JP3516819B2 - モノマーの蒸発システム、同蒸発システムを備えた真空処理室、および有機化合物膜の成膜方法 - Google Patents
モノマーの蒸発システム、同蒸発システムを備えた真空処理室、および有機化合物膜の成膜方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モノマーの蒸発シ
ステム、同蒸発システムを備えた真空処理室、および有
機化合物膜の成膜方法に関するものであり、更に詳細に
は、例えば半導体素子の絶縁膜、パッシベーション膜、
ソフトエラー膜、液晶配向、プラスチックコンデンサー
の誘電体、射出成形金型の断熱膜等に用いられる有機化
合物膜を成膜する際に、該有機化合物膜の原料モノマー
を蒸発させるために用いるモノマーの蒸発システム、同
蒸発システムを備えた真空処理室、および有機化合物膜
の成膜方法に関する。
ステム、同蒸発システムを備えた真空処理室、および有
機化合物膜の成膜方法に関するものであり、更に詳細に
は、例えば半導体素子の絶縁膜、パッシベーション膜、
ソフトエラー膜、液晶配向、プラスチックコンデンサー
の誘電体、射出成形金型の断熱膜等に用いられる有機化
合物膜を成膜する際に、該有機化合物膜の原料モノマー
を蒸発させるために用いるモノマーの蒸発システム、同
蒸発システムを備えた真空処理室、および有機化合物膜
の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、前記有機化合物膜の原料モノマー
となる有機化合物は、無機化合物に比べて、蒸気圧が高
く、低温度で蒸発（昇華）し、真空中での蒸発温度は、
一般にマイナス１０℃からプラス２５０℃の範囲にあ
る。
となる有機化合物は、無機化合物に比べて、蒸気圧が高
く、低温度で蒸発（昇華）し、真空中での蒸発温度は、
一般にマイナス１０℃からプラス２５０℃の範囲にあ
る。
【０００３】そして、この種の有機化合物膜の原料モノ
マーを蒸発させる蒸発源としては、従来はボートを用
い、抵抗加熱によって原料モノマーを直接加熱して蒸発
させるもの、ボートの近傍に配設された加熱ヒーター等
の輻射装置で原料モノマーを輻射加熱して蒸発させるも
の、或いは、通常のＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法と同様に真空処理室の外側で加熱蒸発して得られ
たガス状の原料モノマーを配管を介して真空処理室内に
導入させるもの等が知られている。
マーを蒸発させる蒸発源としては、従来はボートを用
い、抵抗加熱によって原料モノマーを直接加熱して蒸発
させるもの、ボートの近傍に配設された加熱ヒーター等
の輻射装置で原料モノマーを輻射加熱して蒸発させるも
の、或いは、通常のＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法と同様に真空処理室の外側で加熱蒸発して得られ
たガス状の原料モノマーを配管を介して真空処理室内に
導入させるもの等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の有機化合物膜の
原料モノマーには、市販の有機化合物をそのまま利用し
ている。しかし、既製品では、純度が100％ではないた
め、少なくとも0.1％以上の不純物を含んでいるのが現
状である。例えばピロメリト酸二無水物の場合の工場出
荷の規格値が純度99.2％であったとすると、１kg中に
は、既に8gの不純物を含んでいることになる。原料モノ
マーの種類、保管状況によっては、大気中の水（湿気）
等と反応し、更に不純物を増加させることになる。
原料モノマーには、市販の有機化合物をそのまま利用し
ている。しかし、既製品では、純度が100％ではないた
め、少なくとも0.1％以上の不純物を含んでいるのが現
状である。例えばピロメリト酸二無水物の場合の工場出
荷の規格値が純度99.2％であったとすると、１kg中に
は、既に8gの不純物を含んでいることになる。原料モノ
マーの種類、保管状況によっては、大気中の水（湿気）
等と反応し、更に不純物を増加させることになる。
【０００５】これら有機化合物膜の原料モノマーを用い
て基板上に有機化合物の蒸着重合膜を成膜すると、膜中
にこれら不純物が反応しないで、パーティクルとして残
ってしまい、凹凸やピンホールのある膜が出来てしま
う。
て基板上に有機化合物の蒸着重合膜を成膜すると、膜中
にこれら不純物が反応しないで、パーティクルとして残
ってしまい、凹凸やピンホールのある膜が出来てしま
う。
【０００６】そこで、蒸発中に有機化合物粉体が蒸発源
の外へ飛散するのを防ぎ、ピンホールのない膜を成膜す
るという目的で、特開平6-349809号公報で「有機化合物
原料を収容した蒸発材料容器を加熱して有機化合物を蒸
発させるようにした有機化合物用蒸発源において、有機
化合物蒸発源の上部にフィルタを設け、有機化合物原料
粉体を蒸発材料容器の外へ飛散させないようにした有機
化合物用蒸発源」が提案されている。そしてフィルタと
して発泡金属を用いている。
の外へ飛散するのを防ぎ、ピンホールのない膜を成膜す
るという目的で、特開平6-349809号公報で「有機化合物
原料を収容した蒸発材料容器を加熱して有機化合物を蒸
発させるようにした有機化合物用蒸発源において、有機
化合物蒸発源の上部にフィルタを設け、有機化合物原料
粉体を蒸発材料容器の外へ飛散させないようにした有機
化合物用蒸発源」が提案されている。そしてフィルタと
して発泡金属を用いている。
【０００７】しかし、前記特開平6-349809号公報で提案
の有機化合物用蒸発源の場合は、フィルタ（発泡金属）
で有機化合物原料粉体の飛散を防止することが出来て
も、原料モノマーの不純物は、原料モノマーと共にフィ
ルタ（発泡金属）を通過してしまう。そのため、膜厚が
0.1μｍ（1×103Å）以下の薄膜であれば 影響は少ない
が、膜厚が10μｍ（1×105Å）以上の厚膜を成膜する
と、この不純物が核成長し、数μｍ以上の凹凸が生成さ
れてしまう。
の有機化合物用蒸発源の場合は、フィルタ（発泡金属）
で有機化合物原料粉体の飛散を防止することが出来て
