JPS5874701A - 高分子薄膜の形成方法 - Google Patents
高分子薄膜の形成方法Info
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- JPS5874701A JPS5874701A JP17402281A JP17402281A JPS5874701A JP S5874701 A JPS5874701 A JP S5874701A JP 17402281 A JP17402281 A JP 17402281A JP 17402281 A JP17402281 A JP 17402281A JP S5874701 A JPS5874701 A JP S5874701A
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- Japan
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- film
- thin
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- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
零侮明は基材表向に高分子薄ｌ１ｌＩｔ形威させる方決
に関する。
に関する。
近等、厚さ数ミクロン以下の有機高分子薄膜、１１化合
物）薄膜を応用する分野が拡大し、膜品質が均一かつ４
ｔ４執度の＾い徳４−の一発及びその製造方法のＷ発か
要望されている。例えば、薄膜コンデンサーにおける薄
膜誘電体−、ＩＣ４１１のノ鴫ツシペーション膜として
の簿膜絶縁体層、メガネ、カメラレンズ等の表向損傷防
止被膜、蒸着磁気テープの防錆保ＩＩＩＩＩ等の・用途
には、ピンホールの不存在、膜厚の均一性、膜品質の均
−性等につき非常に高度な信頼性が要求されている。
物）薄膜を応用する分野が拡大し、膜品質が均一かつ４
ｔ４執度の＾い徳４−の一発及びその製造方法のＷ発か
要望されている。例えば、薄膜コンデンサーにおける薄
膜誘電体−、ＩＣ４１１のノ鴫ツシペーション膜として
の簿膜絶縁体層、メガネ、カメラレンズ等の表向損傷防
止被膜、蒸着磁気テープの防錆保ＩＩＩＩＩ等の・用途
には、ピンホールの不存在、膜厚の均一性、膜品質の均
−性等につき非常に高度な信頼性が要求されている。
これらの要望に／こたｊＬ得る薄膜の形成力ｌｋＫはプ
ラズマ重合法、スパッタリング蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、プラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖ暑ｐｏｒ −Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法等が知られ
ている。
ラズマ重合法、スパッタリング蒸着法、イオンブレーテ
ィング法、プラズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖ暑ｐｏｒ −Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法等が知られ
ている。
しかし、後王者はいずれ４ｂ無ｌ１ｋ（化合物）薄膜の
形成方法で、既にかなり広範囲に実用に供されているが
、有機高分子薄膜の形成力＆はプラズマ重合法が提案さ
れているにすぎない。
形成方法で、既にかなり広範囲に実用に供されているが
、有機高分子薄膜の形成力＆はプラズマ重合法が提案さ
れているにすぎない。
これまで提案されているプラズマ重合法は、アルゴン、
ヘリタム等の不活性ガス及び七ノマ−を導入し、真空室
を１０ ｔｏｒｒ ＝ １０−” Ｌｏｔｒという低真
空に保つ丸状−てほとんど真空室全ｆＲ域においてグー
ー＊電を発生せしめ、グロー款電中に置かれた基材上に
気相重合物を堆積せしめるという方式であるため次の如
き欠点を有していた。
ヘリタム等の不活性ガス及び七ノマ−を導入し、真空室
を１０ ｔｏｒｒ ＝ １０−” Ｌｏｔｒという低真
空に保つ丸状−てほとんど真空室全ｆＲ域においてグー
ー＊電を発生せしめ、グロー款電中に置かれた基材上に
気相重合物を堆積せしめるという方式であるため次の如
き欠点を有していた。
（ａ）基材と形成される高分子薄膜とＯｖＭ着強度が小
