SU901352A1 - Устройство дл нанесени покрытий - Google Patents
Устройство дл нанесени покрытий Download PDFInfo
- Publication number
- SU901352A1 SU901352A1 SU792816095A SU2816095A SU901352A1 SU 901352 A1 SU901352 A1 SU 901352A1 SU 792816095 A SU792816095 A SU 792816095A SU 2816095 A SU2816095 A SU 2816095A SU 901352 A1 SU901352 A1 SU 901352A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- chamber
- reactor
- vacuum
- films
- inductor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к вакуумным методам нанесени покрытий, .а именно к устройствам дл нанесени покрытий, и может быть использовано дл нанесени защитных покрытий на поверхность изделий и в микроэлектронике дл получени тонких пленок.
Известно устройство дл нанесени покрытий в вакууме осалздением из паровой фазы, содержащее вакуумную камеру, размещенную в индукторе высокочастотного генератора, снабженную держателем подложки и системой напуска паров исходного соедине1ш t .
Недостатком известного устройства вл етс низкое качество наносимых покрытий.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс устройство дл нанесени покрытий путем разложени паров химических соедине1гий в вакууме, содержащее
камеру-реактор с затвором, систему откачки и напуска газов, индуктор высокочастотного генератора, расположенный соосно камере-реактору 2 .
Недостатками данного устройства вл ютс низка производительность процесса, низкое качество и адгези покрытий.
Цель изобретени - повышение 1фо10 изводительности, адгезии и качества покрытий.
Указанна цель достигаетс , благодар току, что устройство дл наиесени покрытий путем разложени
IS паров химических соединений в вакууме , содержащее камеру-реактор с затвором, систему откачки и напуска газов, ивдуктор высокочастотного генератора , расположенный соосно ка20 мере-реактору, снабжено дополнительной камерой, расположенной меащу камерой-реактором и индуктором высокочастотного генератора и соеди39
ненной с системой откачки и напуска газов.
Причем отношение диаметров дополнительной камеры и камеры-реактора составл ет 1,2-1,4.
На чертеже показано устройство дл нанесени покрытий, общий вид.
Устройство дл нанесени покрытий содержит внешнюю дополнительную вакуумную камеру 1, выполненную из прзрачного дл высокочастотного пол материала, расположенную в индукторе высокочастотного генератора 2 и снабженную патрубками дл откачки 3 и напуска газов 4. Во внешней вакуумной камере 1 расположена камера-реактор 3 дл осалдени пленок также выполненна из непровод щего материала, прозрачного дл высокочастотного пол . Камера-реактор оса дени пленок снабжена затвором 6. В камере-реакторе дл осаадени пленок расположена подложка 7 и навеск 8 исходного соединени , разложением паров которой получают покрытие или пленку
Радиусы камеры-реактора осаждени пленок Rj и внешней камеры RI выбирают из условий обеспечени максимальной плотности nna3Nbi, возбужденной в парах разлагаемого соединени . Критерий минимальной области плазмы Г выражаетс неравенством
r.R,-R, ,
где Те - температура электронов, п - концентраци электронов в
плазме
Отсюда вытекает соотношение радиусов в пределах 1,2-1,4.
- В услови х, когда процессы осаждени пленок ведут при давлени х 10-150 Па, критерий г, завис щий от давлени в камере осаждени пленок , мен етс в пределах 3-15 мм.
Устройство работает следующим образом.
Внешн вакуумна камера 1 и камера-реактор 5 дл осаждени пленок при открытом затворе 6 откачивают до высокого вакуума через патрзгбок 3. Затем затвором 6 камеру-реактор дл пленок отдел ют от внешней вакуумной камеры. Далее, во внешнюю камеру через, патрубок 4 выпускают инертный газ-теплоносител до давлени , достаточного дл поддержани высокочастотного разр да.
4
Обычно давление составл ет пор дка 100-150 Па. Подачей мощности на индуктор во внешей камере зажигают высокочастотный разр д. Таким образом
производ т внешний нагрев всех узлов конструкции, в том числе камерыреактора дл осаХцени пленок и навески исходного материала.
