JP3159949B2 - 陰極アーク放電を用いた薄膜蒸着装置 - Google Patents

陰極アーク放電を用いた薄膜蒸着装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は陰極アーク放電を用
いた薄膜蒸着装置に係り、特にターゲットからアーク蒸
発物質を蒸発させ、この蒸発されたアーク蒸発物質をガ
イドして基板に蒸着させる陰極アーク放電を用いた薄膜
蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アークコーティング方法は、真
空コーティング方法のうち物理気相蒸着法の１つであっ
て、ターゲットの前端にプラズマダクトを取付けてアー
ク放電により発生された荷電粒子、即ちプラズマをター
ゲットからコーティングされる基板まで運んで薄膜をコ
ーティングする方法である。このアークコーティング方
法は、通常の切削工具、金型及び半導体素子の製造に応
用されている。その応用として、アークコーティング方
法により生成された薄膜の品質を低下させる原因となる
マクロ粒子(macroparticle)、即ちターゲット物質の中
性粒子の塊が基板に蒸着されないようにする薄膜蒸着装
置が開発されている。
【０００３】図1を参照すれば、従来の陰極アーク放電
を用いた直列型薄膜蒸着装置は、アーク蒸発物質が発生
されるターゲット5と、このターゲット5の前方に備えら
れたプラズマダクト8と、前記ターゲット5から発生され
たアーク蒸発物質が前記ターゲット5に対向設置された
基板6に蒸着されうるようにこのアーク蒸発物質をガイ
ドする円筒状電磁石1を含んで構成される。
【０００４】前記ターゲット5から発生されたアーク蒸
発物質、即ち電子、ターゲットイオン、中性粒子、マク
ロ粒子、帯電されたマクロ粒子のうち荷電粒子、即ち電
子、ターゲットイオン、帯電されたマクロ粒子は前記電
磁石1による磁力線7に沿って移動して基板6に蒸着され
る。そして、マクロ粒子と中性粒子とは電磁石1の中心
で高密度のプラズマ(電子とイオン)によりその一部がイ
オン化されて基板6に蒸着され、残りはプラズマダクト8
の内壁等に付着される。
【０００５】しかし前記薄膜蒸着装置ではターゲット5
と基板6が相面しているため、イオン化されない微少粒
子の一部が基板6に蒸着されうるので薄膜の品質が劣
る。
【０００６】前記問題を解決するためにプラズマダクト
が折曲されており、磁場が前記プラズマダクトに沿って
分布される直角形薄膜蒸着装置が提案された。即ち、図
2を参照すれば、前記直角形薄膜蒸着装置は、アーク蒸
発物質が発生されるターゲット33と、前記ターゲット33
に陰電圧が印加された状態でこのターゲット33に接触さ
れる触発電極35と、およそ直角に折曲されたプラズマダ
クト39と、ターゲット33が設けられた部分のプラズマダ
クト39の外側に備えられた第1電磁石46と、前記プラズ
マダクト39の屈曲部分に備えられた第2電磁石48と、前
記プラズマダクト39の出口側に、このプラズマダクト39
を取囲むように備えられた第3電磁石50とで構成され
る。
【０００７】前記ターゲット33に電圧が印加された状態
で前記触発電極35がターゲット33に接触すると、瞬間的
にアークが発生され、このアークがターゲット33の表面
上に所定時間留りながらアーク蒸発物質を発生させる。
【０００８】この際、第1、第2及び第3電磁石46、48、5
0に電流が印加されると、図3に示されたように、プラズ
マダクト39に沿って磁力線40が分布される。従って、タ
ーゲット33(図2)から発生されたアーク蒸発物質中、荷
電粒子は磁力線40に沿って基板(図示せず)に蒸着され、
高密度のプラズマによりイオン化された一部の中性粒子
及びマクロ粒子も磁力線40に沿って基板に蒸着される。
そして、イオン化されない中性粒子及びマクロ粒子は基
板まで到達できなく、プラズマダクト39とこのプラズマ
ダクト39の内壁に備えられたバッフル(baffle)52に付着
される。従って、マクロ粒子の大部分はプラズマダクト
39内を進行しながらこのプラズマダクト39の内壁やバッ
フル52に付着されて除去しうる。
【０００９】しかし前記直角形薄膜蒸着装置において、
プラズマダクト39の折曲部では磁力線40の分布がプラズ
マダクト39の内部から外部に延長されるので、前記磁力
線に沿って移動する荷電粒子の一部がこの折曲部の内壁
にぶつかって消失されることにより薄膜の蒸着効率が劣
る問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題点
を解決するために案出されたものであって、磁力線がプ
ラズマダクトに沿って分布されうるように反射磁場源が
備えられた陰極アーク放電を用いた薄膜蒸着装置を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の装置は、陰極アーク放電により蒸着物質の荷
電粒子が発生されるアーク蒸発部と、前記荷電粒子を前
記アーク蒸発部から基板に導き、屈曲部を有するプラズ
