JPH0149363B2 - - Google Patents
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- JPH0149363B2 JPH0149363B2 JP58211443A JP21144383A JPH0149363B2 JP H0149363 B2 JPH0149363 B2 JP H0149363B2 JP 58211443 A JP58211443 A JP 58211443A JP 21144383 A JP21144383 A JP 21144383A JP H0149363 B2 JPH0149363 B2 JP H0149363B2
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- vacuum chamber
- frequency power
- tape
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- antenna
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Landscapes
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プラズマ重合により薄膜状のコーテ
イング層即ち重合膜を形成するプラズマ重合コー
テイング装置に関する。
イング層即ち重合膜を形成するプラズマ重合コー
テイング装置に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、薄膜形成技術は半導体分野を中心に発展
しているが、この技術は耐久性、耐摩耗性、滑り
性等を必要とするテープ状磁気記録媒体、デイス
ク状磁気記録媒体等の表面コーテイングに応用さ
れつつある。
しているが、この技術は耐久性、耐摩耗性、滑り
性等を必要とするテープ状磁気記録媒体、デイス
ク状磁気記録媒体等の表面コーテイングに応用さ
れつつある。
以下、従来のプラズマ重合コーテイング装置に
ついて説明する。第１図は従来のプラズマ重合コ
ーテイング装置の構成図を示すものである。第１
図において、１は真空チヤンバで、その内部に
は、コーテイングされる基板２を支持するガラス
板３が配置されると共にガラス板３上方には電極
４が配置されている。５は前記電極４にインピー
ダンスマツチング器６を介して接続された高周波
電源である。７は真空チヤンバ１内の気体を排出
する真空ポンプで、真空チヤンバ１とはトラツプ
器８を介して接続されている。９は真空チヤンバ
１内にモノマーガスを供給するためのボンベで、
真空チヤンバ１との接続配管１０途中にはガス流
量計１１が設けられている。１２は真空チヤンバ
１内の圧力を検出する圧力計である。
ついて説明する。第１図は従来のプラズマ重合コ
ーテイング装置の構成図を示すものである。第１
図において、１は真空チヤンバで、その内部に
は、コーテイングされる基板２を支持するガラス
板３が配置されると共にガラス板３上方には電極
４が配置されている。５は前記電極４にインピー
ダンスマツチング器６を介して接続された高周波
電源である。７は真空チヤンバ１内の気体を排出
する真空ポンプで、真空チヤンバ１とはトラツプ
器８を介して接続されている。９は真空チヤンバ
１内にモノマーガスを供給するためのボンベで、
真空チヤンバ１との接続配管１０途中にはガス流
量計１１が設けられている。１２は真空チヤンバ
１内の圧力を検出する圧力計である。
次に、上記装置の動作について説明する。
まず、ガラス板３上に両面接着テープ等により
基板２を貼り付けて真空チヤンバ１内に設置す
る。次に、真空ポンプ７を作動させて真空チヤン
バ１内を少なくとも0.1mTorr（１×10-4Torr）
以下に減圧した後、モノマーガスを不活性ガス
（例えばアルゴンガスと共に所定量真空チヤンバ
１内に導入する。なお、モノマーガスが放電しや
すいものであれば不活性ガスを導入する必要はな
い。放電前の真空チヤンバ１内圧力は放電が安定
する圧力であれば限定しないが、一般には0.1〜
2Torr程度である。真空チヤンバ１内の気体を排
出する際、モノマーガスも一緒に排出されるが、
このモノマーガスはトラツプ器８によつて捕えら
れて真空ポンプ７内に入るのを阻止される。以上
