JPS59145041A - 蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は蒸着装置、例えば水素等の元素で修飾されたア
モルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと略す。）を製膜
するのに好適な真空蒸着装置に関するものである。

２、従来技術 ａ−８ｔ等の薄膜を形成するには、グロー放電装置、ス
パッタ装置、蒸着装置等を使用できるが、このうち蒸着
装置は製膜速度が犬である上に大面積の薄膜を比較的容
易に形成できる点で優れている。

一方、ａ−８ｔ等の薄膜は半導体装置を始めとする種々
の分野において有用であるが、加熱によって蒸発若しく
は昇華可能な物質のみからなる薄膜だけでなく、そのよ
うな物質中に他の修飾元素を混入せしめて所望の特性を
具備せしめた薄膜を蒸着法によって形成することが望ま
れている。　例えば最近において太陽電池或いは光導電
材料として注目されているａ−８ｉは、非晶質という不
規則な原子配列構造のために不可避的に未結合のダング
リングボンドが生じるが、これを水素原子等により封鎖
することが必要であり、これによって初めて半導体材料
としての有用性が得られる。　従来、このよりなａ　−
Ｓｉは、シランガスを用いるグロー放電装置によって満
足すべきものが得られているが、蒸着装置によって同等
のものが得られれば上記した理由から極めて有利である
。

しかしながら、蒸着装置において、蒸着空間内に修飾元
素の供給ガス（以下、修飾ガスと称する。）を単に存在
せしめるのみでは、修飾元素が蒸着膜中に混入される量
は極めて僅かであり、所望の特性を有する薄膜の形成は
極めて困難である。　これは主として、修飾ガスが分子
状で安定なものとなっていることが原因である。

こうした事情から、蒸着空間内に修飾元素をイオン化又
は活性化して存在せしめれば、蒸発物質との反応性が高
まり、有効に修飾元素を蒸着膜中に混入せしめ得ると考
えられる。　例えば、直流グロー放電によるガス放電管
において修飾ガスを放電せしめることにより得られるイ
オン化成分を真空槽内に導入せしめることが提案されて
いる。

これは、真空槽内において放電を生せしめる手段を配す
ると、この放電に必要な条件と蒸着に必要な条件との両
方を同時に満足しなければならないために、実際には条
件の設定が限定されたものとなって大きな自由度が得ら
れないことを避けたものである。

このようなガス放電管を利用して修飾元素を蒸着膜中に
混入せしめる方法は一応は有効であシ、水素を含有した
ａ　−Ｓｉの形成において確認されている。

第１図には、蒸着装置の一例が示されている。

この蒸着装置においては、真空槽を形成するペルジャー
１に、バタフライバルブ２を有する排気路３を介して真
空ポンプ（図示せず）を接続する。

ペルジャー１内に配置される被蒸着基板４（例えば回転
ドラム状基板）を加熱するヒーター５、及び基板４（又
はこれが絶縁性のものであるときにはその背後電極）に
負の直流バイアス電圧を印加する直流電源６を設ける。

　また、基板４と対向するように蒸発源７を配置すると
共に、ペルジャー１にガス放電器８をそのガス導出口が
基板４と対向するように設ける。　このように構成され
た蒸着装置を用い、次のようにしてグ１えは水素が混入
されたアモルファスシリコンの薄膜を形成することがで
きる。

即ち、ペルジャー１内を１０　”　〜１（１’　Ｔｏｒ
ｒの真空状態に排気し、ヒーター５により基板４を温度
２５０〜５００°Ｃに加熱すると共に直流電源６により
一１０ＫＶ以下の直流負電圧を基板４に印加した状態に
おいて、ガス放電器８に修飾ガスである水素ガス９を供
給し、この放電器８からの水素イオン又は活性水素をペ
ルジャー１内に導入せしめ、上記直流負電圧をバイアス
として基板４へ引きつけながら、シリコンを蒸発源物質
とする蒸発源７を電子銃加熱方式（図示せず）で加熱し
てシリコンを蒸発せしめ、これによって基板４上に、水
素が混入されたａ−８ｉの薄膜を形成する。　なお、基
板４は、実際には８１４２図に示すように、両端での電
場のエツジ効果によるイオンの集中をなくすため、その
両端を支持体１１で支持し、これにバイアス電圧６を印
加しておく。