も、原料モノマーの不純物は、原料モノマーと共にフィ
ルタ（発泡金属）を通過してしまう。そのため、膜厚が
0.1μｍ（1×103Å）以下の薄膜であれば 影響は少ない
が、膜厚が10μｍ（1×105Å）以上の厚膜を成膜する
と、この不純物が核成長し、数μｍ以上の凹凸が生成さ
れてしまう。
【０００８】原料モノマーの飽和蒸気圧の差を利用し
て、蒸発量を抑制し、純度が 100％の原料モノマーのみ
を蒸発させれば、この問題を解消することが出来るが、
この場合、成膜速度が５分の１以下になり、実用的では
ない。
て、蒸発量を抑制し、純度が 100％の原料モノマーのみ
を蒸発させれば、この問題を解消することが出来るが、
この場合、成膜速度が５分の１以下になり、実用的では
ない。
【０００９】本発明は、上記のような従来の問題点を解
決するもので、蒸発源内で原料モノマーの不純物を取り
去り、パーティクルの少ない有機化合物膜を成膜するこ
とが可能なモノマーの蒸発システム、同蒸発システムを
備えた真空処理室、および有機化合物膜の成膜方法を提
供することを目的とする。
決するもので、蒸発源内で原料モノマーの不純物を取り
去り、パーティクルの少ない有機化合物膜を成膜するこ
とが可能なモノマーの蒸発システム、同蒸発システムを
備えた真空処理室、および有機化合物膜の成膜方法を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のモノマーの蒸発
システムは、真空中で基板上に有機化合物膜を形成する
二種類の原料モノマーを夫々蒸発させる二つの蒸発シス
テムからなり、該蒸発システムのうちの少なくとも一方
は、蒸発源と真空排気系を接続した加熱冷却装置とから
構成されることを特徴する。
システムは、真空中で基板上に有機化合物膜を形成する
二種類の原料モノマーを夫々蒸発させる二つの蒸発シス
テムからなり、該蒸発システムのうちの少なくとも一方
は、蒸発源と真空排気系を接続した加熱冷却装置とから
構成されることを特徴する。
【００１１】また、蒸発システムを備えた真空処理室
は、真空中で基板上に有機化合物膜を形成する二種類の
原料モノマーを夫々蒸発させる二つの蒸発システムを備
えた真空処理室において、該蒸発システムのうちの少な
くとも一方は、蒸発源と真空排気系を接続した加熱冷却
装置とから構成されることを特徴する。
は、真空中で基板上に有機化合物膜を形成する二種類の
原料モノマーを夫々蒸発させる二つの蒸発システムを備
えた真空処理室において、該蒸発システムのうちの少な
くとも一方は、蒸発源と真空排気系を接続した加熱冷却
装置とから構成されることを特徴する。
【００１２】また、有機化合物膜の成膜方法は、真空処
理室内で有機化合物膜を形成する二種類の原料モノマー
を夫々の蒸発源より蒸発させ、基板上に蒸着重合させて
有機化合物膜を成膜する方法において、原料モノマーの
うち少なくとも一方の原料モノマーの蒸発は、蒸発源と
真空排気系を接続した加熱冷却装置とから構成される蒸
発システムを用いて蒸発させることを特徴とする。
理室内で有機化合物膜を形成する二種類の原料モノマー
を夫々の蒸発源より蒸発させ、基板上に蒸着重合させて
有機化合物膜を成膜する方法において、原料モノマーの
うち少なくとも一方の原料モノマーの蒸発は、蒸発源と
真空排気系を接続した加熱冷却装置とから構成される蒸
発システムを用いて蒸発させることを特徴とする。
【００１３】
【作用】蒸発システムの蒸発源に入っている少なくとも
一方の原料モノマーを加熱し、蒸発源に連なる加熱冷却
装置を冷却すると共に、真空排気系を排気することによ
り、原料モノマーと不純物との飽和蒸気圧の差を利用し
て、蒸発（昇華）した原料モノマーのみが、冷却されて
いる加熱冷却装置内に付着するようになる。この時原料
モノマー中の不純物は、元の蒸発源にとどまるため、容
易に分離出来るようになる。
一方の原料モノマーを加熱し、蒸発源に連なる加熱冷却
装置を冷却すると共に、真空排気系を排気することによ
り、原料モノマーと不純物との飽和蒸気圧の差を利用し
て、蒸発（昇華）した原料モノマーのみが、冷却されて
いる加熱冷却装置内に付着するようになる。この時原料
モノマー中の不純物は、元の蒸発源にとどまるため、容
易に分離出来るようになる。
【００１４】次に、真空排気系の排気を止め、加熱冷却
装置に接続されている真空処理室側から排気すると共
に、加熱冷却装置の冷却を停止し、これを加熱すること
により、この加熱冷却装置内に付着していた原料モノマ
ーが蒸発し、真空処理室内に導入される。真空処理室内
に導入された一方の原料モノマーは、他の蒸発システム
の蒸発源で加熱され、蒸発し、真空処理室内に導入され
た他方の原料モノマーと共に基板上で蒸着し、重合して
有機化合物膜が成膜されるようになる。
装置に接続されている真空処理室側から排気すると共
に、加熱冷却装置の冷却を停止し、これを加熱すること
により、この加熱冷却装置内に付着していた原料モノマ
ーが蒸発し、真空処理室内に導入される。真空処理室内
に導入された一方の原料モノマーは、他の蒸発システム
の蒸発源で加熱され、蒸発し、真空処理室内に導入され
た他方の原料モノマーと共に基板上で蒸着し、重合して
有機化合物膜が成膜されるようになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の蒸発システムは、二種類
の原料モノマーを夫々蒸発させる蒸発源と、少なくとも
一方の蒸発源の下流側に、加熱冷却機構及びその内部を
独自に排気出来る真空排気系を有する加熱冷却装置とを
備えている。なお、本発明において、通常の蒸発の他
に、昇華も便宜上蒸発ということにする。
の原料モノマーを夫々蒸発させる蒸発源と、少なくとも
一方の蒸発源の下流側に、加熱冷却機構及びその内部を
独自に排気出来る真空排気系を有する加熱冷却装置とを
備えている。なお、本発明において、通常の蒸発の他
に、昇華も便宜上蒸発ということにする。
【００１６】本発明の蒸発システムの構成を添付図面に
基づき説明する。
基づき説明する。
【００１７】図１は本発明の蒸発システムの１実施例を
示す。
示す。
【００１８】図中、１は蒸発源１ａと加熱冷却装置１ｂ
