JPS5885417A - 液晶材料を平行配列させるための導電性基板の製造方法 - Google Patents
液晶材料を平行配列させるための導電性基板の製造方法Info
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- JPS5885417A JPS5885417A JP57193923A JP19392382A JPS5885417A JP S5885417 A JPS5885417 A JP S5885417A JP 57193923 A JP57193923 A JP 57193923A JP 19392382 A JP19392382 A JP 19392382A JP S5885417 A JPS5885417 A JP S5885417A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電気光学装置における液晶材料の性基板の製
造方法に関する。
造方法に関する。
液晶材料をその中に有する電気光学装置を作製するに際
し、液晶材料の均一な分子配列（整列）を誘起すること
がいくつかの理由がら望ましい。例えば、液晶材料の時
間的応答性はなかんずく液晶材料の配列に依存し、液晶
材料の配向ノ均−ｉ’ｌは、液晶材料の「フィールドオ
フ（ｆｌｅｌｄｏｆｆ ） Ｊ外観に影響を与えること
によって電気光学装置のコントラスト比に影響を及ぼす
。この発明は直流駆動型電気光学装置において液晶材料
の平行配列を誘起しこれを維持する方法に係わる。
し、液晶材料の均一な分子配列（整列）を誘起すること
がいくつかの理由がら望ましい。例えば、液晶材料の時
間的応答性はなかんずく液晶材料の配列に依存し、液晶
材料の配向ノ均−ｉ’ｌは、液晶材料の「フィールドオ
フ（ｆｌｅｌｄｏｆｆ ） Ｊ外観に影響を与えること
によって電気光学装置のコントラスト比に影響を及ぼす
。この発明は直流駆動型電気光学装置において液晶材料
の平行配列を誘起しこれを維持する方法に係わる。
液晶装置における平行配列はラビングによって初めて誘
起された（ Ｐ、Ｃｈａｔｅｌａｉｎ、Ｂｕｌｌｅｔｉ
ｎＳｏｃｌｅｔｙ Ｆｒａｎｃｅ Ｍｉｎｅｒａｌ、第
６巻１０５頁（１９７３）、Ｄ、Ｗ、Ｂｅｒｒｅｍａｎ
、Ｐｈｙｓｌｃｓ ＲｅｖｉｅｗＬｅｔｔｅｒｓ、 第
２８巻１６８３頁（１９７３）および米国特許第３，８
３４，７９２号）。しかしながら、ラビングは、投影表
示や光データ処理に用いられるシステムにおける偏光子
で容易に見える不均一しま状組織を生み出す。
起された（ Ｐ、Ｃｈａｔｅｌａｉｎ、Ｂｕｌｌｅｔｉ
ｎＳｏｃｌｅｔｙ Ｆｒａｎｃｅ Ｍｉｎｅｒａｌ、第
６巻１０５頁（１９７３）、Ｄ、Ｗ、Ｂｅｒｒｅｍａｎ
、Ｐｈｙｓｌｃｓ ＲｅｖｉｅｗＬｅｔｔｅｒｓ、 第
２８巻１６８３頁（１９７３）および米国特許第３，８
３４，７９２号）。しかしながら、ラビングは、投影表
示や光データ処理に用いられるシステムにおける偏光子
で容易に見える不均一しま状組織を生み出す。
ｉ＋＋、晶材料の平行配列を誘起する改善された技術は
、高価でしかも父流、駆動にしか適用できないが、（１
）角度をつけてＳｉＯを蒸着すること（米国特許第３，
８３４，７９２号および第３，９３８，２４．２号）、
（２）基板上に被着された５ＩＯ２をイオンビームエツ
チングによシ微細加工すること（［ア・ニューｅメソッ
ドｅフォーｅインデューシングｅホモジニアス拳アライ
ンメント・オフ・ネマチックｅリキッＰ・クリスタルズ
Ｊ （Ｍｉｃｈａｅｌ Ｊ。
、高価でしかも父流、駆動にしか適用できないが、（１
）角度をつけてＳｉＯを蒸着すること（米国特許第３，
８３４，７９２号および第３，９３８，２４．２号）、
（２）基板上に被着された５ＩＯ２をイオンビームエツ
チングによシ微細加工すること（［ア・ニューｅメソッ
ドｅフォーｅインデューシングｅホモジニアス拳アライ
ンメント・オフ・ネマチックｅリキッＰ・クリスタルズ