ところが、本発明者が上記蒸着装置に検討を加えた結果
、次の如き欠陥があることを見出した。

即ち、上記ガス放電器８は、基板４に対してイオン流を
充分に導ひく目的から、基板４の中央方向に向けて斜め
に配置されているので、ガス放電器８から基板４に到達
するイオン量は、基板４の被蒸着面のうちガス放電器８
に対し近い部分と遠い部分とで異なってしまい、皺蒸着
面全体としてイオン分布量にばらつきが生じる。　これ
は特に、基板４が大面積の場合に顕著である。　このた
め、基板４上に堆積するａ　−Ｓｉ膜中の水素濃度分布
が面方向にて不均一となシ、これによって膜特性が著し
く低下してしまう。

３０発明の目的 本発明の目的は、被蒸着基体に対してイオン又は活性ガ
スを均一に分布させ、均質な蒸着膜を形成できる装置を
提供することにある。

４、発明の構成 即ち、本発明による蒸着装置は、シリコン等の直流イオ
ン銃）とが被蒸着基体に夫々対向して配され、前記被蒸
着基体の被蒸着面の各部分と前記ガス放電部とがほぼ等
距離に配置されることな特徴とするものである。

５、実施列 以下、本発明の実施列を第２図〜第１３図について詳細
に説明する。　但、第１図と同一部分には同一符号を付
して説明を省略することがおる０第２図は第１の実施例
による蒸着装置を概略的に示すものであるが、装置の操
作自体は第１図と同様であるのでその説明は略す。

この蒸着装置によれば、ガス放電器１８に対し、被蒸着
基板１４が円弧状に曲げられて配置されている。　即ち
、基板１４は、第３図に明示する如く、ガス放電器１８
を中心とする円弧面に被蒸着面が一致するように、同じ
円弧面を形成する基板ホルダー１０の内面形状に追随し
て変形せしめられている。　従って、基板１４の被蒸着
面の各部分、例えばその一端位置Ａ１中央位置Ｃ１他端
位置Ｂとガス放電器１８との距離ａ、ｂＸ　ｃはほぼ等
しくなされている。　このためには、基板ホルダー１０
は予め図示の円弧形状に成形されたものを使用してよい
が、フレキシブルな平板を円弧状に曲げてこの形状を適
当な支持手段（図示せず）で保持したものを使用できる
。　これに関連して、基板１４もフレキシブルであって
、第４図に示す如く、平板形状の状態からホルダー１０
の内面に一点鎖線のように押当てると、ホルダー１０の
形状に追随して弾性変形され、この変形状態がホルダー
１０で保持されるように構成するのが望ましい。　なお
、ヒーター１５も上記円弧形状に沿って配される。　ま
た図中の１１は、蒸発源７からの蒸発物質１２を基板１
４の被蒸着面へ選択的に導びくためのスリット板である
０ 上記した如くに、基板１４とガス放電器１８とをほぼ等
距離に配置することによって、第１図の如き従来装置に
比較して、ガス放電器１８から基板１４上に到達するイ
オン１３の量を被蒸着面全体に亘ってはるかに均一化す
ることができるｏ　しかも、蒸発源７に対する基板１４
の距離及び角度が下方から上方へと変化せしめられてい
るため、蒸発源７からの蒸発の指向性に基いて蒸発量の
最も多い蒸発源の真上では被蒸着面が遠くにあシ、蒸発
量が相対的に少なくなる斜め方向の角度が大きくなるに
従って被蒸着面が蒸発源７に次第に近づき、このために
被蒸着面全体として堆積する蒸着膜の膜厚を各位置間で
均一化できることになる。

次に、イオン量の均一分布に関し、本発明の優位性を如
実に示す実験データを説明する。

例えば、次の条件で水素含有ａ−８ｉを蒸着した。

基板１４　　　　ステンレスシー）（５０μｍＪ９Ｅ）
基板１４とガス放電器１８との距離　　　３０ｃｒｎ基
板ホルダー１０　　　ガス放電器１８から等距離に曲げ
る 基板温度　　　　　３００°Ｃ 基板電圧６　　　　−４ＫＶ 蒸発源７　　　　　　Ｓｔ 蒸着速度　　　　　３５　Ａ　／　ｓｅｅ修飾ガス９　
　　水素（流量２００　ｃｃ　／　ｍｉｎ　）ガス放電
器１８　　　マグネトロン型直流イオン銃（第７図につ
き後述する。） 放電電圧　１．５ＫＶ コイル電流　０．３Ａ 第５図には、第１図の如き従来装置の配置で上記実験を
行なった場合に得られた蒸着膜の赤外線吸収スペクトル
が示されている０　これから明らかなように、蒸着膜の
各部間で吸収係数のプロファイルがばらついている。　
これに対し、第２図に示す如き配置の場合には第６図に
示すように、蒸着膜の各部間で吸収係数のプロファイル
がほぼ同等となシ、吸収ピークも大きくなることが分つ
た。　このことは、第１図の場合、基板に対するが不均
一化している一方、第２図ではそのようなかつ均一にな
っていることを示している。　第６図のスペクトルのプ
ロファイルにつき、その面積を求めることによシ、第６
図の蒸着膜の水素含有量は志１〜２％以内のばらつきし
がなく、実質的に均一であることが分った。