とから構成される蒸発システムを示す。
とから構成される蒸発システムを示す。
【００１９】蒸発源１ａは、蒸発槽２、一方の原料モノ
マー３、原料モノマー３を充填するためのアルミニウム
製または銅製のルツボ４、および蒸発槽２を覆っている
蒸発源ヒーター５で構成されている。
マー３、原料モノマー３を充填するためのアルミニウム
製または銅製のルツボ４、および蒸発槽２を覆っている
蒸発源ヒーター５で構成されている。
【００２０】また、加熱冷却装置１ｂは金属製の真空容
器６と真空容器６を覆っている真空容器ヒーター７で構
成されている。そして、真空容器６内には冷媒循環器８
を介して水または不凍液のような冷媒を循環させて冷却
出来る金属製の円筒状容器９が配置されている。
器６と真空容器６を覆っている真空容器ヒーター７で構
成されている。そして、真空容器６内には冷媒循環器８
を介して水または不凍液のような冷媒を循環させて冷却
出来る金属製の円筒状容器９が配置されている。
【００２１】また、蒸発源１ａと加熱冷却装置１ｂはバ
ルブ１０を介して蒸発源１ａ側に配管ヒーター１１ａを
備える配管１１と、加熱冷却装置１ｂ側に配管ヒーター
１２ａを備える配管１２とで接続されている。
ルブ１０を介して蒸発源１ａ側に配管ヒーター１１ａを
備える配管１１と、加熱冷却装置１ｂ側に配管ヒーター
１２ａを備える配管１２とで接続されている。
【００２２】また、加熱冷却装置１ｂは排気バルブ１３
を介して図示されていない真空排気系と接続されてい
る。また、加熱冷却装置１ｂはバルブ１４を介して全方
向蒸着重合装置（日本真空技術株式会社製、商品名 VEP
3040）の真空処理室内のモノマーノズルと接続するよう
にした。
を介して図示されていない真空排気系と接続されてい
る。また、加熱冷却装置１ｂはバルブ１４を介して全方
向蒸着重合装置（日本真空技術株式会社製、商品名 VEP
3040）の真空処理室内のモノマーノズルと接続するよう
にした。
【００２３】このように、加熱冷却装置１ｂは真空容器
６と、真空容器６を覆っている真空容器ヒーター７と、
真空容器６内の冷却機構を備えた円筒状容器９とから構
成される加熱冷却機構と、排気バルブ１３を介して接続
される真空排気系とから成る。
６と、真空容器６を覆っている真空容器ヒーター７と、
真空容器６内の冷却機構を備えた円筒状容器９とから構
成される加熱冷却機構と、排気バルブ１３を介して接続
される真空排気系とから成る。
【００２４】次に、前記蒸発システムを備えた真空処理
室の構成を添付図面に基づき説明する。
室の構成を添付図面に基づき説明する。
【００２５】図２は図１の蒸発システム１（蒸発源１ａ
と加熱冷却装置１ｂ）を全方向蒸着重合装置（日本真空
技術株式会社製、商品名 VEP3040）の真空処理室に接続
した場合の１例の構成図である。
と加熱冷却装置１ｂ）を全方向蒸着重合装置（日本真空
技術株式会社製、商品名 VEP3040）の真空処理室に接続
した場合の１例の構成図である。
【００２６】先ず、図２に示すように、図１に示す蒸発
システム１（蒸発源１ａと加熱冷却装置１ｂ）をバルブ
１４を介して真空処理室１５内のモノマーノズル１６に
接続した。
システム１（蒸発源１ａと加熱冷却装置１ｂ）をバルブ
１４を介して真空処理室１５内のモノマーノズル１６に
接続した。
【００２７】本発明において、図２に示す装置は、蒸発
源１ａと加熱冷却装置１ｂから成る蒸発システム１の他
に、蒸発源１ｃから成る別の蒸発システムを有する。
源１ａと加熱冷却装置１ｂから成る蒸発システム１の他
に、蒸発源１ｃから成る別の蒸発システムを有する。
【００２８】蒸発源１ｃは、蒸発槽１７、他方の原料モ
ノマー１８、原料モノマー１８を充填するためのアルミ
ニウム製または銅製のルツボ１９、および蒸発槽１７を
覆っている蒸発源ヒーター２０で構成されている。
ノマー１８、原料モノマー１８を充填するためのアルミ
ニウム製または銅製のルツボ１９、および蒸発槽１７を
覆っている蒸発源ヒーター２０で構成されている。
【００２９】また、蒸発源１ｃはバルブ２１に配管ヒー
ター２２ａを備える配管２２を接続すると共に、蒸発源
１ｃをバルブ２１を介して真空処理室１５内のモノマー
ノズル２３に接続した。
ター２２ａを備える配管２２を接続すると共に、蒸発源
１ｃをバルブ２１を介して真空処理室１５内のモノマー
ノズル２３に接続した。
【００３０】また、全方向蒸着重合装置の真空処理室１
５内には、二種類の原料モノマー３、１８を蒸着させ、
これを重合させて有機化合物膜を形成するための基板２
４を基板保持装置（図示せず）に保持するようにした。
５内には、二種類の原料モノマー３、１８を蒸着させ、
これを重合させて有機化合物膜を形成するための基板２
４を基板保持装置（図示せず）に保持するようにした。
【００３１】また、全方向蒸着重合装置の真空処理室１
５は排気バルブ２５を介して図示されていない真空排気
系が接続されている。また、真空処理室１５の全壁部に
は加熱ヒーター２６が配置されている。また、前記真空
処理室１５と排気バルブ２５に接続されている真空排気
系配管２７には配管ヒーター２７ａが配置されている。
５は排気バルブ２５を介して図示されていない真空排気
系が接続されている。また、真空処理室１５の全壁部に
は加熱ヒーター２６が配置されている。また、前記真空
処理室１５と排気バルブ２５に接続されている真空排気
系配管２７には配管ヒーター２７ａが配置されている。
【００３２】
【実施例】前記図２に示す装置を用いて本発明の有機化
合物膜の成膜方法の実施例を比較例と共に説明する。
合物膜の成膜方法の実施例を比較例と共に説明する。
【００３３】実施例１
本実施例は有機化合物膜の原料モノマーとしてピロメリ
ト酸二無水物（以下ＰＭＤＡと称する）と、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル（以下ＯＤＡと称する）を
用いてポリイミド膜の成膜例である。
ト酸二無水物（以下ＰＭＤＡと称する）と、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル（以下ＯＤＡと称する）を