のセツテイング後、インピーダンスマツチング器
６でマツチングされた電極４に高周波電力を加え
ると、真空チヤンバ１内（特に、電極４と基板２
付近）に放電が発生する。この放電により、モノ
マーガスが重合反応を起こし、重合膜が基板２上
に形成される。しかし、上記の構成によると、基
板２が放電中にさらされるため、重合反応以外に
イオンによるエツチング作用が発生する。従つ
て、この作用により、基板２の表面がエツチング
されて損傷すると共に、形成された重合膜もエツ
チングされ効率が悪いという問題点を有してい
た。次に、他の従来例の装置を第２図に基づき説
明する。第２図において、２１はモノマーガス導
入口２２を有する真空チヤンバで、その上下には
それぞれ減圧口２３，２４を有する減圧チヤンバ
２５，２６が設けられている。２７及び２８は減
圧チヤンバ２５，２６の外方に設けられたテープ
状記録媒体２９の供給ローラ及び巻取ローラ、３
０は真空チヤンバ１内に配置されたローラ電極、
３１は同じく案内ローラ、３２は真空チヤンバ２
１及び減圧チヤンバ２５，２６の各仕切壁に配置
されたエアロツク用ローラである。３３は前記ロ
ーラ電極３０に電力を与える高周波電源である。
基板２を貼り付けて真空チヤンバ１内に設置す
る。次に、真空ポンプ７を作動させて真空チヤン
バ１内を少なくとも0.1mTorr（１×10-4Torr）
以下に減圧した後、モノマーガスを不活性ガス
（例えばアルゴンガスと共に所定量真空チヤンバ
１内に導入する。なお、モノマーガスが放電しや
すいものであれば不活性ガスを導入する必要はな
い。放電前の真空チヤンバ１内圧力は放電が安定
する圧力であれば限定しないが、一般には0.1〜
2Torr程度である。真空チヤンバ１内の気体を排
出する際、モノマーガスも一緒に排出されるが、
このモノマーガスはトラツプ器８によつて捕えら
れて真空ポンプ７内に入るのを阻止される。以上
のセツテイング後、インピーダンスマツチング器
６でマツチングされた電極４に高周波電力を加え
ると、真空チヤンバ１内（特に、電極４と基板２
付近）に放電が発生する。この放電により、モノ
マーガスが重合反応を起こし、重合膜が基板２上
に形成される。しかし、上記の構成によると、基
板２が放電中にさらされるため、重合反応以外に
イオンによるエツチング作用が発生する。従つ
て、この作用により、基板２の表面がエツチング
されて損傷すると共に、形成された重合膜もエツ
チングされ効率が悪いという問題点を有してい
た。次に、他の従来例の装置を第２図に基づき説
明する。第２図において、２１はモノマーガス導
入口２２を有する真空チヤンバで、その上下には
それぞれ減圧口２３，２４を有する減圧チヤンバ
２５，２６が設けられている。２７及び２８は減
圧チヤンバ２５，２６の外方に設けられたテープ
状記録媒体２９の供給ローラ及び巻取ローラ、３
０は真空チヤンバ１内に配置されたローラ電極、
３１は同じく案内ローラ、３２は真空チヤンバ２
１及び減圧チヤンバ２５，２６の各仕切壁に配置
されたエアロツク用ローラである。３３は前記ロ
ーラ電極３０に電力を与える高周波電源である。
次に、上記装置の動作について説明する。コー
テイングされるテープ状記録媒体２９は供給ロー
ラ２７から巻出され、エアロツク用ローラ３２を
介して真空チヤンバ２１内に入り、そしてエアロ
ツク用ローラ３２を介して真空チヤンバ２１外に
出て巻取ローラ２８に巻取られる。そして、前記
真空チヤンバ２１は減圧口２３，２４から真空ポ
ンプにより少なくとも0.1mTorr以下に減圧され
る。この状態で、モノマーガスを不活性ガスと共
に真空チヤンバ２１内に導入する。以上のセツテ
イング後、高周波電源３３により、ローラ電極３
０に高周波電力を加えると、真空チヤンバ２１内
で放電が起こり重合が始まり、真空チヤンバ２１
内を走行しているテープ状記録媒体２９表面に重
合膜が形成される。しかし、上記構成によると、
前述の従来のものと同様に、放電中にテープ状記
録媒体２９がさらされるため、重合反応以外にイ
オンによるエツチング作用を受け、テープ状記録
媒体２９表面が損傷すると共に重合膜もエツチン
グ作用の影響を受ける。また、重合とエツチング
作用との割合はモノマーガスの流量、高周波電力
の大きさ、真空チヤンバの形状等により変化し、
同一条件を得ることが難しいという問題も有して