第７図は、上記に使用するガス放電管１８を構成するマ
グネトロン型直流イオン銃を示す。　このイオン銃は、
ホルダー４２と、イオン出・口４１側に設けた金属メツ
シーよシ成る引出し電極４３と、この引出し電極４３と
対向するように設けた陽極板材と、引出し電極招及び陽
極板材間において陽極板材と敷部程度の間隔を置いて配
された貫通孔４５付きの陰極板４０と、陰極４０の外周
に配された電磁石４６とを有している。　陽極板４４の
近傍には修飾ガス導入管４７が接続され、またイオン出
口４１はこのイオン銃の出口側の引出し電極４３から前
記被蒸着基板４を指向するように配される。　４８は陽
極板４４の電源（電圧ＶＡ）であってその印加電圧は２
ＫＶ以下、５０は電磁石４６の電源であってそのマグネ
ット（コイル）電流はθ〜ＩＡとされる。　引出し電極
４３はこの例においては接地電位とされ、またこの引出
し電極と陰極旬との間には陰極の電源４９（電圧■。）
が接続され、０≦夾≦ｖＡとなされている。　なお、ホ
ルダー４２は陰極４０と同電位となっている。

このようなイオン銃１８においては、修飾ガス導入管４
７よシ放電空間内に導入された例えば水素ガスが陽極板
材と陰極板４０との間に導入されて放電によシイオン化
し、このイオンは電磁石４６によって貫通孔４５の空間
内に磁力によってとじ込められ、効率良く矢印方向への
み加速されるようになる。

そして、引出し電極４３との電位差によってプラズマか
ら水素イオンが引き出されて引出し電極４３を通過して
ペルジャー１内に導入され、被蒸着基板４又はその背後
電極に印加されたバイアス電圧によって基板４に向って
効率良く引きつけられながら飛翔する。　同時に、蒸発
源７よりは例えばシリコン蒸気が飛翔して基板４に衝突
し、この結果、基板４上には水素が混入されたａ−８ｔ
の薄膜が形成される。

上記したように、マグネトロン型直流イオン銃又はガス
放電器１８において修飾ガスのイオン及び活性ガスを生
成せしめてこれをペルジャー１内に導入せしめ、その存
在下において蒸発源物質を蒸発せしめるため、確実に修
飾元素が混入された薄膜を形成し得る。　しかも、イオ
ン銃１８がペルジャー１とは機能上独立であって、その
陽極板４４、陰極板４０、電磁石４６及び引出し電極４
３の電圧、電磁石４６の磁力、修飾ガスの供給量、並び
に基板４に印加されるバイアス電圧及び温度を個々に制
御することができる上、蒸発源７の蒸発速度の制御も可
能であるため、薄膜における修飾元素の混入割合を広い
範凹に亘って制御することができる。

特に、イオン銃１８は、単なる直流放電による公知のガ
ス放電管に比して低パワーでも多量のイオン及び活性ガ
スを生成せしめることができる上、ペルジャー１内には
加速された高エネルギーのイオン等が導入されるのでそ
の薄膜中への混入効率が大きく、従って修飾元素の含有
割合の高い、所望の特性を有する薄膜を形成することが
できる。

既述の例においては、水素が３０原子係もの高い含有割
合で混入されたａ−８ｔの薄膜を形成することが可能で
ある。　又、このように修飾元素を高い効率で混入せし
め得るので、元来大きな製膜速度が得られる蒸着法の利
点を生かしなから製膜速度を更に大きくすることができ
る。　例えば基板４として長尺なものを用いて、これを
大きな速度で移動せしめながらその表面に連続して所望
の薄膜を有利に形成することもできる。

