JPS59164304A - 高分子重合膜形成装置 - Google Patents
高分子重合膜形成装置Info
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- JPS59164304A JPS59164304A JP3857483A JP3857483A JPS59164304A JP S59164304 A JPS59164304 A JP S59164304A JP 3857483 A JP3857483 A JP 3857483A JP 3857483 A JP3857483 A JP 3857483A JP S59164304 A JPS59164304 A JP S59164304A
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- energy
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- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は電子部品なとの被処理体の表面上に高分子重
合膜を形成する装置に関するものである。
合膜を形成する装置に関するものである。
第１図は従来の高分子重合膜形成製置の一例の構成を模
式的に示す断面図である。
式的に示す断面図である。
図において、（１）は内部に電子部品などの被処理体の
表面上に高分子重合膜が形成される反応容器、（２）は
反応容器＋１ｊ内に設置された被処理体、（３）は反応
容器（１）の一方の端部に開閉弁（４）を介して連結さ
れ反応容器［１１内を真空にするための真空ポンプ、（
５）は反応容器（１１の外部に設置され被処理体（２）
の表面上に高分子重合膜を形成するモノマガスを蓄える
モノマガスボンベ、（Ｃ）は一方の端部が開閉弁（７）
を介してモノマガスボンベ（５）に連結され他方の端部
が反応容器ｆｉ）内に被処理体（２）の方向に向けて開
口するようにこの開口端部と開閉弁（７）との間の一部
分か反応容器（１）の長手側の容器壁に気密に固着サレ
モノマガスボンベ（５）内のモノマガスを反応容器＋１
１内へ導入するモノマガス縛入管、（８）は反応容器ｔ
＋１の外部に設置されアルゴンなどの不活性ガスを蓄え
る不活性ガスボンベ、（９）は一方の端部が開閉弁（１
０）を介して不活性ガスボンベ（８）に連結され他方の
端部が反応容器（１）の真空ポンプ（３）句とは反対側
の端部に反応容器ｔ１）内（こ開口するように気密に固
着され不活性ガスボンベ（８）内の不活性ガスを反応容
器＋１ｊ内へ導入する不活性ガス導入管、（１１）は反
応容器（１）の不活性ガス導入管（９）が固着された端
部側の部分上にこの部分を取り巻いて設けられ反応容器
（１）内へ導入された不油性ガスとモノマガスとの混合
ガスを高周波グロー放電させてモノマガス分子を励起状
態やイオン化状態にするための誘導コルイル、（１２）
は誘導コイル（１１目こ接続されて高周波電力を供給す
る高周波電源である。
表面上に高分子重合膜が形成される反応容器、（２）は
反応容器＋１ｊ内に設置された被処理体、（３）は反応
容器（１）の一方の端部に開閉弁（４）を介して連結さ
れ反応容器［１１内を真空にするための真空ポンプ、（
５）は反応容器（１１の外部に設置され被処理体（２）
の表面上に高分子重合膜を形成するモノマガスを蓄える
モノマガスボンベ、（Ｃ）は一方の端部が開閉弁（７）
を介してモノマガスボンベ（５）に連結され他方の端部
が反応容器ｆｉ）内に被処理体（２）の方向に向けて開
口するようにこの開口端部と開閉弁（７）との間の一部
分か反応容器（１）の長手側の容器壁に気密に固着サレ
モノマガスボンベ（５）内のモノマガスを反応容器＋１
１内へ導入するモノマガス縛入管、（８）は反応容器ｔ
＋１の外部に設置されアルゴンなどの不活性ガスを蓄え
る不活性ガスボンベ、（９）は一方の端部が開閉弁（１
０）を介して不活性ガスボンベ（８）に連結され他方の
端部が反応容器（１）の真空ポンプ（３）句とは反対側
の端部に反応容器ｔ１）内（こ開口するように気密に固
着され不活性ガスボンベ（８）内の不活性ガスを反応容
器＋１ｊ内へ導入する不活性ガス導入管、（１１）は反
応容器（１）の不活性ガス導入管（９）が固着された端
部側の部分上にこの部分を取り巻いて設けられ反応容器
