この基板１ｏへ
は、下部から金属等の蒸気が飛行、付着し、薄膜を形成
する。この金属蒸気は、基板１ｏの下部に設けられた連
通管１１の開口端１２の溶融材料１３から生じている。
１図は本発明の一実施例の薄膜製造装置の概略図である
。チャンバー７は主排気口８により真空排気系と接続さ
れておシ、真空排気が可能となっている。チャンバ−７
内部には、サセプター９が設置されてお９、サセプター
９には基板１０が取り付けられている。この基板１ｏへ
は、下部から金属等の蒸気が飛行、付着し、薄膜を形成
する。この金属蒸気は、基板１ｏの下部に設けられた連
通管１１の開口端１２の溶融材料１３から生じている。
溶融材料１３は常にヒータ１４によって加熱され、溶融
状態を保つと共に、蒸発のための潜熱を与えられている
。材料１３は開口端１３からの蒸発と共に減少するが、
減少分は連通管１１の閉止端１４から供給される。閉止
端１４の断面は開口端１２の断面よシ大きく構成してい
るため、連通管としての溶融液面の低下はごく僅かであ
る。
状態を保つと共に、蒸発のための潜熱を与えられている
。材料１３は開口端１３からの蒸発と共に減少するが、
減少分は連通管１１の閉止端１４から供給される。閉止
端１４の断面は開口端１２の断面よシ大きく構成してい
るため、連通管としての溶融液面の低下はごく僅かであ
る。
また閉止端１４には、外部からの材料供給を可能とする
供給ポート１６がチャンバ７の外壁を貫通して設けられ
ている。供給ポート１６は副排気口１６によって真空排
気を可能とし、パルプ１７によって仕切られている。長
時間の連続運転によって連通管１１内部の液面が低下し
た場合には、供給ポート１６の上部の位置する供給口１
９から固体状の材料を供給し、真空排気した後パルプ１
７を開き、連通管１１内部へ落下させる。この構成によ
って材料の供給は非常に容易となる。またこの材料供給
は装置の運転時でも可能である。つまシ、材料供給の過
渡的な液面の振動及び若干の溶融温度低下が連通管１１
の閉止端部の容積によっては生じるが十分閉止端部の容
積を大きく取れば、この様な問題もほぼ無視できるため
、非常に長時間に渡って薄膜装置の運転が可能となり、
稼動率の向上、生産性の向上が見込めるのである。
供給ポート１６がチャンバ７の外壁を貫通して設けられ
ている。供給ポート１６は副排気口１６によって真空排
気を可能とし、パルプ１７によって仕切られている。長
時間の連続運転によって連通管１１内部の液面が低下し
た場合には、供給ポート１６の上部の位置する供給口１
９から固体状の材料を供給し、真空排気した後パルプ１
７を開き、連通管１１内部へ落下させる。この構成によ
って材料の供給は非常に容易となる。またこの材料供給
は装置の運転時でも可能である。つまシ、材料供給の過
渡的な液面の振動及び若干の溶融温度低下が連通管１１
の閉止端部の容積によっては生じるが十分閉止端部の容
積を大きく取れば、この様な問題もほぼ無視できるため
、非常に長時間に渡って薄膜装置の運転が可能となり、
稼動率の向上、生産性の向上が見込めるのである。
第２図は本発明の他の実施例の薄膜製造装置概略図であ
る。本実施例に於ても、第１図に示した実施例のごとく
、チャンバー２０．サセプター２１゜基板２２．主排気
ロ２３連通管２４．開口端２６゜ヒータ２６．閉止端２
７をもって構成され、その主たる薄膜作成の機能もｅマ
ぼ同一である。しかし、本実施例に於ては、閉止端２了
にＡｒ等の不活性ガスを導入し、その圧力で連通管２４
内部の溶融材料２８を開口端２６へ流動させる点が異な
る。
る。本実施例に於ても、第１図に示した実施例のごとく
、チャンバー２０．サセプター２１゜基板２２．主排気
ロ２３連通管２４．開口端２６゜ヒータ２６．閉止端２
７をもって構成され、その主たる薄膜作成の機能もｅマ
ぼ同一である。しかし、本実施例に於ては、閉止端２了
にＡｒ等の不活性ガスを導入し、その圧力で連通管２４
内部の溶融材料２８を開口端２６へ流動させる点が異な
る。
つまシ、パルプ３１を閉止後材料投入口２９より固体材
料を投入し、副排気口３０よす真空排気した後、パルプ
３１．３２を開いてＡｒガスを導入。
料を投入し、副排気口３０よす真空排気した後、パルプ
３１．３２を開いてＡｒガスを導入。
材料を落下させる。このＡｒ圧力は圧力センサ３３によ
って制御され、開口端２６での液面レベルを一定とする
構成となっている。つまシ常に開口端側の液面レベルを
閉止端側の液面レベルよシ高くし、その差圧力だけＡｒ
を導入する。開口端側の液面レベル低下は閉止端側の圧
力変化となって現われる。この圧力変化を圧力センサー
３３で読み取ると共に、運転開始時からの圧力変化の積
算値。
って制御され、開口端２６での液面レベルを一定とする
構成となっている。つまシ常に開口端側の液面レベルを
閉止端側の液面レベルよシ高くし、その差圧力だけＡｒ
を導入する。開口端側の液面レベル低下は閉止端側の圧
力変化となって現われる。この圧力変化を圧力センサー
３３で読み取ると共に、運転開始時からの圧力変化の積
算値。
初期Ａｒ容積から現在の液面を推定し、Ａｒの圧力を決
定しパルプ３２を開いてＡｒを流入させる。
定しパルプ３２を開いてＡｒを流入させる。
この様にして開口端側の溶融材料の液面を常に一定に保
つことができる。また本実施例ではＡｒを導入している
ためパルプ３１の開放時に材料２８の投入口２９や圧力
センサー３３等への付着が少なくなるという長所もある
。
つことができる。また本実施例ではＡｒを導入している
ためパルプ３１の開放時に材料２８の投入口２９や圧力
センサー３３等への付着が少なくなるという長所もある
。
発明の効果
本発明は、真空容器内へ加熱が可能な連通管を設け、一
方を開口し内部で材料を溶融させて流動可能な状態とし
、開口端から材料を蒸発させて基板上に薄膜を形成させ
様とするものであり、■溶融材料の液面レベルが一定と
なり、運転時の液面高さ変化による成膜特性の変化が小
ない、■一度の材料投入で非常に長い間装層を運転する
ことができるため、装置の稼動率が高い、■ 装置を大
気に開放して材料を供給する回数が減少するため、真空
排気等立ち上げの時間を節減できる、■ 定常運転時間
が長くなるため非定常時に無駄に排気される材料が減少
し材料の使用効率が向上するという効果を奏する。