さく、特に無機質基材との密着性は極端に小さい。
さく、特に無機質基材との密着性は極端に小さい。
（ｂ）薄ｌＩＳ威過ｆｆｌにおいて常時プラズマにさら
される結果、過剰活性種の生成、基材のｍ熱等で重金と
分解が同時に生じ、形成される高分子膜が着色したり、
また、寿命の長いラジカルか代書し、経時安定性を欠く
。
される結果、過剰活性種の生成、基材のｍ熱等で重金と
分解が同時に生じ、形成される高分子膜が着色したり、
また、寿命の長いラジカルか代書し、経時安定性を欠く
。
−）薄察形ＴｊＩＬ道蟲において、継時導入ガスイオン
によるスパッタリングを受け、譲威炎逮度が小さい。
によるスパッタリングを受け、譲威炎逮度が小さい。
に）形成される高分子−膜がボークスであり、ノ鳴ツキ
ング密度が低く、ピンホールを生じ易いＯ本発明はこの
ような欠点、問題点を解消すべく、鋭意研究のＭ果、新
規な＾分子薄膜の形成方法を見出し、本発明に到ったも
のであり、特に基材との密着強度が高く、高密度で膜強
度が大きくピンホールのない拘置な＾分子重合薄−を形
威し得る方法１−＊供することを目的とし、特にその厚
みが数ミクロン以下でその膜質に高度の信頼性を要求さ
れる高分子薄膜を形成する方法を提供ぜんとするもので
ある。− 即ち本発明の要旨は、＾真空状龜となし九真空槽内に七
ツマー蒸気を噴入し、該モノマーを冷却された基材上に
付着させると同時Ｋｍ子ビー＾を照射することにより、
該基材表向に高密度に架橋し九重合−を形成することを
特徴とする高分子膜１１１０形成方法に存する。
ング密度が低く、ピンホールを生じ易いＯ本発明はこの
ような欠点、問題点を解消すべく、鋭意研究のＭ果、新
規な＾分子薄膜の形成方法を見出し、本発明に到ったも
のであり、特に基材との密着強度が高く、高密度で膜強
度が大きくピンホールのない拘置な＾分子重合薄−を形
威し得る方法１−＊供することを目的とし、特にその厚
みが数ミクロン以下でその膜質に高度の信頼性を要求さ
れる高分子薄膜を形成する方法を提供ぜんとするもので
ある。− 即ち本発明の要旨は、＾真空状龜となし九真空槽内に七
ツマー蒸気を噴入し、該モノマーを冷却された基材上に
付着させると同時Ｋｍ子ビー＾を照射することにより、
該基材表向に高密度に架橋し九重合−を形成することを
特徴とする高分子膜１１１０形成方法に存する。
以下本発明につき図画に基いて説明する。
第１図社本発明に用いられる装置の一例を示す模式図で
ある。 ・ 第１図に１にて、ｌは真空槽であり、排気管２に連結さ
れる排気系装置（油−転ポンプ、油拡欽ポンプ、コール
ドトラップ等で構成されているが図示されていない）ｉ
ｃよってＩ Ｘ １０−’ Ｌｏｒｔまでの高真空に排
気することができる欅になされている。
ある。 ・ 第１図に１にて、ｌは真空槽であり、排気管２に連結さ
れる排気系装置（油−転ポンプ、油拡欽ポンプ、コール
ドトラップ等で構成されているが図示されていない）ｉ
ｃよってＩ Ｘ １０−’ Ｌｏｒｔまでの高真空に排
気することができる欅になされている。
３はモノマー蒸気を特定方向に噴出する九めの１管ノズ
ルであるが、七ツマー轟気のｊ！瞼力方向揃える九めそ
の口径が３ミリｙ以下の細管状となしている。モノマー
ガス導入は真空−１外に配置されているモノマーポンベ
４から減圧弁Ｓ１尋入管６及びスローリークパルプ７１
に経て供給される。
ルであるが、七ツマー轟気のｊ！瞼力方向揃える九めそ
の口径が３ミリｙ以下の細管状となしている。モノマー
ガス導入は真空−１外に配置されているモノマーポンベ
４から減圧弁Ｓ１尋入管６及びスローリークパルプ７１
に経て供給される。
畠は基材フィルムの供給ロールであ抄９は七の巻取りロ
ールである。
ールである。
基材フィルム１０は冷却された円筒ドクム１１に沿って
移動できるように＆置されている。
移動できるように＆置されている。
ｌ雪は電子照射装置でありフイクメン）ｌｉ＆夾流電流
電源１４Ｋｊ電加熱せしめ一電子を慟生させ練うイラメ
ント１３に直流電源１６によ抄負の高電圧を印加するこ
とで加速電子が得られる。
電源１４Ｋｊ電加熱せしめ一電子を慟生させ練うイラメ
ント１３に直流電源１６によ抄負の高電圧を印加するこ
とで加速電子が得られる。
次に上記装置を用いて本発明にもとづいて高分子膜−を
形成させる方法について説明する。
形成させる方法について説明する。
先ず真空槽ｌ内を排気系装置によって＠ Ｘ １０−’
