JPH1092800A - 蒸発源および蒸発源を備えた真空処理室、有機化合物膜の成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 蒸発源内で原料モノマーの不純物を取り去
り、純度の高い原料モノマーを供給してパーティクルの
少ない有機化合物膜を成膜する方法の提供。 【解決手段】 真空処理室内で有機化合物膜の二種類の
原料モノマーを夫々の蒸発源より蒸発させ、基板上に蒸
着重合させて有機化合物膜を成膜する方法において、原
料モノマーのうち少なくとも一方の原料モノマーの蒸発
を蒸発源に加熱冷却装置および排気装置を取付けた蒸発
源を用いて蒸発させて有機化合物膜を成膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蒸発源および蒸発
源を備えた真空処理室、有機化合物膜の成膜方法に関す
るものであり、更に詳細には、例えば半導体素子の絶縁
膜、パッシベーション膜、ソフトエラー膜、液晶配向、
プラスチックコンデンサーの誘電体、射出成形金型の断
熱膜等に用いられる有機化合物膜を成膜する際に、該有
機化合物膜の原料モノマーを蒸発させるために用いる蒸
発源および蒸発源を備えた真空処理室、有機化合物膜の
成膜方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、前記有機化合物膜の原料モノマー
となる有機化合物は、無機化合物に比べて、蒸気圧が高
く、低温度で蒸発（昇華）し、真空中での蒸発温度は、
一般にマイナス１０℃からプラス２５０℃の範囲にあ
る。

【０００３】そして、この種の有機化合物膜の原料モノ
マーを蒸発させる蒸発源としては、従来はボートを用
い、抵抗加熱によって原料モノマーを直接加熱して蒸発
させるもの、ボートの近傍に配設された加熱ヒーター等
の輻射装置で原料モノマーを輻射加熱して蒸発させるも
の、或いは、通常のＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法と同様に真空処理室の外側で加熱蒸発して得られ
たガス状の原料モノマーを配管を介して真空処理室内に
導入させるもの等が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の有機化合物膜の
原料モノマーには、市販の有機化合物をそのまま利用し
ている。しかし、既製品では、純度が100％ではないた
め、少なくとも0.1％以上の不純物を含んでいるのが現
状である。例えばピロメリト酸二無水物の場合の工場出
荷の規格値が純度99.2％であったとすると、1kg中に
は、既に少なくとも8gの不純物を含んでいることにな
る。原料モノマーの種類、保管状況によっては、大気中
の水（湿気）等と反応し、更に不純物を増加させること
になる。

【０００５】これら有機化合物膜の原料モノマーを用い
て基板上に有機化合物の蒸着重合膜を成膜すると、膜中
にこれら不純物が反応しないで、パーティクルとして残
ってしまい、凹凸やピンホールのある膜が出来てしま
う。

【０００６】そこで、蒸発中に有機化合物粉体が蒸発源
の外へ飛散するのを防ぎ、ピンホールのない膜を成膜す
るという目的で、特開平6-349809号公報で「有機化合物
原料を収容した蒸発材料容器を加熱して有機化合物を蒸
発させるようにした有機化合物用蒸発源において、有機
化合物蒸発源の上部にフィルタを設け、有機化合物原料
粉体を蒸発材料容器の外へ飛散させないようにした有機
化合物用蒸発源」が提案されている。そしてフィルタと
して発泡金属を用いている。

【０００７】しかし、前記特開平6-349809号公報で提案
の有機化合物用蒸発源の場合は、フィルタ（発泡金属）
で有機化合物原料粉体の飛散を防止することが出来て
も、原料モノマーの不純物は、原料モノマーと共にフィ
ルタ（発泡金属）を通過してしまう。そのため、膜厚が
0.1μｍ（1×10³Å）以下の薄膜であれば影響は少ない
が、膜厚が10μｍ（1×10⁵Å）以上の厚膜を成膜する
と、この不純物が核成長し、数μｍ以上の凹凸が生成さ
れてしまう。

【０００８】原料モノマーの飽和蒸気圧の差を利用し
て、蒸発量を抑制し、純度が100％の原料モノマーのみ
を蒸発させれば、この問題を解消することが出来るが、
この場合、成膜速度が５分の１以下になり、実用的では
ない。