（１）内へ導入された不油性ガスとモノマガスとの混合
ガスを高周波グロー放電させてモノマガス分子を励起状
態やイオン化状態にするための誘導コルイル、（１２）
は誘導コイル（１１目こ接続されて高周波電力を供給す
る高周波電源である。
次に、この従来例の装置の作用について説明する０
まず、開閉弁（４）を開き、真空ポンプ（３）を作動さ
せる。そして、反応容器＋１）内がＮｏ ｔｏｒｒ程
度の真空度になったときに、開閉弁（１０）を開いて、
不活性ガスボンベ（８）内の不活性ガスを不活性ガス導
入管（９）を通して反応容器（１）内へ導入しながら真
空ポンプ（３）で反応容器ｔｉｔ内を排気することによ
って、反応容器（１）内に残留している不純ガスを不活
性ガスで置換する。次いで、開閉弁（７）を開いて、モ
ノマガスボンベ（５）内のモノマガスをモノマガス導入
管（６）を通して反応容器（１）内へ導入し、反応容器
＋１１内のモノマガスと不活性ガスとの混合ガスの圧力
が０．１〜１ ｔｏｒｒ程度になるようにする。しかる
のち、高周波電源（１２）から誘導コイル（Ｕ）に高周
波電力を供給すると、反応容器（１）内にモノマガスと
不活性ガスとの混合ガスの高周波グロー放電が発生する
０この高周波グロー放電によって、モノマガスが励起状
態やイオン化状態になり、モノマガスに重合反応に必要
な活性化エネルギーが付与されて、被処理体（２）の表
面上にいわゆるプラズマ高分子重合膜が形成される。
せる。そして、反応容器＋１）内がＮｏ ｔｏｒｒ程
度の真空度になったときに、開閉弁（１０）を開いて、
不活性ガスボンベ（８）内の不活性ガスを不活性ガス導
入管（９）を通して反応容器（１）内へ導入しながら真
空ポンプ（３）で反応容器ｔｉｔ内を排気することによ
って、反応容器（１）内に残留している不純ガスを不活
性ガスで置換する。次いで、開閉弁（７）を開いて、モ
ノマガスボンベ（５）内のモノマガスをモノマガス導入
管（６）を通して反応容器（１）内へ導入し、反応容器
＋１１内のモノマガスと不活性ガスとの混合ガスの圧力
が０．１〜１ ｔｏｒｒ程度になるようにする。しかる
のち、高周波電源（１２）から誘導コイル（Ｕ）に高周
波電力を供給すると、反応容器（１）内にモノマガスと
不活性ガスとの混合ガスの高周波グロー放電が発生する
０この高周波グロー放電によって、モノマガスが励起状
態やイオン化状態になり、モノマガスに重合反応に必要
な活性化エネルギーが付与されて、被処理体（２）の表
面上にいわゆるプラズマ高分子重合膜が形成される。
ところで、この従来例の装置では、へ１〜１ｔｏｒｒ程
度の低真空中におけるモノマガスと不活性ガスとの混合
ガスの高周波グロー放電によってモノマガスを励起状態
やイオン化状態にしてモノマガスに重合反応に必要孟活
性化エネルギーを付与するので、被処理体（２）の表面
上に形成されるプラズマ高分子重合膜（こは自由遊離基
が多く残存してＩ／）る。
度の低真空中におけるモノマガスと不活性ガスとの混合
ガスの高周波グロー放電によってモノマガスを励起状態
やイオン化状態にしてモノマガスに重合反応に必要孟活
性化エネルギーを付与するので、被処理体（２）の表面
上に形成されるプラズマ高分子重合膜（こは自由遊離基
が多く残存してＩ／）る。
従って、これらの自由遊離基が空気中の酸素と反応して
カルボニル極性基が生ずるので、例えばこのプラズマ高
分子重合膜をコンデンサの誘電体材料として使用した場
合には、高周波領域での誘電損失が大きくなる。しかし
ながら、モノマガスの高周波グロー放電を発生させるＱ
こは、モノマガスに不活性ガスを混合させる必要がある
ので、モノマガスと不活性ガスとの混合ガスの高周波グ
ロー放電には種々の励起状態やイオン化状態のモノマガ
スが混在しており、このようなモノマガスによる重合反
応が複雑で、この重合反応を定性的に把握することは難
かしく、自由遊離基のない、膜質の均一なプラズマ高分
子重合膜を形成することはできなかった。
カルボニル極性基が生ずるので、例えばこのプラズマ高
分子重合膜をコンデンサの誘電体材料として使用した場
合には、高周波領域での誘電損失が大きくなる。しかし
ながら、モノマガスの高周波グロー放電を発生させるＱ
こは、モノマガスに不活性ガスを混合させる必要がある
ので、モノマガスと不活性ガスとの混合ガスの高周波グ