マダクトと、前記荷電粒子が前記アーク蒸発部から前記
基板に向かうように磁場を発生させる磁場発生器と、前
記プラズマダクトの屈曲部の凸部側に設けられて磁力線
が前記ダクトに沿って分布されるように前記磁場発生器
の磁場と干渉する磁場を発生させる反射磁場源とを含
む。
【００１２】ここで、前記磁場発生器は前記プラズマダ
クトを取囲むように前記アーク蒸発部の近傍と前記基板
の近傍とに各々設けられる第1及び第2磁場源と、前記屈
曲部の近傍に設けられて前記荷電粒子の方向を変える誘
導磁場源とを含む。
【００１３】また、前記アーク蒸発部は、陰極体に結合
されたターゲットと、前記ターゲットと選択的に接触し
てアーク放電を起こす触発電極と、前記ターゲットの外
周に設けられて前記発生されたアークを拘束するアーク
放電拘束リングと、前記ターゲットのアーク発生面に対
してその位置が可変自在に前記陰極体に設けられてアー
クの移動を調節する第1アーク調節器と、前記陰極体の
外周に設置される輪状の第2アーク調節器とを含む。
【００１４】
【発明の実施の形態】図4に示されたように、陰極アー
ク放電を用いた薄膜蒸着装置は、陰極アーク放電により
蒸着物質の荷電粒子が発生されるアーク蒸発部100と、
前記荷電粒子を前記アーク蒸発部100から基板1にガイド
し、屈曲部を有するプラズマダクト200と、磁場の形成
により前記荷電粒子を基板1に移動させる磁場発生器と
を含んで構成される。
【００１５】前記アーク蒸発部100は陰極体113に結合さ
れるターゲット110と、前記ターゲット110と選択的に接
触してアークを発生させる触発電極117と、前記ターゲ
ット110の外周に設けられて放電アークを拘束するアー
ク放電拘束リング400と、前記ターゲット110のアーク発
生面111でアークの移動を調節する第1及び第2アーク調
節器120、130とを含んで構成される。
【００１６】前記陰極体113は、約0〜300Aの電流の0〜
−100Vの陰電圧が出力されるアーク電源供給部115の陰
電極115aと連結され、前記ターゲット110はこの陰極体1
13と電気的に連結される。前記ターゲット110に陰電圧
が加えられた状態で前記プラズマダクト200の一側に回
動自在に備えられた前記触発電極117がターゲット１１
０に接触されてから離れるとアーク放電が起こる。これ
により、前記ターゲット１１０の表面、即ちアーク発生
面111からアーク蒸発物質、例えば荷電粒子が発生する
ことになる。また、荷電粒子の発生過程で前記ターゲッ
ト110を冷却させる冷却手段(図示せず）が具備されるこ
とが望ましい。
【００１７】前記アーク放電拘束リング400は、輪状の
磁性材料よりなり、前記アーク発生面111と約0〜90゜の
角度で荷電粒子の漏れを防止する突出部401が形成され
ている。ここで、前記突出部401とアーク発生面111との
角はターゲット物質の種類に応じて変わる。
【００１８】前記第1アーク調節器120は、前記陰極体11
3の内部でかつ前記ターゲット110の後方に設けられ、前
記ターゲット110のアーク発生面111から発生されたアー
クの運動を調節する。望ましくは、前記第1アーク調節
器120は、ターゲット物質の種類によって前記ターゲッ
ト110のアーク発生面111に対してその位置が変えられる
ように設けられる。前記第1アーク調節器120は、永久磁
石または電磁石とすることができる。前記第1アーク調
節器120は、永久磁石であることが望ましいが、その理
由は前記ターゲット110に熱的な影響を与えないからで
ある。
【００１９】前記第2アーク調節器130は、前記陰極体11
3の外周に輪状に設けられる。前記第2アーク調節器130
は、前記アーク発生面111から発生されたアークの運動
を調節できるように磁場の強度調節の可能な電磁石であ
って、円筒状部材131と前記円筒状部材131に巻かれた巻
線132よりなる。代案として、前記第2アーク調節器130
は永久磁石とすることもできる。
【００２０】前記プラズマダクト200は、ターゲット110
の中心線Aに対して約30-120゜、望ましくは約60゜の角
度(θ)をなすように折曲されている。この際、前記プラ
ズマダクト200の直線部L1、L2は、磁場の影響を受けな
い中性粒子及びマクロ粒子が前記ターゲット110から基
板1の方に進行しながら、基板1に到達する前に前記プラ
ズマダクト200の内壁200aに吸着されて除去されうるほ
どの長さを有する。前記中性粒子及びマクロ粒子の吸着
を促進するため、前記プラズマダクト200の内壁にはバ
ッフル250が形成されている。前記バッフル250はプラズ
マダクト200の内壁200aから延長された多数のプレート
で構成される。代案として、前記バッフル250は、連続
的な螺旋状に形成されうる。
【００２１】また、このプラズマダクト200は前記アー
ク電源供給部115の陽電極115bに連結されて前記ターゲ
ット110より高電位が加えられる。前記プラズマダクト2
00の両端部にはフランジ235が備えられているので、こ
のフランジ235を真空容器等に螺合させることにより前