Ｊ （Ｍｉｃｈａｅｌ Ｊ。
Ｌｉｔｔｌｅ他） Ｌｌｑｕｌｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ
ａｎｄ ０ｒｄｅｒｅｄ Ｆｌｕｉｄｓ第３巻４９９頁
（１９７Ｆｌ））、および（３）被覆されるべき貴簡を
含む平面に対して約５°の角度をつけて不導電性基数上
に無機フィルムを育空蒸謝すること（米国特許第３．８
８５，８６０号）である。
ａｎｄ ０ｒｄｅｒｅｄ Ｆｌｕｉｄｓ第３巻４９９頁
（１９７Ｆｌ））、および（３）被覆されるべき貴簡を
含む平面に対して約５°の角度をつけて不導電性基数上
に無機フィルムを育空蒸謝すること（米国特許第３．８
８５，８６０号）である。
碑電性基板全、後にそれと接触する液晶材料の安定な平
行配列を誘起するために、イオンビームエツチングする
試みは成功していない。この試みは碓実往がなくしかも
不安定な結果に終っている（掲７回国際液晶会議（１９
７８年７月１日〜５日）に１是出されたＭｙｅｒによる
「アラインメント・オフ・ネマチック・リキッド・クリ
スタルズ・パイ・サーフェス・グイポールズ」）。
行配列を誘起するために、イオンビームエツチングする
試みは成功していない。この試みは碓実往がなくしかも
不安定な結果に終っている（掲７回国際液晶会議（１９
７８年７月１日〜５日）に１是出されたＭｙｅｒによる
「アラインメント・オフ・ネマチック・リキッド・クリ
スタルズ・パイ・サーフェス・グイポールズ」）。
すなわち、現在まで本発明者の知るところでは、直流駆
動型電気光学装置において電極として用いられる導電性
基板上に液晶材料の平行配列を安定かつ均一に誘起する
ための方法はないといえる。
動型電気光学装置において電極として用いられる導電性
基板上に液晶材料の平行配列を安定かつ均一に誘起する
ための方法はないといえる。
均一に平行配列された液晶材料を含む直流駆動型電気光
学装置について検討した結果、導電性基板を実質的に透
明な有機重合体で被覆し、ついでこの被覆された基板を
浅い角度で微細加工して該基板被膜の表面内に多数の実
質的に均一な平行な溝を設けることによって安価にしか
も容易に液晶材料を導電性基板上に平行配列さ５− せることかできることを見い出した。この方法によって
、後に接触する液晶材料の分子を協調的に配列させる導
電性基板が提供され、凍たこの方法による液晶材料の配
列は繰返し再現可能であり、しかも安定である−。
学装置について検討した結果、導電性基板を実質的に透
明な有機重合体で被覆し、ついでこの被覆された基板を
浅い角度で微細加工して該基板被膜の表面内に多数の実
質的に均一な平行な溝を設けることによって安価にしか
も容易に液晶材料を導電性基板上に平行配列さ５− せることかできることを見い出した。この方法によって
、後に接触する液晶材料の分子を協調的に配列させる導
電性基板が提供され、凍たこの方法による液晶材料の配
列は繰返し再現可能であり、しかも安定である−。
したがって、この発明の目的は直流用導′献性基板上に
液晶材料の平行配列を誘起するだめの方法を提供するこ
とである。
液晶材料の平行配列を誘起するだめの方法を提供するこ
とである。
また、この発明の目的は導電性基板上に液晶材料の安定
な平行配列を誘起しこれを維持するだめの比較的安価な
方法を提供することである。
な平行配列を誘起しこれを維持するだめの比較的安価な
方法を提供することである。
さらに、この発明の目的は導電性基板の表面上に液晶ｔ
１料を該基板表面と平行に再現性よく配列するだめの方
法を１芹供することである。
１料を該基板表面と平行に再現性よく配列するだめの方
法を１芹供することである。
既述のように、直流駆動型Ｔ１？１気光学装置に用いる
導電性基板上に液晶材料の平行配列を誘起するだめの改
善された方法を種々検討した結果、丑ず導電性基板例え
ばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、岬化イ〕／ジウム（
