JPS61219028A - 液晶配向膜の形成方法 - Google Patents
液晶配向膜の形成方法Info
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- JPS61219028A JPS61219028A JP5948585A JP5948585A JPS61219028A JP S61219028 A JPS61219028 A JP S61219028A JP 5948585 A JP5948585 A JP 5948585A JP 5948585 A JP5948585 A JP 5948585A JP S61219028 A JPS61219028 A JP S61219028A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は液晶表示素子の電極基板上に１６層される液晶
配向膜の形成方法に関する。
配向膜の形成方法に関する。
（従来の技術）
従来、この種液晶配向膜の形成方法として、例えば液晶
表示素子の電極基板の電極側表面に例えばスピンコード
等の湿式法によってポリイミド等の電気絶縁性の耐熱性
合成樹脂の被膜を形成し、次で得られた合成樹脂の被膜
表面をラビング処理する方法が知られているが、湿式法
によっては、表面積の大きな電極基板や表面形状或は外
形の複雑な電極基板に膜厚の均一な合成樹脂被膜を形成
することが困難で、また容媒の回収作業が面倒であると
いう不都合を有すると共にラビング処理時に該合成樹脂
被膜が剥れたり、該合成樹脂被膜の表面やこれを擦する
布にダスト等が付着している場合には該表面に傷が付い
たりし、更にまた表面積の大きな合成樹脂被膜を一様に
ラビング処理できず均一な配向性を示す液晶配向膜を形
成できないという不都合を有する。
表示素子の電極基板の電極側表面に例えばスピンコード
等の湿式法によってポリイミド等の電気絶縁性の耐熱性
合成樹脂の被膜を形成し、次で得られた合成樹脂の被膜
表面をラビング処理する方法が知られているが、湿式法
によっては、表面積の大きな電極基板や表面形状或は外
形の複雑な電極基板に膜厚の均一な合成樹脂被膜を形成
することが困難で、また容媒の回収作業が面倒であると
いう不都合を有すると共にラビング処理時に該合成樹脂
被膜が剥れたり、該合成樹脂被膜の表面やこれを擦する
布にダスト等が付着している場合には該表面に傷が付い
たりし、更にまた表面積の大きな合成樹脂被膜を一様に
ラビング処理できず均一な配向性を示す液晶配向膜を形
成できないという不都合を有する。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、前記従来の不都合を解消し、表面積の大きな
電極基板や表面形状或は外形のｍｍな電極基板にも該電
極基板から剥れたり或は表・面に傷が付いたりすること
なしに、均一な膜厚のしかも均一な液晶配向性を示す液
晶配向膜を簡１ｉ１に形成することができる液晶配向膜
の形成方法を提供することをその目的とする。
電極基板や表面形状或は外形のｍｍな電極基板にも該電
極基板から剥れたり或は表・面に傷が付いたりすること
なしに、均一な膜厚のしかも均一な液晶配向性を示す液
晶配向膜を簡１ｉ１に形成することができる液晶配向膜
の形成方法を提供することをその目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は前記の目的を達成すべく、真空中で電気絶縁性
の耐熱性合成樹脂原料上ツマ−を蒸発させて電極基板の
電極側表面で重合させ、次で得られた合成樹脂被膜の表
面をグロー放電に晒すことから成る。
の耐熱性合成樹脂原料上ツマ−を蒸発させて電極基板の
電極側表面で重合させ、次で得られた合成樹脂被膜の表
面をグロー放電に晒すことから成る。
電気絶縁性の耐熱性合成樹脂としては、例えばポリイミ
ド、ポリアミド、ポリ尿素等が用いられるが、ポリイミ
ドが極めて優れた高電気絶縁性、耐熱性並びに電気化学
的安定性を有するので好ましい。
ド、ポリアミド、ポリ尿素等が用いられるが、ポリイミ
ドが極めて優れた高電気絶縁性、耐熱性並びに電気化学
的安定性を有するので好ましい。
ここで該合成樹脂原料モノマーの蒸発を真空中で行なう
