JPS59145044A - 蒸着方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｌ、産業上の利用分野 本発明は蒸着方法、例えば水素等の元素で修飾されたア
モルファスシリコン（以下、ａ−８ｌと略す。）を製膜
するのに好適な真空蒸着方法に関するものである。

２、従来技術 ａ−８１等の薄膜を形成するには、グルー放電法、スパ
ッタ法、蒸着法等を使用できるが、このうち蒸着方法は
製膜速度が大である上に大面積の薄膜を比較的容易に形
成できる点で優れている。

一方、ａ−８１等の薄膜は半導体装置を始めとする種々
の分野において有用であるが、加熱によって蒸発若しく
は昇華可能な物質のみからなる薄膜だけでなく、そのよ
うな物質中に他の修飾元素を混入せしめて所望の特性を
具備せしめた薄膜を蒸着法によって形成することが望ま
れている。

例えば最近において太陽′這池或いは光導電材料として
注目されているａ　−８１は、非晶質という不規則な原
子配列構造のために不可避的に未結合のダングリングボ
ンドが生じるが、これを水素原子等により封鎖すること
が必要であり、これ妊よって初めて半導体材料としての
有用性が得られる。

従来、このようなａ−８１は、シランガスを用いるグル
ー放電法によって満足すべきものが得られているが、蒸
着法によって同等のものが得られれば上記した理由から
極めて有利である。

しかしながら、蒸着法において、蒸着空間内に修飾元素
の供給ガス（以下、修飾ガスと称する。）を単に存在せ
しめるのみでは、修飾元素が蒸着膜中に混入される量は
極めて僅かであり、所望の特性を有する薄膜の形成は極
めて困難である。　これは主として、修飾ガスが分子状
で安定なものとなっていることが原因である。

こうした事情から、蒸着空間内に修飾元素をイオン化又
は活性化して存在せしめれば、蒸発物質との反応性が高
まり、有効に修飾元素を蒸着膜中に混入せしめ得ると考
えられる。　例えば直流グルー放電によるガス放電管に
おいて修飾ガスを放電せしめることにより得られるイオ
ン化成分を真空槽内圧導入せしめることが提案されてい
る。

これは、真空槽内において放電を生せしめる手段を配す
ると、この放電に必要な条件と蒸着忙必要な条件との両
方を同時に満足しなければならないために、実際には条
件の設定が限定されたものとなりて大きな自由度が得８
られないことを避けたものである。

このようなガス放電管を利用して修飾元素を蒸着膜中に
混入せしめる方法は一応は有効であり、水素を含有した
ａ　−Ｓ　ｌの形成忙おいて確認されている。

第１図には、蒸着装置の一例が示されている。

この蒸着装置においては、真空槽を形成するペルジャー
１に、バタフライバルブ２を有する排気路３を介して真
空ポンプ（図示せず）を接続する、ペルジャーｌ内に配
置される被蒸着基板４を加熱するヒーター５、及び基板
４（又はこれが絶縁性のものであるときにはその背後電
極）に負の直流バイアス電圧を印加する直流電源６を設
ける。

また、基板４と対向するように蒸発源７を配置すると共
に、ペルジャーｌにガス放電管８をそのガス導出口基板
４と対向するように設ける。　このように構成された蒸
着装置を用い、次のよう圧して例えば水素が混入された
アモルファスシリコンの薄膜を形成することができる。

即ち、ベルジーｙ−１内を１０−’　−ｙｌ　０−’　
Ｔｏｒｒ　の真空状態に排気し、ヒーター５により基板
４を温度２５０〜５００℃忙加熱すると共に直流電源６
により一１０ｋＶ以下の直流負電圧を基板４に印加した
状態において、イオン銃１８に修飾ガスである水素ガス
９を供給し、このイオン銃１８からの水素イオン又は活
性水素をペルジャー１内忙導入せしめ、上記直流負電圧
をバイアスとして基板４へ引きつけながら、シリコンを
蒸発源物質とする蒸発源７を電子銃加熱方式（図示せず
）で加熱してシリコンを蒸発せしめ、これ忙よって基板
４上に、水素が混入されたａ−８Ｌの薄膜を形成する。