ロー放電には種々の励起状態やイオン化状態のモノマガ
スが混在しており、このようなモノマガスによる重合反
応が複雑で、この重合反応を定性的に把握することは難
かしく、自由遊離基のない、膜質の均一なプラズマ高分
子重合膜を形成することはできなかった。
この発明は上述の欠点を解消する目的でなされたもので
、被処理体の表面上に投射して高分子重合膜を形成する
モノマガスに少なくとも重合反応に必要なエネルギーを
高真空中において付与することによって、自由遊離基の
ない、しかも膜質の均一な高分子重合膜を形成できるよ
うにした高分子重合膜形成装置を提供するものである。
、被処理体の表面上に投射して高分子重合膜を形成する
モノマガスに少なくとも重合反応に必要なエネルギーを
高真空中において付与することによって、自由遊離基の
ない、しかも膜質の均一な高分子重合膜を形成できるよ
うにした高分子重合膜形成装置を提供するものである。
第２図はこの発明の一実施例の高分子重合膜形成装置の
構成を模式的に示す断面図である。
構成を模式的に示す断面図である。
図において、第１図に示した従来例の符号と同一符号は
同等部分を示す。０粉は反応容器ｉｌｌ内の上方の位置
に設けられヒータまたは冷却器を有し下面しこ被処理体
（２）を接触させて保持し被処理体（２）の表面上にお
けるモノマガスの重合反応速度を制御するために被処理
体（２）の温度を制御する被処理体温度制御機構、（Ｉ
４）は反応容器［）内の下方の被処理体温度制御機構０
３）の下面に保持された被処理体（２）と距離をおいて
対向する位置に設けられた筒状体からなり上面中央部に
孔径の小さいノズル（Ｘａａ）を有し下面中央部にモノ
マガス導入管（６）の先端部が連結されこの筒状体の内
部にモノマガス導入管（６）を通して導入されたモノマ
ガスを一点鎖線で図示するようにノズル（１４ａ）から
被処理体（２）の表面に向けて噴射させることによって
この内部に導入されたモノマガスの静圧が変換された運
動エネルギーをノズル（１４ａ ）から噴射されるモノ
マガスに付与する運動エネルギー付与機構、（１５）は
運動エネルキー付与機構（１４）を取り巻いて設けられ
た加熱用ヒータからなり運動エネルギー付与機構（Ｉ４
）内に導入されたモノマガスを加熱してノズル（１４ａ
）から被処理体（２）の表面に向けて噴射されるモノマ
ガスに熱エネルギーを付与する熱エネルギー付与機構、
（１６）はモノマガス導入管（６）の反応容器＋１）と
開閉弁（７）との間の部分に挿入されモノマガスボンベ
（５）から開閉弁（７）およびモノマガス導入管（６）
を通して運動エネルギー付与機構θ４）に導入されるモ
ノマガスの流量を計測するモノマガス流量計、０７）は
被処理体温度制御機構０３）の下面に保持された被処理
体（２）との間に間隔をおいて互いに対向するように設
けられ運動エネルギー付与機構（＋４）のノズル（ｌａ
）から噴射されるモノマガスを被処理体（２）に衝突さ
せるときには開き衝突させないときには閉じるように構
成されたシャッタ、α８）は運動エネルギー付与機構（
１４）の上方のノズル（１４ａ ）から噴射されるモノ
マガスの外側の位置にこのモノマガスを取り巻くように
設けられ加熱されて電子を放出する電子放出用フィラメ
ント、（１９）は′電子放出用フィラメント（１８）の
両端子間に接続されたフィラメント加熱用電源、（２０
）はノズル（１４ａ）から噴射されるモノマガスと電子
放出用フィラメント（＋８）との間の位置に設けられこ
のモノマガスに電子放出用フィラメント０８）が放出す
る電子を加速照射し付着させてモノマガスをイオン化す
るイオン化用電子加速照射グリッド、（２１）はイオン
化用電子加速照射グリッド鉾ｏ）と電子放出用フィラメ
ントθ８）の一方の端子との間に接続された電圧制御可
能な直流グリッド電源、（２匂はノズル（１４ａ）から
噴射されるモノマガスを通過させ得るように電子放出用
フィラメント０８）とイオン化用電子加速照射グリッド
−とを収容し上記モノマガスをイオン化するモノマガス
イオン化部、（２３）はシャッタθ乃とモノマガスイオ
ン化部（２りとの間の位置にノズル（１４ａ）から噴射
されるモノマガスを通過させ得るように設けられモノマ
ガスイオン化部−でイオン化されたモノマガスを加速す
るイオン化モ／マガス加速電極、（２４）はイオン化モ
ノマガス加速電極（２３）と電子放出用フィラメント（