方を開口し内部で材料を溶融させて流動可能な状態とし
、開口端から材料を蒸発させて基板上に薄膜を形成させ
様とするものであり、■溶融材料の液面レベルが一定と
なり、運転時の液面高さ変化による成膜特性の変化が小
ない、■一度の材料投入で非常に長い間装層を運転する
ことができるため、装置の稼動率が高い、■ 装置を大
気に開放して材料を供給する回数が減少するため、真空
排気等立ち上げの時間を節減できる、■ 定常運転時間
が長くなるため非定常時に無駄に排気される材料が減少
し材料の使用効率が向上するという効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例の薄膜製造装置の構成図、第
２図は本発明の他の実施例の薄膜製造装置の構成図、第
３図は従来例の蒸着装置の構成図である。 １．７．２０・・・・・・チャンバ、１１．２０・・・
・・・連通管、１４，２６・・・・・・ヒータ、１７，
３１・・・・・・ノ（ルプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 ３ヤ１乙ブタ−
２図は本発明の他の実施例の薄膜製造装置の構成図、第
３図は従来例の蒸着装置の構成図である。 １．７．２０・・・・・・チャンバ、１１．２０・・・
・・・連通管、１４，２６・・・・・・ヒータ、１７，
３１・・・・・・ノ（ルプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第３
図 ３ヤ１乙ブタ−
Claims (4)
- （１）真空容器内に一方を開口して設けられた連通管と
前記連通管を加熱する加熱器を設け、前記連通管の内部
に投入された材料を溶融させ、前記真容器へ前記開口部
から前記材料を蒸発させる構成とした薄膜製造装置。 - （２）連通管の真空容器内へ開口していない端部を構成
する管の径を、前記連通管の他の部分を構成する管の径
より大きくした特許請求の範囲第１項記載の薄膜製造装
置。 - （３）連通管の真空容器内へ開口していない端部へ外部
よりガスを導入し、ガス圧力をコントロールし、前記連
通管の開口部の溶融材料の液面を一定とした特許請求の
範囲第１項または第２項記載の薄膜製造装置。 - （４）連通管へ真空容器外から材料を供給することを特
徴とする特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記
載の薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62077752A JPS63243264A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62077752A JPS63243264A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243264A true JPS63243264A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13642658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62077752A Pending JPS63243264A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63243264A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000008226A3 (en) * | 1998-08-03 | 2000-12-07 | Coca Cola Co | Vapor deposition system |
| US6223683B1 (en) | 1997-03-14 | 2001-05-01 | The Coca-Cola Company | Hollow plastic containers with an external very thin coating of low permeability to gases and vapors through plasma-assisted deposition of inorganic substances and method and system for making the coating |
| US6599584B2 (en) | 2001-04-27 | 2003-07-29 | The Coca-Cola Company | Barrier coated plastic containers and coating methods therefor |
| US6720052B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-04-13 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/inorganic oxide structure with top coat for enhanced gas or vapor barrier and method for making same |
| US6740378B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-05-25 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/zero valent material structure for enhanced gas or vapor barrier and uv barrier and method for making same |
| US6982119B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-01-03 | The Coca-Cola Company | Coating composition containing an epoxide additive and structures coated therewith |