Ｌｓｒｒ以下、好ましく ｉｉＩ Ｘ １ Ｇ−’ ｔ
ｏｒｒ以下の高真空に排気する。このとき減圧弁５を閉
じ、スローリークパルグアを開の状＊ｉＣしておき、モ
ノマーガス等入愉・内を充分排気しておく。
Ｌｓｒｒ以下、好ましく ｉｉＩ Ｘ １ Ｇ−’ ｔ
ｏｒｒ以下の高真空に排気する。このとき減圧弁５を閉
じ、スローリークパルグアを開の状＊ｉＣしておき、モ
ノマーガス等入愉・内を充分排気しておく。
モノマーガスの導入は、ガスボンベ４に取り付けられた
減圧弁５を開にし、スローリークパルプ７を調節するこ
とによってその導入量をａ鰺し、細管ノズル３を経て真
空槽ｌ内に噴入するが、このとき細管／スル３．！−排
気方向の配置−係により運動方向が揃えられ、該ノズル
３を出た後も比較的方向の揃った分子流者しくは凝集体
流となって基材フィルム１０のｉｋ向上に入射する。
減圧弁５を開にし、スローリークパルプ７を調節するこ
とによってその導入量をａ鰺し、細管ノズル３を経て真
空槽ｌ内に噴入するが、このとき細管／スル３．！−排
気方向の配置−係により運動方向が揃えられ、該ノズル
３を出た後も比較的方向の揃った分子流者しくは凝集体
流となって基材フィルム１０のｉｋ向上に入射する。
基材フィルム表向へ入射された七ツマ−は、フィルム−
に付着し、又その一部は真’！ｆｆＡ域内に再息発する
。
に付着し、又その一部は真’！ｆｆＡ域内に再息発する
。
この際、七ツマ−のフィルム表向への付着効率を高める
ためには、基材フィルム温度を、モノマー息気圧が常１
！（２０℃）ＫＭる蒸気圧の緬該七ツマー蒸気の噴入と
同時に若しくはそれ以前に１１子照射装＄１１１２をｆ
′Ｐ餉させ、フィルム表面へ付着した七ツマ−に対して
電子ビームを爆射する。このときの電子ビームのエネル
ギーは、ｓ＠ｖ以上より好ましく ｉｆ １０ ｅ Ｖ
以上とするのがよく、これ＃ｉフイクメント１３に印加
する負の直流電圧を電Ｍｌ ６にて制御することで容易
に達せられる。
ためには、基材フィルム温度を、モノマー息気圧が常１
！（２０℃）ＫＭる蒸気圧の緬該七ツマー蒸気の噴入と
同時に若しくはそれ以前に１１子照射装＄１１１２をｆ
′Ｐ餉させ、フィルム表面へ付着した七ツマ−に対して
電子ビームを爆射する。このときの電子ビームのエネル
ギーは、ｓ＠ｖ以上より好ましく ｉｆ １０ ｅ Ｖ
以上とするのがよく、これ＃ｉフイクメント１３に印加
する負の直流電圧を電Ｍｌ ６にて制御することで容易
に達せられる。
適続約に基材フィルム１０上に入射、付着した七ツマ−
は、電子ビーム原射により、イオン化モ／ ？ −、イ
オン化分子、解離分子、ラジカル、励起分子等を生じ、
該各種の后性種の作用により重合反応が進み高密度Ｋ、
架橋し良高分子＃膜が形成される。
は、電子ビーム原射により、イオン化モ／ ？ −、イ
オン化分子、解離分子、ラジカル、励起分子等を生じ、
該各種の后性種の作用により重合反応が進み高密度Ｋ、
架橋し良高分子＃膜が形成される。
上記の高分子薄−の形Ｉ１．は、達読鈎に移動するフィ
ルム表劇上で行なわれ、フィルムの夢−は供給ロール８
１巻き取りロール−１及び円輪ドラム１１の紘動系によ
ってなされる。
ルム表劇上で行なわれ、フィルムの夢−は供給ロール８
１巻き取りロール−１及び円輪ドラム１１の紘動系によ
ってなされる。
本発明において用いられる七ツマ−としては次の種類の
ものが挙げられる。
ものが挙げられる。
一エチレン、プロピレン、イソブチレン、トリクロロプ
ロピレンなどのオレフィンとその誘導体 （ｂ）ゲタジエン、トリクロロブタジェンなどのジエン
とその誘導体やビニルアセチレン、クロルビニルアセチ
レンなどのビニルアセチレン類（ｃ） ＩＩ 化ビニル
、塩化ビニリデン、ジクロロエチレン、トリクロロエチ
レン、塩化アリルなど（Ｄ ハｕ ｆン化エチレン類 に）アクリル酸、メクアクリル酸、アクリルモル本りン
、アクリルピロリジンなどのアクリル酸及びメタクリル
酸と十の＃Ｉ尋棒 体−アクリル酸エチル、アクリル酸エチルなどのアクリ
ル酸エステル類 Ｕ＞メタクリル駿メチル、β−クロルメタクリル駿エチ
ル、β−エトキシメタクリル峻エチルなどのメタクリル
酸エステル類 （ｇ） ７クリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシカルボ二Ｉ
４／アクリルアミドなどのアクリル１ミドと十〇騎導体 （ｂ） Ｎ −ｏ−７ニシルメタクリルアミドなどのメ