１８）のフィラメント加熱用電源（＋９）が接続された
端子との間に接続された電圧制御可能なイオン化モノマ
ガス加速用直流電源、（２５）はモノマガスイオン化部
−とイオン化モノマガス加速電極關とからなりノズル（
１４ａ）から噴射されるモノマガスをモノマガスイオン
化部（２りで電子の付着によってイオン化しこのイオン
化されたモノマガスをイオン化モノマガス加速電極Ａで
加速することによって上記モノマガスの連部エネルギー
を増加させる運動エネルギー増加機構である。なお、モ
ノマガスボンベ（５）内には所要圧力を有するモノマガ
スが蓄えられており、図示してないが、モノマガスボン
ベ（５）のモノマガス導入管（６）との連結部には、モ
ノマガスボンベｉ６）からモノマガス導入管（６）へ供
給されるモノマガスの圧力が所定値になるように制御す
るモノマガス圧力制御器が設けられている。
同等部分を示す。０粉は反応容器ｉｌｌ内の上方の位置
に設けられヒータまたは冷却器を有し下面しこ被処理体
（２）を接触させて保持し被処理体（２）の表面上にお
けるモノマガスの重合反応速度を制御するために被処理
体（２）の温度を制御する被処理体温度制御機構、（Ｉ
４）は反応容器［）内の下方の被処理体温度制御機構０
３）の下面に保持された被処理体（２）と距離をおいて
対向する位置に設けられた筒状体からなり上面中央部に
孔径の小さいノズル（Ｘａａ）を有し下面中央部にモノ
マガス導入管（６）の先端部が連結されこの筒状体の内
部にモノマガス導入管（６）を通して導入されたモノマ
ガスを一点鎖線で図示するようにノズル（１４ａ）から
被処理体（２）の表面に向けて噴射させることによって
この内部に導入されたモノマガスの静圧が変換された運
動エネルギーをノズル（１４ａ ）から噴射されるモノ
マガスに付与する運動エネルギー付与機構、（１５）は
運動エネルキー付与機構（１４）を取り巻いて設けられ
た加熱用ヒータからなり運動エネルギー付与機構（Ｉ４
）内に導入されたモノマガスを加熱してノズル（１４ａ
）から被処理体（２）の表面に向けて噴射されるモノマ
ガスに熱エネルギーを付与する熱エネルギー付与機構、
（１６）はモノマガス導入管（６）の反応容器＋１）と
開閉弁（７）との間の部分に挿入されモノマガスボンベ
（５）から開閉弁（７）およびモノマガス導入管（６）
を通して運動エネルギー付与機構θ４）に導入されるモ
ノマガスの流量を計測するモノマガス流量計、０７）は
被処理体温度制御機構０３）の下面に保持された被処理
体（２）との間に間隔をおいて互いに対向するように設
けられ運動エネルギー付与機構（＋４）のノズル（ｌａ
）から噴射されるモノマガスを被処理体（２）に衝突さ
せるときには開き衝突させないときには閉じるように構
成されたシャッタ、α８）は運動エネルギー付与機構（
１４）の上方のノズル（１４ａ ）から噴射されるモノ
マガスの外側の位置にこのモノマガスを取り巻くように
設けられ加熱されて電子を放出する電子放出用フィラメ
ント、（１９）は′電子放出用フィラメント（１８）の
両端子間に接続されたフィラメント加熱用電源、（２０
）はノズル（１４ａ）から噴射されるモノマガスと電子
放出用フィラメント（＋８）との間の位置に設けられこ
のモノマガスに電子放出用フィラメント０８）が放出す
る電子を加速照射し付着させてモノマガスをイオン化す
るイオン化用電子加速照射グリッド、（２１）はイオン
化用電子加速照射グリッド鉾ｏ）と電子放出用フィラメ
ントθ８）の一方の端子との間に接続された電圧制御可
能な直流グリッド電源、（２匂はノズル（１４ａ）から
噴射されるモノマガスを通過させ得るように電子放出用
フィラメント０８）とイオン化用電子加速照射グリッド
−とを収容し上記モノマガスをイオン化するモノマガス
イオン化部、（２３）はシャッタθ乃とモノマガスイオ
ン化部（２りとの間の位置にノズル（１４ａ）から噴射
されるモノマガスを通過させ得るように設けられモノマ
ガスイオン化部−でイオン化されたモノマガスを加速す
るイオン化モ／マガス加速電極、（２４）はイオン化モ
ノマガス加速電極（２３）と電子放出用フィラメント（
１８）のフィラメント加熱用電源（＋９）が接続された
端子との間に接続された電圧制御可能なイオン化モノマ
ガス加速用直流電源、（２５）はモノマガスイオン化部
−とイオン化モノマガス加速電極關とからなりノズル（