ようにしたのは、蒸発したモノマーが互いに、或いは処
理室の室壁等に衝突するのを防ぎ、モノマー蒸気を直接
電極基板上に付着させてそこで重合させるようにするた
めであり、一般には１ｘ １０’ 〜１ｘ １０４Ｔｏ
ｒｒ程度の真空度に設定する。
ようにしたのは、蒸発したモノマーが互いに、或いは処
理室の室壁等に衝突するのを防ぎ、モノマー蒸気を直接
電極基板上に付着させてそこで重合させるようにするた
めであり、一般には１ｘ １０’ 〜１ｘ １０４Ｔｏ
ｒｒ程度の真空度に設定する。
また、重合反応を起すのに原料モノマーを加熱する必要
がある場合には、例えば予め所定温度に加熱された電極
基板上に原料モノマーを堆積させるか、或いは室温の電
極基板上に原料モノマーを堆積させた後に該電極基板を
加熱するようにすればよく、また光重合の場合には電極
基板上の原料上ツマ−に光照射を行なえばよい。
がある場合には、例えば予め所定温度に加熱された電極
基板上に原料モノマーを堆積させるか、或いは室温の電
極基板上に原料モノマーを堆積させた後に該電極基板を
加熱するようにすればよく、また光重合の場合には電極
基板上の原料上ツマ−に光照射を行なえばよい。
尚、電気絶縁性の耐熱性合成樹脂は原料上ツマ−を電極
基板上で直接重合させても、また予め電極基板上に中間
体を形成し、これを最終的に重合させるようにしてもよ
い。
基板上で直接重合させても、また予め電極基板上に中間
体を形成し、これを最終的に重合させるようにしてもよ
い。
また、必要に応じて重合開始剤等を原料上ツマ−と同゛
時に蒸発させるようにしてもよい。
時に蒸発させるようにしてもよい。
該合成樹脂被膜の表面をグロー放電に晒すことによって
該合成樹脂被膜が液晶配向性を示すこととなる理由につ
いては、グロー放電中で生成したイオンや電子等が電場
によって該合成樹脂被膜の表面に水平に近い角度で入射
し、これによりラビング処理と同じ効果が生じるためで
あると考えられる。従って、グロー放電処理される合成
樹脂被膜はその表面を電界方向に対して略水平か或いは
４５°位までの角度に保持するのが好ましい。
該合成樹脂被膜が液晶配向性を示すこととなる理由につ
いては、グロー放電中で生成したイオンや電子等が電場
によって該合成樹脂被膜の表面に水平に近い角度で入射
し、これによりラビング処理と同じ効果が生じるためで
あると考えられる。従って、グロー放電処理される合成
樹脂被膜はその表面を電界方向に対して略水平か或いは
４５°位までの角度に保持するのが好ましい。
また、該合成樹脂被膜はグロー放電の特に陽極柱領域で
処理するのが好ましい。
処理するのが好ましい。
（実施例）
以下、添付図面に従って本発明の実施例に付き説明する
。
。
図面は本発明方法を実施するだめの装置の一例を示すも
ので、図中１は電極基板を示し、該電極基板１の仕込み
室２と、該電極基板１に電気絶縁性の耐熱性合成樹脂原
料モノマーａ、ｂを蒸着する蒸着室３と、蒸着された原
料モノマーａ、ｂを加熱重合する加熱室４と、加熱重合
された合成樹開被ｌＩ５をグロー放電処理する放電処理
室６と、グロー放電処理後の電極基板１の取出し室７を
ゲートバルブ８、・・・・・・を介して順次連通自在に
接続し、各室２．３．４．６．７はこれに夫々接続され
る図示しない真空ポンプ等の真空排気系によってその内
部を所定の真空度に調整自在としである。
ので、図中１は電極基板を示し、該電極基板１の仕込み
室２と、該電極基板１に電気絶縁性の耐熱性合成樹脂原
料モノマーａ、ｂを蒸着する蒸着室３と、蒸着された原
料モノマーａ、ｂを加熱重合する加熱室４と、加熱重合
された合成樹開被ｌＩ５をグロー放電処理する放電処理
室６と、グロー放電処理後の電極基板１の取出し室７を
ゲートバルブ８、・・・・・・を介して順次連通自在に
接続し、各室２．３．４．６．７はこれに夫々接続され
る図示しない真空ポンプ等の真空排気系によってその内
部を所定の真空度に調整自在としである。
該蒸着室３内の上位には電極基板１を保持する基板ホル
ダ９が設けられていると共にその下位には原料モノマー
ａ、ｂを夫々蒸発させる２本の蒸発用管１０．１０が配
置され、該各蒸発用管１０は流ｆｆｉ講整弁１１を介し
て該蒸着室３外に設けられた原料モノマー容器１２に連