但、上記のイオン銃１８にセいては、引出し電極招は必
ずしも必要ではなく、また陰極４０及びホルダー４２は
接地してもよい。　また陰極−陽極間には交流電圧を印
加し、このイオン銃を交流駆動することもできる。

なお、蒸着膜に所定量の水素を含有させるようにする場
合、既述した公知のガス放電管ではイオン（又は活性化
ガス）供給能力が小さいため、Ｓｉの蒸着速度を落とさ
ざるをえないが、上記マグネトロン方式ではその能力が
大きいのでＳｉを高速に飛ばしても所定の水素官有量を
もつ膜を形成することができる。　このことがらマグネ
トロン方式の場合は、高速で、例えば電子写真に必要な
１０１２Ω−ｍといった高抵抗膜を形成できるが、公知
のガス放電管では、同速度では所定の水素を供給できな
いため、そのような性能の膜を得ることができず、ずっ
と低速で製膜しなければならないことになる。　一般に
、薄膜は水素含有率が大きいから高抵抗とは限らないの
であシ、要は、必要水素量を含有させればよい。　必要
水素含有率はそれぞれの膜によって違うが一般に、１０
％程度とされている。　したがって、公知のガス放電管
の如く水素供給能力が小さい場合、高速になるとたとえ
ば水素含有率が数チ以下ということになシ、膜質が劣悪
であり　１０１２０−ｍといったような高抵抗膜を得る
ことが不可能になる。

第８図は、第３図の実施例に訃いて基板１４を変形させ
ずに単に平板状に配した状態を示している。

この状態では、上記した理由によシ放電器１８から供給
されるイオン量については基板上で均一にはならないが
、蒸発源７からの蒸発物質の付着量（即ち蒸着膜の膜厚
）は均一にすることが可能である。　つまり、第３図に
ついて既に述べたと同様に、蒸発源７に対する基板１４
の距離及び角度が下方から上方へと変化せしめられてい
るため、蒸発源７からの蒸発の指向性に基いて蒸発量の
最も多い蒸発源の真上では被蒸着面が遠くにあシ、蒸発
量が相対的に少なくなる斜め方向の角度が大きくなるに
従って被蒸着面が蒸発源７に次第に近づき、このために
被蒸着面全体として堆積する蒸着膜の膜厚を各位置間で
均一化できることになる。

これを第９図につきよシ詳しく説明すると、第９図の如
く蒸発源７を単に基板１４の中央位置の真下に配したと
すれば、その方向に対してなす角度αが大きくなる程、
蒸発の指向性が悪くなシ、蒸着膜の膜厚は同図に破線で
示すように小さくガる傾向がある。　ところが、第８図
のように蒸発源７に対し基板１４を傾け、しかも蒸発源
７の真上位置が上記端部Ｂ付近に対応する如くに配置す
れば、蒸発の指向性と蒸発源７−基板１４間の距離との
相関関係が適切なものと彦り、第９図に実線で示すよう
に基板１４上への蒸発物質の付着量が一様となってその
膜厚が基板面全体に亘って均一化される。

第１０図及び第１１図は、本発明の他の実施列を示すも
のである。

この列によれば、被蒸着基板として巻取シ可能なフィル
ム基板調を使用する一方、被蒸着面を決める開口３１を
設け、だ円弧状の基板ホルダー３０を設け、基板３４を
供給ロール３２からホルダー３０の外面に沿って導ひき
、巻取ロール３３へと巻取るようにしている。　勿論、
ホルダー３０のなす円弧面はガス放電器１８を中心とす
る円弧面に一致させ、開口３１における基板あの各部分
をガス放電管１８に対しほぼ等距離に位置せしめる。　
なお、ヒー゛ターはホルダー３０の外面に沿って配され
るが、図示省略した。　第１１図では基板あを一点鎖線
で示した。

このように、フィルム基板あをガス放電器１８と等距離
を保持して移動させながら蒸着操作を行なうと、既述の
実施例と同様に基板３４上には修飾元素含有量が均一で
、しかも膜厚のばらつきの少ない蒸着膜を形成できると
共に、連続的な処理が可能となって量産性が大幅に向上
する。　また、基板３４が移動するので、堆積する蒸着
膜の膜厚は更に均一なものとなシ、この点では蒸発源７
の位置は第１０図のものに限ることなく、他の位置に変
更してもよい。　なお、基板あには既述の例と同様にバ
イアス電圧を印加することができるが、必ずしも印加し
なくてもよい。　これは、既述の列でも同様である。