いる。
テイングされるテープ状記録媒体２９は供給ロー
ラ２７から巻出され、エアロツク用ローラ３２を
介して真空チヤンバ２１内に入り、そしてエアロ
ツク用ローラ３２を介して真空チヤンバ２１外に
出て巻取ローラ２８に巻取られる。そして、前記
真空チヤンバ２１は減圧口２３，２４から真空ポ
ンプにより少なくとも0.1mTorr以下に減圧され
る。この状態で、モノマーガスを不活性ガスと共
に真空チヤンバ２１内に導入する。以上のセツテ
イング後、高周波電源３３により、ローラ電極３
０に高周波電力を加えると、真空チヤンバ２１内
で放電が起こり重合が始まり、真空チヤンバ２１
内を走行しているテープ状記録媒体２９表面に重
合膜が形成される。しかし、上記構成によると、
前述の従来のものと同様に、放電中にテープ状記
録媒体２９がさらされるため、重合反応以外にイ
オンによるエツチング作用を受け、テープ状記録
媒体２９表面が損傷すると共に重合膜もエツチン
グ作用の影響を受ける。また、重合とエツチング
作用との割合はモノマーガスの流量、高周波電力
の大きさ、真空チヤンバの形状等により変化し、
同一条件を得ることが難しいという問題も有して
いる。
発明の目的
本発明は上記従来の問題を解消するもので、放
電で発生するイオンによるエツチング作用の影響
を少なくし、均一で再現性のある重合膜を得るこ
とができるプラズマ重合コーテイング装置を提供
することを目的とする。
電で発生するイオンによるエツチング作用の影響
を少なくし、均一で再現性のある重合膜を得るこ
とができるプラズマ重合コーテイング装置を提供
することを目的とする。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明は、真空チヤ
ンバ内に配置された筒状のプラズマ発生管と、前
記プラズマ発生管の下部に設けられたガス吹出口
に対応する位置でテープ状記録媒体のコーテイン
グ面を走行するテープ駆動手段とを有し、前記プ
ラズマ発生管の側壁中央から円筒状の膨出部を突
設するとともに、この膨出部の外周にアンテナ状
高周波電力端子を巻回し、かつモノマーガス導入
口を前記プラズマ発生管の下部側壁の前記ガス吹
出口近くに設けてなるプラズマ重合コーテイング
装置であり、プラズマ発生管内部で放電させてラ
ジカル基を含むガスをガス吹出口からテープ状記
録媒体表面に吹きつけることにより、放電中のイ
オンによるエツチング作用の影響を受けることな
く、安定で均一な重合膜を得ることのできるもの
である。さらに、プラズマ発生管に設けた膨出部
の外周にアンテナ状高周波電力端子を巻回するこ
とによつて、アンテナ状高周波電力端子とモノマ
ーガス導入口との間の距離が大きくなり、プラズ
マ発生管内に導入されたモノマーガスが必要以上
にアンテナ状高周波電力端子の影響を受けること
を防止できるものである。
ンバ内に配置された筒状のプラズマ発生管と、前
記プラズマ発生管の下部に設けられたガス吹出口
に対応する位置でテープ状記録媒体のコーテイン
グ面を走行するテープ駆動手段とを有し、前記プ
ラズマ発生管の側壁中央から円筒状の膨出部を突
設するとともに、この膨出部の外周にアンテナ状
高周波電力端子を巻回し、かつモノマーガス導入
口を前記プラズマ発生管の下部側壁の前記ガス吹
出口近くに設けてなるプラズマ重合コーテイング
装置であり、プラズマ発生管内部で放電させてラ
ジカル基を含むガスをガス吹出口からテープ状記
録媒体表面に吹きつけることにより、放電中のイ
オンによるエツチング作用の影響を受けることな
く、安定で均一な重合膜を得ることのできるもの
である。さらに、プラズマ発生管に設けた膨出部
の外周にアンテナ状高周波電力端子を巻回するこ
とによつて、アンテナ状高周波電力端子とモノマ
ーガス導入口との間の距離が大きくなり、プラズ
マ発生管内に導入されたモノマーガスが必要以上
にアンテナ状高周波電力端子の影響を受けること
を防止できるものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を図面に従つて説明す
る。はじめに、従来の問題点を解決するための基
本的構成を有するプラズマ重合コーテイング装置
について説明する。第３図において、４１は真空
チヤンバで、その底部には第１排気管４２、トラ
ツプ器４３、第２排気管４４を介してロータリポ