１４ａ）から噴射されるモノマガスをモノマガスイオン
化部（２りで電子の付着によってイオン化しこのイオン
化されたモノマガスをイオン化モノマガス加速電極Ａで
加速することによって上記モノマガスの連部エネルギー
を増加させる運動エネルギー増加機構である。なお、モ
ノマガスボンベ（５）内には所要圧力を有するモノマガ
スが蓄えられており、図示してないが、モノマガスボン
ベ（５）のモノマガス導入管（６）との連結部には、モ
ノマガスボンベｉ６）からモノマガス導入管（６）へ供
給されるモノマガスの圧力が所定値になるように制御す
るモノマガス圧力制御器が設けられている。
次に、この実施例の装置の作用について説明する０
の高夙空度にする。次いで、連動エネルギー付与機構（
１４）のノズル（ｌａ、ａ ）から哄身ｊするモノマガ
スの運動エネルギーと、熱エネルギー付与機構（１５）
による熱エネルギーと、運動エネルギー増加機構（２５
）による増加連動エネルギーとの和のエネルギーが、少
なくともモノマガスの１合反応に必要な油性化エネルギ
ーと同程度になるように、運動エネルギー付与機構（１
４）内へモノマガス導入管（６）を通して導入されるモ
ノマカスの圧力、熱エネルギー付与機構θ６）の連動エ
ネルギー付゛与機構θ４）内のモノマガスの加熱温度お
よび運動エネルギー増加機構いのイオン化モノマガス加
速用直流電源し４）の電圧を庖扱値に設定する。また、
被処理体（２）の表面上におけるモノマガス妨牟の重合
反応速度がＭ要反応速度になるように、被処理体温度制
御機構（１３）の被処理体（２）の保持温度を所要値に
設定する。東に、フィラメント加熱用直流電源θ９）の
電圧、を電子放出用フイラメン）（＋８）が十分電子放
出可能になる電圧値に設定し、直流グリッド電源（２１
）の電圧をイオン化用電子加速照射グリッド（２０）か
十分作用可能になる電圧値に設定する。このように設定
されたのちに、シャッタ（１７）を閉じ、開閉弁（７）
を開くと、モノマガスボンベ（５）内のモノマガスが開
閉弁（７）、モノマガス流量計０６）およびモノマガス
導入管（６）を通して運動エネルギー付与機構（１４）
内へ流入（−１運動工ネルギー付与機構Ｑ４）内のモノ
マガスの圧力が上昇するに連れてノズル（１４ａ ）か
ら噴射するモノマカスの運動エネルギーが増大する。そ
して、運動エネルギー付与機構０４）内のモノマガスの
圧力が設定値になったときに、ノズル（ユ４ａ）から噴
射するモノマガスの運動エネルギーと、熱エネルギー付
与機構０５）による熱エネルギーと、運動エネルギー増
加機構伐５）による鳩加運動エネルキーとの和のエネル
ギーがモノマガスの重合反応に必要な活性化エネルギー
と同程度になるとともに、ノズル（１４ａ）から噴射す
るモノマガスの童と運動エネルギー付与機構（１４ａ）
内へモノマガス導入管（６）を通して流入するモノマカ
スの量とが等しくなり、モノマガスのモノマガス導入管
（６）内での流れが定常状態になる。
１４）のノズル（ｌａ、ａ ）から哄身ｊするモノマガ
スの運動エネルギーと、熱エネルギー付与機構（１５）
による熱エネルギーと、運動エネルギー増加機構（２５
）による増加連動エネルギーとの和のエネルギーが、少
なくともモノマガスの１合反応に必要な油性化エネルギ
ーと同程度になるように、運動エネルギー付与機構（１
４）内へモノマガス導入管（６）を通して導入されるモ
ノマカスの圧力、熱エネルギー付与機構θ６）の連動エ
ネルギー付゛与機構θ４）内のモノマガスの加熱温度お
よび運動エネルギー増加機構いのイオン化モノマガス加
速用直流電源し４）の電圧を庖扱値に設定する。また、
被処理体（２）の表面上におけるモノマガス妨牟の重合
反応速度がＭ要反応速度になるように、被処理体温度制
御機構（１３）の被処理体（２）の保持温度を所要値に
設定する。東に、フィラメント加熱用直流電源θ９）の
電圧、を電子放出用フイラメン）（＋８）が十分電子放
出可能になる電圧値に設定し、直流グリッド電源（２１
）の電圧をイオン化用電子加速照射グリッド（２０）か
十分作用可能になる電圧値に設定する。このように設定
されたのちに、シャッタ（１７）を閉じ、開閉弁（７）
を開くと、モノマガスボンベ（５）内のモノマガスが開
閉弁（７）、モノマガス流量計０６）およびモノマガス
導入管（６）を通して運動エネルギー付与機構（１４）