用いてポリイミド膜の成膜例である。
【００３４】また、基板２４としてステンレス製の大き
さ 縦100mm×横100mm×厚さ1mmの平板状のものを用い
た。
さ 縦100mm×横100mm×厚さ1mmの平板状のものを用い
た。
【００３５】先ず、蒸発源１ａ内のルツボ４に原料モノ
マー３としてＰＭＤＡを200g充填した。そして、バルブ
１０とバルブ１３を開き、バルブ１３に接続してある真
空排気系を介して蒸発源１ａ内の圧力を予め1.3×10-3P
a(1×10-5Torr)に設定した。尚、バルブ１４は閉じた状
態とした。
マー３としてＰＭＤＡを200g充填した。そして、バルブ
１０とバルブ１３を開き、バルブ１３に接続してある真
空排気系を介して蒸発源１ａ内の圧力を予め1.3×10-3P
a(1×10-5Torr)に設定した。尚、バルブ１４は閉じた状
態とした。
【００３６】続いて、蒸発源ヒーター５で蒸発槽２内の
ＰＭＤＡを温度210±0.2℃に加熱して、原料モノマー３
を昇華させ、バルブ１０を介して加熱冷却装置１ｂの真
空容器６内の円筒状容器９に付着させた。この時、配管
ヒーター１１ａで配管１１を、また配管ヒーター１２ａ
で配管１２を夫々温度200±0.2℃に加熱した。また、予
め冷媒循環器８を介して循環せる冷媒（不凍液）で円筒
状容器９を温度−2±0.2℃に冷却した。
ＰＭＤＡを温度210±0.2℃に加熱して、原料モノマー３
を昇華させ、バルブ１０を介して加熱冷却装置１ｂの真
空容器６内の円筒状容器９に付着させた。この時、配管
ヒーター１１ａで配管１１を、また配管ヒーター１２ａ
で配管１２を夫々温度200±0.2℃に加熱した。また、予
め冷媒循環器８を介して循環せる冷媒（不凍液）で円筒
状容器９を温度−2±0.2℃に冷却した。
【００３７】すると、円筒状容器９には白色のＰＭＤＡ
が約190g付着しており、蒸発源１ａ内のルツボ４内には
綿状の残渣（ＰＭＤＡの不純物であるピロメリト酸）が
残っていた。
が約190g付着しており、蒸発源１ａ内のルツボ４内には
綿状の残渣（ＰＭＤＡの不純物であるピロメリト酸）が
残っていた。
【００３８】続いて、バルブ１０とバルブ１３を閉じ、
冷媒循環器８を介して循環せる冷媒による円筒状容器９
の冷却を停止すると共に、真空容器ヒーター７で円筒状
容器９に付着しているＰＭＤＡを温度210±0.2℃に加熱
した。
冷媒循環器８を介して循環せる冷媒による円筒状容器９
の冷却を停止すると共に、真空容器ヒーター７で円筒状
容器９に付着しているＰＭＤＡを温度210±0.2℃に加熱
した。
【００３９】次に、蒸発源１ｃ内のルツボ１９に原料モ
ノマー１８としてＯＤＡを200g充填した。また、バルブ
２１を開き、真空処理室１５の排気バルブ２５に接続し
た真空排気系を介して蒸発源１ｃ内の圧力を予め1.3×1
0-3Pa(1×10-5Torr)に設定した。
ノマー１８としてＯＤＡを200g充填した。また、バルブ
２１を開き、真空処理室１５の排気バルブ２５に接続し
た真空排気系を介して蒸発源１ｃ内の圧力を予め1.3×1
0-3Pa(1×10-5Torr)に設定した。
【００４０】続いて、バルブ２１を閉じ、蒸発源ヒータ
ー２０で蒸発槽１９内のＯＤＡを温度183±0.2℃に加熱
した。
ー２０で蒸発槽１９内のＯＤＡを温度183±0.2℃に加熱
した。
【００４１】尚、真空処理室ヒーター２６で真空処理室
１５を、また、配管ヒーター２７ａで真空排気系配管２
７を夫々温度200±0.2℃に加熱した。
１５を、また、配管ヒーター２７ａで真空排気系配管２
７を夫々温度200±0.2℃に加熱した。
【００４２】次に、バルブ１４とバルブ２１とを同時に
開き、ＰＭＤＡをバルブ１４を介してモノマーノズル１
６より真空処理室１５内に導入すると共に、ＯＤＡをバ
ルブ２１を介してモノマーノズル２３より真空処理室１
５内に導入した。
開き、ＰＭＤＡをバルブ１４を介してモノマーノズル１
６より真空処理室１５内に導入すると共に、ＯＤＡをバ
ルブ２１を介してモノマーノズル２３より真空処理室１
５内に導入した。
【００４３】真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの
導入から１時間後に、バルブ１４とバルブ２１とを同時
に閉じて、真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの導
入を停止して、基板２４表面全体に膜厚10μｍ（1×105
Å）のポリイミド膜を成膜した。
導入から１時間後に、バルブ１４とバルブ２１とを同時
に閉じて、真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの導
入を停止して、基板２４表面全体に膜厚10μｍ（1×105
Å）のポリイミド膜を成膜した。
【００４４】尚、基板２４へのポリイミド膜の成膜速度
は16μｍ（1.6×105Å）／分 (min)とした。また、ＰＭ
ＤＡとＯＤＡは化学量論的にポリイミド膜が形成される
ようにほぼ１：１のモル比で蒸発させるようにした。ま
た、成膜中は基板２４の温度は200℃とした。また、成
膜中の真空処理室１５内の圧力は0.1Pa(1×10-3Torr)と
した。
は16μｍ（1.6×105Å）／分 (min)とした。また、ＰＭ
ＤＡとＯＤＡは化学量論的にポリイミド膜が形成される
ようにほぼ１：１のモル比で蒸発させるようにした。ま
た、成膜中は基板２４の温度は200℃とした。また、成
膜中の真空処理室１５内の圧力は0.1Pa(1×10-3Torr)と
した。
【００４５】続いて、真空処理室１５内を常圧にした
後、真空処理室１５内より基板２４を取出し、基板２４
を見たところ、表面には凹凸が極めて少ない、きれいな
ポリイミド膜が形成されていた。
後、真空処理室１５内より基板２４を取出し、基板２４
を見たところ、表面には凹凸が極めて少ない、きれいな
ポリイミド膜が形成されていた。
【００４６】基板２４上に成膜されたポリイミド膜の表
面状態［金属顕微鏡写真（倍率100倍)］を図３に示す。
面状態［金属顕微鏡写真（倍率100倍)］を図３に示す。
【００４７】比較例１
本比較例は従来法により有機化合物膜の原料モノマーと