【０００９】本発明は、上記のような従来の問題点を解
決するもので、蒸発源内で原料モノマーの不純物を取り
去り、パーティクルの少ない有機化合物膜を成膜するこ
とが可能な蒸発源および蒸発源を備えた真空処理室、有
機化合物膜の成膜方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の蒸発源は、真空
中で基板上に形成する有機化合物膜の二種類の原料モノ
マーを蒸発させるための蒸発源において、蒸発源のうち
少なくとも一方の蒸発源は蒸発源に加熱冷却装置と排気
装置を取付けた構成としたことを特徴する。

【００１１】また、蒸発源を備えた真空処理室は、真空
中で基板上に形成する有機化合物膜の二種類の原料モノ
マーを蒸発させるための蒸発源を備えた真空処理室にお
いて、蒸発源のうち少なくとも一方の蒸発源は蒸発源に
加熱冷却装置と排気装置を取付けた構成としたことを特
徴する。

【００１２】また、有機化合物膜の成膜方法は、真空処
理室内で有機化合物膜の二種類の原料モノマーを夫々の
蒸発源より蒸発させ、基板上に蒸着重合させて有機化合
物膜を成膜する方法において、原料モノマーのうち少な
くとも一方の原料モノマーの蒸発は蒸発源に加熱冷却装
置および排気装置を取付けた蒸発源を用いて蒸発させる
ことを特徴とする。

【００１３】［作用］加熱冷却装置と排気装置とを取付
けた蒸発源に入っている一方の原料モノマーを加熱し、
蒸発源に連なる加熱冷却装置を冷却すると共に、排気装
置で排気することにより、飽和蒸気圧の差を利用して、
原料モノマーのみが昇華精製され、冷却されている加熱
冷却装置内に付着するようになる。この時原料モノマー
中の不純物は、元の蒸発源にとどまるため、容易に分離
出来るようになる。

【００１４】次に、排気装置の排気を止め、加熱冷却装
置に接続されている真空処理室側から排気すると共に、
加熱冷却装置の冷却を停止し、これを加熱することによ
り、この加熱冷却装置内に付着していた原料モノマーが
蒸発し、真空処理室内に導入される。真空処理室内に導
入された一方の原料モノマーは、他の蒸発源で加熱さ
れ、蒸発し、真空処理室内に導入された他方の原料モノ
マーと基板上で蒸着し、重合して有機化合物膜が成膜さ
れるようになる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の蒸発源は、原料モノマー
を蒸発させる蒸発源のうち一方の蒸発源を、蒸発源と、
加熱冷却機構と蒸発源内を独自に排気出来る真空排気装
置を取付けた蒸発源との二段構造を備える機構とした蒸
発源である。

【００１６】本発明の蒸発源の構成を添付図面に基づき
説明する。

【００１７】図１は本発明の蒸発源の１実施例を示す。

【００１８】図中、１は蒸発源全体を示し、蒸発源１ａ
と蒸発源１ｂの二部構成になっている。

【００１９】蒸発源１ａは蒸発槽２、原料モノマー３お
よび原料モノマー３を充填するためのアルミニウム製ま
たは銅製のルツボ４および蒸発槽２を覆っている蒸発源
ヒーター５で構成されている。

【００２０】また、蒸発源１ｂは金属製の真空容器６と
真空容器６を覆っている真空容器ヒーター７で構成され
ている。そして、真空容器６内には冷媒循環器８を介し
て水または不凍液のような冷媒を循環して冷却出来る金
属製の円筒状容器９が配置されている。

【００２１】また、蒸発源１ａと蒸発源１ｂはバルブ１
０を介して蒸発源１ａ側に配管ヒーター１１ａを備える
配管１１と、蒸発源１ｂ側に配管ヒーター１２ａを備え
る配管１２とで接続されている。

【００２２】また、蒸発源１ｂは排気バルブ１３を介し
て図示されていない真空排気系と接続されている。ま
た、蒸発源１ｂはバルブ１４を介して全方向蒸着重合装
置（日本真空技術株式会社製、商品名VEP3040）の真空
処理室内のモノマーノズルと接続するようにした。