Ｉｎ２０ｓ）、乍化スズ（ＳｎＯ）、ク６− ロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、およびアルミ
ニウム（Ａｔ）上に実質的に透明（’ＯＴ視波長波長領
域して）な有機ｌｋ重合体被膜形成し、ついでこの被覆
された表面を微細加工してその中に多数の微細溝を形成
することによって導電性基板上に液晶材料の優れた平行
配列が誘起されることを見い出し、本発明を完成するに
至った。上記微細溝は後にそれと接触する液晶材料を配
向させる。
導電性基板上に液晶材料の平行配列を誘起するだめの改
善された方法を種々検討した結果、丑ず導電性基板例え
ばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、岬化イ〕／ジウム（
Ｉｎ２０ｓ）、乍化スズ（ＳｎＯ）、ク６− ロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、およびアルミ
ニウム（Ａｔ）上に実質的に透明（’ＯＴ視波長波長領
域して）な有機ｌｋ重合体被膜形成し、ついでこの被覆
された表面を微細加工してその中に多数の微細溝を形成
することによって導電性基板上に液晶材料の優れた平行
配列が誘起されることを見い出し、本発明を完成するに
至った。上記微細溝は後にそれと接触する液晶材料を配
向させる。
この明細書で用いている「液晶材料」という語は液晶化
合物、導電性ド−ハントを含有する液晶化合物の混合物
、またはそれ自体液晶化合物ではない適当な溶媒中の液
晶化合物の混合物を’を味する。フェニルペンゾエート
エステルカら誘導された液晶化合物が動的散乱モードの
電気光学装置の作製に主たる関心をなす。しかしこの発
明の方法はフェニルベンゾエート系液晶化合物の配列に
限定されるものではない。この発明の方法は、シック塩
基類、アゾキシベンゼン類、ヒフアニル類およびフェニ
ルシクロヘキサン類のような他の液晶化合物の配列にも
用いられる。
合物、導電性ド−ハントを含有する液晶化合物の混合物
、またはそれ自体液晶化合物ではない適当な溶媒中の液
晶化合物の混合物を’を味する。フェニルペンゾエート
エステルカら誘導された液晶化合物が動的散乱モードの
電気光学装置の作製に主たる関心をなす。しかしこの発
明の方法はフェニルベンゾエート系液晶化合物の配列に
限定されるものではない。この発明の方法は、シック塩
基類、アゾキシベンゼン類、ヒフアニル類およびフェニ
ルシクロヘキサン類のような他の液晶化合物の配列にも
用いられる。
重合体被膜を適用する前に、選定された基板表面から、
有機洗浄剤（例えば、インターナショナル・プロダクツ
社（米国）から「ミクロ」という商品名で市販されてい
るもの）および無機溶媒（例えば、トランセン社から「
トランセン１００」という商品名で市販されているもの
）を用いて、吸収されている汚染物を充分に除去する。
有機洗浄剤（例えば、インターナショナル・プロダクツ
社（米国）から「ミクロ」という商品名で市販されてい
るもの）および無機溶媒（例えば、トランセン社から「
トランセン１００」という商品名で市販されているもの
）を用いて、吸収されている汚染物を充分に除去する。
基板表面から、吸収されている汚染物を除去するために
、他の適当な洗浄剤および溶媒を用いることができる。
、他の適当な洗浄剤および溶媒を用いることができる。
有機重合体を該基板表面に適用するには、重合体−溶媒
溶液から被膜を適用するための通常の技術を用いたり、
プラズマ重合により有機重合体をその場で形成（−たり
、または溶融物を用いたり、あるいは他の適当な方法を
用いることができる。Ｔ）ｉｅｔｒ’ｉｃｈＭｅｙｅｈ
ｏｆｅｒによる「キャラクタリスティックス・オフ・レ
ジスト会７ フイバーズープロデュースト・パイ・スピ
ニング」、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ第４９ （７）巻３９９３頁（１９７８年７