記プラズマダクト200を真空容器に結合することができ
る。
【００２２】前記磁場発生器は、前記プラズマダクト20
0を取囲むように前記ターゲット110近傍と基板1の近傍
とに各々設置される第1及び第2磁場源310、330と、前記
屈曲部の近傍に備えられる誘導磁場源320を含む。ま
た、本発明の装置は、前記第1及び第2磁場源310、330と
誘導磁場源320により形成された磁場を干渉する反射磁
場源350を具備する。
【００２３】前記第1磁場源310は、アーク発生面111か
ら発生された荷電粒子がプラズマダクト200の一直線部L
1に沿って進行するように導き、誘導磁場源320は、屈曲
部で荷電粒子がプラズマダクト200の内壁200aにぶつか
らないように荷電粒子の方向を変える。また、前記第2
磁場源330は、屈曲部を通過した荷電粒子が直線部L2に
沿って基板1に向かわせる。
【００２４】前記第1及び第2磁場源310、330と誘導磁場
源320の各々は、電流により磁場調節が可能な電磁石で
あって、前記プラズマダクト200を取囲む円筒状部材31
1、331、321と前記円筒状部材311、331、321に巻かれた
巻線315、335、325で構成される。代案として、前記第1
及び第2磁場源310、330と誘導磁場源320とは、永久磁石
とすることもできる。前記第1及び第2磁場源310、330と
誘導磁場源320による磁場は図5のように分布される。
【００２５】前記反射磁場源350は、前記屈曲部の外
側、即ち屈曲部の凸部側に備えられ、この反射磁場源35
0に電流を印加すると前記第1及び第2磁場源310、330と
誘導磁場源320により形成された磁場と反発する磁場を
形成し、図6に示されたように、磁力線310がプラズマダ
クト200に沿って分布されるようにする。この反射磁場
源350は、電流印加に応じて磁場を形成する電磁石であ
って、両端部にフランジが形成された磁性体のヨーク35
1と前記ヨーク351に巻かれた巻線355よりなる。この
際、前記反射磁場源350は、ターゲット110のアーク発生
面111に対して所定の角度に配置される。
【００２６】電源供給器7は前記第1及び第2磁場源310、
330、誘導磁場源320、反射磁場源350と第2アーク調節器
130に対して各々独立的に電流を供給する。
【００２７】一方、前記基板1はバイアス電圧供給器5の
陰電極に電気的に連結され、0〜−1000Vほどの陰電圧が
加えられる。
【００２８】また、本発明の薄膜蒸着装置によれば、
N2、Ar、O2などのガスが気体供給器500によりガス管510
を通してプラズマダクト200内に供給される。このガス
管510は前記ターゲット110の前方まで延長され、供給さ
れたガスはターゲット110の前方から前記アーク発生面1
11に向かって噴射される。前記プラズマダクト200内に
供給されたガスは化合物荷電粒子の生成のためのもので
ある。例えば、前記ターゲット110がTiよりなってお
り、前記気体供給器500からN2気体が供給されるば、こ
のN2気体はターゲット110のアーク発生面111でアーク放
電によりTiNよりなる荷電粒子を生成する。生成されたT
iN荷電粒子は前記磁場発生器によりガイドされて基板1
に蒸着される。
【００２９】前記のような構成を有する本発明による陰
極アーク放電を用いた薄膜蒸着装置の動作をさらに詳し
く説明する。図4のターゲット110に陰電圧が加えられた
状態で触発電極117がターゲット１１０に接触されてか
ら離れるとアーク放電が起こる。発生されたアークは、
前記アーク放電拘束リング４００と前記第1及び第2アー
ク調節器120、130から発生された磁場により前記ターゲ
ット110のアーク発生面111上で拘束されて荷電粒子を発
生させる。この際、前記第2アーク調節器130に三角波ま
たはサイン波形の電流を供給すると、アークはアーク発
生面111の全体を漂いながら均一した荷電粒子、即ちタ
ーゲット物質のイオン、電子及び荷電粒子などを発生さ
せる。
【００３０】前記荷電粒子は、第1磁場源310により導か
れてプラズマダクト200の一直線部L1に沿って進行し、
誘導磁場源320によりプラズマダクト200の屈曲部で方向
が変わった後、第2磁場源330により調節されて基板1上
に蒸着される。
【００３１】前記アーク発生面111から前記荷電粒子と
共に発生されるマクロ粒子及び中性粒子の一部はプラズ
マダクト200の内部で荷電粒子との衝突によりイオン化
されて前記荷電粒子と同一な経路を経て基板1上に蒸着
される。
【００３２】また、電荷を有しない中性粒子及びマクロ
粒子は磁場の影響を受けないので直線に移動しながら、
屈曲部当りの内壁200aまたはバッフル250に付着されて
除去される。したがって、前記中性粒子及びマクロ粒子
は基板1までにほとんど到達できない。
【００３３】この際、前記反射磁場源350は前記プラズ
マダクト200の屈曲部で前記第1磁場源310及び誘導磁場
源320の磁力線310を、図6に示されたように、プラズマ
ダクト200に沿って分布されるように押すことにより荷
電粒子の移送率を高める。