ンプ４５が接続されている。４６は第２排気管４
４途中に設けられたバイパス管で、拡散ポンプ４
７が介在されている。４８は前記真空チヤンバ４
１内に配置された筒状のプラズマ発生管で、その
下部は下端のガス吹出口４８ａに近づくに従つて
絞られている。４９はこのプラズマ発生管４８の
周囲に巻回されたアンテナ状高周波電力端子で、
その端部は真空チヤンバ４１外の高周波電源５０
にインピーダンスマツチング器５１を介して接続
されている。５２は真空チヤンバ４１内に且つ前
記プラズマ発生管４８のガス吹出口４８ａに対応
する位置でテープ状記録媒体５３のコーテイング
面を走行させるテープ駆動手段である。即ち、こ
のテープ駆動手段５２は、第４図に示すように、
テープ状記録媒体５３の供給ローラ５４と、巻取
ローラ５５と、これら両ローラ５４，５５間に位
置すると共にガス吹出口４８ａのすぐ下方に配置
された主案内ローラ５６と、その両側に配置され
た複数個の副案内ローラ５７とから構成されてい
る。また、５８は一端がプラズマ発生管４８の上
端に取付けられたガイド部４８ｂ内に開口される
と共に他端が流量計５９を介してモノマーガスの
供給ボンベ６０に接続されたモノマーガス導入管
である。なお、プラズマ発生管４８のガイド部４
８ｂから不活性ガスが導入される。
る。はじめに、従来の問題点を解決するための基
本的構成を有するプラズマ重合コーテイング装置
について説明する。第３図において、４１は真空
チヤンバで、その底部には第１排気管４２、トラ
ツプ器４３、第２排気管４４を介してロータリポ
ンプ４５が接続されている。４６は第２排気管４
４途中に設けられたバイパス管で、拡散ポンプ４
７が介在されている。４８は前記真空チヤンバ４
１内に配置された筒状のプラズマ発生管で、その
下部は下端のガス吹出口４８ａに近づくに従つて
絞られている。４９はこのプラズマ発生管４８の
周囲に巻回されたアンテナ状高周波電力端子で、
その端部は真空チヤンバ４１外の高周波電源５０
にインピーダンスマツチング器５１を介して接続
されている。５２は真空チヤンバ４１内に且つ前
記プラズマ発生管４８のガス吹出口４８ａに対応
する位置でテープ状記録媒体５３のコーテイング
面を走行させるテープ駆動手段である。即ち、こ
のテープ駆動手段５２は、第４図に示すように、
テープ状記録媒体５３の供給ローラ５４と、巻取
ローラ５５と、これら両ローラ５４，５５間に位
置すると共にガス吹出口４８ａのすぐ下方に配置
された主案内ローラ５６と、その両側に配置され
た複数個の副案内ローラ５７とから構成されてい
る。また、５８は一端がプラズマ発生管４８の上
端に取付けられたガイド部４８ｂ内に開口される
と共に他端が流量計５９を介してモノマーガスの
供給ボンベ６０に接続されたモノマーガス導入管
である。なお、プラズマ発生管４８のガイド部４
８ｂから不活性ガスが導入される。
次に、上記装置の動作について説明する。
まず、真空チヤンバ４１内を、拡散ポンプ４７
及びロータリポンプ４５を作動させて、少なくと
も0.1mTorr以下に減圧する。この時、真空チヤ
ンバ４１内から排出されるモノマーガスはトラツ
プ器４３により捕えられる。そして、上記状態
で、モノマーガス導入管５８及びガイド部４８ｂ
より、モノマーガスと共に不活性ガス（例えばア
ルゴン）を流量計５９を見ながら真空チヤンバ４
１内に導入する。以上のセツテイング後、インピ
ーダンスマツチング器５１でマツチングされたア
ンテナ状高周波電力端子４９に高周波電力を供給
すると、プラズマ発生管４８の内部のみに放電が
発生する。この放電により発生するラジカル基を
含んだガスを、プラズマ発生管４８のガス吹出口
４８ａからテープ駆動手段５２によつて走行させ
られるテープ状記録媒体５３の表面に吹出させ、
テープ状記録媒体５３の表面に均一で安定した重
合膜を形成する。この手法により、Co−Niを蒸
着した蒸着テープ状記録媒体の表面に、モノマー
ガスとしてオクタフルオロシクロブタン（Ｃ−
C4F8）を用いて重合膜を形成し、第５図のよう
な結果を得た。Co−Ni蒸着のテープ状記録媒体
の場合、表面にCo−Ni層があるため動摩擦係数
μが大きくステイツクスリツプに起因するテープ
鳴きが発生する。そのため、表面に潤滑剤をコー
テイングすることが必要とされており、プラズマ