月）に記載されているようなスピンコード法が、これに
よって均一な厚さの滑らかな被膜が得られるので、特に
適している。
溶液から被膜を適用するための通常の技術を用いたり、
プラズマ重合により有機重合体をその場で形成（−たり
、または溶融物を用いたり、あるいは他の適当な方法を
用いることができる。Ｔ）ｉｅｔｒ’ｉｃｈＭｅｙｅｈ
ｏｆｅｒによる「キャラクタリスティックス・オフ・レ
ジスト会７ フイバーズープロデュースト・パイ・スピ
ニング」、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ第４９ （７）巻３９９３頁（１９７８年７
月）に記載されているようなスピンコード法が、これに
よって均一な厚さの滑らかな被膜が得られるので、特に
適している。
この発明において有用である有機重合体には、ポリビニ
ルアルコール、プラズマ重合エタンおよびポリイミＰが
ある。１ないし１０チポリビニルアルコール水溶液（こ
れは、化学会社から豊富に購入できる安価な材料から容
易に調製できる）を用いたときに最も良い結果が得られ
る。
ルアルコール、プラズマ重合エタンおよびポリイミＰが
ある。１ないし１０チポリビニルアルコール水溶液（こ
れは、化学会社から豊富に購入できる安価な材料から容
易に調製できる）を用いたときに最も良い結果が得られ
る。
重合体被膜を水溶液から適用した場合、被膜から全ての
水分を除くことが必要である。との除去は、乾燥雰囲気
中１００℃を越える温度の下で、被覆された基板を焼成
することによって達成できる。また、この焼成によって
、重合体は硬化し、それによって微細加工がしやすくな
る。
水分を除くことが必要である。との除去は、乾燥雰囲気
中１００℃を越える温度の下で、被覆された基板を焼成
することによって達成できる。また、この焼成によって
、重合体は硬化し、それによって微細加工がしやすくな
る。
普通に信じられていることとは反対に、イオンビームエ
ツチングによって浅いエッチ角度で重合体被膜を再現性
よく微細加工できる。具体的なエツチング条件は用いた
重合体の種類およ９− び基板材料の種類によって異なる。しかしながら、ポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ） 、ＭＩＨＫついては、当
該被膜を、２４００ボルト、最大を流０．Ｉ Ｒアンペ
アで５秒ないし３分間動作し０．１２ミリアンペア／（
７）の電流密度を生み出す装置からのエッチ角度２０°
のアルゴンイオンビームで打撃し、かつ基板がＩＴＯま
たはＺｎＳのいずれかである場合、液晶材料の良好な配
列が得られている。
ツチングによって浅いエッチ角度で重合体被膜を再現性
よく微細加工できる。具体的なエツチング条件は用いた
重合体の種類およ９− び基板材料の種類によって異なる。しかしながら、ポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ） 、ＭＩＨＫついては、当
該被膜を、２４００ボルト、最大を流０．Ｉ Ｒアンペ
アで５秒ないし３分間動作し０．１２ミリアンペア／（
７）の電流密度を生み出す装置からのエッチ角度２０°
のアルゴンイオンビームで打撃し、かつ基板がＩＴＯま
たはＺｎＳのいずれかである場合、液晶材料の良好な配
列が得られている。
一方、同じ操作条件でエツチング時間を５．５分間おこ
なったところＰＶＡ被膜はＩＴＯ基板から剥離してしま
った。
なったところＰＶＡ被膜はＩＴＯ基板から剥離してしま
った。
イオンビーム源からの試料の距離、特定のイオンビーム
源、エッチ角度および操作圧力のような操作・９ラメ−
ターを最適化する試験は結論されていないが、操作圧力
Ｉ Ｘ １０’ ｔｏｒｒでアルゴンイオンビームを用
い試料−イオンビーム源が５．０８ｃｒｎ（２インチ）
の場合、好適であることがわかっている。１０°ないし
３０°のエッチ角度が平行配列の誘起に適している。肝