【００３４】また、前記基板1上に化合物をコーティン
グしようとする場合には気体供給器500から所定の気体
を供給し、前記ターゲット110のアーク発生面111でアー
ク放電を起こすことにより化合物荷電粒子を形成させ
る。発生された化合物荷電粒子は前記磁場発生器により
ガイドされて基板1上に蒸着される。
【００３５】
【発明の効果】前述したように本発明による陰極アーク
放電を用いた薄膜蒸着装置によれば、プラズマダクトの
屈曲部に反射磁場源が備えられて磁力線がプラズマダク
トに沿って分布されるので荷電粒子がプラズマダクトの
内壁にぶつからずに基板まで到達しうるので薄膜蒸着効
率が向上される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の陰極アーク放電を用いた直列形薄膜蒸
着装置を概略的に示した断面図である。
【図２】 従来の陰極アーク放電を用いた直角形薄膜蒸
着装置を概略的に示した断面図である。
【図３】 図２における磁場の分布を概略的に示した図
面である。
【図４】 本発明による陰極アーク放電を用いた薄膜蒸
着装置を概略的に示した断面図である。
【図５】 図４の反射磁場源に電流が印加されない時の
磁場の分布を示した図面である。
【図６】 図４の反射磁場源に電流が印加された状態の
場合の磁場分布を示した図面である。
【符号の説明】
１ 基板 １００ アーク蒸発部 １１０ ターゲット １１５ アーク電源供給部 １１７ 触発電極 １２０ 第１アーク調節器 １３０ 第２アーク調節器 ２００ プラズマダクト ４００ アーク放電拘束リング ５００ 気体調節部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−260132（ＪＰ，Ａ) 国際公開95／29272（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 H01L 21/203

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 陰極アーク放電により蒸着物質の荷電粒
    子が発生されるアーク蒸発部と、 前記荷電粒子を前記アーク蒸発部から基板に導く、屈曲
    部を有するプラズマダクトと、 前記荷電粒子が前記アーク蒸発部から前記基板に向かう
    ように磁場を発生させる磁場発生器と、 前記プラズマダクトの屈曲部の凸部側に設けられて磁力
    線が該プラズマダクトに沿って分布されるように前記磁
    場発生器の磁場と干渉する磁場を発生させる反射磁場源
    とを含む陰極アーク放電を用いた薄膜蒸着装置。
  2. 【請求項２】 前記磁場発生器は、 前記プラズマダクトを取囲むように前記アーク蒸発部の
    近傍と前記基板の近傍とに各々設けられる第1及び第2磁
    場源と、 前記屈曲部の近傍に設けられて前記荷電粒子の方向を変
    える誘導磁場源とを含むことを特徴とする請求項１記載
    の陰極アーク放電を用いた薄膜蒸着装置。
  3. 【請求項３】 前記アーク蒸発部は、 陰極体に結合されたターゲットと、 前記ターゲットと選択的に接触してアーク放電を起こす
    触発電極と、 前記ターゲットの外周に設けられて前記発生されたアー
    クを拘束するアーク放電拘束リングと、 前記ターゲットのアーク発生面に対してその位置が可変
    自在に前記陰極体に設けられてアークの移動を調節する
    第1アーク調節器と、 前記陰極体の外周に設置される輪状の第2アーク調節器
    とを含むことを特徴とする請求項１記載の陰極アーク放
    電を用いた薄膜蒸着装置。
  4. 【請求項４】 前記アーク放電拘束リングは、磁性材料
    よりなり、前記ターゲットのアーク発生面と0〜90゜の
    角度に形成されて荷電粒子の漏れを防止する突出部を有
    することを特徴とする請求項３記載の陰極アーク放電を
    用いた薄膜蒸着装置。
  5. 【請求項５】 前記プラズマダクトは30〜120゜の角度
    に折曲されたことを特徴とする請求項１記載の陰極アー
    ク放電を用いた薄膜蒸着装置。
  6. 【請求項６】 前記プラズマダクトの内壁には、前記内
    壁から突出されるようにバッフルが形成されたことを特
    徴とする請求項１記載の陰極アーク放電を用いた薄膜蒸
    着装置。
  7. 【請求項７】 前記バッフルは、連続的な螺旋状である
    ことを特徴とする請求項６記載の陰極アーク放電を用い
    た薄膜蒸着装置。
  8. 【請求項８】 前記反射磁場源は、磁性体のヨークと、
    該ヨークに巻かれた巻線とからなる電磁石であることを
    特徴とする請求項１記載の陰極アーク放電を用いた薄膜
    蒸着装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102026798B1 (ko) * 2017-09-12 2019-09-30 김인기 김서림 방지용 벽을 구비한 수술용 김서림 방지 마스크