| KR100797070B1 (ko) | 2005-08-03 | 2008-01-22 | 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 기판 코팅용 기화 장치 |
| JP2010144221A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Tokyo Electron Ltd | 原料ガス発生装置及び成膜装置 |
| JP2012046814A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Kaneka Corp | 蒸着装置 |
| JP2012525499A (ja) * | 2009-04-27 | 2012-10-22 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッド | 原料供給ユニットと、薄膜蒸着装置および薄膜蒸着方法 |
| JP2013515862A (ja) * | 2009-12-31 | 2013-05-09 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッド | 気化装置及びこの制御方法 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62077752A patent/JPS63243264A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6251233B1 (en) | 1998-08-03 | 2001-06-26 | The Coca-Cola Company | Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation |
| US6447837B2 (en) | 1998-08-03 | 2002-09-10 | The Coca-Cola Company | Methods for measuring the degree of ionization and the rate of evaporation in a vapor deposition coating system |
| WO2000008226A3 (en) * | 1998-08-03 | 2000-12-07 | Coca Cola Co | Vapor deposition system |
| US6720052B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-04-13 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/inorganic oxide structure with top coat for enhanced gas or vapor barrier and method for making same |
| US6740378B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-05-25 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/zero valent material structure for enhanced gas or vapor barrier and uv barrier and method for making same |
| US6808753B2 (en) | 2000-08-24 | 2004-10-26 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/inorganic oxide structure with top coat for enhanced gas or vapor barrier and method for making same |
| US6811826B2 (en) | 2000-08-24 | 2004-11-02 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/zero valent material structure for enhanced gas or vapor barrier and UV barrier and method for making same |
| US6599584B2 (en) | 2001-04-27 | 2003-07-29 | The Coca-Cola Company | Barrier coated plastic containers and coating methods therefor |
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| KR100797070B1 (ko) | 2005-08-03 | 2008-01-22 | 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 기판 코팅용 기화 장치 |
| JP2010144221A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Tokyo Electron Ltd | 原料ガス発生装置及び成膜装置 |
| JP2012525499A (ja) * | 2009-04-27 | 2012-10-22 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッド | 原料供給ユニットと、薄膜蒸着装置および薄膜蒸着方法 |
| JP2013515862A (ja) * | 2009-12-31 | 2013-05-09 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッド | 気化装置及びこの制御方法 |
| JP2012046814A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Kaneka Corp | 蒸着装置 |
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