JP3585504B2 - 多層膜コンデンサーの製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、多層膜コンデンサーの製造方法に関し、更に詳しくはアルミニウム製の金属膜とポリイミド製の高分子膜とが交互に形成された多層膜コンデンサーの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、基板(例えばスライドガラス)上に高分子膜(例えばポリイミド)を形成する方法としては、真空室内に高分子膜の原料モノマーを蒸発させる蒸発源と、該蒸発源からの原料モノマーの蒸着で高分子膜が形成される基板とを互いに対向して配置した形成装置を用い、真空中で蒸発源から原料モノマーを蒸発させ、これを基板上に蒸着重合させて薄膜(例えばポリイミドの場合はポリアミド酸膜或いは一部イミド化したポリアミド膜)を形成した後、該薄膜を加熱して高分子化(例えばポリイミドの場合はイミド化)させて高分子膜を形成することが知られている。
そこで、基板上に高分子膜と金属膜とを交互に積層して多層膜を形成する場合は、先ず、基板を高分子膜の原料モノマーを蒸着重合させ得る温度に維持しながら、該基板上に高分子膜の原料モノマーを蒸着重合させて薄膜を形成した後、該薄膜に高分子化させ得る温度(例えば基板を200℃に加熱する)を施して高分子膜を形成した後、該高分子膜上に金属材を蒸着させて金属膜を形成した後、基板を再び原料モノマーを蒸着重合させ得る温度(例えば基板を25℃まで冷却する)に設定する。そして該基板上への原料モノマーの蒸着重合による薄膜の形成と、薄膜への加熱による高分子膜の形成と、金属膜の形成と、基板の冷却の各操作を繰り返し行うものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記多層膜の形成方法では、基板上への原料モノマーの蒸着重合による薄膜の形成と、該薄膜への加熱による高分子化された高分子膜の形成と、該高分子膜上への金属膜の形成と、その後の基板の冷却の各操作を繰り返し行うため、それに用いる形成装置としては、基板に高分子膜の原料モノマーを蒸着重合させた後、形成された高分子膜材の蒸着重合膜を高分子化させて高分子膜とする加熱手段および該高分子膜上に金属膜を形成した後、基板を再び原料モノマーを蒸着重合させ得る温度に冷却する冷却手段とが必要となり、そのために装置全体が複雑化するばかりではなく、原料モノマーから高分子膜を形成させるには、基板に原料モノマーを蒸着重合させるための低温度設定操作(冷却による降温)と、高分子化させて高分子膜を得るための高温度設定(加熱による昇温)操作とを頻繁に繰り返し行わなければならないため、その温度操作が煩雑であるという問題がある。
本発明は、かかる問題点を解消した多層膜の形成方法を用いて得られた多層膜コンデンサーの製造方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層膜コンデンサーの製造方法は、アルミナ焼結体製絶縁基板上に、アルミニウム製内部下電極層と、ポリイミド製誘電体層と、アルミニウム製内部上電極層とから成る多層膜を有するコンデンサーの製造方法であって、真空室内に隔壁を配設して設けた独立室の各々の室内に該ポリイミド製誘電体層の原料モノマー用蒸発源または蒸発口か、該アルミニウム製内部下・上電極層の原料アルミニウム用蒸発源のいずれかが配置された装置を用いて、真空下、該原料アルミニウム用蒸発源からアルミニウムを蒸発させまた該原料モノマー用蒸発源または蒸発口から原料モノマーを蒸発させ、該基板上にアルミニウム製電極層とポリイミド製誘電体層とを交互に成膜する際に、該基板、および少なくとも該原料モノマーの蒸気が導入される独立室の周壁に設けられた加熱装置を用いて、該基板上に形成された該アルミニウム製内部電極層上で該モノマー蒸気を高分子可能温度に加熱して蒸着重合を行ってポリイミド製誘電体層を形成し、該基板上にアルミニウム製内部電極層とポリイミド製誘電体層とを交互に有する多層膜コンデンサーを製造する。
【0005】
【作用】
真空中で高分子膜の原料モノマーまたは金属膜の金属材が交互に蒸発する。蒸発した該原料モノマーの蒸気は基板に到達して基板上または既に形成された金属膜上に蒸着する。この際、基板が高分子化可能な温度に設定されているので、蒸発源または蒸発口から蒸発した原料モノマーは蒸着と同時に重合し、更に高分子化して基板上または金属膜上で順次均一な組成の高分子膜が形成される。また、蒸発した金属材の蒸気は基板上または既に形成されている高分子膜上に蒸着して金属膜を形成する。
この高分子膜の形成と金属膜の形成とを基板上で繰り返し行うことによって基板上に高分子膜と金属膜が交互に積層した多層膜が得られる。
また、高分子膜の原料モノマーの蒸発中は高分子膜材蒸発源または蒸発口を囲繞する周壁が原料モノマーの高分子化可能温度となっているため、高分子膜材蒸発源または蒸発口から蒸発した原料モノマーは該蒸発源または蒸発口を囲繞する周壁内の全空間に亘って均一に分散して周壁に付着しにくくなって、基板に到達した原料モノマーが蒸着と同時に基板上で重合し、更に高分子化される。
【0006】
【実施例】
本発明の実施例を添付図面に基づき説明する。
図1は本発明多層膜の形成装置の1例を示すもので、図中、1は真空室を示し、該真空室1内を真空ポンプ等の真空排気系2に接続管3を介して接続した。そして真空室1内の下方の左方部分および右方部分に夫々金属膜の原料X(例えば金属膜がアルミニウムの場合はアルミニウム粉末)を加熱、蒸発させる金属材蒸発源4を設けた。また、金属材蒸発源4の周囲にヒーター5を巻回して原料Xを所定温度に加熱出来るようにした。
また、真空室1の外方にに高分子膜の原料モノマーY,Z(例えば高分子膜がポリイミド膜の場合はモノマーYがピロメリット酸二無水物、モノマーZが4,4′−ジアミノジフェニルエーテル)を加熱、蒸発させる高分子膜材蒸発源6,7を設け、真空室1内と各蒸発源6,7を夫々モノマー導入管8,9で接続し、真空室1内の下方の中央部分にモノマー導入管8,9に連なる原料モノマーの蒸発口10,11を設けた。また、前記高分子膜材蒸発源6と7にはその周囲にヒーター12,13を巻回して原料モノマーY,Zを所定温度に加熱出来るようにした。
また、真空室1内の上方の中央部分に前記金属材蒸発源4および蒸発口10,11に対向させて多層膜を形成せしめるべき基板14を基板保持装置15によって下向きに保持するようにした。
【0007】
そして真空室1内に隔壁16を配設して3個の独立室17を設け、夫々の独立室17内に金属材蒸発源4或いは蒸発口10,11のいずれかを隔離状態に配置した。
また、真空室1の周壁、高分子膜材蒸発源6,7に連なるモノマー導入管8,9並びに蒸発口10,11、更に真空排気系2と真空室1内とを接続せる接続管3の夫々に独立したヒーター等の加熱装置18を巻回し、該加熱装置18により真空室1、接続管3、モノマー導入管8,9、蒸発口10,11を所定温度に維持出来るようにした。
また、基板保持装置15にヒーター19を配設して基板14を高分子モノマーY,Zの高分子化可能な温度に加熱維持出来るようにした。
尚、図中、20は金属材蒸発源4の上方に設けたシャッター、21は蒸発口10,11の上方に設けたシャッター、22は基板13の前面に配置した多層膜の形状に対応した開口部23を備えるマスク、24は真空排気系2に連なる接続管3に設けたコンダクタンスバルブ、25はモノマー導入管8,9に設けたバルブを夫々示す。
尚、高分子膜の原料モノマーを蒸発させ、基板上に蒸着重合し、高分子化させる際の真空度としては形成する高分子膜の種類によって異なるが、一般には1×10− 4〜1×10− 2Torr程度が好ましく、また、金属材を蒸発させ、基板或いは高分子膜上に蒸着させる際の真空度としては形成する金属材の種類によって異なるが、一般には1×10− 7〜1×10− 5Torr程度とすればよい。
また、高分子膜と金属膜との積層数は多層膜の用途に応じて適宜設定すればよい。
【0008】
次に、前記装置を用い、図2に示すような基板14上にアルミニウム製の金属膜26と、ポリイミド製の高分子膜27と、アルミニウム製の金属膜28とから成る3層構造の多層膜Fの作成例を説明する。
本実施例では、基板14は縦50mm、横50mm、厚さ1mmのガラスまたはアルミナ焼結基板を用いた。
先ず、金属材蒸発源4の夫々に金属膜(アルミニウム膜)の原料としてアルミニウム(以下原料Xという)を充填し、高分子膜材蒸発源6に高分子膜(ポリイミド膜)の一方の原料モノマーとしてピロメリット酸二無水物(以下原料Yという)を、高分子膜材蒸発源7に高分子膜(ポリイミド膜)の他方の原料モノマーとして4,4′ジアミノジフェニルエーテル(以下原料Zという)を充填し、シャッター20およびシャッター21を閉じた状態で真空室1内の圧力を真空排気系2により1×10− 5Torrに設定する。
次に、真空室1内を加熱装置18で、また基板14をヒーター19で夫々200℃に維持する。
続いて金属蒸発源4内の原料Xをヒーター5で600℃付近に加熱すると共に、高分子膜材蒸発源6内の原料Yをヒーター12で温度180±2℃に、また高分子膜材蒸発源7内の原料Zをヒーター13で温度160±2℃に夫々加熱する。
【0009】
次いで、ヒーター5で一方(図示例では左方である)の金属材蒸発源4内の原料Xを更に加熱し、温度1000℃以上に達した時点で該原料Xのシャッター20のみを開き、真空室1内に基板保持装置15に保持された基板14上に原料Xを100・/秒の速度で蒸着させて厚さ1000・の金属膜26を形成した後、シャッター20を閉じると共に、該原料Xを再び温度600℃にした。
続いて、シャッター21のみを開き、基板14上に形成されたアルミニウム膜26上に原料Y,Zを10・/秒の析出速度で厚さ2000・に蒸着させた後、シャッター21を閉じて基板14上で重合反応および高分子化(ここではイミド化)を連続的に起こさせてポリイミド膜27を形成させた。次いで、ヒーター5で他方(図示例では右方である)の金属材蒸発源4内の原料Xを更に加熱し、温度1000℃に達した時点で該原料Xのシャッター20のみを開き、基板14上のポリイミド膜27上に原料Xを100・/秒の速度で蒸着させて厚さ1000・の金属膜28を形成した後、シャッター20を閉じると共に、該原料Xを再び温度600℃にした。
尚、原料Y,Zは化学量論的にポリイミド膜が形成されるように蒸発量の調整によって1:1のモル比で蒸発するようにした。また、原料Y,Zの蒸発時における真空室1内の圧力はコンダクタンスバルブ24の調整により1×10− 2Torrとした。
また、マスク22は中央に基板14側に向かって角度45°の傾斜面を有する大きさが2mm角の開口部23を穿設した縦50mm、横50mm、厚さ0.2mmのステンレス板を用いた。
原料Xの温度が常に少なくとも300℃となるような金属材蒸発源4の加熱状態とすれば、高分子膜の原料モノマー(原料Y,Z)の蒸発時に該原料Y,Zが原料Xおよび金属材蒸発源に付着することがないので、金属膜中に原料モノマーが不純物として混入されることを防止出来る。
【0010】
前記実施例操作に基づき、基板14にアルミニウム膜26の形成を3回、該アルミニウム膜26上へのポリイミド膜27の形成を4回、該ポリイミド膜27上へのアルミニウム膜28の形成を2回行えば図3に示すような基板上に9層構造の多層膜を形成することが出来る。
また、前記実施例では多層膜の形成時にマスクを用いたが、マスクを用いずに、高分子膜と金属膜とを互いにずらすことなく側面を同一面状とした積層状の多層膜の形成にも利用することが出来る。
【0011】
図4は本発明の形成装置の他の実施例である。図4装置について前記図1に示す形成装置との相違点について説明する。
真空室1内に隔離状態に配置されたより金属材蒸発源4、蒸発口10,11を囲繞せる独立室17の各隔壁16を基板14の前面近傍まで延設し、隔壁16の上縁側に膜形状に対応した開口部23を穿設せるマスク22を設置し、該マスク22の前面側にシャッター20および21を設けた。
また、各独立室17内を独立した真空ポンプ等の真空排気系2に夫々接続管3を介して接続した。
また、高分子膜材蒸発源6,7に連なる蒸発口10,11を配置せる独立室17の周壁にのみヒーター等の加熱装置18を巻回して、該独立室17を所定温度(ここでは高分子化可能な温度を示す)に維持出来るようにすると共に、該独立室17内に連なるモノマー導入管8,9および蒸発口10,11と、真空排気系2に連なる接続管3にも加熱装置18を配設して、これらを所定温度(ここでは高分子化可能な温度を示す)に維持出来るようにした。
また、基板保持装置15を例えば2本のレール上に移動自在に懸架し、該基板保持装置15で基板14を真空室1内の上方で移動自在とした。
また、金属膜の原料Xを蒸発させる金属材蒸発源を電子銃29により発生する電子ビームEBで原料Xを蒸発させる蒸発源30とした。
図4における他の符号は図1に示す形成装置と同じであるので説明を省略する。また、作動も図1実施例と同じである。
図4に示す形成装置を用いると、原料Xと、原料Y,Zの蒸発時における真空室1内の圧力変更をその都度行わなくてもよいから、圧力調整操作が簡単となり、また、高分子膜材蒸発源6,7に連なる蒸発口10,11を配置せる独立室17の周壁にのみ加熱装置18を配設したから、該周壁で囲繞される空間は真空室全体に比べて小さくなるため、該空間内の温度調整が容易となると共に、温度の均一化が更に高められる。また、基板を移動自在の基板保持装置に保持することが出来るから、高分子膜の形成と金属膜の形成とを別個の基板で同時に行うことが出来て、多層膜の形成を更に容易に能率よく行え得る。
【0012】
尚、前記図1および図4装置では、高分子膜の原料モノマーの高分子膜材蒸発源6,7を真空室1の外方に配置し、該蒸発源6,7で加熱蒸発した原料モノマーの蒸気をモノマー導入管8,9および蒸発口10,11を介して真空室1内に導入するようにしたが、本発明装置ではこれに限定されるものではなく、真空室1内に高分子膜の原料モノマーの高分子膜材蒸発源を直接配置するようにしてもよい。
また、前記実施例では基板14上に形成する多層膜の金属膜26と28をアルミニウム膜とし、また高分子膜27をポリイミド膜とし場合について説明したが、本発明装置はこれに限定されるものではなく、金属膜を金(Au)膜等、また高分子膜をポリアミドイミド膜等とした多層膜の形成にも広く利用出来る。
また、例えばアルミナ焼結体製絶縁基板31上にアルミニウム製内部下電極層32と、ポリイミド製誘電体層33と、アルミニウム製内部上電極層34とから成る多層膜を形成した後、該多層膜の上面に窒化ケイ素製の保護層35をプラズマCVD法により形成し、更に多層膜の側面にニッケル−ボロン合金製の外部電極36を無電解メッキ法により形成して図5に示すような多層膜コンデンサーを製造する際にも、基板上への多層膜の形成に本発明形成装置を応用することが出来る。
【0013】
【発明の効果】
このように本発明によるときは、基板上に高分子膜を形成する際、従来法のような高分子膜の原料モノマーの蒸着重合と、その後に行う高分子化の2工程ではなく、基板上に原料モノマーから高分子膜を1工程で得ることが出来るから、高分子膜と金属膜から成る積層構造の多層膜を極めて容易に、能率よく形成することが出来、また基板の加熱装置として高分子化専用の加熱装置を別個に必要としないので装置全体が簡素化される等の効果がある。
また、隔壁で隔離された各独立室内を夫々真空排気系に接続させると、各独立室内の圧力を所定圧とすることが出来るため、高分子膜または金属膜の成膜時の真空室内の圧力の変更をその都度行わなくてもよいから圧力調整が簡単でかつ適確に行える。
また、基板を移動自在の基板保持装置に保持させると、高分子膜の形成または金属膜の形成を別個の基板上で同時に行うことが出来るので、多層膜の形成を更に容易に能率よく行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明形成装置の1実施例の説明線図。
【図2】本発明形成装置で形成された多層膜の1例の截断面図。
【図3】本発明形成装置で形成された多層膜の他の実施例の截断面図。
【図4】本発明形成装置の他の実施例の説明線図。
【図5】本発明形成装置を用いて製造した多層膜コンデンサーの截断面図。
【符号の説明】
1 真空室、 2 真空排気系、
4,6,7 蒸発源、 10,11 蒸発口、
14 基板、 15 基板保持装置、
16 隔壁、 17 独立室、
18,19 加熱装置、 X 金属材、
Y,Z 原料モノマー。
Claims (1)
- アルミナ焼結体製絶縁基板上に、アルミニウム製内部下電極層と、ポリイミド製誘電体層と、アルミニウム製内部上電極層とから成る多層膜を有するコンデンサーの製造方法であって、真空室内に隔壁を配設して設けた独立室の各々の室内に該ポリイミド製誘電体層の原料モノマー用蒸発源または蒸発口か、該アルミニウム製内部下・上電極層の原料アルミニウム用蒸発源のいずれかが配置された装置を用いて、真空下、該原料アルミニウム用蒸発源からアルミニウムを蒸発させまた該原料モノマー用蒸発源または蒸発口から原料モノマーを蒸発させ、該基板上にアルミニウム製電極層とポリイミド製誘電体層とを交互に成膜する際に、該基板、および少なくとも該原料モノマーの蒸気が導入される独立室の周壁に設けられた加熱装置を用いて、該基板上に形成された該アルミニウム製内部電極層上で該モノマー蒸気を高分子可能温度に加熱して蒸着重合を行ってポリイミド製誘電体層を形成し、該基板上にアルミニウム製内部電極層とポリイミド製誘電体層とを交互に有する多層膜コンデンサーを製造することを特徴とする多層膜コンデンサーの製造方法。
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