上記のガス放電管８は、第２図に示す如き構造からなっ
ている。　即ち、ガス入口１１を有する筒状の一方の′
電極部材１２と、この一方の電極部材１２を一端に設け
た、放電空間１３を囲む例えば筒状ガラス製の放゛ｔに
空間部材１４と、この放電空間部材１４の他ｉｉＪ　Ｉ
ｃ設けた、出口１５を有するリング状の他方の電極部材
１６とより成り、前記一方の電極部材１２と他方の電極
部材１６との間に直流又は交流の電圧が印加されること
により、ガス人口１１を介して供給された例えば水素ガ
スが放電空間１３においてグルー放電を生じ、これＫよ
り電子エネルギー的忙賦活された水素原子若しくは分子
より成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口
１５より排出される。　この図示の例の放電空間部材１
４は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を
有し、１７．１８が冷却水入口及び出口を示す、　１９
は一方の電極部材１２の冷却用フィンである。　上記の
水素ガス放電管８における電極間距離は１０〜１５ｃｍ
であり、印加電圧は６００Ｖ　、放電空間６３の圧力は
１０−”　Ｔｏｒｒ程度とされる。

しかしながら、本発明者が検討を加えた結果、上記の如
きガス放電管を使用する場合、得られた蒸着膜中九、大
きな自由度をもって制御された割合で修飾元素を混入せ
しめることができず、特忙その含有割合を大きくするこ
とができないことが判明した。　しかも、蒸着膜の形成
される基板４に印加する電圧６についてはこれ迄、充分
な検討がなされておらず、従って設定された基板電圧に
よっては特性不良な蒸着膜しか得られないことも判明し
た。

３、発明の目的 本発明者は、従来のガス放電管に比べて大幅にイオン生
成効率の良いガス放電器を見出すと共に、基板電圧九つ
いてはじめて厳密な考察を加え、蒸着膜の特性を著しく
向上せしめ得る最適の電圧範囲を確立したものである。

本発明の目的は従って、蒸着膜中への修飾元素導入量を
制御性良く増やし、所望の膜特性の蒸着膜を形成するこ
とのできる蒸着方法を提供することにある。

４、発明の構成 即ち、本発明による蒸着方法は、マグネ）ｐン型ガス放
電器（特にマグネ）Ｇ−ン型直流イオン銃）からのイオ
ン化又は活性化された水素等の修飾ガスを存在させた状
態で、シリコン等の蒸発源がらの蒸発物質を被蒸着基体
に蒸着させる妃際し、前記被蒸着基体に一２Ｖ〜−１０
ｋＶの電圧を印加することを特徴とするものである。

５、実施例 以下、本発明を実施例につき図面参照下に詳細に説明す
る。

本例による蒸着装置においては、第３図九示すガス放電
管２８を使用することが１つの重要な特徴である。　但
、ガス放電管ｚ８以外の構成部分は第１図の例と基本的
に同じであるから、その説明は略す。

ガス放電管２８はマグネ）ｃ−ン型直流イオン銃として
構成されていて、ホルダー４２と、イオン出口４１側に
設けた金属メツシュより成る引出し電極４３と、この引
出し電極４３と対向するよう忙設けた陽極板４４と、引
出し電極４３及び陽極板４４間において陽極板４４と数
祁程度の間隔を置いて配された貫通孔４５付きの陰極板
４０と、陰極４０の外周忙配された電磁石４６とを有し
ている。　陽極板４４の近傍には修飾ガス導入管４７が
接続され、またイオン出口４１はこのイオン銃の出口側
の引出し電極４３から前記被蒸着基板４を指向するよう
に配される。　４８は陽極板４４の電源（電圧ＶＡ）で
あってその印加電圧は２ｋＶ以下、５０は電磁石４６の
電源であってそのマグネット（コイル）電流は０〜ＩＡ
とされる、　引出し電極４３はこの例においては接地電
位とされ、またこの引出し電極と陰極４ｏとの間には陰
極の電源４９（電圧Ｖｃ）が接続され、０≦Ｖｃ≦ＶＡ
　　となされている。　なお、ホルダー４２は陰極４゜
と同電位となっている。