通され、また該各蒸発用管１０とこれに連なる原料モノ
マー容器１２の外周には加熱ヒータ１３が巻回してあり
、これらを所望温度に加熱できるようにしである。
ダ９が設けられていると共にその下位には原料モノマー
ａ、ｂを夫々蒸発させる２本の蒸発用管１０．１０が配
置され、該各蒸発用管１０は流ｆｆｉ講整弁１１を介し
て該蒸着室３外に設けられた原料モノマー容器１２に連
通され、また該各蒸発用管１０とこれに連なる原料モノ
マー容器１２の外周には加熱ヒータ１３が巻回してあり
、これらを所望温度に加熱できるようにしである。
尚、図中１４は蒸発用管１０の蒸発開口、１５は加熱ヒ
ータ１３の電源、１６は基板ホルダ９と蒸発用管１０、
１０との間に介在されるシャッタを示す。
ータ１３の電源、１６は基板ホルダ９と蒸発用管１０、
１０との間に介在されるシャッタを示す。
該加熱室４内にはその室壁の内面に加熱ヒータ１１が多
数配設されている。
数配設されている。
また、該放電処理室６はガス導入管１８からアルゴン、
窒素、酸素、水素、ヘリウム、空気等の所望のガスを導
入できるようにしてあり、また該放電処理室６内にはグ
ロー放電用の電極１９゜１９が平行に対向配置されてい
ると共にこれら電極１９．１９１３１１には電極基板１
をその電極側表面を電界方向に対して略水平に保持する
基板ホルダ２０が設けられている。尚、図中２１は電極
１９．１９の電源、２２はガス導入管１８の梳ｍ調整弁
を示す。
窒素、酸素、水素、ヘリウム、空気等の所望のガスを導
入できるようにしてあり、また該放電処理室６内にはグ
ロー放電用の電極１９゜１９が平行に対向配置されてい
ると共にこれら電極１９．１９１３１１には電極基板１
をその電極側表面を電界方向に対して略水平に保持する
基板ホルダ２０が設けられている。尚、図中２１は電極
１９．１９の電源、２２はガス導入管１８の梳ｍ調整弁
を示す。
また、図中２３は仕込み室２の仕込み用ゲートバルブ、
２４は取出し室７の取出し用ゲートバルブを示ず。
２４は取出し室７の取出し用ゲートバルブを示ず。
ここで、当該装置による液晶配向膜の製造の一例を示す
。
。
まず、ガラス基板の片面に所定の電極を設けて成るたて
、よこ３０ｃＩＲＸ ３ＧｃＩＡ１厚さ０．２１の電ｆ
ｆ１ｌｕ板１の複数枚を仕込み用ゲートバルブ２３を介
して仕込み室２内に収容する。
、よこ３０ｃＩＲＸ ３ＧｃＩＡ１厚さ０．２１の電ｆ
ｆ１ｌｕ板１の複数枚を仕込み用ゲートバルブ２３を介
して仕込み室２内に収容する。
次に電極基板１を１枚づつ蒸着室３に移し、その電極側
表面を下向きにして基板ホルダ９で保持し、原料上ツマ
ー容器１２．１２の一方に原料モノマーａとしてピロメ
リト酸二無水物と、他方に原料上ツマ−ｂとしてジアミ
ノジフェニルエーテルとを充填し、シャッタ１６を閉じ
た状態で該蒸着室３内の雰囲気ガスの全圧を１ｘ１ｏ’
■、ｏ ｒ ｒに設定する。次でヒータ１３．１３を夫
々加熱してピロメリト酸二無水物を１６０℃に、またジ
アミノジフェニルエーテルを１５０℃に加熱してこれら
原料上ツマ−ａ、ｂを蒸発させ、これらの蒸発量が原石
調整弁１１．１１によってモル比で１＝１に調整された
時点でシせツタ１６を開け、該電極基板１の電極側表面
に１０００人／分の析出速度で堆積させ、均一な膜厚の
ポリアミック酸の被膜２５を所定厚に形成する。
表面を下向きにして基板ホルダ９で保持し、原料上ツマ
ー容器１２．１２の一方に原料モノマーａとしてピロメ
リト酸二無水物と、他方に原料上ツマ−ｂとしてジアミ
ノジフェニルエーテルとを充填し、シャッタ１６を閉じ
た状態で該蒸着室３内の雰囲気ガスの全圧を１ｘ１ｏ’
■、ｏ ｒ ｒに設定する。次でヒータ１３．１３を夫
々加熱してピロメリト酸二無水物を１６０℃に、またジ
アミノジフェニルエーテルを１５０℃に加熱してこれら
原料上ツマ−ａ、ｂを蒸発させ、これらの蒸発量が原石
調整弁１１．１１によってモル比で１＝１に調整された
時点でシせツタ１６を開け、該電極基板１の電極側表面
に１０００人／分の析出速度で堆積させ、均一な膜厚の
ポリアミック酸の被膜２５を所定厚に形成する。
このようにして電極側表面にポリアミック酸の被膜２５
を形成された電極基板１を順次加熱室４内に収容し、該