内へ流入（−１運動工ネルギー付与機構Ｑ４）内のモノ
マガスの圧力が上昇するに連れてノズル（１４ａ ）か
ら噴射するモノマカスの運動エネルギーが増大する。そ
して、運動エネルギー付与機構０４）内のモノマガスの
圧力が設定値になったときに、ノズル（ユ４ａ）から噴
射するモノマガスの運動エネルギーと、熱エネルギー付
与機構０５）による熱エネルギーと、運動エネルギー増
加機構伐５）による鳩加運動エネルキーとの和のエネル
ギーがモノマガスの重合反応に必要な活性化エネルギー
と同程度になるとともに、ノズル（１４ａ）から噴射す
るモノマガスの童と運動エネルギー付与機構（１４ａ）
内へモノマガス導入管（６）を通して流入するモノマカ
スの量とが等しくなり、モノマガスのモノマガス導入管
（６）内での流れが定常状態になる。
このように、モノマガスの導入管（６）内での流れが定
常状態になったことがモノマ流量計（１６＋によって恢
出された時点で、シャッタθηを開くと、被処理体（２
）の表面上に高分子重合膜が７５Ｊｒ要のλ合反応速度
で形成される。
常状態になったことがモノマ流量計（１６＋によって恢
出された時点で、シャッタθηを開くと、被処理体（２
）の表面上に高分子重合膜が７５Ｊｒ要のλ合反応速度
で形成される。
この実施例の装置では、モノマガスが重合反応するのに
必要な活性化エネルギーが、第１図に示した従来例のよ
うにモノマガスと不活性ガスとの高周波グロー放電によ
ることなく、高真空中にお 。
必要な活性化エネルギーが、第１図に示した従来例のよ
うにモノマガスと不活性ガスとの高周波グロー放電によ
ることなく、高真空中にお 。
いて、運動エネルギー付与機構（１４）および運動エネ
ルギー増加機構（２６）による運動エネルギーと、熱エ
ネルギー付与機構（１５）による熱エネルギーとで与え
られるので、被処理体（２）の表面上に形成される高分
子１合膜には自由遊離基が生じない。しかも、運動エネ
ルギー付与機構θ４）のノズル（１４ａ）から噴射し始
めたモノマガスの運動エネルギーの不安定な初期におい
ては、シャッタ（１カを閉じることによって、密度など
の不均一な高分子重合膜が被処理体（２）の表面上に形
成されないようにし、モノマガスのノズル（１４ａ）か
らの噴射、が定常状態になった時点において、シャッタ
（１７）を開いて、高分子重合膜の被処理体（２）の表
面上での形成を始めるので、高分子１合膜の膜質を均一
にすることができる。
ルギー増加機構（２６）による運動エネルギーと、熱エ
ネルギー付与機構（１５）による熱エネルギーとで与え
られるので、被処理体（２）の表面上に形成される高分
子１合膜には自由遊離基が生じない。しかも、運動エネ
ルギー付与機構θ４）のノズル（１４ａ）から噴射し始
めたモノマガスの運動エネルギーの不安定な初期におい
ては、シャッタ（１カを閉じることによって、密度など
の不均一な高分子重合膜が被処理体（２）の表面上に形
成されないようにし、モノマガスのノズル（１４ａ）か
らの噴射、が定常状態になった時点において、シャッタ
（１７）を開いて、高分子重合膜の被処理体（２）の表
面上での形成を始めるので、高分子１合膜の膜質を均一
にすることができる。
この実施例では、被処理体温度制御機構０３）、運動エ
ネルギー付与機構（＋４） 、熱エネルギー付与機構θ
５ｊおよび運動エネルギー増加機構（２６）を用いたが
、運動エネルギー付与機構０４）のみによって、モノマ
ガスの重合反応に必要な活性化エイ・ルギーに相当スル
運動エネルギーが与えられる場合には、熱エネルギー付
与＠構Ｑｇ＋およびまたは運動エネルギー増加＆ ＠（
２５１を省略してもよい。更に、この場合に、被処理体
（２）の表面上＆【おけるモノマガスの１合反応速度が
所要の反応速度であるときには、被処理体温度制御機構
０３）をも省略してよい。
ネルギー付与機構（＋４） 、熱エネルギー付与機構θ
５ｊおよび運動エネルギー増加機構（２６）を用いたが
、運動エネルギー付与機構０４）のみによって、モノマ
ガスの重合反応に必要な活性化エイ・ルギーに相当スル
運動エネルギーが与えられる場合には、熱エネルギー付
与＠構Ｑｇ＋およびまたは運動エネルギー増加＆ ＠（
２５１を省略してもよい。更に、この場合に、被処理体
（２）の表面上＆【おけるモノマガスの１合反応速度が
所要の反応速度であるときには、被処理体温度制御機構
