JPH05263223A - 内側部を有する被コーティング体のコーティング方法及び装置 - Google Patents
内側部を有する被コーティング体のコーティング方法及び装置Info
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- JPH05263223A JPH05263223A JP4089497A JP8949792A JPH05263223A JP H05263223 A JPH05263223 A JP H05263223A JP 4089497 A JP4089497 A JP 4089497A JP 8949792 A JP8949792 A JP 8949792A JP H05263223 A JPH05263223 A JP H05263223A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小口径の管体、円筒体等の被コーティング材
でも容易に内側面、端面及び外側面のコーティングがで
きる内側部を有する被コーティング体のコーティング方
法及び装置を提供する。 【構成】 減圧下の放電ガス内に設置された被コーティ
ング体の内側軸心上に第１ターゲット、端面に対向して
第２ターゲット、外側に対して第３ターゲットを設け、
同軸管路にマイクロ波を照射すると共にこのマイクロ波
の周波数に対応した磁場を発生させると、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマが発生する。被コーティング体に対
しスパッターのターゲットを負電位とし、被コーティン
グ体をアースするとターゲットにプラズマ中の正イオン
が衝突し、ターゲットから中性粒子が飛び出し、被コー
ティング体の内側面、端面及び外側面に中性粒子及び放
電ガス中のＮ2とからセラミックスの被膜が形成され
る。
でも容易に内側面、端面及び外側面のコーティングがで
きる内側部を有する被コーティング体のコーティング方
法及び装置を提供する。 【構成】 減圧下の放電ガス内に設置された被コーティ
ング体の内側軸心上に第１ターゲット、端面に対向して
第２ターゲット、外側に対して第３ターゲットを設け、
同軸管路にマイクロ波を照射すると共にこのマイクロ波
の周波数に対応した磁場を発生させると、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマが発生する。被コーティング体に対
しスパッターのターゲットを負電位とし、被コーティン
グ体をアースするとターゲットにプラズマ中の正イオン
が衝突し、ターゲットから中性粒子が飛び出し、被コー
ティング体の内側面、端面及び外側面に中性粒子及び放
電ガス中のＮ2とからセラミックスの被膜が形成され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング法による
内側部を有する被コーティング体へのコーティング方法
に係わり、特に小径な被コーティング体であってもその
内側面、端面、及び外側面の同時コーティングに適した
コーティング方法及び装置に関する。
内側部を有する被コーティング体へのコーティング方法
に係わり、特に小径な被コーティング体であってもその
内側面、端面、及び外側面の同時コーティングに適した
コーティング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりスパッタリング法によるコーテ
ィング装置は知られており、その一例として直流二極ス
パッタリング装置を挙げることができる。その基本的構
造は例えば図５に示したものであって、アースされた減
圧密閉容器１内に負電位金属ターゲット（陰極）２を設
け放電ガス導入装置３によって導入された放電ガス雰囲
気下で陽極上に設定した被コーティング加工材４をコー
ティングするものである。また減圧密閉容器内に磁場を
印加して陰極から出た電子を直進させず、電子をターゲ
ットの近くに閉じこめたり、サイクロイド運動を行わせ
たりして気体分子と衝突する頻度を増し、多数のイオン
を生成して、スパッタリングを激しく行わせ、コーティ
ング速度を早めたマグネトロン・スパッタリング法によ
る装置も採用されてきた。 さらに高速の成膜を実現す
る方法として電子のサイクロトロン共鳴を利用して高密
度プラズマを生成できるＥＣＲスパッタリング法があ
る。
ィング装置は知られており、その一例として直流二極ス