重合コーテイング法もその中の一方法であつた。
したがつて、前述した装置によると、従来の装置
に比べて、動摩擦係数μがより小さく耐久性のあ
る重合膜を得ることができた。したがつて、以上
のように、プラズマ発生管の内部だけで放電さ
せ、放電により発生するラジカル基を含むガスを
ガス吹出口からテープ状記録媒体表面に吹きつけ
ることにより、放電中のイオンによるエツチング
作用の影響を受けることなく安定で均一な重合膜
を得ることができる。
及びロータリポンプ４５を作動させて、少なくと
も0.1mTorr以下に減圧する。この時、真空チヤ
ンバ４１内から排出されるモノマーガスはトラツ
プ器４３により捕えられる。そして、上記状態
で、モノマーガス導入管５８及びガイド部４８ｂ
より、モノマーガスと共に不活性ガス（例えばア
ルゴン）を流量計５９を見ながら真空チヤンバ４
１内に導入する。以上のセツテイング後、インピ
ーダンスマツチング器５１でマツチングされたア
ンテナ状高周波電力端子４９に高周波電力を供給
すると、プラズマ発生管４８の内部のみに放電が
発生する。この放電により発生するラジカル基を
含んだガスを、プラズマ発生管４８のガス吹出口
４８ａからテープ駆動手段５２によつて走行させ
られるテープ状記録媒体５３の表面に吹出させ、
テープ状記録媒体５３の表面に均一で安定した重
合膜を形成する。この手法により、Co−Niを蒸
着した蒸着テープ状記録媒体の表面に、モノマー
ガスとしてオクタフルオロシクロブタン（Ｃ−
C4F8）を用いて重合膜を形成し、第５図のよう
な結果を得た。Co−Ni蒸着のテープ状記録媒体
の場合、表面にCo−Ni層があるため動摩擦係数
μが大きくステイツクスリツプに起因するテープ
鳴きが発生する。そのため、表面に潤滑剤をコー
テイングすることが必要とされており、プラズマ
重合コーテイング法もその中の一方法であつた。
したがつて、前述した装置によると、従来の装置
に比べて、動摩擦係数μがより小さく耐久性のあ
る重合膜を得ることができた。したがつて、以上
のように、プラズマ発生管の内部だけで放電さ
せ、放電により発生するラジカル基を含むガスを
ガス吹出口からテープ状記録媒体表面に吹きつけ
ることにより、放電中のイオンによるエツチング
作用の影響を受けることなく安定で均一な重合膜
を得ることができる。
さらに第６図に示すように、プラズマ発生管４
８を、モノマーガス導入口４８ａがアンテナ状高
周波電力端子４９とガス吹出口４８ａとの間に設
けられた構成とすることによつてプラズマ発生管
４８内に導入されたモノマーガスが、必要以上に
アンテナ状高周波電力端子４９の影響を受けるこ
とを防止できる。即ち、モノマーガスがアンテナ
状高周波電力端子４９の間を通過するとより大き
なエネルギーを受けて必要以上に分解して重合し
にくくなるのを防ぐ。
８を、モノマーガス導入口４８ａがアンテナ状高
周波電力端子４９とガス吹出口４８ａとの間に設
けられた構成とすることによつてプラズマ発生管
４８内に導入されたモノマーガスが、必要以上に
アンテナ状高周波電力端子４９の影響を受けるこ
とを防止できる。即ち、モノマーガスがアンテナ
状高周波電力端子４９の間を通過するとより大き
なエネルギーを受けて必要以上に分解して重合し
にくくなるのを防ぐ。
本発明は、上記したプラズマ重合コーテイング
装置をさらに改良したものである。このために第
７図に示すように、プラズマ発生管４８は、その
側壁から円筒状の膨出部４８ｄを突設すると共に
この膨出部４８ｄ外周にアンテナ状高周波電力端
子４９を巻回し、且つモノマーガス導入口４８ｃ
を膨出部４８ｄとガス吹出口４８ａとの間の部分
に設けたものである。こうすることによつて、ア
ンテナ状高周波電力端子４９とモノマーガス導入
口４８ｃとの間の距離が遠くなつて、先に説明し
た装置における場合よりも、一層、モノマーガス
がアンテナ状高周波電力端子４９より受ける影響
を少なくできる。
装置をさらに改良したものである。このために第
７図に示すように、プラズマ発生管４８は、その
側壁から円筒状の膨出部４８ｄを突設すると共に
この膨出部４８ｄ外周にアンテナ状高周波電力端
子４９を巻回し、且つモノマーガス導入口４８ｃ
を膨出部４８ｄとガス吹出口４８ａとの間の部分
に設けたものである。こうすることによつて、ア
ンテナ状高周波電力端子４９とモノマーガス導入