タクリルアミドとその＃１導体 （這）アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α−ク
ロロアクリロニトリル、α−エテルアクリロニトリルな
どのアクリロ又はメタアクリロニトリル類 （ｊ） ＃ ＊ビニル、モノクロル酢酸ビニル、トリフ
０口酢酸ビニルなどのビニルエステル類（転）メチルア
クリルマレート、ビニルエチル７７シートなどの不飽和
二塩基性鹸とそのエステル傾 （１）酢酸アリル、７りに酸ジアリルなどの１リルエス
テに類 一メチルビニルケトン、ジビニルケトンなどのビニルア
ミン七その誘導体 一アリルピニルエーテル、エチルビニルエーテル、ジビ
ニルエーテルなどの不飽和エーテル（０）スチレン、ク
ロロスチレン、メチルスチレンなどのスチレンとその＃
導体 φ）ビニルイソシアネート、Ｎ−ビニルエチレンアミン
などのビニルアミンとその誘導体（ｑ）マレイシドとそ
の＃導体 け）ビニル千オニーチル、チオ酢酸ビニル、ビニルスル
ホンなどの含イオク化合物 （ｓ） Ｎ−ビニルピリジン、クロ縮ビニルナフタレン
などの多職式炭化水素及び複素環を有するビニル化合物 （Ｅ）ジメチルシａＣｔン、トリクロロピニルシツンな
どのケイ素を含む化合物 （ロ）ビニルフェノールなどの７エノールとそのｓＩ壽
体 本尭明高分子＃鎖の形成方法は、＃Ｊ記したプクズ７重
合法やプラズマＣＶＤ法等と興なり次の各効果を奏する
。
ロピレンなどのオレフィンとその誘導体 （ｂ）ゲタジエン、トリクロロブタジェンなどのジエン
とその誘導体やビニルアセチレン、クロルビニルアセチ
レンなどのビニルアセチレン類（ｃ） ＩＩ 化ビニル
、塩化ビニリデン、ジクロロエチレン、トリクロロエチ
レン、塩化アリルなど（Ｄ ハｕ ｆン化エチレン類 に）アクリル酸、メクアクリル酸、アクリルモル本りン
、アクリルピロリジンなどのアクリル酸及びメタクリル
酸と十の＃Ｉ尋棒 体−アクリル酸エチル、アクリル酸エチルなどのアクリ
ル酸エステル類 Ｕ＞メタクリル駿メチル、β−クロルメタクリル駿エチ
ル、β−エトキシメタクリル峻エチルなどのメタクリル
酸エステル類 （ｇ） ７クリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシカルボ二Ｉ
４／アクリルアミドなどのアクリル１ミドと十〇騎導体 （ｂ） Ｎ −ｏ−７ニシルメタクリルアミドなどのメ
タクリルアミドとその＃１導体 （這）アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α−ク
ロロアクリロニトリル、α−エテルアクリロニトリルな
どのアクリロ又はメタアクリロニトリル類 （ｊ） ＃ ＊ビニル、モノクロル酢酸ビニル、トリフ
０口酢酸ビニルなどのビニルエステル類（転）メチルア
クリルマレート、ビニルエチル７７シートなどの不飽和
二塩基性鹸とそのエステル傾 （１）酢酸アリル、７りに酸ジアリルなどの１リルエス
テに類 一メチルビニルケトン、ジビニルケトンなどのビニルア
ミン七その誘導体 一アリルピニルエーテル、エチルビニルエーテル、ジビ
ニルエーテルなどの不飽和エーテル（０）スチレン、ク
ロロスチレン、メチルスチレンなどのスチレンとその＃
導体 φ）ビニルイソシアネート、Ｎ−ビニルエチレンアミン
などのビニルアミンとその誘導体（ｑ）マレイシドとそ
の＃導体 け）ビニル千オニーチル、チオ酢酸ビニル、ビニルスル
ホンなどの含イオク化合物 （ｓ） Ｎ−ビニルピリジン、クロ縮ビニルナフタレン
などの多職式炭化水素及び複素環を有するビニル化合物 （Ｅ）ジメチルシａＣｔン、トリクロロピニルシツンな
どのケイ素を含む化合物 （ロ）ビニルフェノールなどの７エノールとそのｓＩ壽
体 本尭明高分子＃鎖の形成方法は、＃Ｊ記したプクズ７重
合法やプラズマＣＶＤ法等と興なり次の各効果を奏する
。
１１１１に、高真空傾板にて＃１ｍ！形成かぁ・こなわ
れるため残留ガスの取込み、反応が少なく、不鈍物の少
ない高分子簿膜が得られるとと−に１跣留鹸素ガス等反
応性ガスとの反応も少なくなり、酸化に基づく薄膜の着
色ま九は、高分子薄ｍ形成後に酸化劣化をひ１ｇす雄図
となる身命の長い／曵−オキサイドラジカル等の発生を
減少できる。更ＫＦｉ高真空でおこなうことから、七ツ
マー粒子の平均自由行程（ミーン７リーパス）が大きく