В камере-реакторе дл осаждени
пленок разр д в это врем не горит. Этому преп тствует экранирующее действие высокочастотного разр да. После прогрева установки и навески исходного соединени напуск инертного
газа-теплоносител прекращают. Во внешней камере восстанавливают прежний высокий вакуум, а в камере-реакторе дл осазвдени пленок нагревом создано необходимое давление паров
исходного соединени . Во врем снижени давлени во внешней камере загораетс высокочастотный разр д в камере-реакторе дл осаждени пленок в парах исходного соединени .
Переход разр да из одной камеры в другую происходит благодар экранирующему действию высокочастотного разр да и определ етс разностью давлений в обеих камерах Далее в камеререакторе дл оса дени пленок провод т разложение паров исходного соединени и осаадение пленок из твердых продуктов исходного соединени . Во врем роста пленок допускаетс
открытие затвора 6 дл удалени летучих продуктов распада..
Предлагаемое устройство позвол ет получать пленки сложного химического состава из двойных металлоорганических соединений высокого качества с хорошей адгезией. Использование указанных соединений исключает необходимость применени нескольких автономных источников паров , за счет чего повышаетс производительность процесса.
Claims (1)
- Формула изобретени1 о Устройство дл нанесени покрытий путем разложени паров химических соединений в вакууме, содержащее камеру-реактор с затвором, систему откачки и напуска газов, индуктор высокочастотного генератор .а, расположенный соосно камеререактору , отличающеес
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792816095A SU901352A1 (ru) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | Устройство дл нанесени покрытий |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792816095A SU901352A1 (ru) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | Устройство дл нанесени покрытий |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU901352A1 true SU901352A1 (ru) | 1982-01-30 |
Family
ID=20849098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU792816095A SU901352A1 (ru) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | Устройство дл нанесени покрытий |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU901352A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6225744B1 (en) | 1992-11-04 | 2001-05-01 | Novellus Systems, Inc. | Plasma process apparatus for integrated circuit fabrication having dome-shaped induction coil |
-
1979
- 1979-08-28 SU SU792816095A patent/SU901352A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6225744B1 (en) | 1992-11-04 | 2001-05-01 | Novellus Systems, Inc. | Plasma process apparatus for integrated circuit fabrication having dome-shaped induction coil |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4824690A (en) | Pulsed plasma process for treating a substrate | |
| US4728529A (en) | Method of producing diamond-like carbon-coatings | |
| US5175020A (en) | Process for depositing a layer containing boron and nitrogen | |
| US4749587A (en) | Process for depositing layers on substrates in a vacuum chamber | |
| US5728425A (en) | Method for chemical vapor deposition of semiconductor films by separate feeding of source gases and growing of films | |
| US4986214A (en) | Thin film forming apparatus | |
| US5211995A (en) | Method of protecting an organic surface by deposition of an inorganic refractory coating thereon | |
| US4647512A (en) | Diamond-like carbon films and process for production thereof | |
| EP0936284A3 (en) | Method and apparatus for producing thin films | |
| US4645684A (en) | Method for forming deposited film | |
| SU901352A1 (ru) | Устройство дл нанесени покрытий | |
| EP0054189A1 (en) | Improved photochemical vapor deposition method | |
| RU2006538C1 (ru) | Способ выращивания алмазов | |
| US4766007A (en) | Process for forming deposited film | |
| JPS55164072A (en) | Coating | |
| JPH0689455B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| US3223552A (en) | Method for producing thin titano-ceramic film | |
| JPS63312978A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0573046B2 (ru) | ||
| JPS61127122A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| Kudryashov et al. | Dependence of As-Se-Te films properties on the plasma parameters | |
| JPH01279761A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS6118125A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| RU2000851C1 (ru) | Устройство дл формировани поли-п-ксилиленовых покрытий | |
| JPH07300677A (ja) | 光ｃｖｄによる成膜方法及びその装置 |