このようなイオン銃２８忙おいては、修飾ガス導入管４
７より放電空間内に導入された例えば水素ガスが陽極板
４４と陰極板４ｏとの間圧導入されて放電によりイオン
化し、このイオンは電磁石４６によって貫通孔４５の空
間内忙磁力忙よってとじ込められ、効率良く矢印方向へ
のみ加速されるようになる。　そして、引出し電極４３
との電位差によってプラズマから水素イオンが引き出さ
れて引出し電極４３を通過してペルジャー１内に導入さ
れ、被蒸着基板４又はその背後電極に印加されたバイア
ス電圧によって基板４に向って効率良く引きつけられな
がら飛翔する。　同時に、蒸発源７よりは例えばシリコ
ン蒸気が飛翔して基板４に衝突し、この結果、基板４上
には水素が混入されたａ−８１の薄膜が形成される。

上記したよ５に、マグネトーン型直流イオン銃又はガス
放電器２８において修飾ガスのイオン及び活性ガスを生
成せしめ℃これをペルジャー１内に導入せしめ、その存
在下において蒸発源物質を蒸発せしめるため、確実に修
飾元素が混入された薄膜を形成し得る。　しかも、イオ
ン銃２８がペルジャー１とは機能上独立であって、その
陽極板４４、陰極板４０、電磁石４６及び引出し電極４
３の電圧、電磁石４６の磁力、修飾ガスの供給量、並び
忙基板４に印加されるバイアス電圧及び温度を個々に制
御することができる上、蒸発源７の蒸発速度の制御も可
能であるため、薄膜における修飾元素の混入割合を広い
範囲に亘って制御することができる。　特に、イオン銃
２８は、単なる直流放電による公知のガス放電管に比し
て低パワーでも多量のイオン及び活性ガスを生成せしめ
ることができる上、ペルジャーｌ内圧は加速された高エ
ネルギーのイオン等が導入されるのでその薄膜中への混
入効率が大きく、従って修飾元素の含有割合の高い、所
望の特性を有する薄膜を形成することができる。　既述
の例においては、水素が３０原子チもの高い含有割合で
混入されたａ−８１の薄膜を形成することが可能である
。　又、このように修飾元素を高い効率で混入せしめ得
るので、元来大きな製膜速度が得られる蒸着法の利点を
生かしなから製膜速度を更に大きくすることができる。

例えば基板４として長尺なものを用いて、これを大きな
速度で移動せしめながらその表面に連続して所望の薄膜
を有利に形成することもできる。

但、上記のイオン銃２８においては、引出し電極４３は
必ずしも必要ではなく、また陰極４０及びホルダー４２
は接地してもよい。　また陰極−陽極間圧は交流電圧を
印加し、このイオン銃を交流駆動することもできる。

なお、上記のイオン銃２８とペルジャー内の他の部材と
の位置関係について言えば、イオン銃２８と基板４との
距離が最も短かく（接地されるペルジャー内壁面との距
離よりも短かく）配置するこによって、基板自体にイオ
ン銃からのイオンの引出し電極としての役割をもたせ得
る。　しかも、イオン銃の陰極と基板との間の電圧を基
板への負電圧の印加により充分に大きくとれるから、イ
オン銃からのイオンを効率良く引出して、基板に到達さ
せることができる。　要するに、本例で使用するイオン
銃は、上記の引出し電極４３を省略しても、基板を引出
し電極として機能させることができることになる。　こ
のためには、イオン銃に対しペルジャー壁等のアース源
を上記の如くに遠ざけ、かつ基板に負電圧を印加するこ
とが望ましく）。

なお、蒸着膜に所定量の水素を含有させるようにする場
合、既述した公知のガス放電管ではイオン（又は活性イ
ｂガス）供給能力が小さいため、Ｓｌの蒸着速度を落と
さざるをえないが、上記マグネトーン方式ではその能力
が大きいので８１を高速に飛ばしても所定の水素含有量
をもつ膜を形成することができる。　このことがらマグ
ネトーン方式の場合は、高速で１例えば電子写真に必要
な１ｏＩｆｆｉΩ−儂といった高抵抗膜を形成できるが
、公知のガス放ｍ管では、同速度では所定の水素を供給
できないため、そのような性能の膜を得ることができず
、ずっと低速で製膜しなければならないことになる。　
一般に、薄膜は水素含有率が太きいがら高抵抗とは限ら
ないのであり、要は、必要水素量を含有させればよい。