【００２３】このように、蒸発源１ｂは真空容器６と、
真空容器６を覆っている真空容器ヒーター７と、真空容
器６内の冷却機構を備えた円筒状容器９とから成る加熱
冷却装置と、排気バルブ１３を介して接続された真空排
気系から成る排気装置を備えた構成である。

【００２４】次に、前記構成の蒸発源を備えた真空処理
室の構成を添付図面に基づき説明する。

【００２５】図２は図１の蒸発源１（蒸発源１ａと蒸発
源１ｂ）を全方向蒸着重合装置（日本真空技術株式会社
製、商品名VEP3040）の真空処理室に接続した場合の１
例の構成図である。

【００２６】先ず、図２に示すように、図１に示す蒸発
源１（蒸発源１ａと蒸発源１ｂ）をバルブ１４を介して
真空処理室１５内のモノマーノズル１６に接続した。

【００２７】図２に示す装置には、本発明の蒸発源１ａ
と蒸発源１ｂから成る蒸発源１の他に、蒸発源１ｃを有
する。

【００２８】蒸発源１ｃは蒸発槽１７、原料モノマー１
８および原料モノマー１８を充填するためのアルミニウ
ム製または銅製のルツボ１９および蒸発槽１７を覆って
いる蒸発源ヒーター２０で構成されている。

【００２９】また、蒸発源１ｃはバルブ２１に配管ヒー
ター２２ａを備える配管２２を接続すると共に、蒸発源
１ｃをバルブ２１を介して真空処理室１５内のモノマー
ノズル２３に接続した。

【００３０】また、全方向同時蒸着装置の真空処理室１
５内には有機化合物膜の原料モノマー３、１８を蒸着さ
せ、重合させて有機化合物膜を形成するための基板２４
を基板保持装置（図示せず）に保持するようにした。

【００３１】また、全方向同時蒸着装置の真空処理室１
５は排気バルブ２５を介して図示されていない真空排気
系が接続されている。また、真空処理室１５の全壁部に
は加熱ヒーター２６が配置されている。また、前記真空
処理室１５と排気バルブ２５に接続されている真空排気
系配管２７には配管ヒーター２７ａが配置されている。

【００３２】

【実施例】前記図２に示す装置を用いて本発明の有機化
合物膜の成膜方法の具体的実施例を比較例と共に説明す
る。

【００３３】実施例１ 本実施例は有機化合物膜の原料モノマーとしてピロメリ
ト酸二無水物（以下ＰＭＤＡと称する）と、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル（以下ＯＤＡと称する）を
用いてポリイミド膜の成膜例である。

【００３４】また、基板２４としてステンレス製の大き
さ縦100mm×横100mm×厚さ1mmの平板状のものを用い
た。

【００３５】先ず、蒸発源１ａ内のルツボ４に原料モノ
マー３としてＰＭＤＡを200g充填した。そして、バルブ
１０とバルブ１３を開き、バルブ１３に接続してある真
空排気系を介して蒸発源１ａ内の圧力を予め1.3×10^-3P
a(1×10^-5Torr)に設定した。尚、バルブ１４は閉じた状
態とした。

【００３６】続いて、蒸発源ヒーター５で蒸発槽２内の
ＰＭＤＡを温度210±0.2℃に加熱し、昇華させ、バルブ
１０を介して蒸発源１ｂの真空容器６内の円筒状容器９
に付着させた。この時、配管ヒーター１１ａで配管１１
を、また配管ヒーター１２ａで配管１２を夫々温度200
±0.2℃に加熱した。また、予め冷媒循環器８を介して
循環せる冷媒（不凍液）で円筒状容器９を温度−2±0.2
℃に冷却した。

【００３７】すると、円筒状容器９には白色のＰＭＤＡ
が約190g付着しており、蒸発源１ａ内のルツボ４内には
綿状の残渣（ＰＭＤＡの不純物であるピロメリト酸）が
残っていた。

【００３８】続いて、バルブ１０とバルブ１３を閉じ、
冷媒循環器８を介して循環せる冷媒による円筒状容器９
の冷却を停止すると共に、真空容器ヒーター７で円筒状
容器９に付着しているＰＭＤＡを温度210±0.2℃に加熱
した。