してピロメリト酸二無水物（ＰＭＤＡ）と、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）を用いてポリイ
ミド膜の成膜例である。
してピロメリト酸二無水物（ＰＭＤＡ）と、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）を用いてポリイ
ミド膜の成膜例である。
【００４８】また、基板２４としてステンレス製の大き
さ 縦100mm×横100mm×厚さ1mmの平板状のものを用い
た。
さ 縦100mm×横100mm×厚さ1mmの平板状のものを用い
た。
【００４９】また、本比較例は従来法と同様に図２に示
す加熱冷却装置１ｂを機能させずにポリイミド膜を成膜
した場合である。そして、排気バルブ１３は常に閉じた
状態とし、バルブ１４は常に開いた状態とした。また、
配管ヒーター１２ａで配管１２を、また、真空容器ヒー
ター７で加熱冷却装置１ｂの真空容器６を温度200±0.2
℃に加熱した。
す加熱冷却装置１ｂを機能させずにポリイミド膜を成膜
した場合である。そして、排気バルブ１３は常に閉じた
状態とし、バルブ１４は常に開いた状態とした。また、
配管ヒーター１２ａで配管１２を、また、真空容器ヒー
ター７で加熱冷却装置１ｂの真空容器６を温度200±0.2
℃に加熱した。
【００５０】先ず、蒸発源１ａ内のルツボ４に原料モノ
マー３としてＰＭＤＡを200g充填した。そして、バルブ
１０と真空処理室１５に接続した排気バルブ２５を開
き、排気バルブ２５に接続してある真空排気系を介して
蒸発源１ａ内の圧力を予め1.3×10-3Pa(1×10-5Torr)に
設定した。
マー３としてＰＭＤＡを200g充填した。そして、バルブ
１０と真空処理室１５に接続した排気バルブ２５を開
き、排気バルブ２５に接続してある真空排気系を介して
蒸発源１ａ内の圧力を予め1.3×10-3Pa(1×10-5Torr)に
設定した。
【００５１】続いて、バルブ１０を閉じ、蒸発源ヒータ
ー５で蒸発槽２内のＰＭＤＡを温度210±0.2℃に加熱し
た。また、配管ヒーター１１ａで配管１１を温度200±
0.2℃に加熱した。
ー５で蒸発槽２内のＰＭＤＡを温度210±0.2℃に加熱し
た。また、配管ヒーター１１ａで配管１１を温度200±
0.2℃に加熱した。
【００５２】次に、蒸発源１ｃ内のルツボ１９に原料モ
ノマー１８としてＯＤＡを200g充填した。また、バルブ
２１を開き、真空処理室１５の排気バルブ２５に接続し
た真空排気系を介して蒸発源１ｃ内の圧力を予め1.3×1
0-3Pa(1×10-5Torr)に設定した。
ノマー１８としてＯＤＡを200g充填した。また、バルブ
２１を開き、真空処理室１５の排気バルブ２５に接続し
た真空排気系を介して蒸発源１ｃ内の圧力を予め1.3×1
0-3Pa(1×10-5Torr)に設定した。
【００５３】続いて、バルブ２１を閉じ、蒸発源ヒータ
ー２０で蒸発槽１９内のＯＤＡを温度183±0.2℃に加熱
した。また、配管ヒーター２２ａで配管２２を温度200
±0.2℃に加熱した。
ー２０で蒸発槽１９内のＯＤＡを温度183±0.2℃に加熱
した。また、配管ヒーター２２ａで配管２２を温度200
±0.2℃に加熱した。
【００５４】尚、真空処理室ヒーター２６で真空処理室
１５を、また、配管ヒーター２７ａで真空排気系配管２
７を夫々温度200±0.2℃に加熱した。
１５を、また、配管ヒーター２７ａで真空排気系配管２
７を夫々温度200±0.2℃に加熱した。
【００５５】次に、バルブ１０とバルブ２１とを同時に
開き、ＰＭＤＡをバルブ１０を介してモノマーノズル１
６より真空処理室１５内に導入すると共に、ＯＤＡをバ
ルブ２１を介してモノマーノズル２３より真空処理室１
５内に導入した。
開き、ＰＭＤＡをバルブ１０を介してモノマーノズル１
６より真空処理室１５内に導入すると共に、ＯＤＡをバ
ルブ２１を介してモノマーノズル２３より真空処理室１
５内に導入した。
【００５６】真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの
導入から１時間後に、バルブ１０とバルブ２１とを同時
に閉じて、真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの導
入を停止して、基板２４表面全体に膜厚10μｍ（1×105
Å）のポリイミド膜を成膜した。
導入から１時間後に、バルブ１０とバルブ２１とを同時
に閉じて、真空処理室１５内へのＰＭＤＡとＯＤＡの導
入を停止して、基板２４表面全体に膜厚10μｍ（1×105
Å）のポリイミド膜を成膜した。
【００５７】尚、基板２４へのポリイミド膜の成膜速度
は16μｍ（1.6×105Å）／分 (min)とした。また、ＰＭ
ＤＡとＯＤＡは化学量論的にポリイミド膜が形成される
ようにほぼ１：１のモル比で蒸発させるようにした。ま
た、成膜中は基板２４の温度は200℃とした。また、成
膜中の真空処理室１５内の圧力は0.1Pa(1×10-3Torr)と
した。
は16μｍ（1.6×105Å）／分 (min)とした。また、ＰＭ
ＤＡとＯＤＡは化学量論的にポリイミド膜が形成される
ようにほぼ１：１のモル比で蒸発させるようにした。ま
た、成膜中は基板２４の温度は200℃とした。また、成
膜中の真空処理室１５内の圧力は0.1Pa(1×10-3Torr)と
した。
【００５８】続いて、真空処理室１５内を常圧にした
後、真空処理室１５内より基板２４を取出し、基板２４
を見たところ、表面には凹凸のあるポリイミド膜が形成
されていた。
後、真空処理室１５内より基板２４を取出し、基板２４
を見たところ、表面には凹凸のあるポリイミド膜が形成
されていた。
【００５９】基板２４上に形成されたポリイミド膜の表
面状態［金属顕微鏡写真（倍率100倍)］を図４に示す。
面状態［金属顕微鏡写真（倍率100倍)］を図４に示す。
【００６０】図３および図４から明らかなように、本発
明の蒸発システムを用いた実施例１はで、成膜されたポ
リイミド膜の表面が平らであるのに対し、従来法による
比較例１はでポリイミド膜の表面が凹凸であることが分
かる。
明の蒸発システムを用いた実施例１はで、成膜されたポ
リイミド膜の表面が平らであるのに対し、従来法による
比較例１はでポリイミド膜の表面が凹凸であることが分
かる。
【００６１】次にＰＭＤＡの加熱温度を種々変えてポリ
イミド膜を成膜した場合における、ＰＭＤＡの加熱温度
と成膜されたポリイミド膜のパーティクル密度との関係
を調べることとした。
イミド膜を成膜した場合における、ＰＭＤＡの加熱温度
と成膜されたポリイミド膜のパーティクル密度との関係
を調べることとした。
【００６２】実施例２
ポリイミド膜の成膜条件を
(１) 基板：スライドガラス（大きさ76mm×26mm×厚さ
1mm） (２) 原料モノマーの加熱温度 ＯＤＡ：183±0.2℃ ＰＭＤＡ：210±0.2℃、230±0.2℃の２種類 (３) 基板温度：200℃ (４) 成膜中の真空処理室内の圧力：1Pa(7.5×10-3Tor
r) (５) 成膜時間：ＰＭＤＡ温度210±0.2℃の場合は2時
間 ＰＭＤＡ温度230±0.2℃の場合は1.5時間 尚、成膜時間は膜厚を一定にするためにＰＭＤＡ温度に
より時間調整した (６) 膜厚：10μｍ（1×105Å） とした以外は、前記実施例１と同様の方法で基板上にポ
リイミド膜を成膜した。
1mm） (２) 原料モノマーの加熱温度 ＯＤＡ：183±0.2℃ ＰＭＤＡ：210±0.2℃、230±0.2℃の２種類 (３) 基板温度：200℃ (４) 成膜中の真空処理室内の圧力：1Pa(7.5×10-3Tor
r) (５) 成膜時間：ＰＭＤＡ温度210±0.2℃の場合は2時
間 ＰＭＤＡ温度230±0.2℃の場合は1.5時間 尚、成膜時間は膜厚を一定にするためにＰＭＤＡ温度に
より時間調整した (６) 膜厚：10μｍ（1×105Å） とした以外は、前記実施例１と同様の方法で基板上にポ
リイミド膜を成膜した。
【００６３】そして、ＰＭＤＡの加熱温度が異なる条件
で成膜されたポリイミド膜の夫々について、単位面積
（1cm2）のポリイミド膜内で大きさφ10μｍ以上のパー
ティクルの数を金属顕微鏡（倍率100倍）で計測した。
尚、計測は１サンプル内で、いずれも５個所測定し、そ
の平均値をパーティクル密度として表１に示した。
で成膜されたポリイミド膜の夫々について、単位面積
（1cm2）のポリイミド膜内で大きさφ10μｍ以上のパー
ティクルの数を金属顕微鏡（倍率100倍）で計測した。
尚、計測は１サンプル内で、いずれも５個所測定し、そ
の平均値をパーティクル密度として表１に示した。
【００６４】比較例２
ポリイミド膜の成膜条件を
(１) 基板：スライドガラス（大きさ76mm×26mm×厚さ
1mm） (２) 原料モノマーの加熱温度 ＯＤＡ：183±0.2℃ ＰＭＤＡ：160±0.2℃、170±0.2℃、180±0.2℃、210
±0.2℃の４種類 (３) 基板温度：200℃ (４) 成膜中の真空処理室内の圧力：1Pa(7.5×10-3Tor
r) (５) 成膜時間：ＰＭＤＡ温度160±0.2℃の場合は4時
間 ＰＭＤＡ温度170±0.2℃の場合は3時間 ＰＭＤＡ温度180±0.2℃の場合は2.5時間 ＰＭＤＡ温度210±0.2℃の場合は2時間 尚、成膜時間は膜厚を一定にするためにＰＭＤＡ温度に
より時間調整した (６) 膜厚：10μｍ（1×105Å） とした以外は、前記比較例１と同様の方法で基板上にポ
リイミド膜を成膜した。
1mm） (２) 原料モノマーの加熱温度 ＯＤＡ：183±0.2℃ ＰＭＤＡ：160±0.2℃、170±0.2℃、180±0.2℃、210
±0.2℃の４種類 (３) 基板温度：200℃ (４) 成膜中の真空処理室内の圧力：1Pa(7.5×10-3Tor
r) (５) 成膜時間：ＰＭＤＡ温度160±0.2℃の場合は4時
間 ＰＭＤＡ温度170±0.2℃の場合は3時間 ＰＭＤＡ温度180±0.2℃の場合は2.5時間 ＰＭＤＡ温度210±0.2℃の場合は2時間 尚、成膜時間は膜厚を一定にするためにＰＭＤＡ温度に
より時間調整した (６) 膜厚：10μｍ（1×105Å） とした以外は、前記比較例１と同様の方法で基板上にポ
リイミド膜を成膜した。
【００６５】そして、ＰＭＤＡの加熱温度が異なる条件
で成膜されたポリイミド膜の夫々について、前記実施例
２と同様の方法でパーティクルの数を計測し、その平均
値をパーティクル密度として表１に示した。
で成膜されたポリイミド膜の夫々について、前記実施例
２と同様の方法でパーティクルの数を計測し、その平均
値をパーティクル密度として表１に示した。
【００６６】
【表１】
尚、表１におけるパーティクル密度は全て成膜されたポ
リイミド膜の膜厚10μｍで対比した。
リイミド膜の膜厚10μｍで対比した。
【００６７】表１から明らかなように、本発明の蒸発シ
ステムを用いた実施例２は、パーティクル密度は原料モ
ノマーの温度に依存しないが、従来法による比較例２
は、パーティクル密度は原料モノマーの温度に依存する
ことが分かる。
ステムを用いた実施例２は、パーティクル密度は原料モ
ノマーの温度に依存しないが、従来法による比較例２
は、パーティクル密度は原料モノマーの温度に依存する
ことが分かる。
【００６８】本発明の蒸発源を備えた真空処理室の構成
は、図２（図１の蒸発システム１を前記全方向蒸着重合
装置の真空処理室に１個接続）に示す構成に限定される
ものではなく、次のような構成としてもよい。その構成
について説明する。
は、図２（図１の蒸発システム１を前記全方向蒸着重合
装置の真空処理室に１個接続）に示す構成に限定される
ものではなく、次のような構成としてもよい。その構成
について説明する。
【００６９】図５は図１の蒸発システム１を前記全方向
蒸着重合装置の真空処理室に２個接続した場合の構成図
である。
蒸着重合装置の真空処理室に２個接続した場合の構成図
である。
【００７０】先ず、図５に示すように、図１に示す蒸発
システム１（蒸発源１ａと加熱冷却装置１ｂ）をバルブ
１４を介して真空処理室１５内のモノマーノズル１６と
接続した。
システム１（蒸発源１ａと加熱冷却装置１ｂ）をバルブ
１４を介して真空処理室１５内のモノマーノズル１６と
接続した。
【００７１】本発明において、図５に示す装置は、蒸発
源１ａと加熱冷却装置１ｂから成る蒸発システム１の他
に、これと同様の構成の蒸発源１ｃと加熱冷却装置１ｄ
から成る別の蒸発システムを有する。
源１ａと加熱冷却装置１ｂから成る蒸発システム１の他
に、これと同様の構成の蒸発源１ｃと加熱冷却装置１ｄ
から成る別の蒸発システムを有する。
【００７２】蒸発源１ｃは、蒸発槽１７、他方の原料モ
ノマー１８、原料モノマー１８を充填するためのアルミ
ニウム製または銅製のルツボ１９、および蒸発槽１７を
覆っている蒸発源ヒーター２０で構成されている。
ノマー１８、原料モノマー１８を充填するためのアルミ
ニウム製または銅製のルツボ１９、および蒸発槽１７を
覆っている蒸発源ヒーター２０で構成されている。
【００７３】また、加熱冷却装置１ｄは、金属製の真空
容器２８と真空容器２８を覆っている真空容器ヒーター
２９で構成されている。そして、真空容器２８内には冷
媒循環器３０を介して水または不凍液のような冷媒を循
環させて冷却出来る金属製の円筒状容器３１が配置され
ている。
容器２８と真空容器２８を覆っている真空容器ヒーター
２９で構成されている。そして、真空容器２８内には冷
媒循環器３０を介して水または不凍液のような冷媒を循
環させて冷却出来る金属製の円筒状容器３１が配置され
ている。
【００７４】そして、蒸発源１ｃと加熱冷却装置１ｄは
バルブ３２を介して蒸発源１ｃ側に配管ヒーター３３ａ
を備える配管３３と、加熱冷却装置１ｄ側に配管ヒータ
ー３４ａを備える配管３４とで接続されている。
バルブ３２を介して蒸発源１ｃ側に配管ヒーター３３ａ
を備える配管３３と、加熱冷却装置１ｄ側に配管ヒータ
ー３４ａを備える配管３４とで接続されている。
【００７５】また、加熱冷却装置１ｄは排気バルブ３５
を介して図示されていない真空排気系と接続されてい
る。また、加熱冷却装置１ｄはバルブ３６を介して真空
処理室１５内のモノマーノズル２３に接続した。
を介して図示されていない真空排気系と接続されてい
る。また、加熱冷却装置１ｄはバルブ３６を介して真空
処理室１５内のモノマーノズル２３に接続した。
【００７６】その他の符号は図２と同一のため説明を省
略する。また、蒸発源１ｃの作用は前記蒸発源１ａと同
様であり、また、加熱冷却装置１ｄの作用は前記加熱冷
却装置１ｂと同様である。
略する。また、蒸発源１ｃの作用は前記蒸発源１ａと同
様であり、また、加熱冷却装置１ｄの作用は前記加熱冷
却装置１ｂと同様である。
【００７７】このように真空処理室に接続せる二つの蒸
発システムをいずれも、蒸発源に真空排気系を有する加
熱冷却装置を接続した構成にすることによって、有機化
合物膜の両原料モノマーの純度を高めることが出来る。
発システムをいずれも、蒸発源に真空排気系を有する加
熱冷却装置を接続した構成にすることによって、有機化
合物膜の両原料モノマーの純度を高めることが出来る。
【００７８】本発明において、有機化合物膜の成膜は前
記ポリイミド膜に限定されるものではない。また、原料
モノマーが昇華性の有機化合物である場合、これを昇華
させて、重合膜（有機化合物膜）を作製する方法にも、
本発明の蒸発システムを利用することが出来る。
記ポリイミド膜に限定されるものではない。また、原料
モノマーが昇華性の有機化合物である場合、これを昇華
させて、重合膜（有機化合物膜）を作製する方法にも、
本発明の蒸発システムを利用することが出来る。
【００７９】
【発明の効果】本発明のモノマーの蒸発システムは、そ
のうちの少なくとも一方が蒸発源と真空排気系を接続し
た加熱冷却装置とから構成されるので、原料モノマーは
蒸発源と加熱冷却装置間で真空精製されるから、より純
度の高い有機化合物の原料モノマーを容易に得ることが
出来る効果がある。また、真空中で有機化合物膜の原料
モノマーを精製出来るので、原料モノマーが大気中の水
分と反応することがなく、純度の高い状態で供給するこ
とが出来る。
のうちの少なくとも一方が蒸発源と真空排気系を接続し
た加熱冷却装置とから構成されるので、原料モノマーは
蒸発源と加熱冷却装置間で真空精製されるから、より純
度の高い有機化合物の原料モノマーを容易に得ることが
出来る効果がある。また、真空中で有機化合物膜の原料
モノマーを精製出来るので、原料モノマーが大気中の水
分と反応することがなく、純度の高い状態で供給するこ
とが出来る。
【００８０】本発明の蒸発システムを備えた真空処理室
は、真空処理室に接続した蒸発システムのうちの少なく
とも一方が蒸発源と真空排気系を接続した加熱冷却装置
とから構成されるので、原料モノマーは蒸発源と加熱冷
却装置間で真空精製されるから、より純度の高い有機化
合物の原料モノマーを真空処理室内に容易に供給するこ
とが出来る効果がある。また、真空中で有機化合物膜の
原料モノマーを精製出来るので、原料モノマーが大気中
の水分と反応することがなく、純度の高い状態で真空処
理室内に供給することが出来る。
は、真空処理室に接続した蒸発システムのうちの少なく
とも一方が蒸発源と真空排気系を接続した加熱冷却装置
とから構成されるので、原料モノマーは蒸発源と加熱冷
却装置間で真空精製されるから、より純度の高い有機化
合物の原料モノマーを真空処理室内に容易に供給するこ
とが出来る効果がある。また、真空中で有機化合物膜の
原料モノマーを精製出来るので、原料モノマーが大気中
の水分と反応することがなく、純度の高い状態で真空処
理室内に供給することが出来る。
【００８１】本発明の有機化合物膜の成膜方法は、原料
モノマーのうち少なくとも一方の原料モノマーを、蒸発
源と真空排気系を接続した加熱冷却装置とから構成され
る蒸発システムより蒸発させるようにしたので、原料モ
ノマーは蒸発源と加熱冷却装置間で真空精製されるか
ら、より純度の高い有機化合物を原料モノマーとして蒸
発させることが出来ると共に、精製された有機化合物の
原料モノマーを用いることにより、パーティクルの極め
て少ない有機化合物膜を容易に成膜することが出来る効
果がある。また、真空中で有機化合物膜の原料モノマー
を精製出来るので、原料モノマーが大気中の水分と反応
することがなく、純度の高い状態で基板上で蒸着重合さ