パッタリング装置を挙げることができる。その基本的構
造は例えば図５に示したものであって、アースされた減
圧密閉容器１内に負電位金属ターゲット（陰極）２を設
け放電ガス導入装置３によって導入された放電ガス雰囲
気下で陽極上に設定した被コーティング加工材４をコー
ティングするものである。また減圧密閉容器内に磁場を
印加して陰極から出た電子を直進させず、電子をターゲ
ットの近くに閉じこめたり、サイクロイド運動を行わせ
たりして気体分子と衝突する頻度を増し、多数のイオン
を生成して、スパッタリングを激しく行わせ、コーティ
ング速度を早めたマグネトロン・スパッタリング法によ
る装置も採用されてきた。 さらに高速の成膜を実現す
る方法として電子のサイクロトロン共鳴を利用して高密
度プラズマを生成できるＥＣＲスパッタリング法があ
る。
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上の図５に
示す従来のコーティング装置によれば陰極は陽イオンに
よって激しく叩かれるので温度が上昇し、そのままにし
ておくと陰極が融けるので冷却水により常時冷却してい
なければならないという問題があり、さらにコーティン
グ速度が真空蒸着法による装置に比べると、１桁近く遅
くきわめて非能率で有るという問題があった。またマグ
ネトロン・スパッタリング法についても未だ充分な成膜
速度が得られていないという問題があった。さらに前述
のＥＣＲスパッタリング法については、通常使用されて
いる導波管や空洞共振器ではマイクロ波の周波数により
一意に決まる遮断波長があり、被コーティング体の口径
（内径）がこの遮断波長以下の小口径の管体、円筒体等
である場合には、マイクロ波が伝播されないためにプラ
ズマが生成できず、結果として、それらの内側面にコー
ティングを施すことができないという問題を有してい
た。本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなさ
れたものであって、小口径の管体、円筒体等の被コーテ
ィング材でも容易に内側面、端面及び外側面のコーティ
ングができる内側部を有する被コーティング体のコーテ
ィング方法及び装置を提供することを目的とする。
示す従来のコーティング装置によれば陰極は陽イオンに
よって激しく叩かれるので温度が上昇し、そのままにし
ておくと陰極が融けるので冷却水により常時冷却してい
なければならないという問題があり、さらにコーティン
グ速度が真空蒸着法による装置に比べると、１桁近く遅
くきわめて非能率で有るという問題があった。またマグ
ネトロン・スパッタリング法についても未だ充分な成膜
速度が得られていないという問題があった。さらに前述
のＥＣＲスパッタリング法については、通常使用されて
いる導波管や空洞共振器ではマイクロ波の周波数により
一意に決まる遮断波長があり、被コーティング体の口径
（内径）がこの遮断波長以下の小口径の管体、円筒体等
である場合には、マイクロ波が伝播されないためにプラ
ズマが生成できず、結果として、それらの内側面にコー
ティングを施すことができないという問題を有してい
た。本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなさ
れたものであって、小口径の管体、円筒体等の被コーテ
ィング材でも容易に内側面、端面及び外側面のコーティ
ングができる内側部を有する被コーティング体のコーテ
ィング方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するためにコーティングの対象となる内側部を有する
被コーティング体の内側及び端面部分の成膜は遮断波長
のない同軸モードのマイクロ波によるECRプラズマによ
るスパッターにより行い、外側部分は外側のターゲット
と磁界により同軸ＤＣマグネトロンスパッターで成膜を
するという着想から本発明を創出した。すなわち被コー
ティング体の外側面では、電子の運動は磁界により軸方
向に規制されていることに加えて、アウターターゲット
には負のバイアスが印加されているために電子のリフレ
クターとして作用し、電子の閉じ込め作用が二重にな
る。その結果、通常のＤＣマグネトロンスパッターで発
生するものよりも高密度のプラズマを作り出すことがで
きる。加えて、被コーティング体の内側にはECR効果に
より、高密度なプラズマが発生し、以上から被コーティ
ング体の外側面、内側面及び端面に対して同時に効率よ