心なことは、当該重合体被膜内に、該被膜を損傷するこ
１０− となく、実質的に均一に平行な溝をつけるような操作パ
ラメーターを選定することである。さらに、該層は重合
体被膜を貫通して基板表面に達してはならない。焼成し
た重合体被膜に平行な溝をつけるために、イオンビーム
エツチングが適していることがわかっているが、重合体
被膜を破損しかい他の異方性エツチング法を用いること
ができる。このような方法は、例えば、Ｄ、Ｆ、Ｔ）ｏ
ｗｎｅｙ他による「イントロダクション・ツウ・リアク
ティブ・イオン・ビーム・エツチングＪ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ第２４巻、Ａ２゜１
２４頁（１９８１年２月）に記載されている。
源、エッチ角度および操作圧力のような操作・９ラメ−
ターを最適化する試験は結論されていないが、操作圧力
Ｉ Ｘ １０’ ｔｏｒｒでアルゴンイオンビームを用
い試料−イオンビーム源が５．０８ｃｒｎ（２インチ）
の場合、好適であることがわかっている。１０°ないし
３０°のエッチ角度が平行配列の誘起に適している。肝
心なことは、当該重合体被膜内に、該被膜を損傷するこ
１０− となく、実質的に均一に平行な溝をつけるような操作パ
ラメーターを選定することである。さらに、該層は重合
体被膜を貫通して基板表面に達してはならない。焼成し
た重合体被膜に平行な溝をつけるために、イオンビーム
エツチングが適していることがわかっているが、重合体
被膜を破損しかい他の異方性エツチング法を用いること
ができる。このような方法は、例えば、Ｄ、Ｆ、Ｔ）ｏ
ｗｎｅｙ他による「イントロダクション・ツウ・リアク
ティブ・イオン・ビーム・エツチングＪ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ第２４巻、Ａ２゜１
２４頁（１９８１年２月）に記載されている。
以下、この発明の実施例を記す。
実施例１
配列試験に用いた複数の電極は、オプティカル・コーテ
ィング・うメラトリー社（ＯＣＬＩ ）から供給された
、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）被膜を有する厚さ
約０．３２ｃｒｎ（１／８インチ５のガラスでおった。
ィング・うメラトリー社（ＯＣＬＩ ）から供給された
、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）被膜を有する厚さ
約０．３２ｃｒｎ（１／８インチ５のガラスでおった。
これら電極を洗浄剤および有機溶剤で清浄化して、吸収
されている汚染物を除去した。各’Ｔｔｆｆｉを、２Ｑ
ＯＯｒｐｍのホトレジストスピンナーを用い６０秒間で
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ） 浴液で被膜した。１
つの例では、アメリカン・リキッド・クリスタル・ケミ
カル・ツーポレーションから商品名５Ａ−７２で入手し
た重合体溶液（ポリビニルアルフール水溶液）をそのま
壕の濃度で用い、他の例では、これ余水で１：４まで希
釈して用いた。１〜５チポリビニルアルコール水溶液（
例えば、デュポン・ケミカル社から入手できるＥｌｖａ
ｎｏｌグレード７１〜３０）や同様のものを用いて同じ
結果を得ることができる。
されている汚染物を除去した。各’Ｔｔｆｆｉを、２Ｑ
ＯＯｒｐｍのホトレジストスピンナーを用い６０秒間で
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ） 浴液で被膜した。１
つの例では、アメリカン・リキッド・クリスタル・ケミ
カル・ツーポレーションから商品名５Ａ−７２で入手し
た重合体溶液（ポリビニルアルフール水溶液）をそのま
壕の濃度で用い、他の例では、これ余水で１：４まで希
釈して用いた。１〜５チポリビニルアルコール水溶液（
例えば、デュポン・ケミカル社から入手できるＥｌｖａ
ｎｏｌグレード７１〜３０）や同様のものを用いて同じ