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9615548D0 (en) * 1996-07-24 1996-09-04 Univ Nanyang Cathode arc source and graphite target
WO1998045871A1 (en) * 1997-04-04 1998-10-15 Alexander Igorevich Dodonov Producing electric arc plasma in a curvilinear plasmaguide and substrate coating
US6465780B1 (en) * 1999-03-31 2002-10-15 The Regents Of The University Of California Filters for cathodic arc plasmas
CA2268659C (en) * 1999-04-12 2008-12-30 Vladimir I. Gorokhovsky Rectangular cathodic arc source and method of steering an arc spot
GB2360790A (en) * 2000-03-28 2001-10-03 Gehan Anil Joseph Amaratunga Low friction coatings produced by cathodic arc evaporation
JP3860954B2 (ja) * 2000-07-07 2006-12-20 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ リアルタイムパーティクルフィルタを具備したプラズマ処理装置
JP2002105628A (ja) 2000-10-03 2002-04-10 Nissin Electric Co Ltd 真空アーク蒸着装置
JP4085593B2 (ja) 2001-03-29 2008-05-14 日新電機株式会社 真空アーク蒸着装置
US6706157B2 (en) * 2001-09-12 2004-03-16 Transarc Ltd. Vacuum arc plasma gun deposition system
US7033462B2 (en) * 2001-11-30 2006-04-25 Nissin Electric Co., Ltd. Vacuum arc vapor deposition process and apparatus
JP3826108B2 (ja) * 2002-04-24 2006-09-27 キヤノン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP4045953B2 (ja) * 2002-12-27 2008-02-13 日新電機株式会社 真空アーク蒸着装置
JP4356365B2 (ja) * 2003-06-09 2009-11-04 日新電機株式会社 真空アーク蒸着装置
US7381311B2 (en) * 2003-10-21 2008-06-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Filtered cathodic-arc plasma source
JP4319556B2 (ja) * 2004-01-28 2009-08-26 浩史 滝川 プラズマ生成装置
EP2032735A4 (en) * 2006-06-21 2011-12-21 Proteus Biomedical Inc IMPLANTABLE MEDICAL DEVICES COMPRISING STRUCTURES PRODUCED BY A CATHODIC ARC
US20080105657A1 (en) * 2006-11-03 2008-05-08 Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research Macroparticle-filtered coating plasma source device
EP2111661B1 (en) 2007-02-14 2017-04-12 Proteus Digital Health, Inc. In-body power source having high surface area electrode
US8157976B2 (en) * 2007-04-26 2012-04-17 Veeco Instruments, Inc. Apparatus for cathodic vacuum-arc coating deposition
KR101075152B1 (ko) * 2009-02-20 2011-10-19 한국기계연구원 이중굴곡 플라즈마 덕트를 구비한 진공아크 증착장치
US8329002B1 (en) * 2009-03-10 2012-12-11 4Wave, Inc. Thin films and methods and machines for forming the thin films