く成膜することができる。したがって本発明の内側部を
有する被コーティング体のコーティング方法は真空装置
内に内側部を有する被コーティング体とターゲットを配
設し、前記真空装置内を減圧して放電ガスを供給し、磁
場を発生させるとともにマイクロ波を照射して電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを発生させ、前記ターゲットを
前記被コーティング体に対し負電位としてスパッタリン
グを発生させ、前記被コーティング体をコーティングす
る内側部を有する被コーティング体のコーティング方法
において、前記ターゲットが前記被コーティング体の内
部に同軸上に設けられた第１ターゲットと、 前記被コ
ーティング体の端面に対向して設けられた第２ターゲッ
トと前記被コーティング体の外側に対して設けられた第
３ターゲットとよりなることを特徴とするものである。
また本発明の内側部を有する被コーティング体のコーテ
ィング装置は真空装置内に配設された内側部を有する被
コーティング体及びターゲットと、前記真空装置内への
放電ガス供給手段と、磁場を発生させると共にマイクロ
波を照射する電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生手段
とよりなる内側部を有する被コーティング体のコーティ
ング装置において、前記ターゲットが前記被コーティン
グ体の内部に同軸上に設けられた第１ターゲットと、
前記被コーティング体の端面に対向して設けられた第２
ターゲットと前記被コーティング体の外側に対して設け
られた第３ターゲットとよりなることを特徴とするもの
である。本発明の内側部を有する被コーティング体のコ
ーティング方法及び内側部を有する被コーティング体の
コーティング装置によれば以上のように構成したことに
より、図１に示すようにコーティングの対象となる製品
の種類に応じ以下の各態様でのコーティングを適宜行う
ことが容易となる。図１において領域Ａは内側面、外側
面、端面を同時にコーティングできる領域であり、領域
Ｂは外側面をコーティングできる領域、領域Ｃは内側
面、端面を同時にコーティングできる領域、領域Ｄは内
側面をコーティングできる領域である。前記第１ターゲ
ットと第２ターゲット及び第３ターゲットのうち２以上
を導通するようにすることができ、そのようにすること
により、コーティング装置の取り扱いの簡便を図ること
ができる。また前記第１ターゲットと第２ターゲット及
び第３ターゲットのうち２以上を電気的に絶縁されるよ
うにすることができる。それにより、第１ターゲットと
第２ターゲット及び第３ターゲット各ターゲットと被コ
ーティング体との間の距離を正確に決めるための設定を
特に行わなくても、各ターゲットに印加するバイアス電
圧を調整することにより、放電領域を任意に選ぶことが
できる。そのため単一の装置で異なった径の円筒基板に
コーティングすることができる。また、各ターゲットに
印加するバイアス電圧を調整することにより、内・端・
外各面の成膜速度を均一にすることもできる。これは特
に基板が強磁性体である場合には円筒基板内の磁束密度
が一様とはならないことから有効となる。さらにこのよ
うに第１ターゲットと第２ターゲット及び第３ターゲッ
トのうち２以上を電気的に絶縁されるようにする場合に
も、前述した図１に示す各態様でプラズマの発生を行う
ことができるので、例えば被コーティング体の内側面と
外側面とに異なったセラミックスをコーティングしたい
場合には、前記第１ターゲットと前記第３ターゲットの
材質を異ならせることにより１つの工程で１度にコーテ
ィングすることができる。すなわち、被コーティング体
の外側にＡｌＮ、内側にＴｉNをコーティングしたい場
合には、外側のターゲットである前記第３ターゲットの
材質を材質をＡｌにし、内側のターゲットである前記第
１ターゲットの材質をＴｉにすることによりそのような
コーティングが可能となる。
決するためにコーティングの対象となる内側部を有する
被コーティング体の内側及び端面部分の成膜は遮断波長
のない同軸モードのマイクロ波によるECRプラズマによ
るスパッターにより行い、外側部分は外側のターゲット
と磁界により同軸ＤＣマグネトロンスパッターで成膜を
するという着想から本発明を創出した。すなわち被コー
ティング体の外側面では、電子の運動は磁界により軸方
向に規制されていることに加えて、アウターターゲット