結果を得ることができる。
各電極を重合体で被覆した後、室累雰囲気中１００℃で
１６時間焼成して、液晶を分解させる恐れのある水分を
基板から除去し、乾燥した被覆基板表面を得た。
１６時間焼成して、液晶を分解させる恐れのある水分を
基板から除去し、乾燥した被覆基板表面を得た。
Ｖｅｃｃｏ Ｍｉｃｒｏｅｔｃｈ装置中で上記各基板を
イオンビームエツチング（ＩＲＥ ） したところ、ラ
ンダムに分布した平行な溝が２０ないし１００Ｘ相互に
離れて形成された。このイオンビームスパッタ装置およ
びその操作については文献（例に詳しく記されている。
イオンビームエツチング（ＩＲＥ ） したところ、ラ
ンダムに分布した平行な溝が２０ないし１００Ｘ相互に
離れて形成された。このイオンビームスパッタ装置およ
びその操作については文献（例に詳しく記されている。
ＩＢＥされたＰＶＡ被膜を有する２つのＩＴＯ電極、１
／４ミルのマイラー製スペーサおよびメルク・ケミカル
社のＮ、Ｐ。５液晶混合物を用いて典型的なサンドイッ
チ型セルを組み立てた。クロスした偏光子間で倍率１２
５倍の顕微鏡下に表面の配列状態を評価した。配列は良
好で、均一であり、アパーチャー全体にわたって暗色で
あった。
／４ミルのマイラー製スペーサおよびメルク・ケミカル
社のＮ、Ｐ。５液晶混合物を用いて典型的なサンドイッ
チ型セルを組み立てた。クロスした偏光子間で倍率１２
５倍の顕微鏡下に表面の配列状態を評価した。配列は良
好で、均一であり、アパーチャー全体にわたって暗色で
あった。
このセルを可変グレーティング（ｇｒａｔｉｎｇ）モー
ド（ＶＧＭ）で操作したところ、全表面領域にわたって
均一なまっすぐな平行Ｐメインラインを示した。このＶ
ＧＭセルを１５？ルトの直流信号で６４時間動作させて
配列の安定性を調べたところ、配列に変化はなかった。
ド（ＶＧＭ）で操作したところ、全表面領域にわたって
均一なまっすぐな平行Ｐメインラインを示した。このＶ
ＧＭセルを１５？ルトの直流信号で６４時間動作させて
配列の安定性を調べたところ、配列に変化はなかった。
実施例２
イオンビームエツチングされた重合体を用いた実施例１
の配列技術を硫化亜鉛（ＺｎＳ）電極に１３一 ついて試験した。このＺｎＳ電極はＩＴＯ基板上に５ミ
クロンの厚さのＺｎＳ Ｉ−を蒸着することによって作
製した。ＺｎＳ層のこの厚さおよび粗さのために、現在
まで、ポリッシング、およびラビングモＬ、 ＜ ハイ
オンビームエツチングによってこの電極を配列させる有
効な方法はなかった。
の配列技術を硫化亜鉛（ＺｎＳ）電極に１３一 ついて試験した。このＺｎＳ電極はＩＴＯ基板上に５ミ
クロンの厚さのＺｎＳ Ｉ−を蒸着することによって作
製した。ＺｎＳ層のこの厚さおよび粗さのために、現在
まで、ポリッシング、およびラビングモＬ、 ＜ ハイ
オンビームエツチングによってこの電極を配列させる有
効な方法はなかった。
しかしながら、２１８層を重合体で被覆することによっ
て平滑な表面が得られ、イオンビームエツチングを用い
ることが可能となった。ＰＶＡで被覆されたＺｎＳにつ
いての重合体被覆およびイオンビームエツチングはＰＶ
Ａで被覆されたＩＴＯと同様におこなった。このＺｎＳ
光伝導体および対向電極としてのＩＴＯから、メルク社
のＮ、Ｐ、５液晶および１／４ミルのマイラー製スペー
サを用いて２つの液晶セルを作製した。両面凸セルとも
直流直圧全印加すると良好で均一な均質配列および均一
々ｒメイン構造を示した。
て平滑な表面が得られ、イオンビームエツチングを用い
ることが可能となった。ＰＶＡで被覆されたＺｎＳにつ
いての重合体被覆およびイオンビームエツチングはＰＶ
Ａで被覆されたＩＴＯと同様におこなった。このＺｎＳ
光伝導体および対向電極としてのＩＴＯから、メルク社
のＮ、Ｐ、５液晶および１／４ミルのマイラー製スペー
サを用いて２つの液晶セルを作製した。両面凸セルとも
直流直圧全印加すると良好で均一な均質配列および均一
々ｒメイン構造を示した。