なる結果、細管状ノズルから方向を殖えて噴入された七
ツマー蒸気は、真空室内全鎖板に拡敵することなく比較
的集束された状−の分子流となって基材方向に進むこと
ができる。
れるため残留ガスの取込み、反応が少なく、不鈍物の少
ない高分子簿膜が得られるとと−に１跣留鹸素ガス等反
応性ガスとの反応も少なくなり、酸化に基づく薄膜の着
色ま九は、高分子薄ｍ形成後に酸化劣化をひ１ｇす雄図
となる身命の長い／曵−オキサイドラジカル等の発生を
減少できる。更ＫＦｉ高真空でおこなうことから、七ツ
マー粒子の平均自由行程（ミーン７リーパス）が大きく
なる結果、細管状ノズルから方向を殖えて噴入された七
ツマー蒸気は、真空室内全鎖板に拡敵することなく比較
的集束された状−の分子流となって基材方向に進むこと
ができる。
第２に本発明は七ツマー墓気流が基材表−に人射し九ｊ
Ｉ後に加速電子の衝撃を受はイオン化、ｔ７１ｉ性化を
なし重合せしめる方法であって、プラズマ重合法即ち、
アルゴン、ヘリタム等の不活性ガスを導入し真空室全領
域を１０ ｔｔｓｒｒ〜１Ｏ−１ｔｏｒｒという低真’
２に保ち、この不活性ガスを高目波もしくは直流高電圧
電界によりイオン化せしめてグロー放電を生ぜしめる方
法とは＾なるため次のような各効果を有する。
Ｉ後に加速電子の衝撃を受はイオン化、ｔ７１ｉ性化を
なし重合せしめる方法であって、プラズマ重合法即ち、
アルゴン、ヘリタム等の不活性ガスを導入し真空室全領
域を１０ ｔｔｓｒｒ〜１Ｏ−１ｔｏｒｒという低真’
２に保ち、この不活性ガスを高目波もしくは直流高電圧
電界によりイオン化せしめてグロー放電を生ぜしめる方
法とは＾なるため次のような各効果を有する。
偽）グロー放′−を用いないため４１！！形成達度に悪
影響を与えるプラズマ粒子によるスパッタリング現象が
防止できるり （呻ス／−ツタリング現象がないためこれに基つく発熱
がなく形成される高分子の不必要な熱分解ｔ、防止でき
る。
影響を与えるプラズマ粒子によるスパッタリング現象が
防止できるり （呻ス／−ツタリング現象がないためこれに基つく発熱
がなく形成される高分子の不必要な熱分解ｔ、防止でき
る。
（Ｃ）基材上で重合、高分子化するために必要とされる
活性種の濃度を照射する電子ビームの電子密度即ち出力
によって、容易に制御できる。
活性種の濃度を照射する電子ビームの電子密度即ち出力
によって、容易に制御できる。
又電子ビームの照射蓋の照射分布の均一化も比較鈎容１
ｋＫ制御できる結果、形成される高分子薄膜の性状を広
い山積でＭ８質化することができる。
ｋＫ制御できる結果、形成される高分子薄膜の性状を広
い山積でＭ８質化することができる。
＊８に本発明は、モノマーが基材表ｔｈ］Ｋ付着し丸時
点もしくは基材表向近傍で加速電子に衡撃されイオン化
、活性化させる方式のため、用いる加速電子のエネルギ
ーは膓常大気中で行なわれる電子線重合と比し圧鉤釣に
低いエネルギーて済み、５ｅＶ以上、−々数１０ｅＶ４
４＋れば良い。
点もしくは基材表向近傍で加速電子に衡撃されイオン化
、活性化させる方式のため、用いる加速電子のエネルギ
ーは膓常大気中で行なわれる電子線重合と比し圧鉤釣に
低いエネルギーて済み、５ｅＶ以上、−々数１０ｅＶ４
４＋れば良い。
即ち従来の電子線重合で必要なエネルギーの１／１００
０１ｉ度で良すのである。
０１ｉ度で良すのである。
第４に本発明によって得られる高分子重合体は高度に架
橋し丸ものとなるため、特に強度を畳＃される用途に好
隼なものとなる。
橋し丸ものとなるため、特に強度を畳＃される用途に好
隼なものとなる。
第１図は本発明に用いられる装置の一例を示す模式図で
ある。 ｌ・・・真空−１２・・・排気管、３・・・細管ノズル
、４・・・モノマーポンベ、６・・・導入Ｗ、Ｓ・・・
−ｅｈａ−ル、９・・・巻取り−Ａ／、１Ｇ・・・＆ｕ
７４ルム、１１・・・冷却された円筒ドラム、１２・・
・電子鳳射［１１１，１８−フィツメント、１４・・・
交流電源、ＩＳ・・・−流電源 特＃Ｆ出願人 積水化学工業株式会社 代表者藤沼基利 １１
ある。 ｌ・・・真空−１２・・・排気管、３・・・細管ノズル
、４・・・モノマーポンベ、６・・・導入Ｗ、Ｓ・・・
−ｅｈａ−ル、９・・・巻取り−Ａ／、１Ｇ・・・＆ｕ
７４ルム、１１・・・冷却された円筒ドラム、１２・・
・電子鳳射［１１１，１８−フィツメント、１４・・・