口４８ｃとの間の距離が遠くなつて、先に説明し
た装置における場合よりも、一層、モノマーガス
がアンテナ状高周波電力端子４９より受ける影響
を少なくできる。
なお、上記した各装置により、モノマーガスと
してオクタフルオロシクロブタン（Ｃ−C4F8）
を使用して形成した重合膜をESCA（分析装置）
により分析した結果を第８図に示す。第８図から
分かるように、モノマーガス導入位置を、アンテ
ナ状高周波電力端子よりガス吹出口に順に近づけ
た時の方がＦ／Coの比が大きく、重合膜中にＦ
（フツ素）がより多く含まれ、良好な重合膜が得
られる。
してオクタフルオロシクロブタン（Ｃ−C4F8）
を使用して形成した重合膜をESCA（分析装置）
により分析した結果を第８図に示す。第８図から
分かるように、モノマーガス導入位置を、アンテ
ナ状高周波電力端子よりガス吹出口に順に近づけ
た時の方がＦ／Coの比が大きく、重合膜中にＦ
（フツ素）がより多く含まれ、良好な重合膜が得
られる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、プラズマ発生管
内部で放電させてラジカル基を含むガスをガス吹
出口からテープ状記録媒体表面に吹きつけること
により、放電中のイオンによるエツチング作用の
影響を受けることなく、安定で均一な重合膜を得
ることができる。さらに、プラズマ発生管に設け
た膨出部の外周にアンテナ状高周波電力端子を巻
回することによつて、アンテナ状高周波電力端子
とモノマーガス導入口との間の距離が大きくな
り、プラズマ発生管内に導入されたモノマーガス
が必要以上にアンテナ状高周波電力端子の影響を
受けることを防止できる。
内部で放電させてラジカル基を含むガスをガス吹
出口からテープ状記録媒体表面に吹きつけること
により、放電中のイオンによるエツチング作用の
影響を受けることなく、安定で均一な重合膜を得
ることができる。さらに、プラズマ発生管に設け
た膨出部の外周にアンテナ状高周波電力端子を巻
回することによつて、アンテナ状高周波電力端子
とモノマーガス導入口との間の距離が大きくな
り、プラズマ発生管内に導入されたモノマーガス
が必要以上にアンテナ状高周波電力端子の影響を
受けることを防止できる。
第１図及び第２図は従来例の概略構成図、第３
図は問題点を解決するための基本的構成を有する
プラズマ重合コーテイング装置の概略構成図、第
４図は同要部拡大図、第５図は本発明の基本的効
果を説明するブラフ図、第６図は問題点を解決す
るための基本的構成を有する他のプラズマ重合コ
ーテイング装置の概略構成図、第７図は本発明の
一実施例の要部拡大図、第８図は本発明のプラズ
マ重合コーテイング装置によつて形成された重合
膜のＦ／Coの値を示すグラフ図である。 ４１…真空チヤンバ、４８…プラズマ発生管、
４８ａ…ガス吹出口、４９…アンテナ状高周波電
力端子、５０…高周波電源、５２…テープ駆動手
段、５８…モノマーガス導入管。
図は問題点を解決するための基本的構成を有する
プラズマ重合コーテイング装置の概略構成図、第
４図は同要部拡大図、第５図は本発明の基本的効
果を説明するブラフ図、第６図は問題点を解決す
るための基本的構成を有する他のプラズマ重合コ
ーテイング装置の概略構成図、第７図は本発明の
一実施例の要部拡大図、第８図は本発明のプラズ
マ重合コーテイング装置によつて形成された重合
膜のＦ／Coの値を示すグラフ図である。 ４１…真空チヤンバ、４８…プラズマ発生管、
４８ａ…ガス吹出口、４９…アンテナ状高周波電
力端子、５０…高周波電源、５２…テープ駆動手
段、５８…モノマーガス導入管。
Claims (1)
- １ 真空チヤンバ内に配置された筒状のプラズマ
発生管と、前記プラズマ発生管の下部に設けられ
たガス吹出口に対応する位置でテープ状記録媒体
のコーテイング面を走行させるテープ駆動手段と
を有し、前記プラズマ発生管の側壁中央から円筒
状の膨出部を突設するとともに、この膨出部の外
周にアンテナ状高周波電力端子を巻回し、かつモ
ノマーガス導入口を前記プラズマ発生管の下部側
壁の前記ガス吹出口近くに設けてなるプラズマ重
合コーテイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21144383A JPS60104134A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | プラズマ重合コ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21144383A JPS60104134A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | プラズマ重合コ−テイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60104134A JPS60104134A (ja) | 1985-06-08 |
| JPH0149363B2 true JPH0149363B2 (ja) | 1989-10-24 |
Family
ID=16606036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21144383A Granted JPS60104134A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | プラズマ重合コ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60104134A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04362091A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ化学気相成長装置 |
| DE102004002129A1 (de) * | 2004-01-15 | 2005-08-11 | Arccure Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Härtung von radikalisch polymerisierbaren Beschichtungen von Oberflächen |
| WO2012133102A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 積水化学工業株式会社 | 重合性モノマーの凝縮装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857404A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-05 | Hitachi Ltd | プラズマ重合方法 |
| JPS5874701A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 高分子薄膜の形成方法 |
| JPS5876402A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-09 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | エポキシ注型絶縁材の表面抵抗低減方法 |
-
1983
- 1983-11-09 JP JP21144383A patent/JPS60104134A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857404A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-05 | Hitachi Ltd | プラズマ重合方法 |
| JPS5874701A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 高分子薄膜の形成方法 |
| JPS5876402A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-09 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | エポキシ注型絶縁材の表面抵抗低減方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60104134A (ja) | 1985-06-08 |
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