には負のバイアスが印加されているために電子のリフレ
クターとして作用し、電子の閉じ込め作用が二重にな
る。その結果、通常のＤＣマグネトロンスパッターで発
生するものよりも高密度のプラズマを作り出すことがで
きる。加えて、被コーティング体の内側にはECR効果に
より、高密度なプラズマが発生し、以上から被コーティ
ング体の外側面、内側面及び端面に対して同時に効率よ
く成膜することができる。したがって本発明の内側部を
有する被コーティング体のコーティング方法は真空装置
内に内側部を有する被コーティング体とターゲットを配
設し、前記真空装置内を減圧して放電ガスを供給し、磁
場を発生させるとともにマイクロ波を照射して電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを発生させ、前記ターゲットを
前記被コーティング体に対し負電位としてスパッタリン
グを発生させ、前記被コーティング体をコーティングす
る内側部を有する被コーティング体のコーティング方法
において、前記ターゲットが前記被コーティング体の内
部に同軸上に設けられた第１ターゲットと、 前記被コ
ーティング体の端面に対向して設けられた第２ターゲッ
トと前記被コーティング体の外側に対して設けられた第
３ターゲットとよりなることを特徴とするものである。
また本発明の内側部を有する被コーティング体のコーテ
ィング装置は真空装置内に配設された内側部を有する被
コーティング体及びターゲットと、前記真空装置内への
放電ガス供給手段と、磁場を発生させると共にマイクロ
波を照射する電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生手段
とよりなる内側部を有する被コーティング体のコーティ
ング装置において、前記ターゲットが前記被コーティン
グ体の内部に同軸上に設けられた第１ターゲットと、
前記被コーティング体の端面に対向して設けられた第２
ターゲットと前記被コーティング体の外側に対して設け
られた第３ターゲットとよりなることを特徴とするもの
である。本発明の内側部を有する被コーティング体のコ
ーティング方法及び内側部を有する被コーティング体の
コーティング装置によれば以上のように構成したことに
より、図１に示すようにコーティングの対象となる製品
の種類に応じ以下の各態様でのコーティングを適宜行う
ことが容易となる。図１において領域Ａは内側面、外側
面、端面を同時にコーティングできる領域であり、領域
Ｂは外側面をコーティングできる領域、領域Ｃは内側
面、端面を同時にコーティングできる領域、領域Ｄは内
側面をコーティングできる領域である。前記第１ターゲ
ットと第２ターゲット及び第３ターゲットのうち２以上
を導通するようにすることができ、そのようにすること
により、コーティング装置の取り扱いの簡便を図ること
ができる。また前記第１ターゲットと第２ターゲット及
び第３ターゲットのうち２以上を電気的に絶縁されるよ
うにすることができる。それにより、第１ターゲットと
第２ターゲット及び第３ターゲット各ターゲットと被コ
ーティング体との間の距離を正確に決めるための設定を
特に行わなくても、各ターゲットに印加するバイアス電
圧を調整することにより、放電領域を任意に選ぶことが
できる。そのため単一の装置で異なった径の円筒基板に
コーティングすることができる。また、各ターゲットに
印加するバイアス電圧を調整することにより、内・端・
外各面の成膜速度を均一にすることもできる。これは特
に基板が強磁性体である場合には円筒基板内の磁束密度
が一様とはならないことから有効となる。さらにこのよ
うに第１ターゲットと第２ターゲット及び第３ターゲッ
トのうち２以上を電気的に絶縁されるようにする場合に
も、前述した図１に示す各態様でプラズマの発生を行う
ことができるので、例えば被コーティング体の内側面と
外側面とに異なったセラミックスをコーティングしたい
場合には、前記第１ターゲットと前記第３ターゲットの
材質を異ならせることにより１つの工程で１度にコーテ
ィングすることができる。すなわち、被コーティング体
の外側にＡｌＮ、内側にＴｉNをコーティングしたい場
合には、外側のターゲットである前記第３ターゲットの
材質を材質をＡｌにし、内側のターゲットである前記第
１ターゲットの材質をＴｉにすることによりそのような
コーティングが可能となる。
【作用】減圧下のＡｒ−Ｎ2混合ガス等の放電ガス内に
被コーティング体を設置し、この被コーティング体の内