【００３９】次に、蒸発源１ｃ内のルツボ１９に原料モ
ノマー１８としてＯＤＡを200g充填した。また、バルブ
２１を開き、真空処理室１５の排気バルブ２５に接続し
た真空排気系を介して蒸発源１ｃ内の圧力を予め1.3×1
0^-3Pa(1×10^-5Torr)に設定した。

【００４０】続いて、バルブ２１を閉じ、蒸発源ヒータ
ー２０で蒸発槽１９内のＯＤＡを温度183±0.2℃に加熱
した。

【００４１】尚、真空処理室ヒーター２６で真空処理室
１５を、また、配管ヒーター２７ａで真空排気系配管２
７を夫々温度200±0.2℃に加熱した。

【００４２】次に、バルブ１４とバルブ２１とを同時に
開き、ＰＭＤＡをバルブ１４を介してモノマーノズル１
６より真空処理室１５内に導入すると共に、ＯＤＡをバ
ルブ２１を介してモノマーノズル２３より真空処理室１
５内に導入した。

【００４３】真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの
導入１時間後、バルブ１４とバルブ２１とを同時に閉じ
て、真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの導入を停
止して、基板２４表面全体に膜厚10μｍ（1×10⁵Å）の
ポリイミド膜を成膜した。

【００４４】尚、基板２４へのポリイミド膜の成膜速度
は16μｍ（1.6×10⁶Å）／分(min)とした。また、ＰＭ
ＤＡとＯＤＡは化学量論的にポリイミド膜が形成される
ように１：１のモル比で蒸発させるようにした。また、
成膜中は基板２４の温度は200℃とした。また、成膜中
の真空処理室１５内の圧力は0.1Pa(1×10^-3Torr)とし
た。

【００４５】続いて、真空処理室１５内を常圧にした
後、真空処理室１５内より基板２４を取出し、基板２４
を見たところ、表面には凹凸が極めて少ない、きれいな
ポリイミド膜が形成されていた。

【００４６】基板２４上に成膜されたポリイミド膜の表
面状態［金属顕微鏡写真（倍率100倍）］を図３に示
す。

【００４７】比較例１ 本比較例は従来法により有機化合物膜の原料モノマーと
してピロメリト酸二無水物（以下ＰＭＤＡと称する）
と、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（以下ＯＤ
Ａと称する）を用いてポリイミド膜の成膜例である。

【００４８】また、基板２４としてステンレス製の大き
さ縦100mm×横100mm×厚さ1mmの平板状のものを用い
た。

【００４９】また、本比較例は従来法と同様に図２に示
す蒸発源１ｂを機能させずにポリイミド膜を成膜した場
合である。そして、排気バルブ１３は常に閉じた状態と
し、バルブ１４は常に開いた状態とした。また、配管ヒ
ーター１２ａで配管１２を、また、真空容器ヒーター７
で蒸発源１ｂの真空容器６を温度200±0.2℃に加熱し
た。

【００５０】先ず、蒸発源１ａ内のルツボ４に原料モノ
マー３としてＰＭＤＡを200g充填した。そして、バルブ
１０と真空処理室１５に接続した排気バルブ２５を開
き、排気バルブ２５に接続してある真空排気系を介して
蒸発源１ａ内の圧力を予め1.3×10^-3Pa(1×10^-5Torr)に
設定した。

【００５１】続いて、バルブ１０を閉じ、蒸発源ヒータ
ー５で蒸発槽２内のＰＭＤＡを温度210±0.2℃に加熱し
た。また、配管ヒーター１１ａで配管１１を温度200±
0.2℃に加熱した。

【００５２】次に、蒸発源１ｃ内のルツボ１９に原料モ
ノマー１８としてＯＤＡを200g充填した。また、バルブ
２１を開き、真空処理室１５の排気バルブ２５に接続し
た真空排気系を介して蒸発源１ｃ内の圧力を予め1.3×1
0^-3Pa(1×10^-5Torr)に設定した。

【００５３】続いて、バルブ２１を閉じ、蒸発源ヒータ
ー２０で蒸発槽１９内のＯＤＡを温度183±0.2℃に加熱
した。また、配管ヒーター２２ａで配管２２を温度200
±0.2℃に加熱した。

