JPH0445259A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH0445259A JPH0445259A JP15235890A JP15235890A JPH0445259A JP H0445259 A JPH0445259 A JP H0445259A JP 15235890 A JP15235890 A JP 15235890A JP 15235890 A JP15235890 A JP 15235890A JP H0445259 A JPH0445259 A JP H0445259A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、成膜装置に関し、更に詳細には高分子膜の原
料モノマーを蒸発させて基板上に高分子膜を形成する際
に用いる成膜装置に関する。
料モノマーを蒸発させて基板上に高分子膜を形成する際
に用いる成膜装置に関する。
（従来の技術）
従来、この種の成膜装置としては、第２図示のように真
空処理室ａ内の下方に高分子膜の原料モノマーｂ、ｃを
蒸発させる蒸発源ｄ、ｅを配置し、真空処理室ａ内の上
方で該蒸発源ｄ。
空処理室ａ内の下方に高分子膜の原料モノマーｂ、ｃを
蒸発させる蒸発源ｄ、ｅを配置し、真空処理室ａ内の上
方で該蒸発源ｄ。
ｅに対向する位置に基板ｆを保持する基板保持装置ｇを
配置し、更に基板保持装置ｇの背面に基板ｆを加熱する
ヒーターｈを配置したものが知られている。
配置し、更に基板保持装置ｇの背面に基板ｆを加熱する
ヒーターｈを配置したものが知られている。
そして、前記装置で高分子膜を形成する場合は、所定圧
に減圧した真空処理室ａ内で蒸発源ｃｌ、 ｅにより
原料モノマーｂ、ｃを蒸発させ、これをヒーターｈで所
定温度に加熱された基板ｆ上で蒸着重合させて高分子膜
を形成するものである。
に減圧した真空処理室ａ内で蒸発源ｃｌ、 ｅにより
原料モノマーｂ、ｃを蒸発させ、これをヒーターｈで所
定温度に加熱された基板ｆ上で蒸着重合させて高分子膜
を形成するものである。
尚、図中、１は真空処理室ａの真空排気系、〕はモノマ
ー回収トラップ、ｋは真空処理室ａの壁面、βは蒸発源
ｄ、ｅのヒーター、ｍは各蒸発源ｄ、ｅと基板ｆの間に
介在させたシャッタ、ｎは両蒸発源ｄ、ｅ間に配置した
仕切板を夫々示す。
ー回収トラップ、ｋは真空処理室ａの壁面、βは蒸発源
ｄ、ｅのヒーター、ｍは各蒸発源ｄ、ｅと基板ｆの間に
介在させたシャッタ、ｎは両蒸発源ｄ、ｅ間に配置した
仕切板を夫々示す。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、前記成膜装置は、蒸発源ｄ。
ｅから蒸発した原料モノマーｂ、ｃは基板ｆ上に蒸着す
るばかりではなく、真空処理室ａの壁面にやトラップｊ
等に付着するので、原料モノマーから得られる高分子膜
の収量は当初の原料モノマー量よりも相当域ることとな
るので、高分子膜を形成した場合、その膜形成に要した
原料モノマーの利用効率（ここでは高分子膜の収量を原
料モノマーの使用量で割った値であり、以下高分子膜の
収率という）は数〜２０％程度であり、高分子膜の収率
が極めて低いという問題がある。
るばかりではなく、真空処理室ａの壁面にやトラップｊ
等に付着するので、原料モノマーから得られる高分子膜
の収量は当初の原料モノマー量よりも相当域ることとな
るので、高分子膜を形成した場合、その膜形成に要した
原料モノマーの利用効率（ここでは高分子膜の収量を原
料モノマーの使用量で割った値であり、以下高分子膜の
収率という）は数〜２０％程度であり、高分子膜の収率
が極めて低いという問題がある。
本発明は、かかる問題点を解消した成膜装置を提供する
ことを目的とする。
ことを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明の成膜装置は、真空処理室内に、高分子膜の原料
モノマーを蒸発させる蒸発源または外部蒸発源からの蒸
発口と、該蒸発源からの原料モノマーの蒸着重合で高分
子膜が形成される基板とを互いに対向して配置した成膜
装置において、真空処理室に蒸発源から基板に至る間の
真空処理室の壁面を加熱する加熱装置を配置したことを
特徴とする。
モノマーを蒸発させる蒸発源または外部蒸発源からの蒸
発口と、該蒸発源からの原料モノマーの蒸着重合で高分
子膜が形成される基板とを互いに対向して配置した成膜
装置において、真空処理室に蒸発源から基板に至る間の
真空処理室の壁面を加熱する加熱装置を配置したことを
特徴とする。
（作 用）
真空処理室内で蒸発源より原料上ツマ−を蒸発させると
該原料モノマーは基板上で蒸着重合して高分子膜を形成
する。この場合、蒸発源から基板に至る間の真空処理室
の壁面は加熱装置で加熱されるので、原料モノマーは壁