電極基板１・・・・・・が所定枚数となればこれら電極
基板１、・・・・・・を加熱ヒータ１７で１０分間３０
０℃に加熱してポリイミドの重合反応を起こし、該電極
基板１の電極側表面にポリイミド被膜５を形成する。
を形成された電極基板１を順次加熱室４内に収容し、該
電極基板１・・・・・・が所定枚数となればこれら電極
基板１、・・・・・・を加熱ヒータ１７で１０分間３０
０℃に加熱してポリイミドの重合反応を起こし、該電極
基板１の電極側表面にポリイミド被膜５を形成する。
次で、ポリイミド被膜５を形成された電極基板１を１枚
づつ放電処理室６に移し、その電極側表面を下向ぎにし
て基板ホルダ２０で保持し、該放電処理室６内が０．０
１ＴＯｒｒとなるようにガス導入管１８を介してアルゴ
ンガスを導入し、電極１９．１９に−２にＶの直流電源
を印加してグロー放電を発生させ、前記ポリイミド被膜
５の表面をその陽光柱領域に３分間晒す。
づつ放電処理室６に移し、その電極側表面を下向ぎにし
て基板ホルダ２０で保持し、該放電処理室６内が０．０
１ＴＯｒｒとなるようにガス導入管１８を介してアルゴ
ンガスを導入し、電極１９．１９に−２にＶの直流電源
を印加してグロー放電を発生させ、前記ポリイミド被膜
５の表面をその陽光柱領域に３分間晒す。
このようにグロー放電処理された電極基板１は順次取出
し室７に収容し、最後に所定枚数になれば取出し用ゲー
トバルブ２４を介して該取出し室７から取出す。
し室７に収容し、最後に所定枚数になれば取出し用ゲー
トバルブ２４を介して該取出し室７から取出す。
かくして、剥離や傷の全くないしかも膜厚分布のバラツ
キが±５％以内で且つ非常に均一な液晶配向性を示ず表
面積の大きな液晶配向膜が得られた。
キが±５％以内で且つ非常に均一な液晶配向性を示ず表
面積の大きな液晶配向膜が得られた。
放電処理の使用ガスとしてアルゴンに代えて窒素、酸素
、水素、ヘリウム、空気等を用いても前記実施例と同様
に優れた液晶配向膜が得られた。また、グロ放放電のダ
ーク部以外の領域であれば陽光柱領域に限らず液晶配向
膜を形成できた。
、水素、ヘリウム、空気等を用いても前記実施例と同様
に優れた液晶配向膜が得られた。また、グロ放放電のダ
ーク部以外の領域であれば陽光柱領域に限らず液晶配向
膜を形成できた。
また、前記実施例においては液晶配向膜の形成をインラ
イン処理で行なえるので、作業性にも優れている。
イン処理で行なえるので、作業性にも優れている。
（発明の効果）
このように、本発明によるときは、真空中で電気絶縁性
の耐熱性合成樹脂原料上ツマ−を蒸発させて電極基板の
電極側表面で重合させ、次で得られた合成樹脂被膜の表
面をグロー放電に晒すようにしたので、表面積の大ぎな
電ｗＡ基板や表面形状或いは外形の複雑な電極基板にも
該電極基板から剥れたり或いは表面に傷が付いたりする
ことなしに、均一なｌ１１ｗのしかも均一な液晶配向性
を示す液晶配向膜を簡単に形成できる効果を有する。
の耐熱性合成樹脂原料上ツマ−を蒸発させて電極基板の
電極側表面で重合させ、次で得られた合成樹脂被膜の表
面をグロー放電に晒すようにしたので、表面積の大ぎな
電ｗＡ基板や表面形状或いは外形の複雑な電極基板にも
該電極基板から剥れたり或いは表面に傷が付いたりする
ことなしに、均一なｌ１１ｗのしかも均一な液晶配向性
を示す液晶配向膜を簡単に形成できる効果を有する。
図面は本発明液晶配向膜の形成方法を実施するだめの装
置の一例の一部を截除した正面図である。 １・・・電極基板、３・・・蒸着室、４・・・加熱室、
５・・・合成樹脂被膜（ポリイミド被膜）、６・・・放
電処理室、２５・・・ポリアミック酸の被膜、ａ、ｂ・
・・原料モノマー
置の一例の一部を截除した正面図である。 １・・・電極基板、３・・・蒸着室、４・・・加熱室、
５・・・合成樹脂被膜（ポリイミド被膜）、６・・・放
電処理室、２５・・・ポリアミック酸の被膜、ａ、ｂ・
・・原料モノマー
Claims (1)
- 真空中で電気絶縁性の耐熱性合成樹脂原料モノマーを蒸
発させて電極基板の電極側表面で重合させ、次で得られ
た合成樹脂被膜の表面をグロー放電に晒すことから成る