【００５４】尚、真空処理室ヒーター２６で真空処理室
１５を、また、配管ヒーター２７ａで真空排気系配管２
７を夫々温度200±0.2℃に加熱した。

【００５５】次に、バルブ１０とバルブ２１とを同時に
開き、ＰＭＤＡをバルブ１０を介してモノマーノズル１
６より真空処理室１５内に導入すると共に、ＯＤＡをバ
ルブ２１を介してモノマーノズル２３より真空処理室１
５内に導入した。

【００５６】真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの
導入１時間後、バルブ１０とバルブ２１とを同時に閉じ
て、真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの導入を停
止して、基板２４表面全体に膜厚10μｍ（1×10⁵Å）の
ポリイミド膜を成膜した。

【００５７】尚、基板２４へのポリイミド膜の成膜速度
は16μｍ（1.6×10⁶Å）／分(min)とした。また、ＰＭ
ＤＡとＯＤＡは化学量論的にポリイミド膜が形成される
ように１：１のモル比で蒸発させるようにした。また、
成膜中は基板２４の温度は200℃とした。また、成膜中
の真空処理室１５内の圧力は0.1Pa(1×10^-3Torr)とし
た。

【００５８】続いて、真空処理室１５内を常圧にした
後、真空処理室１５内より基板２４を取出し、基板２４
を見たところ、表面には凹凸のあるポリイミド膜が形成
されていた。

【００５９】基板２４上に形成されたポリイミド膜の表
面状態［金属顕微鏡写真（倍率100倍）］を図４に示
す。

【００６０】図３および図４から明らかなように、本発
明の蒸発源を用いた実施例１は表面が平らであるのに対
し、本発明の蒸発源を用いない従来法による比較例１は
表面が凹凸であることが分かる。

【００６１】次にＰＭＤＡの加熱温度を種々変えてポリ
イミド膜を成膜した場合における、ＰＭＤＡの加熱温度
と成膜されたポリイミド膜のパーティクル密度との関係
を調べることとした。

【００６２】実施例２ ポリイミド膜の成膜条件を 基板：スライドガラス（大きさ76mm×26mm×厚さ1m
m） 原料モノマーの加熱温度 ＯＤＡ：183±0.2℃ ＰＭＤＡ：210±0.2℃、230±0.2℃の２種類 基板温度：200℃ 成膜中の真空処理室内の圧力：1Pa(7.5×10^-3Torr) 成膜時間：ＰＭＤＡ温度210±0.2℃の場合は2時間 ＰＭＤＡ温度230±0.2℃の場合は1.5時間 尚、成膜時間は膜厚を一定にするためにＰＭＤＡ温度に
より時間調整した 膜厚：10μｍ（1×10⁵Å） とした以外は、前記実施例１と同様の方法で基板上にポ
リイミド膜を成膜した。

【００６３】そして、ＰＭＤＡの加熱温度が異なる条件
で成膜されたポリイミド膜の夫々について、単位面積
（１cm²）のポリイミド膜内で大きさφ10μｍ以上のパ
ーティクルの数を金属顕微鏡（倍率100倍）で計測し
た。尚、計測は１サンプル内で、いずれも５個所測定
し、その平均値をパーティクル密度として表１に示し
た。

【００６４】比較例２ ポリイミド膜の成膜条件を 基板：スライドガラス（大きさ76mm×26mm×厚さ1m
m） 原料モノマーの加熱温度 ＯＤＡ：183±0.2℃ ＰＭＤＡ：160±0.2℃、170±0.2℃、180±0.2℃、210
±0.2℃の４種類 基板温度：200℃ 成膜中の真空処理室内の圧力：1Pa(7.5×10^-3Torr) 成膜時間：ＰＭＤＡ温度160±0.2℃の場合は4時間 ＰＭＤＡ温度170±0.2℃の場合は3時間 ＰＭＤＡ温度180±0.2℃の場合は2.5時間 ＰＭＤＡ温度210±0.2℃の場合は2時間 尚、成膜時間は膜厚を一定にするためにＰＭＤＡ温度に
より時間調整した 膜厚：10μｍ（1×10⁵Å） とした以外は、前記比較例１と同様の方法で基板上にポ
リイミド膜を成膜した。

