JPS60197730A - ポリイミド膜の形成方法 - Google Patents
ポリイミド膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS60197730A JPS60197730A JP5234484A JP5234484A JPS60197730A JP S60197730 A JPS60197730 A JP S60197730A JP 5234484 A JP5234484 A JP 5234484A JP 5234484 A JP5234484 A JP 5234484A JP S60197730 A JPS60197730 A JP S60197730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- polyimide film
- starting materials
- polyimide
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
° 本発明は例えば半導体素子の絶縁膜、ノぞクシ4−
ジョン換、ノットエラー膜勢として用いられるポリイミ
ド膜の形成方法に関する。
ジョン換、ノットエラー膜勢として用いられるポリイミ
ド膜の形成方法に関する。
従来、この種ポリイミド膜の形成方法としては。
例えばボリイミPの各出発物質であるピロメリト酸二無
水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテルt−N、
N’−ジメチルホルムアミド等の溶媒で溶解してポリア
ミック酸を形成し、これを基板上に流延した後に加熱し
てポリイミド膜するいわゆる湿式法が知られているが、
極めて薄い膜が得られ難く、また基板に対するポリイミ
ド膜の密着性が不十分で、しかも溶媒の添加、除去1回
収勢の工程が入るために不純物の混入が起こシやずいと
いう不都合を有する。
水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテルt−N、
N’−ジメチルホルムアミド等の溶媒で溶解してポリア
ミック酸を形成し、これを基板上に流延した後に加熱し
てポリイミド膜するいわゆる湿式法が知られているが、
極めて薄い膜が得られ難く、また基板に対するポリイミ
ド膜の密着性が不十分で、しかも溶媒の添加、除去1回
収勢の工程が入るために不純物の混入が起こシやずいと
いう不都合を有する。
本発明はかかる不都合を解消したポリイミド膜の形成方
法を提供することを目的とするもので、真空中でボリイ
ミPの各出発物質を適宜の割合で同時に蒸発させて基板
上に堆積せしめると共にこれを該基板上で加熱重合させ
ることから成る。
法を提供することを目的とするもので、真空中でボリイ
ミPの各出発物質を適宜の割合で同時に蒸発させて基板
上に堆積せしめると共にこれを該基板上で加熱重合させ
ることから成る。
尚、基板上での出発物質の加熱は、例えは予め所定温度
に加熱された基板上に各出発物質を堆積させるか、或い
は室温の基板上に各出発物質を堆積させた後に該基板管
所定温度に加熱することによシ行なうことができる。
に加熱された基板上に各出発物質を堆積させるか、或い
は室温の基板上に各出発物質を堆積させた後に該基板管
所定温度に加熱することによシ行なうことができる。
又、このときの加熱温度I/1200℃〜300℃とす
るのが好ましい。
るのが好ましい。
以下添付図面に従って本発明の一実施例に付き説明する
。
。
図面は本発明方法を実施する装置の一例を示すもので、
1は処理室を示し%該処理室1内を外部の真空ポンプそ
の他の真空排気系2に接続すると共に、該処理室1内上
位にポリイミドの蒸着被膜を形成せしめるべき基板3七
基板ホルダ4によって下向1&に保持し、該基板3を該
基板ホルダ4の背面に設けられたヒータ5によって所望
温度に加熱できるようにし、まfc骸処理室l内下位に
該基板3に対向させてポリイミPの出発物質a、bを蒸
発させるためのガラス製の蒸発用管6.6を設け、該各
蒸発用管6をその周囲に巻回されたヒータ7によって所
望温度に加熱できるようにした。
1は処理室を示し%該処理室1内を外部の真空ポンプそ
の他の真空排気系2に接続すると共に、該処理室1内上
位にポリイミドの蒸着被膜を形成せしめるべき基板3七
基板ホルダ4によって下向1&に保持し、該基板3を該
基板ホルダ4の背面に設けられたヒータ5によって所望
温度に加熱できるようにし、まfc骸処理室l内下位に
該基板3に対向させてポリイミPの出発物質a、bを蒸
発させるためのガラス製の蒸発用管6.6を設け、該各
蒸発用管6をその周囲に巻回されたヒータ7によって所
望温度に加熱できるようにした。
図中8はヒータ5の電源、9はヒータ7の電源、10は
基板3と蒸発用管6,6との間に介在されるシャッタを
示す。
基板3と蒸発用管6,6との間に介在されるシャッタを
示す。
ま′fc1図中11は温度制御のために出発物質a。
b内に挿入された熱電対を示し、図示しないが外部に導
出の温度制御器で常時温度を測定できるようにした。
出の温度制御器で常時温度を測定できるようにした。
ここで当該装置によるポリイミド膜の製造の一例を示す
と、まず処理室1内雰囲気ガスの全圧を真空排気系2を
介してI X 10. Torrに設定する。
と、まず処理室1内雰囲気ガスの全圧を真空排気系2を
介してI X 10. Torrに設定する。
次で、シャッタ10を閉じた状態で、蒸発用管6.6の
一方にボリイミPの出発物質8であるピロメリト酸二無
水物と、他方に同じくボリイミPの出発物LRbである
4、4′−ジアミノジフェニルエーテルとを充填し、こ
れらに各挿入される熱電対11で温度を測定しなからヒ
ータ7゜7によってピロメリト酸二無水物?175℃±
2℃Ic、 t7t4 、4’−ジアミノジフェニルエ
ーテルを170℃±2℃に加熱する。
一方にボリイミPの出発物質8であるピロメリト酸二無
水物と、他方に同じくボリイミPの出発物LRbである
4、4′−ジアミノジフェニルエーテルとを充填し、こ
れらに各挿入される熱電対11で温度を測定しなからヒ
ータ7゜7によってピロメリト酸二無水物?175℃±
2℃Ic、 t7t4 、4’−ジアミノジフェニルエ
ーテルを170℃±2℃に加熱する。
次で、出発物質a、bが所要温度に達して蒸発を開始し
た後にシャッタ10′t−開け、基板3上に該出発物質
a、bを150A/分の析出速度で所定厚さに堆積させ
、その後肢シャッタ10に閉じて該基板3をヒータ5で
250℃に加熱し、該温度を40〜60分間保持して該
基板3上でボリイミPの重合反応を起こさせて該基板3
上にポリイミド膜を形成した。
た後にシャッタ10′t−開け、基板3上に該出発物質
a、bを150A/分の析出速度で所定厚さに堆積させ
、その後肢シャッタ10に閉じて該基板3をヒータ5で
250℃に加熱し、該温度を40〜60分間保持して該
基板3上でボリイミPの重合反応を起こさせて該基板3
上にポリイミド膜を形成した。
尚、出発物質a、bij化学量論的に膜が形成されるよ
うに蒸気圧の調節によってl:1のモル比で蒸発するよ
うにした。
うに蒸気圧の調節によってl:1のモル比で蒸発するよ
うにした。
このように本発明によるときは、真空中でポリイミドの
各出発物質を基板上に直接堆積せしめると共にこれを該
基板上で加熱重合させることによってボリイミrgt−
形成するために、緻密で且つ高純度のポリイミド膜を基
板に対する良好な密着性をもって、しかも極めて薄い膜
會始め、所望膜厚に容易に形成できる効果上布する。
各出発物質を基板上に直接堆積せしめると共にこれを該
基板上で加熱重合させることによってボリイミrgt−