液晶配向膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5948585A JPS61219028A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 液晶配向膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5948585A JPS61219028A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 液晶配向膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61219028A true JPS61219028A (ja) | 1986-09-29 |
Family
ID=13114648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5948585A Pending JPS61219028A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 液晶配向膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61219028A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2653907A1 (fr) * | 1989-10-30 | 1991-05-03 | Gen Electric | Procede de fabrication d'un dispositif a cristal liquide et dispositif ainsi realise. |
| JPH05102550A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Nec Corp | カラー液晶成膜生成装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50101049A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-08-11 | ||
| JPS50110648A (ja) * | 1974-02-08 | 1975-08-30 | ||
| JPS52123644A (en) * | 1976-04-09 | 1977-10-18 | Toppan Printing Co Ltd | Method of forming oriented deposited film |
| JPS5312346A (en) * | 1976-07-20 | 1978-02-03 | Asahi Glass Co Ltd | Method of surface treating electrode plate for liquid crystal display unit |
| JPS5885417A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-21 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | 液晶材料を平行配列させるための導電性基板の製造方法 |
| JPS6059483A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-05 | Fujitsu Ltd | 帳票エッジ検出方式 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP5948585A patent/JPS61219028A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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| JPH05102550A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Nec Corp | カラー液晶成膜生成装置 |
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