交流電源、ＩＳ・・・−流電源 特＃Ｆ出願人 積水化学工業株式会社 代表者藤沼基利 １１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 高真空状ｌとなしえ真空槽内にモノマー蒸気を噴入
し、該七ツマ−を冷却されｆＬ基材上に付着８ぜると同
時に電子ビームを照射することにより、該基材表１に高
密度に架橋した重合ｌＩを形成することを特徴とする烏
分子薄ＩＩＯ杉威力法Ｑ ２ 基材の温度を、用いる七ツマ−の１気圧が２０℃の
おける蒸気圧のμの蒸気圧となる温度以下にすることを
特徴とする妬１現記覗のｉ４分分子膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17402281A JPS5874701A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 高分子薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17402281A JPS5874701A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 高分子薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874701A true JPS5874701A (ja) | 1983-05-06 |
| JPS6340201B2 JPS6340201B2 (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=15971267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17402281A Granted JPS5874701A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 高分子薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874701A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59164304A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 高分子重合膜形成装置 |
| JPS60104134A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ重合コ−テイング装置 |
| US4842893A (en) * | 1983-12-19 | 1989-06-27 | Spectrum Control, Inc. | High speed process for coating substrates |
| US5018048A (en) * | 1983-12-19 | 1991-05-21 | Spectrum Control, Inc. | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making |
| US5032461A (en) * | 1983-12-19 | 1991-07-16 | Spectrum Control, Inc. | Method of making a multi-layered article |
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| US5125138A (en) * | 1983-12-19 | 1992-06-30 | Spectrum Control, Inc. | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making same |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP17402281A patent/JPS5874701A/ja active Granted
Cited By (9)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6340201B2 (ja) | 1988-08-10 |
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