　必要水素含有率はそれぞれの膜によって違うが一般に
１０ｑ６程度とされている。　したがって、公知のガス
放′目イ管の如く水素供給能力が小さい場合、高速にな
ると例えば水素含有率が数多以下ということになり、膜
質が劣悪であり、ｌＯＩ！Ω−儒　といったような高抵
抗膜を得ることが不可能になる。

上記したイオン銃２８を用いる蒸着方法において、直流
電源６による基板４の印加電圧（基板電圧）を−２ｖ〜
−１ｏｋｖに設定することが、蒸着膜の特性を大幅忙向
上させ得る必須不可欠の要件であることが見出された、
　これを以下に詳細に説明する。

例えば、次の条件で実際に蒸着を行なった。

供給水素量　　　　　１ｏｏ〜２５０ｃｃ／１ｒｕＲ（
例えば１５６　ｃｃ／ｍｉｎ　） ペルジャー内の真空度 ２Ｘ１０−１′〜５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ（例えば７×１
Ｏ−ＩＩＴｏｒｒ） マグネトーン型直流イオン銃 陽極電圧０．５〜２ｋＶ （例えば１．７ｋＶ） コイル電流０．４Ａ以下 （例えば０．３Ａ） 基板温度　　　　　　２５０〜５００℃（例えば３００
℃） 基板面積　　　　　　１３ｃ＋ｎＸ１３儂（但、基板上
に１５ｍｍＸ　１５ｍｍ のシリコンウェハを貼付け、こ のウェハ上にａ　−Ｓ　ｉを成膜し た。） 蒸着膜の膜厚　　　　１μｍ 基板　　　　　　　　石英ガラス基板 この条件下で、シリコン成膜速度（１０Ｘ　／５ｅＣ）
と基板イオン電流（Ｉｓ　）　（基板に陽イオンが付着
することにより基板に流れる電流：陽イオンが流れ込む
方向）とを一定にし、基板電圧（Ｖｓ）を種々に変化さ
せた。　この結果、蒸着膜の特性を決める水素量は第４
図（但、横軸は対数目盛）に示す如く基板電圧に大きく
左右されることが分った。

即ち、イオン銃から供給される修飾ガスイオンは、基板
電圧圧よる加速でエネルギーを付与されながら基板上へ
導びかれ、蒸発物質（シリコン）と反応するが、この反
応によるａ−８１膜中へのイオン導入量を赤外線吸収ス
ペクトルによって求めたところ、基板電圧（Ｖｓ）が−
３ｖ以下ではＨ含有量はｆａｔ％（全組成原子中のＨ原
子数の割合）以下となり、これはＩＳを２０　ｍＡ　、
　３０　ｍＡと変えても同様であった。　シリコン成膜
速度を２Ｘ／Ｓｅｃと小さくしてもほぼ同様の傾向がみ
られ、ＶＳが一２Ｖ未満ではＨ含有量がｌａｔ％以下と
なることが分った。　なお、Ｈ含有量の測定は、波数２
０００σ−１（３価の水素化シリコン（：ｌ：５ＩＨ）
用）、波数２１００ｃｍ−’（２価の水素化シリコン（
：ＳＩＨり用）の各赤外光の吸収カーブに基いて行なっ
た。

また、別に行なった実験から、Ｖｓを一２ｖ未満にする
と、他のパラメータであるＨ６流量、イオン銃の放電（
陽極）電圧等を変えても上記と同様の結果が得られ、従
ってＶＳは一２ｖ以上でなければ、膜中のＨ導入量が極
めて不充分となることが分った。

ＶＳが一２ｖ未満で上記の如くＨ含有量が著しく少なく
なる原因は、ＨとＳｔの反応エネルギーが２〜３ｅＶ以
上であるが、ＶＳが低すぎるためにその反応エネルギー
が付与されないからであると考えられる。　Ｈと８１以
外の物質量でも一般に反応エネルギーは２ｅＶ程度であ
ることが知られているから、Ｖｓが一２ｖ未満では他の
物質量でも上記と同様の現象が生じるものと推察される
。