面に到達しても直ちに再蒸発し、付着することなく基板
上に到達する。
該原料モノマーは基板上で蒸着重合して高分子膜を形成
する。この場合、蒸発源から基板に至る間の真空処理室
の壁面は加熱装置で加熱されるので、原料モノマーは壁
面に到達しても直ちに再蒸発し、付着することなく基板
上に到達する。
（実施例）
本発明の実施の１例を添付図面に基づき説明する。
第１図は本発明装置の１例を示すものであり、図中、ｌ
は真空処理室を示し、該真空処理室１内を真空ポンプ等
の真空排気系２接続した。そして真空処理室１内の下方
に高分子膜の原料モノマーＡ、Ｂを蒸発させるためのガ
ラスまたはＣｕ製容器から成る蒸発源３，３を設け、該
蒸発源３の周囲に巻回したヒーター４によって前記原料
モノマーＡ、Ｂを所定温度に加熱出来るようにした。ま
た、真空処理室１の上方に蒸発源３に対向させて高分子
膜を形成せしめるべき基板５を基板保持装置６によって
下向きに保持するようにした。
は真空処理室を示し、該真空処理室１内を真空ポンプ等
の真空排気系２接続した。そして真空処理室１内の下方
に高分子膜の原料モノマーＡ、Ｂを蒸発させるためのガ
ラスまたはＣｕ製容器から成る蒸発源３，３を設け、該
蒸発源３の周囲に巻回したヒーター４によって前記原料
モノマーＡ、Ｂを所定温度に加熱出来るようにした。ま
た、真空処理室１の上方に蒸発源３に対向させて高分子
膜を形成せしめるべき基板５を基板保持装置６によって
下向きに保持するようにした。
かかる構成は従来のものと特に変わるところがないが、
本発明のものは、真空処理室１に蒸発源３から基板５に
至る間の真空処理室１の壁面７を加熱する加熱装置８を
配置するようにしたもので、図示例では、壁面７をその
上方部分が基板５に近ずくに従い狭められる傾斜状とし
、該壁面７の内面に加熱ヒーター８を巻回し、該加熱ヒ
ーター８で該壁面７を所定温度に設定出来るようにした
。
本発明のものは、真空処理室１に蒸発源３から基板５に
至る間の真空処理室１の壁面７を加熱する加熱装置８を
配置するようにしたもので、図示例では、壁面７をその
上方部分が基板５に近ずくに従い狭められる傾斜状とし
、該壁面７の内面に加熱ヒーター８を巻回し、該加熱ヒ
ーター８で該壁面７を所定温度に設定出来るようにした
。
また、基板保持装置６を密閉型箱に構成すると共に、該
基板保持装置６に一定温度の液体（例えば温度２５℃の
恒温水）を循環させる循環パイプ９を介して循環ポンプ
１０を接続し、該循環ポンプ１０で該恒温水を循環させ
て基板保持装置６に保持される基板５を所定温度に維持
出来るようにした。
基板保持装置６に一定温度の液体（例えば温度２５℃の
恒温水）を循環させる循環パイプ９を介して循環ポンプ
１０を接続し、該循環ポンプ１０で該恒温水を循環させ
て基板保持装置６に保持される基板５を所定温度に維持
出来るようにした。
尚、図中、１１は基板５の直前に配置したシャッタ、１
２は両蒸発源３間に配置した仕切板、１３はモノマーの
回収トラップを夫々示す。
２は両蒸発源３間に配置した仕切板、１３はモノマーの
回収トラップを夫々示す。
次に、前記装置を用い、高分子膜としてポリイミド膜の
作成例を説明する。
作成例を説明する。
先ず、原料モノマーの蒸発源３，３の一方に原料モノマ
ーＡとしてピロメリット酸二無水物と、他方に原料モノ
マーＢとして４，４′−ジアミノジフェニルエーテルを
充填し、シャッタ１１を閉じた状態で真空処理室１内を
真空排気系２を介して１×１Ｏ−６Ｔｏｒｒに設定した
。
ーＡとしてピロメリット酸二無水物と、他方に原料モノ
マーＢとして４，４′−ジアミノジフェニルエーテルを
充填し、シャッタ１１を閉じた状態で真空処理室１内を
真空排気系２を介して１×１Ｏ−６Ｔｏｒｒに設定した
。
また基板保持装置６内に循環ポンプ１０て恒温水を循環
させ、基板保持装置６に保持された基板５を温度２５℃
になるようにした。
させ、基板保持装置６に保持された基板５を温度２５℃
になるようにした。
また、加熱装置８て蒸発源３から基板５に至る間の壁面
７を温度１５０℃になるようにした。
７を温度１５０℃になるようにした。
次に、レートモニター（図示せず）で蒸発源３．３から
の各原料モノマーＡ、Ｂの蒸発レートを測定しながら各
ヒーター４でピロメリット二無水物を１８０±２℃に、
また４、４′−ジアミノジフェニルエーテルを１６０±
２℃に加熱し、この時各原料モノマーＡ、Ｂが１：１の
モル比で蒸発するように真空処理室１内の圧力を５ Ｘ
１０−６Ｔｏｒｒに設定した。
の各原料モノマーＡ、Ｂの蒸発レートを測定しながら各
ヒーター４でピロメリット二無水物を１８０±２℃に、
また４、４′−ジアミノジフェニルエーテルを１６０±
２℃に加熱し、この時各原料モノマーＡ、Ｂが１：１の
モル比で蒸発するように真空処理室１内の圧力を５ Ｘ