０３）をも省略してよい。
なお、この実施例では、運動エネルギー付与機構θ４）
とこれに付随するモノマガスボンベ（５）との組合わせ
を一組設ける場合について述べたが、これに限らず、こ
のような組合わせを複数組設け、これらの組を順次切り
換えて使用することによって多層構造の高分子重合膜を
形成する場合にも適用する口とができる。また、反応容
器［１＋内に金属蒸着膜形成用るつぼを追加して設け、
高分子重合膜の表面上に金属蒸着膜を形成する場合にも
適用することができる。
とこれに付随するモノマガスボンベ（５）との組合わせ
を一組設ける場合について述べたが、これに限らず、こ
のような組合わせを複数組設け、これらの組を順次切り
換えて使用することによって多層構造の高分子重合膜を
形成する場合にも適用する口とができる。また、反応容
器［１＋内に金属蒸着膜形成用るつぼを追加して設け、
高分子重合膜の表面上に金属蒸着膜を形成する場合にも
適用することができる。
以上、説明したように、この発明の高分子重合膜形成装
置では、高分子重合膜か表面上に形成される被処理体が
内部に設けられた反応容器内に設置され上記被処理体の
表面上しこ投射して高分子重合膜を形成するモノマガス
（こ少なくとも重合反応−に必賛なエネルギーを高真空
中において付与するエネルギー伺与機構を備えているの
で、上記被処理体の表面上に形成される高分子重合膜は
、従来例のような自由遊離基が生ずることなく、膜負力
く均一になる。
置では、高分子重合膜か表面上に形成される被処理体が
内部に設けられた反応容器内に設置され上記被処理体の
表面上しこ投射して高分子重合膜を形成するモノマガス
（こ少なくとも重合反応−に必賛なエネルギーを高真空
中において付与するエネルギー伺与機構を備えているの
で、上記被処理体の表面上に形成される高分子重合膜は
、従来例のような自由遊離基が生ずることなく、膜負力
く均一になる。
第１図は従来の筒分子重合膜形成装置の一例の構成を模
式的に示す断面図、第２図はこの発明の一実施例の高分
子重合膜形成装置の構成を模式的に示す断面図である。 図において、ｉｔｌは反応容器、（２）は被処理体、α
３）は被処理体温度制御機構、（１４）は運動エネルギ
ー付与機構、（１４ａ）はノズル、（Ｉ５）は熱エネル
ギー付与機構、（２５）は運動エネルギー増加機構であ
る０なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分
を示す。
式的に示す断面図、第２図はこの発明の一実施例の高分
子重合膜形成装置の構成を模式的に示す断面図である。 図において、ｉｔｌは反応容器、（２）は被処理体、α
３）は被処理体温度制御機構、（１４）は運動エネルギ
ー付与機構、（１４ａ）はノズル、（Ｉ５）は熱エネル
ギー付与機構、（２５）は運動エネルギー増加機構であ
る０なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （＋） 高分子重合膜が表面上に形成される被処理体
を保持する被処理体保持具を内部に有し高真空に排気さ
れる反応容器、およびこの反応容器内に設置され上記被
処理体の表面上に投射して高分子重合膜を形成するモノ
マガスに少なくとも重合反応に必要なエネルギーを高真
空中において付与するエネルギー付与機構を備えた高分
子重合膜形成装置。 （２） エネルギー性力機構として、被処理体と対向
する部分に内径の小さいノズルを有する筒状体からなり
この筒状体の内部に導入されたモノマガスを上記ノズル
から上記被処理体に向けて噴射させることによって上記
内部に導入されたモノマガスの静圧が変換された運動エ
ネルギーを上記ノズルから噴射されるモノマガスに付与
する運動エネルギー付与機構を備えたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の昼分子重合膜形成装置。 （３） エネルギー付与機構として、運動エネルギー
付与機構内に導入されたモノマガスを加熱してこのモノ
マガスに熱エネルギーを付与する熱エネルギー付与機構
をも備えたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の高分子１合膜形成装置。 （４） エネルギー付与機構として、運動エネルギー
付与機構のノズルから噴射されるモノマガスを電子の付
着によってイオン化し電気的に加速することによって上
記ノズルから噴射されるモノマガスの運動エネルギーを
増加させる運動エネルギー増加機構をも備えたことを特
徴とする特許請求の範囲第２項または第３項記載の高分
子重合膜形成装置。 （６）被処理体保持具の温度が可変であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記
載の高分子重合膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3857483A JPS59164304A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 高分子重合膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3857483A JPS59164304A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 高分子重合膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59164304A true JPS59164304A (ja) | 1984-09-17 |
| JPH0324482B2 JPH0324482B2 (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=12529057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3857483A Granted JPS59164304A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 高分子重合膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59164304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121106A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機薄膜形成方法及び装置 |
| JPS62109803A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機薄膜形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874701A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 高分子薄膜の形成方法 |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP3857483A patent/JPS59164304A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874701A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 高分子薄膜の形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121106A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機薄膜形成方法及び装置 |
| JPH0368886B2 (ja) * | 1984-07-10 | 1991-10-30 | Sumitomo Electric Industries | |
| JPS62109803A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機薄膜形成方法 |
| JPH0469643B2 (ja) * | 1985-11-06 | 1992-11-06 | Sumitomo Electric Industries |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324482B2 (ja) | 1991-04-03 |
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