一般に、ａ　−Ｓ　ｌ膜が良好な特性を示すＫは、その
水素含有量を１ｏ　ａｔ　％程度にすることが知られて
いるが、膜の使用目的によっては１〜３ａｔ％から２０
　ａｔ％のものまでが使用可能である。　従って、少な
くともｉａｔ％の水素を含む膜を成膜することが必要と
されるが、これに対応して、上記の結果から基板電圧を
一２ｖより大きい負電圧とすべきである。

また、上記した条件で得られた水素含有ａ−８ｌ膜につ
いて、基板電圧（Ｖｓ）を変化させた場合の基板イオン
電流（Ｉｓ）及びその電流密度の変化を測定したところ
、第５図に示す結果が得られた。

これによれば、ｖ８の値によって第４図と同様の傾向で
Ｉｓが変化する。　比較のために、第２図に示したガス
放電管８を用いて実験したところ、第５同圧破線で示す
如くに、ＶＳによってＩＳが変化するが、Ｉｓ自体が少
ない上圧低基板電圧（−２ｋＶ以下）のときＶＣｌＢが
極端に減少する領域が生じる。

これは、放電管で生成された電子の影響によるものと思
われる。　これに対し、第３図のイオン銃を用いた場合
、第２図のガス放電管使用の場合に比べ、イオン生成効
率が良く、生成電子の影響も受けることがないため罠、
ＩＳが大幅忙増加するととが分る。　従って、仮にチオ
ン銃への供給水素量を少なくしても充分なイオン供給量
が得られるために、ペルジャー内の真空度は高く保持で
き、得られる蒸着膜の膜質な良くするこ〉とができる。

これは、シリコンの成膜速度が主に水素イオン供給量で
律速されることがら、本発明の方法に基いて多量のイオ
ンが供給さ′れて水素含有ａ　−Ｓ　ｌの成膜速度が向
上することと関連している。

上記した事実から、ＶＳを一２ｖより大きくすることが
必須不可欠であるが、第４図及び第５図のテークから明
らかなようにある■８でＨ含有量及びＩｓが飽和してし
まう上に、あまり負に大きいＶＳを印加するとイオンの
エネルギーが大きくなりすぎ、蒸着膜をボンバードして
その膜質を劣化させ、かつ基板とアース（例えばペルジ
ャー壁）との間で放電が生じる。　従って、Ｖｓの上限
は重要であり、特に−１０ｋＶとすべきである。

こうして、Ｖｓ　ｋ−２Ｖ　〜−１０ｋＶの範囲忙設定
することＫより、高速にして所望量の水素を導入した良
質の蒸着膜を安定に得ることができるのである。　この
効果を更に高めるには、Ｖｓを一２ｋＶ〜−６ｋＶに設
定することが望ましい。　つまり。

ＶＳを一２ｋＶ以上とすれば充分な水素量を基板へ吸引
して導びくことかできる一方、−６ｋＶ以上では供給イ
オン量はそれ以上あまり増加しない上に上記したボンバ
ードダメージ、放電が生じ易くなるからである。

なお、上記の方法によって、例えばαＤ（暗所での電気
伝導度）が１０−？〜１０−＠（Ω−α）−１−ΔσＧ
（緑色光照射時の電気伝導度）が１０−’〜１０−’（
Ω−ｃｒｎ）−’、ΔαＷ（白色光照射時の電気伝導度
）が１０−’〜１０−’（Ω−α）′−１である光応答
性の良好な水素含有ａ−８１膜をることかできた。

なお、上記の例九おいて使用可能な修飾ガスとしては、
前記蒸発源による蒸着によって形成される物質中に混入
し得る元素のイオン及び活性化物を与えるものであれば
任意であり、Ｈｔ　、Ｏｔ　、ＮｔＦｌ等のハロゲンの
如く単一元素より成るガスのみならず、化合物ガスを用
いることもできる。

例えばＮＨＨ、Ｓ　ＩＨ４、ＰＨＩ　、Ｂｙ　Ｈ６、Ａ
ｓＨ，、ＣＨ−ａ等の炭化水素、フンオン等がある。　
この場合、例えば水素ガスの一部を炭化水素ガスとすれ
ば、水素が混入されたアモルファスシリコン力−ノくイ
ドの薄膜を得ることができる。　また、蒸発源７に収容
する蒸発源物質としては、ＳｔをはじめＧｅ等の如く、
一般に蒸着可能なすべてのものを用いることができる。