【００６５】そして、ＰＭＤＡの加熱温度が異なる条件
で成膜されたポリイミド膜の夫々について、前記実施例
２と同様の方法でパーティクルの数を計測し、その平均
値をパーティクル密度として表１に示した。

【００６６】

【表１】 尚、表１におけるパーティクル密度は全て成膜されたポ
リイミド膜の膜厚10μｍで対比した。

【００６７】表１から明らかなように、本発明の蒸発源
を用いた実施例２は、パーティクル密度は原料モノマー
の温度に依存しないが、本発明の蒸発源を用いない従来
法による比較例２は、パーティクル密度は原料モノマー
の温度に依存することが分かる。

【００６８】本発明の蒸発源を備えた真空処理室はの構
成は、前記図２（図１の蒸発源１を全方向蒸着重合装置
［日本真空技術株式会社製、商品名VEP3040］の真空処
理室に１個接続）に示す構成に限定されるものではな
く、次のような構成としてもよい。その構成について説
明する。

【００６９】図５は図１の蒸発源１を全方向蒸着重合装
置（日本真空技術株式会社製、商品名VEP3040）の真空
処理室に２個接続した場合の構成図である。

【００７０】先ず、図５に示すように、図１に示す蒸発
源１（蒸発源１ａと蒸発源１ｂ）をバルブ１４を介して
真空処理室１５内のモノマーノズル１６と接続した。

【００７１】図５に示す装置には、本発明の蒸発源１ａ
と蒸発源１ｂから成る蒸発源１の他に、蒸発源１ａと蒸
発源１ｂと同様の構成の蒸発源１ｃと蒸発源１ｄを有す
る。

【００７２】蒸発源１ｃは蒸発槽１７、原料モノマー１
８および原料モノマー１８を充填するためのアルミニウ
ム製または銅製のルツボ１９および蒸発槽１７を覆って
いる蒸発源ヒーター２０で構成されている。

【００７３】また、蒸発源１ｄは金属製の真空容器２８
と真空容器２８を覆っている真空容器ヒーター２９で構
成されている。そして、真空容器２８内には冷媒循環器
３０を介して水または不凍液のような冷媒を循環して冷
却出来る金属製の円筒状容器３１が配置されている。

【００７４】そして、蒸発源１ｃと蒸発源１ｄはバルブ
３２を介して蒸発源１ｃ側に配管ヒーター３３ａを備え
る配管３３と、蒸発源１ｄ側に配管ヒーター３４ａを備
える配管３４とで接続されている。

【００７５】また、蒸発源１ｄは排気バルブ３５を介し
て図示されていない真空排気系と接続されている。ま
た、蒸発源１ｃと蒸発源１ｄはバルブ３６を介して真空
処理室１５内のモノマーノズル２３に接続した。

【００７６】その他の符号は図２と同一のため説明を省
略する。また、蒸発源１ｃの作用は前記蒸発源１ａと同
様であり、また、蒸発源１ｄの作用は前記蒸発源１ｂと
同様である。

【００７７】このように真空処理室に接続せる蒸発源の
構成をいずれも、蒸発源に加熱冷却装置と排気装置を取
付けた構成にすることによって、有機化合物膜の両原料
モノマーの純度を高めることが出来る。

【００７８】勿論、図５に示す蒸発源を備えた真空処理
室を用いる場合は、蒸発源１ａと蒸発源１ｂまたは蒸発
源１ｃと蒸発源１ｄのいずれかを用いるようにしてもよ
い。

【００７９】本発明の有機化合物膜の成膜は前記ポリイ
ミド膜に限定されるものではなく、原料モノマーを昇華
で蒸発させ、重合膜（有機化合物膜）を作製する場合に
も利用することが出来る。

【００８０】

【発明の効果】本発明の蒸発源は、蒸発源のうち少なく
とも一方の蒸発源を蒸発源に加熱冷却装置と排気装置を
取付けた構成としたので、原料モノマーは蒸発源と加熱
冷却装置間で一度真空精製されるから、より純度の高い
有機化合物の原料モノマーを容易に得ることが出来る効
果がある。また、真空中で有機化合物膜の原料モノマー
を精製出来るので、原料モノマーが大気中の水分と反応
することがなく、純度の高い状態で供給することが出来
る。

【００８１】本発明の蒸発源を備えた真空処理室は、真
空処理室に接続した蒸発源のうち少なくとも一方の蒸発
源を蒸発源に加熱冷却装置と排気装置を取付けた構成と
したので、原料モノマーは蒸発源と加熱冷却装置間で一
度真空精製されるから、より純度の高い有機化合物の原
料モノマーを真空処理室内に容易に供給することが出来
る効果がある。また、真空中で有機化合物膜の原料モノ
マーを精製出来るので、原料モノマーが大気中の水分と
反応することがなく、純度の高い状態で真空処理室内に
供給することが出来る。

【００８２】本発明の有機化合物膜の成膜方法は、原料
モノマーのうち少なくとも一方の原料モノマーの蒸発を
蒸発源に加熱冷却装置と排気装置を取付けた蒸発源より
蒸発させるようにしたので、原料モノマーは蒸発源と加
熱冷却装置間で一度真空精製されるから、より純度の高
い有機化合物を原料モノマーとして蒸発させることが出
来ると共に、精製された有機化合物の原料モノマーを用
いることにより、パーティクルの極めて少ない有機化合
物膜を容易に成膜することが出来る効果がある。また、
真空中で有機化合物膜の原料モノマーを精製出来るの
で、原料モノマーが大気中の水分と反応することがな
く、純度の高い状態で基板上で蒸着重合させることが出
来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の蒸発源の実施の１例を示す截断面
図、

【図２】 本発明の蒸発源を真空処理室に接続した実施
の１例を示す截断面図、

【図３】 本発明の蒸発源を用いて基板上に成膜したポ
リイミド膜の表面状態［金属顕微鏡写真（倍率100
倍）］を表わす図面代用写真、

【図４】 従来法で基板上に成膜したポリイミド膜の表
面状態［金属顕微鏡写真（倍率100倍）］を表わす図面
代用写真、

【図５】 本発明の蒸発源を真空処理室に接続した他の
実施例を示す截断面図。

【符号の説明】

１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 蒸発源、 ２、１７
蒸発槽、３、１８ 原料モノマー、 ４、１９
ルツボ、５、２０ 蒸発源ヒーター、 ６、２
８ 真空容器、７、２９ 真空容器ヒーター、
８、３０ 冷媒、９、３１ 円筒状容器、 １
０、２１、３２ バルブ、１１、１２、２２、３３、
３４ 配管、１１ａ、１２ａ、２２ａ、３３ａ、３４
ａ 配管ヒーター、１３、３５ 排気バルブ、
１４、３６ バルブ、１５ 真空処理室、 １
６、２３ モノマーノズル、２４ 基板、 ２５
排気バルブ、 ２６ 真空処理室ヒーター、２７
真空排気系配管、 ２７ａ 配管ヒーター。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空中で基板上に形成する有機化合物膜
   の二種類の原料モノマーを蒸発させるための蒸発源にお
   いて、蒸発源のうち少なくとも一方の蒸発源は蒸発源に
   加熱冷却装置と排気装置を取付けた構成としたことを特
   徴する蒸発源。
2. 【請求項２】 真空中で基板上に形成する有機化合物膜
   の二種類の原料モノマーを蒸発させるための蒸発源を備
   えた真空処理室において、蒸発源のうち少なくとも一方
   の蒸発源は蒸発源に加熱冷却装置と排気装置を取付けた
   構成としたことを特徴する蒸発源を備えた真空処理室。
3. 【請求項３】 真空処理室内で有機化合物膜の二種類の
   原料モノマーを夫々の蒸発源より蒸発させ、基板上に蒸
   着重合させて有機化合物膜を成膜する方法において、原
   料モノマーのうち少なくとも一方の原料モノマーの蒸発
   は蒸発源に加熱冷却装置および排気装置を取付けた蒸発
   源を用いて蒸発させることを特徴とする有機化合物膜の
   成膜方法。