JP5424744B2 (ja) 2009-07-01 2014-02-26 株式会社フェローテック 分割環状リブ型プラズマ処理装置
CN102634761B (zh) * 2011-09-29 2014-06-11 李刘合 截面为带状的真空阴极电弧等离子体的磁过滤方法
US9054500B2 (en) * 2012-05-31 2015-06-09 Northrop Grumman Systems Corporation Integrated micro-plasma limiter
WO2014136253A1 (ja) * 2013-03-08 2014-09-12 株式会社島津製作所 アークプラズマ成膜装置
JP5965058B2 (ja) * 2013-05-23 2016-08-03 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置
CN104032267A (zh) * 2014-05-05 2014-09-10 西安交通大学 一种硬质涂层的快速沉积装置及方法
KR101616855B1 (ko) * 2014-11-11 2016-04-29 한국기계연구원 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치
KR101639630B1 (ko) * 2014-12-11 2016-07-15 한국기계연구원 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치
KR101653325B1 (ko) * 2015-06-15 2016-09-02 한국광기술원 적외선 광학렌즈 보호막용 ta-C 코팅방법
JP2019116652A (ja) * 2017-12-26 2019-07-18 株式会社オンワード技研 高透磁率カバー付き成膜装置
US11056324B2 (en) * 2018-08-13 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for particle control in MRAM processing
KR200493355Y1 (ko) * 2019-05-07 2021-03-17 (주)제이 앤 엘 테크 자장을 이용한 아크 이온빔 분산 및 방향 제어 장치와 이를 활용한 플라즈마 표면 처리 시스템
CN111741582A (zh) * 2020-07-02 2020-10-02 安徽纯源镀膜科技有限公司 用于等离子体传送的传输通道装置及镀膜设备
KR102571324B1 (ko) 2021-08-27 2023-08-25 한국재료연구원 촉발전극을 포함하는 자장여과 아크 소스 장치
KR102592432B1 (ko) 2021-08-27 2023-10-20 한국재료연구원 포집부를 포함하는 자장여과 아크 소스 장치
KR102585449B1 (ko) 2021-08-27 2023-10-05 한국재료연구원 양극을 포함하는 자장여과 아크 소스 장치
KR102585453B1 (ko) 2021-08-27 2023-10-10 한국재료연구원 자장여과 아크 소스 장치 운전 시스템 및 이를 이용한 자장여과 아크 소스 장치 운전방법
CN114574807B (zh) * 2022-02-28 2024-03-22 广东鼎泰高科技术股份有限公司 等离子体传输装置
CN115261804A (zh) * 2022-08-22 2022-11-01 纳狮新材料有限公司 电弧蒸发装置
JP2024067972A (ja) 2022-11-07 2024-05-17 株式会社神戸製鋼所 アーク蒸発源

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476691A (en) * 1994-01-21 1995-12-19 International Business Machines, Inc. Surface treatment of magnetic recording heads
US5480527A (en) * 1994-04-25 1996-01-02 Vapor Technologies, Inc. Rectangular vacuum-arc plasma source

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102026798B1 (ko) * 2017-09-12 2019-09-30 김인기 김서림 방지용 벽을 구비한 수술용 김서림 방지 마스크

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Publication number Publication date
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