以上述べたこの発明の方法は比較的安価で、安定な再現
性のある結果をもたらす。したがってこの発明の方法は
多くの光ｙ示システムお上１４− びデータ処理システム用の電気光学装置の作製に有用で
ある。
性のある結果をもたらす。したがってこの発明の方法は
多くの光ｙ示システムお上１４− びデータ処理システム用の電気光学装置の作製に有用で
ある。
出仙人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１５−
１０９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ４１ノ （１）直流駆動型電気光学における電極として用いられ
る導電性基板であってそれと接触すべき液晶材料を平行
配列させるだめのものを製造する方法であって、まず、
導電性基板の表面に実質的に透明な有機重合体の均一な
被膜を形成し、しかる後膣表面被覆を浅い角１ｉで微細
加工することによって該表面内に、それと接触すべき液
晶材料を配列させ保持する実質的に均一な平行な多数の
溝をつけることを特徴とする方法。 （２） 基板が、インジウム−スズ酸化物、硫化亜鉛
、硫化力ｒミウム、酸化インジウム、酸化スズ、クロム
、・銀、金およびアルミニウムよりなる群の中から選ば
れた材料から形成された電極である特許請求の範囲第１
項記載の方法。 （３） 有機重合体がｙｆｆ ＩＪビニルアルコールで
あり、被膜をエッチ角度３０°以下でイオンビームによ
って打撃することによって微細加工することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の方法０ （４） エッチ角度が１０°ないし３００である特許
請求の範囲＄Ｊ３項記載の方法。 ＜５） （ａ） １ないし１０チポリビニルアルコー
ル水溶液を提供し、（ｂ）該溶液から基板の表面に？リ
ビニルアルコールの被膜を形成して被覆された基板を作
製し、（Ｃ）該被覆された基板を乾燥窒素下に焼成して
該被膜から全ての水分を除去し、しかる後（ｄ）該被膜
を、３０°以下のエッチ角度でイオンビームによって打
撃することによって微細加工してその内に均一な荷を形
成し、それによってこれと接触すべき液晶材料を該溝の
軸と平行に配列させかつ該、）？ ＋７ビニルアルコー
ル被膜に付着させる表面を提供することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US31796481A | 1981-11-04 | 1981-11-04 | |
| US317964 | 1981-11-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885417A true JPS5885417A (ja) | 1983-05-21 |
| JPH0354328B2 JPH0354328B2 (ja) | 1991-08-19 |
Family
ID=23236029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193923A Granted JPS5885417A (ja) | 1981-11-04 | 1982-11-04 | 液晶材料を平行配列させるための導電性基板の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0078693B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5885417A (ja) |
| AU (1) | AU557211B2 (ja) |
| CA (1) | CA1192160A (ja) |
| DE (1) | DE3278642D1 (ja) |
| IL (1) | IL66969A (ja) |
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