　そして蒸発源７の数は複数としてもよく、既述のよう
Ｋａ−８１の薄膜を形成する場合において、周期律表第
■族又は第Ｖ族元素の蒸発源をも用いて共蒸着を行なえ
ば、Ｐ型又はｎ型のアモルファスシリコンの薄膜が得ら
れる。

本例の装置によって製膜される薄膜は、上記した物質の
組合せにより、＆　　Ｓｉ　：Ｈ，ａ−８ｉ　：Ｆ−ａ
−８ｌ　：　Ｈ：　Ｆ、　ａ−８１０：　Ｈ，ａ−８ｉ
Ｃ：Ｆ、ａ　−８ＩＣ：Ｈ：Ｆ等からなるものが得られ
る。　この場合、蒸発源としてシリコンに代えてゲルマ
ニウムを用いれば、上記と同様の対応した水素化及び／
又はフッ素化アモルファスゲルマニウム等が得られる。

また、蒸発源７の加熱方式は、寅、子銃加熱、抵抗加熱
、誘導加熱等任意のものが利用され得る。

そして粗大粒塊の飛翔を防止し得る構造とするのが好ま
しい。

以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。

例えば、上述のマグネトーン型直流イオン銃等のガス放
電器の構造は種々に変更可能であるし、そのペルジャー
内での位置も上述の例に限ることはない。　修飾ガスイ
オンを基板側へ引きつけるためには、上述のバイアス電
圧の印加以外に、基板近傍に誘導コイル等による磁場を
形成してもよい。　磁場を形成する場合、イオン粒子が
イオン銃で加速されているので基板側へ効果的に偏向せ
しめられる。

６、発明の効果 本発明は上述した如く、被蒸着基体の電圧を一２ｖ〜−
１０ｋＶに保持して蒸着を行なっているので、−２Ｖ以
上の負の基体電圧によっ℃ガス放電器からのイオン化又
は活性化ガスを効率良く引きつけて導びき、蒸着膜中へ
の導入量を増やし、その膜特性を向上させることができ
る。　しかも、ガス放電器としてイオン生成効率の良い
マグネトＩ＝ン型のものを用°いているために、イオン
供給量を大幅に増やして高速成膜が可能となり、更にこ
れによって修飾ガス流量が減らせることから蒸着膜の膜
質が向上することとなる。　また、基体電圧の上限を一
１０ｋＶとし℃いるので、充分なイオン供給量を保持し
つつ、イオンによるボンバードダメージや放電の発生を
なくシ、良質の蒸着膜を安定に形成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来例を示すものであって、第１図
は蒸着装置の概略断面図、 第２図はガス放電管の断面図 である。 第３図〜第５図は本発明の実施例を示すものであって、 第３図はマグネ）ｐン型直流イオン銃の断面図、第４図
は基板電圧とａ　−Ｓ　ｌ膜の水素含有量との関係を示
すグラフ、 第５図は基板電圧とａ　−Ｓ　ｌ膜のイオン電流及びそ
の電流密度との関係を示すグラフ である。 なお、図面に示された符号妊おいて、 ４・・・・・・・・・・・・・・・被蒸着基板５・・・
・・・・・・・・・・・・ヒーター６・・・・・・・・
・・・・・・・バイアス電圧７・・・・・・・・・・・
・・・・蒸発源９・・・・・・・・・・・・・・・修飾
ガス２８・・・・・・・・・・・・・マグネ）ｐン型直
流イオン銃４０・・・・・・・・・・・・・陰極 ４３・・・・・・・・・・・・・引出し′電極４４・・
・・・・・・・・・・・陽極 ４６・・・・・・・・・・・・・電磁石である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マグネトｐン型ガス放電器からのイオン化又は活性
   化された修飾ガスを存在させた状態で、蒸発源からの蒸
   発物質を被蒸着基体に蒸着させる罠際し、前記被蒸着基
   体に一２ＶＮ−１０ｋＶの電圧を印加することを特徴と
   する蒸着方法。 ２、被蒸着基体に一２ｋＶ〜−６ｋＶの電圧を特徴する
   特許請求の範囲の第１項に記載した方法。 ３、マグネ）Ｇ−ン型ガス放電器としてマグネトジン型
   直流イオン銃を特徴する特許請求の範囲の第１項又は第
   ２項に記載した方法。