側軸心上にターゲットとなる第１ターゲットを設け、ま
た被コーティング体の端面に対向してこれもターゲット
となる第２ターゲットを設け、さらに被コーティング体
の外側に対してターゲットとなる第３ターゲットを設
け、同軸管路にマイクロ波を照射すると共にこのマイク
ロ波の周波数に対応した磁場を発生させると、電子サイ
クロトロン共鳴プラズマが発生する。そして被コーティ
ング体に対しスパッターのターゲット、例えばチタン
（Ｔｉ）を負電位とし、被コーティング体をアースする
とＴｉにプラズマ中の正イオンが衝突し、Ｔｉから中性
粒子が飛び出し、被コーティング体の内側面、端面及び
外側面に中性粒子及び放電ガス中のＮ2とからセラミッ
クスの被膜が形成される。
被コーティング体を設置し、この被コーティング体の内
側軸心上にターゲットとなる第１ターゲットを設け、ま
た被コーティング体の端面に対向してこれもターゲット
となる第２ターゲットを設け、さらに被コーティング体
の外側に対してターゲットとなる第３ターゲットを設
け、同軸管路にマイクロ波を照射すると共にこのマイク
ロ波の周波数に対応した磁場を発生させると、電子サイ
クロトロン共鳴プラズマが発生する。そして被コーティ
ング体に対しスパッターのターゲット、例えばチタン
（Ｔｉ）を負電位とし、被コーティング体をアースする
とＴｉにプラズマ中の正イオンが衝突し、Ｔｉから中性
粒子が飛び出し、被コーティング体の内側面、端面及び
外側面に中性粒子及び放電ガス中のＮ2とからセラミッ
クスの被膜が形成される。
【実施例】以下、本発明の内側部を有する被コーティン
グ体のコーティング装置の一実施例を図面に基づき説明
する。図２は本発明を実施する装置の全体概略図であ
る。この図１に示す装置はコーティングの対象に被膜を
形成する成膜部１０と、成膜部１０へマイクロ波を伝播
させるマイクロ波同軸線路１１と、成膜部１０と磁場を
発生させる磁場コイル１２とよりなる。図３は成膜部１
０の縦断面図であり、成膜部１０は、内側面や端面、及
び外面にコーティング被膜が形成される小口径の被コー
ティング体１３と、この被コーティング体１３の中心軸
上に配設される第１ターゲットすなわちターゲット１４
ａと、被コーティング体１３の端面に対向して配設され
る第２ターゲットすなわちターゲット１４ｂと、被コー
ティング体１３の外側に対して配設される第３ターゲッ
トすなわちターゲット１４ｃとを備えている。また、Ｔ
ｉターゲットにスパッターの際のバイアスを印加可能と
し、かつマイクロ波の伝播を容易にする為、同軸線路内
部導体とターゲットの間を絶縁用セラミックス１５によ
り絶縁している。次に以上説明した本発明の実施例の内
側部を有する被コーティング体のコーティング装置を用
いた前記被コーティング体１３の内側面、端面及び外面
に対する被膜形成法について説明する。図示しない真空
ポンプを作動させ、これも図示しない密閉管体内を減圧
し、さらに図示しない放電ガス導入装置より放電ガスを
注入する。磁場コイル１２に電流を通し磁場を発生させ
ると共にマイクロ波発生装置よりマイクロ波同軸線路１
１へマイクロ波を照射することによりECR共鳴プラズマ
が発生し、かかるＥＣＲプラズマ中のイオンが負の電位
となったターゲット１４ａ,１４ｂに衝突しターゲット
１４から中性粒子が放出され、前記放電ガス中のＮ2と
作用することにより被コーティング体表面に反応性スパ
ッターによる被膜を形成するスパッタリングを行う。一
方被コーティング体１３の外側面では、電子の運動は磁
界により軸方向に規制されていることに加えて、ターゲ
ット１４ｃは負のバイアスが印加されているために電子
のリフレクターとして作用し、電子の閉じ込め作用が二
重になっている。その結果、通常のＤＣマグネトロンス
パッターで発生するものよりも高密度のプラズマを作り
出すことができる。なお、以上の図３に示す成膜部１０
は図４に示すように被コーティング体１３がマイクロ波
同軸線路１１と切り離されて配置されるようにすること
もできる。この様に配置することにより、被コーティン
グ体１３の加熱、取付が容易な構造とすることができ、
かつマイクロ波の導入を、被コーティング体の形状に左
右されることなくして実施することが容易になることか
ら、効率良く被コーティング体端面前部にＥＣＲプラズ
マを発生させることが可能となる。次に本発明の被コー
ティング体のコーティング方法を実施した実施例につき
説明する。処理条件及び結果は以下に示すとおりであ