１０−６Ｔｏｒｒに設定した。
続いて原料モノマーが所定温度に達して所要の蒸発レー
トが得られた後にシャッタ１コーを開き、基板５上に原
料上ツマ−Ａ、Ｂを１００人〆秒の析出速度で厚さ１０
μｍに蒸着させた。
トが得られた後にシャッタ１コーを開き、基板５上に原
料上ツマ−Ａ、Ｂを１００人〆秒の析出速度で厚さ１０
μｍに蒸着させた。
そして基板５上に蒸着重合された蒸着膜（ここではポリ
アミック酸）を温度２００℃で１時間加熱し、高分子化
（ここではイミド化）させて高分子膜を形成した。
アミック酸）を温度２００℃で１時間加熱し、高分子化
（ここではイミド化）させて高分子膜を形成した。
尚、基板５は大きさ１００ｍ５角のガラスを用い、また
、蒸発源３と基板５との間隔は３５０ｉｌｌとした。
、蒸発源３と基板５との間隔は３５０ｉｌｌとした。
前記のような高分子膜の形成実験を数回行い、各実験毎
に両蒸発源の充填した原料モノマーの減少量と、基板上
に形成された高分子膜の収量を夫々算出し、高分子膜の
収率を求めたところ６５〜７０％であった。
に両蒸発源の充填した原料モノマーの減少量と、基板上
に形成された高分子膜の収量を夫々算出し、高分子膜の
収率を求めたところ６５〜７０％であった。
また、真空処理室１の壁面７を調べたところ付着してい
た原料モノマーは僅かに５％程度であった。
た原料モノマーは僅かに５％程度であった。
このように高分子膜の収率が太き（向上したことが確認
された。
された。
また、加熱後の高分子膜を赤外線吸光スペクトル（ＦＴ
ＩＲ）分析したところポリイミドであった。
ＩＲ）分析したところポリイミドであった。
このように壁面７を温度１５０℃に、また基板５を温度
２５℃程度に維持することにより、蒸発源３からの原料
モノマーの蒸気は該壁面７に到達しても直ちに再蒸発し
て付着することがなく、また、低温に維持されている基
板５上に到達した原料モノマーは再蒸発することなく蒸
着して蒸着膜を形成する。
２５℃程度に維持することにより、蒸発源３からの原料
モノマーの蒸気は該壁面７に到達しても直ちに再蒸発し
て付着することがなく、また、低温に維持されている基
板５上に到達した原料モノマーは再蒸発することなく蒸
着して蒸着膜を形成する。
次に、高分子膜としてポリュリア膜の作成例を説明する
。
。
原料モノマーＡとしてピロメリットニ無水物の代わりに
４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネートを、また
原料モノマーＢとして４゜４′−ジアミノジフェニルエ
ーテルの代わりに４．４′−ジアミノジフェニルメタン
を用い、また、４．４’ −ジフェニルメタンジイソシ
アネートの加熱温度を７０±１℃、４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタンの加熱温度を１１０±１℃とし、また
、真空処理室１の壁面７温度を１００℃とし、原料モノ
マーの蒸発時の真空処理室１内の圧力を５ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒとした以外は前記実施例と同様の方法で基板
５上に高分子膜を作成した。
４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネートを、また
原料モノマーＢとして４゜４′−ジアミノジフェニルエ
ーテルの代わりに４．４′−ジアミノジフェニルメタン
を用い、また、４．４’ −ジフェニルメタンジイソシ
アネートの加熱温度を７０±１℃、４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタンの加熱温度を１１０±１℃とし、また
、真空処理室１の壁面７温度を１００℃とし、原料モノ
マーの蒸発時の真空処理室１内の圧力を５ Ｘ １０−
’Ｔｏｒｒとした以外は前記実施例と同様の方法で基板
５上に高分子膜を作成した。
そして、前記実施例と同様の方法で高分子膜の収率を求
めたところ６０〜７０％であった。
めたところ６０〜７０％であった。
このように高分子膜の収率が大きく向上したことが確認
された。
された。
また、作成された高分子膜を赤外線吸光スペクトル分析
したところポリュリアであった。
したところポリュリアであった。
前記図示例では真空処理室１の壁面７を加熱する加熱装
置８の配置を壁面の内面に巻回としたが、これに限定さ
れるものではなく該加熱装置を壁面の外面に巻回しても
よい。
置８の配置を壁面の内面に巻回としたが、これに限定さ
れるものではなく該加熱装置を壁面の外面に巻回しても
よい。
また、図示例では原料モノマーの蒸発源を真空処理室内
に配置したが、原料モノマーの蒸発源を真空処理室の外
部に配置し、該蒸発源からの原料モノマーの蒸発口を真
空処理室内に設けてもよい。