上述の各列においては、基板１４又は３４とがガス放電
器１８との距離を特に１０〜１５０ｃ１ｎに設定するの
が望ましいことが分った。

例えば、次の条件で実験を行なった。

基板の面積　　　２８００ｃｒｎ” 基板電圧　　　　−４ＫＶ 水素ガス流量　　２００ｃｃ／ｍｉｎ ガス放電器　　　マグネトロン型直流イオン銃放電電圧
　　　１．５ＫＶ コイル電流　　０．３５Ａ ペルジャー内の真空度　Ｉ　Ｘ　１０”−’　Ｔｏｒｒ
この条件下で、基板−イオン銃間の距離を種々変更して
実験したところ、第１２図に示す如く、基板イオン電流
（基板に陽イオンが付着することによシ基板に流れる電
流：陽イオンが流れ込む方向）は上記距離と共に変化す
ることが分った。　これによれば、上記距離が短かくな
る程に基板イオン電流が増し、イオン導入量が増加する
が、１０〜２０ｃｒｎ以下ではほぼ飽和状態に近くなる
。　特に、１０ｃｒｎ未滴になると、イオンによる基板
に対するボンバードダメージが生じ易く、第１３図の実
験データ（但、蒸着速度３０Ａ／ｓｅｃ、基板温度３０
０°Ｃ１Ｈ２量１５０　ｃｃ／ｍｉｎ　：他の条件は上
記したものと同じ。）に示す如く、蒸着膜の膜質が劣化
すると同時にその不均一性が増進されて、ΔσＷ（白色
光照射時の電気伝導度変化、ΔσＧ（緑色光照射時の電
気伝導度変化）が悪くなって光応答性が劣化し、σＤ（
暗所電気伝導度）も減少する傾向がある。

また、イオンの平均自由行程はペルジャーの真空度で決
まるが、上記蒸着では一般に１０１〜１Ｏ−４Ｔｏｒｒ
の真空度で操作され、この場合には上記距離が１５０　
ｃｍを越えると、放電器から放出されたイオンが基板に
向かう途中で消滅する割合がかなシ増え、基板イオン電
流がとれなくな勺、第１２図の如くに大幅に減少してし
まう。　とれに関連して、基板イオン電流（基板へのイ
オン到達量に対応）が蒸着膜の成膜速度を大きく律速す
るため、基板イオン電流を充分にとれることは非常に重
要である０ このことから、基板−イオン銃間の距離を１０〜１５０
創の範囲に設定すれば、非常に効率良くかつ均一にイオ
ンを基板上へ導びくことかでき、良質な蒸着膜を高速に
形成することが可能となる。

なお、上記の例において使用可能な修飾ガスとしては、
前記蒸発源による蒸着によって形成される物質中に混入
し得る元素のイオン及び活性化物を与えるものであれば
任意であｊ）、Ｌ、０＊、Ｎｚ、Ｆ２等のハロゲンの如
く単一元素よシ成るガスのみガらず、化合物ガスを用い
ることもできる。　列えばＮＨｓ　、　　ＳｉＨ４、Ｐ
Ｉ（ｌ、Ｂ　ｘＨｓ、Ａ、Ｈｓ、ＣＨ４等の炭化水素、
フレオン等がある。　この場合、例えば水素ガスの一部
を炭化水素ガスとすれば、水素が混入されたアモルファ
スシリコンカーバイトの薄膜を得ることができる。

また、蒸発源７に収容する蒸発源物質としては、Ｓｉを
はじめＧｅ等の如く、一般に蒸着可能なすべてのものを
用いることができる。　そして蒸発源７の数は複数とし
てもよく、既述のようにａ−８ｉの薄膜を形成する場合
において、周期律表第１■族又は第Ｖ族元素の蒸発源を
も用いて共蒸着を行なえｒｄ、、ｐｍ又はＮ型のアモル
ファスシリコンの薄膜が得られる。

本例の装置によって製膜される薄膜は、上記した物質の
組合せにより、ａ−８ｔ：Ｈ，ａ−８ｉ：Ｆ。

ａ−８ｔ：Ｈ：ＦＸａ−８ｉＣ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｆ、
　　ａ　−８ｉＣ：Ｈ：Ｆ等からなるものが得られる。