形成するために、緻密で且つ高純度のポリイミド膜を基
板に対する良好な密着性をもって、しかも極めて薄い膜
會始め、所望膜厚に容易に形成できる効果上布する。
図面は本発明ポリイミド膜の形成方法を実施するための
装置の一例の截断面図でおる。 1・・・処理室 3・・・基板 a、b・・・出発物質 特許出願人 日本真空技術株式会社 外2名 L−、、−J
装置の一例の截断面図でおる。 1・・・処理室 3・・・基板 a、b・・・出発物質 特許出願人 日本真空技術株式会社 外2名 L−、、−J
Claims (1)
- 真空中でポリイミドの各出発物質を適宜の割合で同時に
蒸発させて基板上に堆積せしめると共にこれt−咳基板
上で加熱重合させることヵ・ら成るポリイミド膜の形成
方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5234484A JPS60197730A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | ポリイミド膜の形成方法 |
EP85301777A EP0155823B1 (en) | 1984-03-21 | 1985-03-14 | Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films |
DE8585301777T DE3571772D1 (en) | 1984-03-21 | 1985-03-14 | Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films |
US06/714,291 US4624867A (en) | 1984-03-21 | 1985-03-21 | Process for forming a synthetic resin film on a substrate and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5234484A JPS60197730A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | ポリイミド膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60197730A true JPS60197730A (ja) | 1985-10-07 |
JPH0250984B2 JPH0250984B2 (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=12912185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5234484A Granted JPS60197730A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | ポリイミド膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60197730A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62129182A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-06-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミド薄膜 |
JPS62232168A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性ポリイミド薄膜を含む電気・電子デバイス |
JPS6312172A (ja) * | 1986-03-11 | 1988-01-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPS63166961A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Ulvac Corp | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 |
JP2002539941A (ja) * | 1999-03-31 | 2002-11-26 | バッテル・メモリアル・インスティチュート | 薄膜としてポリウレタンを製造する方法 |
JP2012204518A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2012251224A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Kojima Press Industry Co Ltd | モノマー蒸発量制御装置及び蒸着重合装置並びにモノマー蒸発量の制御方法 |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP5234484A patent/JPS60197730A/ja active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62129182A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-06-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミド薄膜 |
JPS62135530A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-06-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性ポリイミド薄膜 |
JPH0446631B2 (ja) * | 1985-07-16 | 1992-07-30 | Kanegafuchi Chemical Ind | |
JPS6312172A (ja) * | 1986-03-11 | 1988-01-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPS62232168A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性ポリイミド薄膜を含む電気・電子デバイス |
JPS63166961A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Ulvac Corp | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 |
JP2002539941A (ja) * | 1999-03-31 | 2002-11-26 | バッテル・メモリアル・インスティチュート | 薄膜としてポリウレタンを製造する方法 |
JP2012204518A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2012251224A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Kojima Press Industry Co Ltd | モノマー蒸発量制御装置及び蒸着重合装置並びにモノマー蒸発量の制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0250984B2 (ja) | 1990-11-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |