JPS63181345A - 静電チャック部品の製造方法 - Google Patents

静電チャック部品の製造方法

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JPS63181345A
JPS63181345A JP62011445A JP1144587A JPS63181345A JP S63181345 A JPS63181345 A JP S63181345A JP 62011445 A JP62011445 A JP 62011445A JP 1144587 A JP1144587 A JP 1144587A JP S63181345 A JPS63181345 A JP S63181345A
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processing chamber
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JP62011445A
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Masayuki Iijima
正行 飯島
Yoshikazu Takahashi
善和 高橋
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体素子のウェハ等を搬送する際に用いる
静電チャック部品に関する。
(従来の技術) 一般に半導本葉子のウェハ等は小型でかつ薄い奔め吟工
へシTIf飾辿博り奔μ央げ論tト1め卆いので、ウェ
ハに加工を施す際の搬送に静電チャック部品を用いた静
電チャックが利用されている。
従来、この種の静電チャック部品aとしては例えば第5
図示のようにアルミニウム材から成る基体すの表面全面
に亘ってポリアミック酸の浸漬コートによって形成され
たポリイミド樹脂の絶縁被膜at−備えるものが知られ
てお)、これを用いてウェハ4を搬送するときは、例え
ば第3図示のように直流電源eの陽極側に静電チャック
部品aを接続すると某に、この直流電源・の陰極側にス
イッチtを介してウェハdを保持する陰極gを設け、こ
の陰極gに連なりウェハとをアース電位とするスイッチ
hを備えるアース回路1を設けた静電チャックに構成し
て用いる。そしてアース回路1のスイッチhを開いた状
態でウェハdを陰極gに保持せしめ、スイッチfを閉じ
て直流電源・よシ例えば+2KVの直流の高電圧を静電
チャック部品−およびウェハdに印加して静電チャック
部品&のウェハ改側の表面をプラスに帯電せしめ、また
ウェハdの静電チャック部品a側の表面をマイナスに帯
電せしめて、静電チャック部品aでウェハdを吸着保持
する。
次いでスイッチfを開き、静電チャック部品aにウェハ
dを保持したま\の状態で所定位置まで搬送する。そし
て搬送後、アース回路1のスイッチhを閉じてウニへ改
に帯電したマイナス電位をアース回路1より除電させて
静電チャック部品aによるウニl5(lの吸着を解除し
て、ウェハdを静電チャック部品aよシ解放するもので
ある。
(発明が解決しようとする問題点) 前記従来の静電チャック部品は、ポリアミック酸の浸漬
コート時に液ブレが生じるために得られたポリアミド樹
脂の絶縁被膜の膜厚が不均一となり易い。
その結果ウェハを搬送するために静電チャック部品に直
流電圧を印加した際被膜の膜厚が薄い部分が直流の高電
圧に耐えられずに絶縁破壊を起す問題がある。
本発明は基体の表面全面に亘って絶縁材料の被膜が均一
厚さに形成された静電チャック部品を提供することを目
的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、基体の表面に絶縁材料の被膜を形成して成る
静電チャック部品において、真空度lX10  Tor
r以下の真空処理室中で基体温度を原料モノマーの蒸発
温度を超える温度に設定すると#に1該真空処理室の室
壁内面温度を該基体の温度を超える温度釦設定した状態
で絶縁材料の原料モノマーを蒸発させて基体の表面全面
に亘って絶縁材料の被膜を形成したことを特徴とする。
ここで基体としてはアルミニウムが好適である。
また被膜の絶縁材料の種類としてはポリイミド樹脂が好
適であって、絶縁材料としてポリイミド樹脂を用いた時
は、そのポリイミド樹脂の一方の原料モノマーに用いる
芳香族二無水物としてはビ田メリト酸二無水物、ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、ベンゼンテトラカ
ルボン酸二無水物が好適であシ、また他方の原料モノマ
ーに用いる芳香族ジアミンとしては、4.4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、或いはシリル化ジアミンとして
Fi4.4’−ジシリルアミノフェニルエーテル、P−
ジシリルアミノベンゼンが好適である。
また、真空処理室の真空度をI X 10−”Torr
以下に設定するのは、真空度が1 ×10−!Torr
を越えると、原料モノマーを真空処理室内に設けられた
蒸発用容器から蒸発させる場合は、該蒸発用容器の近傍
の、また原料モノマーを真空処理室の外部で蒸発させて
、これを導入管を介して該直空処理室内に導入する場合
は、該導入管の流出口近傍の真空処理室の室壁等に原料
モノマーが付着してしまい、原料モノマーが真空処理室
の全空間に亘って均一に分散しないからであるが、製造
速度の観点からI X 10 ”” ’I”orr程度
までとするのが好ましい。
基体の温度を原料モノマーの蒸発温度を超える温度にす
るのは、原料モノマー単独では基体上に付着しないよう
にして、主として基体に衝突すると同時に該基体上で重
合する原料モノマーで順次均一な組成の合成樹脂被膜が
形成されるようにするためである。尚、原料モノマーが
2種以上の場合には、該基体の温度はこれら原料モノマ
ーの蒸発温度のうちの最高温度を越える温度に設定する
また、真空処理室の室壁内面温度を基体の温度を超える
温度に設定するのは、原料モノマー或いはその重合物が
該室壁内面よシも基体に付着しやすいようにするためで
ある。
(実施例) 以下、添付図面に従って本発明を説明する。
第1図は本発明品の1実施例を示すものである。
図面で、(l)は静電チャック部品であって、該静電チ
ャック部品(1)は例えばアルミニウム材から成る基体
(2)の表面全面に亘って後記する蒸着重合方法によっ
て形成された例えばポリイミド樹脂から成る絶縁材料の
膜厚が20pの均一な被膜(3)を備えるものであって
、その基体(2)の前面側は平滑に形成し、基体(2)
の後面側はその周縁に全周知亘って鍔部(4)に設は全
体を断面ど=3形状に形成した。そして静電チャック部
品(1)を帯電させた際に基体(2)の平滑に形成され
た前面劇でウェハを吸着保持するようだし、また静電チ
ャック部品(1)を係止部(5)を備える筒状のホルダ
ー(6)に嵌着した際に後面側の周縁の鍔部(4)がホ
ルダー(6)の係止部(5)K係止して静電チャック部
品(1)がホルダー(6)に安定状態に維持されるよう
にした。
次に前記構成の静電チャック部品[11を得るために基
体(2)の表面全面に亘って絶縁材料の被膜(3)を蒸
着重合で形成する方法について詳細に説明する。第2図
は基体(2)に絶縁材料の被膜(3)を形成するために
用いる装置の一例を示すものであシ、図面で(7)はス
テンレス製容器から成る真空処理室を示し、該処理室(
7)内を外部の真空ポンプその他の真空排気系(8)に
接続すると共に、該処理室(7)の中央に適宜な手段に
よシ基体(2]を保持すると共に該基体(2)の上方に
、原料モノマーA、Bを蒸発させるための蒸発用容器(
91、+91をその各蒸発口σαを上向きにして設けで
ある。
また、該真空処理室(7)の外周に加熱用ヒータ0υを
巻回し、該真空処理室(7)の室壁tizの加熱によっ
て該真空処理室(7)内を所望温度に加熱出来るようK
した。
先ず、真空処理室(7)を大気圧状態にして、蒸発用容
器i91、+91の一方に原料モノマーAとしてピロメ
リト酸二無水物と、他方に原料モノマー1として4.4
′−ジアミノジフェニルエーテルとを各1gづつ充填す
る。
次で、ヒータriBを150℃に加熱して、真空処理室
(7)内を150°C近くに昇温し、原料モノマーA、
Bと基体(2]とを夫々150℃近くに加熱する。
かかる温度設定によれば、真空処理室(7)内をI X
l 0−’Torr K排気すると、原料モノ−r −
A 。
Bの昇華は開始するが、該原料モノマーA、 B各単独
では、基体(2)上にはもとよシ、室壁a3の内面(1
2&)に付着しない。
次で、真空処理室(7)内を真空排気系(8)を介して
I X 10−’ Torrに設定すると共にヒータα
Bを200°Cに加熱して、該処理室(7)内を徐々に
200°C近くに昇温し、原料モノマーA、Bと基体(
2)とを夫々徐々に200°C近くに加熱する。かくし
て、原料モノマーA、Bは昇華するが、原料モノマーA
、B各単独では原料モノマーA1Bの昇華温度以上とな
っている基体(2)や室壁(121の内面(12a)に
は付着しないので、該処理室(7)内に原料モノマーA
、Bが均一に分散することとなり、しかも、室壁α2の
内面(12&)はヒータ(111によって直接加熱され
て即時に200°Cに昇温し、基体(2)よシも常に高
温状態となっておシ、原料モノマーA、E或いは、その
重合物は、室壁α2の内面(12m)よシは基体(2)
の方に付着しやすい状態となって、該原料モノマー人、
BKよって基体(2)の表面全面に亘って20声の均一
な膜厚でもって、しかも化学量論的な組成比で、ポリイ
ミド樹脂から成る絶縁材料の被膜(3)が形成された。
かくして得られた静電チャック部品(1)は基体(2)
の表面全面に亘って、均一な膜厚であって、緻密でかつ
高純度で更に基体(2Jに対して優れた密着性を有する
絶縁材料の被膜(3)が形成されているため、ウェハを
搬送する際静電チャック部品(1)に直流の高電圧が印
加されても絶縁破壊を起すことがない。
また基体(2)の表面への被膜(3)の形成を前記全方
向同時蒸着重合法で行うようにしたので、静電チャック
部品(1)の基体(2)がいかなる形状であっても、そ
の表面全面に亘って形成された被膜(3)は均一な膜厚
であり、更に形成される膜厚を任意に設定出来る。
従って静電チャックに本発明品の静電チャック部品(1
)を用いたとき絶縁破壊を起すことなく長期間に亘って
使用出来る。
(発明の効果) このように本発明によるときは、静電チャツり部品の絶
縁材料の被膜として、真空度1×10Torr以下の真
空処理室中で基体温度を原料モノマーの蒸発温度を超え
る温度に設定すると共に、該真空処理室の室壁内面温度
を該基体の温度を超える温度だ設定した状態で該絶縁材
料の原料モノマーを蒸発させるようにして、該基体の表
面全面に亘って形成した絶縁材料の被膜を備えるように
したので、絶縁材料の被膜は均一な漠厚であって、緻密
でかつ高純度で、更に基体に対して優れた密着性を有す
るため、直流の高電圧が印加されても絶縁破壊を起すこ
となく長期間に亘って使用出来る等の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明品の静電チャック部品の一実施例を示す
裁断側面図、第2図は本発明品の静電チャック部品を用
いた静電チャック部品を作成するために用いる装置の一
例を示す裁断面図、第3図は静電チャック部品を用いた
静電チャックの説明線図である。 [11・・・静電チャック部品  (2]・・・基体(
3)・・・被膜      (7)・・・真空処理室α
2・・・室壁      (12&)・・・室壁内面A
、B・・・原料モノマー 外2名

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  基体の表面に絶縁材料の被膜を形成して成る静電チャ
    ック部品において、真空度1×10^−^2Torr以
    下の真空処理室中で基体温度を原料モノマーの蒸発温度
    を超える温度に設定すると共に、該真空処理室の室壁内
    面温度を該基体の温度を超える温度に設定した状態で絶
    縁材料の原料モノマーを蒸発させて基体の表面全面に亘
    つて絶縁材料の被膜を形成したことを特徴とする静電チ
    ャック部品。
JP62011445A 1987-01-22 1987-01-22 静電チャック部品の製造方法 Expired - Lifetime JPH0643629B2 (ja)

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Cited By (4)

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EP0725426A2 (en) * 1995-01-31 1996-08-07 Applied Materials, Inc. High temperature polymide electrostatic chuck
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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