せることが出来る。
モノマーのうち少なくとも一方の原料モノマーを、蒸発
源と真空排気系を接続した加熱冷却装置とから構成され
る蒸発システムより蒸発させるようにしたので、原料モ
ノマーは蒸発源と加熱冷却装置間で真空精製されるか
ら、より純度の高い有機化合物を原料モノマーとして蒸
発させることが出来ると共に、精製された有機化合物の
原料モノマーを用いることにより、パーティクルの極め
て少ない有機化合物膜を容易に成膜することが出来る効
果がある。また、真空中で有機化合物膜の原料モノマー
を精製出来るので、原料モノマーが大気中の水分と反応
することがなく、純度の高い状態で基板上で蒸着重合さ
せることが出来る。
【図１】 本発明のモノマーの蒸発システムの実施の１
例を示す截断面図、
例を示す截断面図、
【図２】 本発明のモノマーの蒸発システムを真空処理
室に接続した実施の１例を示す截断面図、
室に接続した実施の１例を示す截断面図、
【図３】 本発明の蒸発システムを用いて基板上に成膜
したポリイミド膜の表面状態［金属顕微鏡写真（倍率10
0倍）］を表わす図面代用写真、
したポリイミド膜の表面状態［金属顕微鏡写真（倍率10
0倍）］を表わす図面代用写真、
【図４】 従来法で基板上に成膜したポリイミド膜の表
面状態［金属顕微鏡写真（倍率100倍）］を表わす図面
代用写真、
面状態［金属顕微鏡写真（倍率100倍）］を表わす図面
代用写真、
【図５】 本発明のモノマーの蒸発システムを真空処理
室に接続した他の実施例を示す截断面図。
室に接続した他の実施例を示す截断面図。
１ 蒸発システム、 １ａ，１ｃ 蒸発源、 １
ｂ，１ｄ 加熱冷却装置、 ２，１７ 蒸発槽、
３，１８ 原料モノマー、 ４，１９ ルツボ、
５，２０蒸発源ヒーター、 ６，２８ 真空容器、
７，２９ 真空容器ヒーター、 ８，３０ 冷媒循
環器、 ９，３１ 円筒状容器、 １０，１４，２
１、３２，３６ バルブ、 １１，１２，２２，３
３，３４ 配管、 １１ａ，１２ａ，２２ａ，２７
ａ，３３ａ，３４ａ 配管ヒーター、 １３，２５，
３５ 排気バルブ、 １５ 真空処理室、 １６，
２３ モノマーノズル、 ２４ 基板、 ２６ 真
空処理室ヒーター、 ２７ 真空排気系配管。
ｂ，１ｄ 加熱冷却装置、 ２，１７ 蒸発槽、
３，１８ 原料モノマー、 ４，１９ ルツボ、
５，２０蒸発源ヒーター、 ６，２８ 真空容器、
７，２９ 真空容器ヒーター、 ８，３０ 冷媒循
環器、 ９，３１ 円筒状容器、 １０，１４，２
１、３２，３６ バルブ、 １１，１２，２２，３
３，３４ 配管、 １１ａ，１２ａ，２２ａ，２７
ａ，３３ａ，３４ａ 配管ヒーター、 １３，２５，
３５ 排気バルブ、 １５ 真空処理室、 １６，
２３ モノマーノズル、 ２４ 基板、 ２６ 真
空処理室ヒーター、 ２７ 真空排気系配管。
Claims (3)
- 【請求項１】 真空中で基板上に有機化合物膜を形成す
る二種類の原料モノマーを夫々蒸発させる二つの蒸発シ
ステムからなり、該蒸発システムのうちの少なくとも一
方は、蒸発源と真空排気系を接続した加熱冷却装置とか
ら構成されることを特徴するモノマーの蒸発システム。 - 【請求項２】 真空中で基板上に有機化合物膜を形成す
る二種類の原料モノマーを夫々蒸発させる二つの蒸発シ
ステムを備えた真空処理室において、該蒸発システムの
うちの少なくとも一方は、蒸発源と真空排気系を接続し
た加熱冷却装置とから構成されることを特徴する蒸発シ
ステムを備えた真空処理室。 - 【請求項３】 真空処理室内で有機化合物膜を形成する
二種類の原料モノマーを夫々の蒸発源より蒸発させ、基
板上に蒸着重合させて有機化合物膜を成膜する方法にお
いて、原料モノマーのうち少なくとも一方の原料モノマ
ーの蒸発は、蒸発源と真空排気系を接続した加熱冷却装
置とから構成される蒸発システムを用いて蒸発させるこ
とを特徴とする有機化合物膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26231996A JP3516819B2 (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | モノマーの蒸発システム、同蒸発システムを備えた真空処理室、および有機化合物膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26231996A JP3516819B2 (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | モノマーの蒸発システム、同蒸発システムを備えた真空処理室、および有機化合物膜の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092800A JPH1092800A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3516819B2 true JP3516819B2 (ja) | 2004-04-05 |
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ID=17374125
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26231996A Expired - Lifetime JP3516819B2 (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | モノマーの蒸発システム、同蒸発システムを備えた真空処理室、および有機化合物膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3244024B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2002-01-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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