JPS60197730A - ポリイミド膜の形成方法 - Google Patents

ポリイミド膜の形成方法

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JPS60197730A
JPS60197730A JP5234484A JP5234484A JPS60197730A JP S60197730 A JPS60197730 A JP S60197730A JP 5234484 A JP5234484 A JP 5234484A JP 5234484 A JP5234484 A JP 5234484A JP S60197730 A JPS60197730 A JP S60197730A
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JP
Japan
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polyimide film
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polyimide
heater
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JP5234484A
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Masayuki Iijima
正行 飯島
Yoshikazu Takahashi
善和 高橋
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Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Nihon Shinku Gijutsu KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 °　本発明は例えば半導体素子の絶縁膜、ノぞクシ４−
ジョン換、ノットエラー膜勢として用いられるポリイミ
ド膜の形成方法に関する。
従来、この種ポリイミド膜の形成方法としては。
例えばボリイミＰの各出発物質であるピロメリト酸二無
水物と４，４′−ジアミノジフェニルエーテルｔ−Ｎ、
Ｎ’−ジメチルホルムアミド等の溶媒で溶解してポリア
ミック酸を形成し、これを基板上に流延した後に加熱し
てポリイミド膜するいわゆる湿式法が知られているが、
極めて薄い膜が得られ難く、また基板に対するポリイミ
ド膜の密着性が不十分で、しかも溶媒の添加、除去１回
収勢の工程が入るために不純物の混入が起こシやずいと
いう不都合を有する。
本発明はかかる不都合を解消したポリイミド膜の形成方
法を提供することを目的とするもので、真空中でボリイ
ミＰの各出発物質を適宜の割合で同時に蒸発させて基板
上に堆積せしめると共にこれを該基板上で加熱重合させ
ることから成る。
尚、基板上での出発物質の加熱は、例えは予め所定温度
に加熱された基板上に各出発物質を堆積させるか、或い
は室温の基板上に各出発物質を堆積させた後に該基板管
所定温度に加熱することによシ行なうことができる。
又、このときの加熱温度Ｉ／１２００℃〜３００℃とす
るのが好ましい。
以下添付図面に従って本発明の一実施例に付き説明する
。
図面は本発明方法を実施する装置の一例を示すもので、
１は処理室を示し％該処理室１内を外部の真空ポンプそ
の他の真空排気系２に接続すると共に、該処理室１内上
位にポリイミドの蒸着被膜を形成せしめるべき基板３七
基板ホルダ４によって下向１＆に保持し、該基板３を該
基板ホルダ４の背面に設けられたヒータ５によって所望
温度に加熱できるようにし、まｆｃ骸処理室ｌ内下位に
該基板３に対向させてポリイミＰの出発物質ａ、ｂを蒸
発させるためのガラス製の蒸発用管６．６を設け、該各
蒸発用管６をその周囲に巻回されたヒータ７によって所
望温度に加熱できるようにした。
図中８はヒータ５の電源、９はヒータ７の電源、１０は
基板３と蒸発用管６，６との間に介在されるシャッタを
示す。
ま′ｆｃ１図中１１は温度制御のために出発物質ａ。
ｂ内に挿入された熱電対を示し、図示しないが外部に導
出の温度制御器で常時温度を測定できるようにした。
ここで当該装置によるポリイミド膜の製造の一例を示す
と、まず処理室１内雰囲気ガスの全圧を真空排気系２を
介してＩ　Ｘ　１０．　Ｔｏｒｒに設定する。
次で、シャッタ１０を閉じた状態で、蒸発用管６．６の
一方にボリイミＰの出発物質８であるピロメリト酸二無
水物と、他方に同じくボリイミＰの出発物ＬＲｂである
４、４′−ジアミノジフェニルエーテルとを充填し、こ
れらに各挿入される熱電対１１で温度を測定しなからヒ
ータ７゜７によってピロメリト酸二無水物？１７５℃±
２℃Ｉｃ、　ｔ７ｔ４　、４’−ジアミノジフェニルエ
ーテルを１７０℃±２℃に加熱する。
次で、出発物質ａ、ｂが所要温度に達して蒸発を開始し
た後にシャッタ１０′ｔ−開け、基板３上に該出発物質
ａ、ｂを１５０Ａ／分の析出速度で所定厚さに堆積させ
、その後肢シャッタ１０に閉じて該基板３をヒータ５で
２５０℃に加熱し、該温度を４０〜６０分間保持して該
基板３上でボリイミＰの重合反応を起こさせて該基板３
上にポリイミド膜を形成した。
尚、出発物質ａ、ｂｉｊ化学量論的に膜が形成されるよ
うに蒸気圧の調節によってｌ：１のモル比で蒸発するよ
うにした。
このように本発明によるときは、真空中でポリイミドの
各出発物質を基板上に直接堆積せしめると共にこれを該
基板上で加熱重合させることによってボリイミｒｇｔ−
形成するために、緻密で且つ高純度のポリイミド膜を基
板に対する良好な密着性をもって、しかも極めて薄い膜
會始め、所望膜厚に容易に形成できる効果上布する。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明ポリイミド膜の形成方法を実施するための
装置の一例の截断面図でおる。 １・・・処理室　３・・・基板 ａ、ｂ・・・出発物質 特許出願人　日本真空技術株式会社 外２名 Ｌ−、、−Ｊ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空中でポリイミドの各出発物質を適宜の割合で同時に
    蒸発させて基板上に堆積せしめると共にこれｔ−咳基板
    上で加熱重合させることヵ・ら成るポリイミド膜の形成
    方法。
JP5234484A 1984-03-21 1984-03-21 ポリイミド膜の形成方法 Granted JPS60197730A (ja)

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EP85301777A EP0155823B1 (en) 1984-03-21 1985-03-14 Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films
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