る。 処理条件 放電ガス ：Ｎ2＋Ａｒ（流量比でＮ2：２
〜３％） ガス圧 ：１×１０-3〜１０-4ｔｏｒｒ ターゲット材質 ：Ｔｉ（９９.５％） 基板 ：外径×内径×材質＝１９ｍｍ
×３５ｍｍ×ハイス鋼 磁束密度Ｂ ：８７５Ｇａｕｓｓ なお、本発明によれば金属のみならず、半導体、絶縁体
を被コーティング材とすることができる。また、本発明
はスパッタコーティングを対象としたコーティング法及
び装置に関するものであるが、小口径管の内側面、端
面、外側面に同時に効率よくプラズマを生成することが
できることを利用すれば、プラズマＣＶＤ法によるコー
ティングも可能である。
グ体のコーティング装置の一実施例を図面に基づき説明
する。図２は本発明を実施する装置の全体概略図であ
る。この図１に示す装置はコーティングの対象に被膜を
形成する成膜部１０と、成膜部１０へマイクロ波を伝播
させるマイクロ波同軸線路１１と、成膜部１０と磁場を
発生させる磁場コイル１２とよりなる。図３は成膜部１
０の縦断面図であり、成膜部１０は、内側面や端面、及
び外面にコーティング被膜が形成される小口径の被コー
ティング体１３と、この被コーティング体１３の中心軸
上に配設される第１ターゲットすなわちターゲット１４
ａと、被コーティング体１３の端面に対向して配設され
る第２ターゲットすなわちターゲット１４ｂと、被コー
ティング体１３の外側に対して配設される第３ターゲッ
トすなわちターゲット１４ｃとを備えている。また、Ｔ
ｉターゲットにスパッターの際のバイアスを印加可能と
し、かつマイクロ波の伝播を容易にする為、同軸線路内
部導体とターゲットの間を絶縁用セラミックス１５によ
り絶縁している。次に以上説明した本発明の実施例の内
側部を有する被コーティング体のコーティング装置を用
いた前記被コーティング体１３の内側面、端面及び外面
に対する被膜形成法について説明する。図示しない真空
ポンプを作動させ、これも図示しない密閉管体内を減圧
し、さらに図示しない放電ガス導入装置より放電ガスを
注入する。磁場コイル１２に電流を通し磁場を発生させ
ると共にマイクロ波発生装置よりマイクロ波同軸線路１
１へマイクロ波を照射することによりECR共鳴プラズマ
が発生し、かかるＥＣＲプラズマ中のイオンが負の電位
となったターゲット１４ａ,１４ｂに衝突しターゲット
１４から中性粒子が放出され、前記放電ガス中のＮ2と
作用することにより被コーティング体表面に反応性スパ
ッターによる被膜を形成するスパッタリングを行う。一
方被コーティング体１３の外側面では、電子の運動は磁
界により軸方向に規制されていることに加えて、ターゲ
ット１４ｃは負のバイアスが印加されているために電子
のリフレクターとして作用し、電子の閉じ込め作用が二
重になっている。その結果、通常のＤＣマグネトロンス
パッターで発生するものよりも高密度のプラズマを作り
出すことができる。なお、以上の図３に示す成膜部１０
は図４に示すように被コーティング体１３がマイクロ波
同軸線路１１と切り離されて配置されるようにすること
もできる。この様に配置することにより、被コーティン
グ体１３の加熱、取付が容易な構造とすることができ、
かつマイクロ波の導入を、被コーティング体の形状に左
右されることなくして実施することが容易になることか
ら、効率良く被コーティング体端面前部にＥＣＲプラズ
マを発生させることが可能となる。次に本発明の被コー
ティング体のコーティング方法を実施した実施例につき
説明する。処理条件及び結果は以下に示すとおりであ
る。 処理条件 放電ガス ：Ｎ2＋Ａｒ（流量比でＮ2：２
〜３％） ガス圧 ：１×１０-3〜１０-4ｔｏｒｒ ターゲット材質 ：Ｔｉ（９９.５％） 基板 ：外径×内径×材質＝１９ｍｍ
×３５ｍｍ×ハイス鋼 磁束密度Ｂ ：８７５Ｇａｕｓｓ なお、本発明によれば金属のみならず、半導体、絶縁体
を被コーティング材とすることができる。また、本発明
はスパッタコーティングを対象としたコーティング法及
び装置に関するものであるが、小口径管の内側面、端
面、外側面に同時に効率よくプラズマを生成することが
できることを利用すれば、プラズマＣＶＤ法によるコー
ティングも可能である。
【発明の効果】本発明は遮断波長のない同軸モードのマ
イクロ波を用いてＥＣＲプラズマと同軸ＤＣマグネトロ
ンプラズマとを併用して、スパッタリングにより小口径
管等の内側面、端面、外側面にコーティング被膜を形成
するものであるから成膜速度が早く緻密度の高い膜を安