　この場合、蒸発源としてシリコンに代えてゲルマニウ
ムを用いれば、上記と同様の対応した水素化及び／又は
フッ素化アモルファスゲルマニウム等が得うれる。

また、蒸発源７の加熱方式は、電子銃加熱、抵抗加熱、
誘導加熱等任意のものが利用され得る。

そして粗大粒塊の飛翔を防止し得る構造とするのが好ま
しい。

以上、本発明を例示したが、上述の列は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。

例えば、第２図の列における基板の形状はガス放電器に
対し円弧状としだが、実際にはガス放電器からのイオン
は立体角をなして拡がるから、球面状に形成されること
が望ましい。　また、基板として、予め円弧状に作成さ
れたものを用いることもできる。　また、上述のマグネ
トロン型直流イオン銃等のガス放電器の構造は種々に変
更可能であるし、そのペルジャー内での位置も上述の例
に限ることはない。　修飾ガスイオンを基板側へ引きつ
けるためには、上述のバイアス電圧の印加以外に、基板
近傍に誘導コイル等による磁場を形成してもよい。　磁
場を形成する場合、イオン粒子がイオン銃で加速されて
いるので基板側へ効果的に偏向せしめられる。

６１発明の効果 本発明は上述した如く、被蒸着基体の被蒸着面の各部分
とガス放電器とをほぼ等距離に配しているので、ガス放
電器から基体上に到達するガス量のばらつきを少なくシ
、修飾元素量が均一で均質な蒸着膜を得ることができる
。　しかも、そうした膜を得る上で、ガス放電器を回転
させるとか複数設ける必要がないため、装置の構造や組
立てが簡略化する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来列による蒸着装置の概略断面図である。 第２図〜第１３図は本発明の実施例を示すものであって
、 第２図は蒸着装置の概略断面図、 第３図はその要部拡大図、 第４図は被蒸着基板を固定するときの断面図、第５図は
第１図の配置において得られた蒸着膜各部の赤外線吸収
スペクトル、 第６図は第２図の配置において得られた蒸着膜各部の赤
外線吸収スペクトル、 第７図はマグネトロン型直流イオン銃の断面図、第８図
は基板を平板状にした場合の第３図と同様の図、 第９図は蒸着方向と蒸着膜の膜厚との関係を示すグラフ
、 第１０図は他の列による蒸着装置の要部概略図、第１１
図は第１０図の基板ホルダーの平面図、第１２図は基板
−ガス放電器間の距離による基板イオン電流の変化を示
すグラフ、 第１３図は基板−ガス放電器間の距離と蒸着膜の特性と
の関係を示すグラフ である。 なお、図面に示された符号において、 ４．１４．３４・・・・・・・・・被蒸着基板６・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・バイアス電圧７・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・蒸発源９・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・修飾ガ
ス１０．３０・・・・・・・・・・・・・・・・・・基
板ホルダー１８・・・・・・・・・・・・・・・マグネ
トロン型直流イオン銃３２・・・・・・・・・・・・・
・・供給ロール３３・・・・・・・・・・・・・・・巻
取ロール４０・・・・・・・・・・・・・・陰極招・・
・・・・・・・・・・・・・引出し電極材・・・・・・
・・・・・・・・・陽極４６・・・・・・・・・・・・
・・・電磁石である。 代理人　弁理士　逢　坂　　宏（他１名）第１図 第２図 第３図 第４図 第７図 ム１ 第８図 第９図 Ｌ 第１０図 ４ 第１１図 ３．４ 第１２図 第１３図 距敵（ｃｍｌ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、蒸発源と、修飾ガスをイオン化又は活性化して供給
   するガス放電部とが被蒸着基体に夫々対向して配され、
   前記被蒸着基体の被蒸着面の各部分と前記ガス放電部と
   がほぼ等距離に配置されることを特徴とする蒸着装置。 ２、被蒸着基体の被蒸着面がガス放電部を中心とした円
   弧面に一致している、特許請求の範囲の第１項に記載し
   た装置。 ３、　被蒸着基体がフレキシブルであって、ガス放電部
   を中心とした円弧面に一致するように変形可能である、
   特許請求の範囲の第２項に記載した装置。 ４、　ガス放電部□がマグネトロン型直流イオン銃によ
   って構成されている、特許請求の範囲の第１項〜第３項
   のいずれか１項に記載した装置。 ５、被蒸着基体にバイアス電圧が印加されることによっ
   て、ガス放電部からのイオン化された修飾ガスが被蒸着
   基体上に引きつけられる、特許請求の範囲の第１項〜第
   ４項のいずれか１項に記載した装置。