に配置したが、原料モノマーの蒸発源を真空処理室の外
部に配置し、該蒸発源からの原料モノマーの蒸発口を真
空処理室内に設けてもよい。
本発明成膜装置は、前記実施例のような基板上の一部に
高分子膜を形成する場合だけではなく、全方向同時蒸着
法により基板全面に高分子膜を形成させる際にも利用す
ることが出来る。
高分子膜を形成する場合だけではなく、全方向同時蒸着
法により基板全面に高分子膜を形成させる際にも利用す
ることが出来る。
また、基板５の直前に設けたシャッタ１１とは別個に、
真空処理室１内の各蒸発源３の上方に夫々シャッタを設
けることによって、各蒸発源３からの原料モノマーの蒸
発レートを制御しやすくなる。
真空処理室１内の各蒸発源３の上方に夫々シャッタを設
けることによって、各蒸発源３からの原料モノマーの蒸
発レートを制御しやすくなる。
（発明の効果）
このように本発明装置によるときは、真空処理室に蒸発
源から基板に至る間の真空処理室の壁面を加熱する加熱
装置を配置するようにしたので、原料モノマーは加熱さ
れた壁面に到達しても直ちに再蒸発し、付着することな
く基板上に到達し、蒸着させることが出来るから高分子
膜の収率を向上させることが出来る成膜装置を提供する
効果がある。
源から基板に至る間の真空処理室の壁面を加熱する加熱
装置を配置するようにしたので、原料モノマーは加熱さ
れた壁面に到達しても直ちに再蒸発し、付着することな
く基板上に到達し、蒸着させることが出来るから高分子
膜の収率を向上させることが出来る成膜装置を提供する
効果がある。
第１図は本発明装置の１実施例の概略断面図、第２図は
従来の成膜装置の概略断面図である。 １・・・真空処理室 ３・・・蒸発源５・・・基
板 ７・・・壁 面８・・・加熱装置 特 許 出 願 人 日本真空技術株式会社代
理 人 北 村 欣 岬
外３名 第 １図
従来の成膜装置の概略断面図である。 １・・・真空処理室 ３・・・蒸発源５・・・基
板 ７・・・壁 面８・・・加熱装置 特 許 出 願 人 日本真空技術株式会社代
理 人 北 村 欣 岬
外３名 第 １図
Claims (1)
- 真空処理室内に、高分子膜の原料モノマーを蒸発させ
る蒸発源または外部蒸発源からの蒸発口と、該蒸発源か
らの原料モノマーの蒸着重合で高分子膜が形成される基
板とを互いに対向して配置した成膜装置において、真空
処理室に蒸発源から基板に至る間の真空処理室の壁面を
加熱する加熱装置を配置したことを特徴とする成膜装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15235890A JPH0445259A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15235890A JPH0445259A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445259A true JPH0445259A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15538799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15235890A Pending JPH0445259A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445259A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004059982A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着方法 |
| JP2008308766A (ja) * | 2001-12-12 | 2008-12-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜方法 |
| JP2009238756A (ja) * | 1997-11-17 | 2009-10-15 | Trustees Of Princeton Univ | 有機薄膜の低圧蒸着 |
| JP4986845B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2012-07-25 | 株式会社アルバック | 真空成膜システム |
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-
1990
- 1990-06-11 JP JP15235890A patent/JPH0445259A/ja active Pending
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