価に効率よくつくることができる。
イクロ波を用いてＥＣＲプラズマと同軸ＤＣマグネトロ
ンプラズマとを併用して、スパッタリングにより小口径
管等の内側面、端面、外側面にコーティング被膜を形成
するものであるから成膜速度が早く緻密度の高い膜を安
価に効率よくつくることができる。
【図１】 本発明のコーティング装置内の圧力と電流と
により規定される被コーティング体の成膜領域を示し、
第１ターゲット、第２ターゲット、第３ターゲット全体
に対し一括して通電した場合を示す図である。
により規定される被コーティング体の成膜領域を示し、
第１ターゲット、第２ターゲット、第３ターゲット全体
に対し一括して通電した場合を示す図である。
【図２】 本発明の一実施例装置の全体概略図である。
【図３】 図２に示す本発明装置の部分縦断図である。
【図４】 本発明の他の実施例の説明図である。
【図５】 従来のスパッタリング法に関する説明図であ
る。
る。
１３ 内側部を有する被コーティング体 １４ ターゲット １４ａ 第１ターゲット １４ｂ 第２ターゲット １４ｃ 第３ターゲット １１ マイクロ波同軸線路 １２ 磁場コイル １５ 絶縁用セラミックス
Claims (4)
- 【請求項１】 真空装置内に内側部を有する被コーティ
ング体とターゲットを配設し、前記真空装置内を減圧し
て放電ガスを供給し、磁場を発生させるとともにマイク
ロ波を照射して電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生
させ、前記ターゲットを前記被コーティング体に対し負
電位としてスパッタリングを発生させ、前記被コーティ
ング体をコーティングする内側部を有する被コーティン
グ体のコーティング方法において、前記ターゲットが前
記被コーティング体の内部に同軸上に設けられた第１タ
ーゲットと、 前記被コーティング体の端面に対して設
けられた第２ターゲットと、前記被コーティング体の外
側に対して設けられた第３ターゲットとよりなることを
特徴とする内側部を有する被コーティング体のコーティ
ング方法。 - 【請求項２】 真空装置内に配設された内側部を有する
被コーティング体及びターゲットと、前記真空装置内へ
の放電ガス供給手段と、磁場を発生させると共にマイク
ロ波を照射する電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生手
段とよりなる内側部を有する被コーティング体のコーテ
ィング装置において、前記ターゲットが前記被コーティ
ング体の内部に同軸上に設けられた第１ターゲットと、
前記被コーティング体の端面に対向して設けられた第
２ターゲットと、前記被コーティング体の外側に対して
設けられた第３ターゲットとよりなることを特徴とする
内側部を有する被コーティング体のコーティング装置。 - 【請求項３】 前記第１ターゲットと第２ターゲット及
び第３ターゲットのうち２以上が電気的に導通されてな
る請求項２に記載した内側部を有する被コーティング体
のコーティング装置。 - 【請求項４】 前記第１ターゲットと第２ターゲット及
び第３ターゲットのうち２以上が電気的に絶縁されてな
る請求項２に記載した内側部を有する被コーティング体
のコーティング装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4089497A JPH05263223A (ja) | 1992-03-14 | 1992-03-14 | 内側部を有する被コーティング体のコーティング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089497A JPH05263223A (ja) | 1992-03-14 | 1992-03-14 | 内側部を有する被コーティング体のコーティング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05263223A true JPH05263223A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13972404
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH05263223A (ja) |
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