JPH04180553A - 合成樹脂被膜の形成方法 - Google Patents
合成樹脂被膜の形成方法Info
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- JPH04180553A JPH04180553A JP30745290A JP30745290A JPH04180553A JP H04180553 A JPH04180553 A JP H04180553A JP 30745290 A JP30745290 A JP 30745290A JP 30745290 A JP30745290 A JP 30745290A JP H04180553 A JPH04180553 A JP H04180553A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子または静電チャックの絶縁膜、パ
ッシベーション膜、ソフトエラー膜、プラスチックコン
デンサの誘電体などに用いられる高い耐熱性を有する合
成樹脂被膜の形成方法に関する。
ッシベーション膜、ソフトエラー膜、プラスチックコン
デンサの誘電体などに用いられる高い耐熱性を有する合
成樹脂被膜の形成方法に関する。
従来の技術
従来、合成樹脂被膜の形成方法としては、合成樹脂の原
料モノマーを適当な溶媒に溶かしてこれを基体上で重合
させる「湿式法」、合成樹脂自体を基体上に蒸着させる
「ポリマー蒸着法」または合成樹脂の原料モノマーをプ
ラズマ状態にしてプラズマ中で重合させる「プラズマ重
合法」などが知られている。
料モノマーを適当な溶媒に溶かしてこれを基体上で重合
させる「湿式法」、合成樹脂自体を基体上に蒸着させる
「ポリマー蒸着法」または合成樹脂の原料モノマーをプ
ラズマ状態にしてプラズマ中で重合させる「プラズマ重
合法」などが知られている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の合成樹脂被膜の形成方法では
、「湿式法」の場合は極めて薄い膜が得られ難く、また
基体に対する合成樹脂の密着力か不十分で、しかも塗液
の調合や溶媒の除去(乾燥)・回収などの工程が入るた
めに不純物の混入が起こりやすいという課題を有してい
た。また「ポリマー蒸着法」の場合は重合とともに分解
か起こった−2して重合度が十分でないという課題を有
し、「プラズマ重合法」の場合は原料モノマー自体が分
解したりして分子構造の制御が困難であるという課題を
有しでいた。
、「湿式法」の場合は極めて薄い膜が得られ難く、また
基体に対する合成樹脂の密着力か不十分で、しかも塗液
の調合や溶媒の除去(乾燥)・回収などの工程が入るた
めに不純物の混入が起こりやすいという課題を有してい
た。また「ポリマー蒸着法」の場合は重合とともに分解
か起こった−2して重合度が十分でないという課題を有
し、「プラズマ重合法」の場合は原料モノマー自体が分
解したりして分子構造の制御が困難であるという課題を
有しでいた。
そこで特開昭61−78463号公報;こ見られるよう
に、例えば、4.4′シフエニ几・メタン・ジイソシア
ネートのような芳香族ジイソシアネートと、例えば、4
,4′ジアミノ・ジフェニル・エーテルのような芳香族
シアミンを用いて真空中で両原料モノマーを蒸発させて
、これを基体上で重合させて尿素樹脂被膜を形成させる
方法が提案されているが、上記両原料モノマーを真空中
で蒸発させて基体上で重合を行うと、得られる成膜速度
はIA/秒前後と極めて遅く、また得られた尿素樹脂の
耐熱性(熱分解開始温度)も低いため、工業的には価値
が低いという課題があった。
に、例えば、4.4′シフエニ几・メタン・ジイソシア
ネートのような芳香族ジイソシアネートと、例えば、4
,4′ジアミノ・ジフェニル・エーテルのような芳香族
シアミンを用いて真空中で両原料モノマーを蒸発させて
、これを基体上で重合させて尿素樹脂被膜を形成させる
方法が提案されているが、上記両原料モノマーを真空中
で蒸発させて基体上で重合を行うと、得られる成膜速度
はIA/秒前後と極めて遅く、また得られた尿素樹脂の
耐熱性(熱分解開始温度)も低いため、工業的には価値
が低いという課題があった。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、工業的に価
値のある速い成膜速度と高い耐熱性とを有することので
きる合成樹脂被膜の形成方法を提供することを目的とす
る。
値のある速い成膜速度と高い耐熱性とを有することので
きる合成樹脂被膜の形成方法を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明の合成樹脂被膜の形成
方法は、真空中で2種以上の合成樹脂原料モノマーを蒸
発さぜ、これを基体上で重合させて樹脂被膜を形成する
方、去において、使用する合成樹脂原料モノマーのうち
で最も蒸気圧の高い原料モノマーの蒸気圧か1O−3P
aを示す温度以下に基体を冷却するものである。
方法は、真空中で2種以上の合成樹脂原料モノマーを蒸
発さぜ、これを基体上で重合させて樹脂被膜を形成する
方、去において、使用する合成樹脂原料モノマーのうち
で最も蒸気圧の高い原料モノマーの蒸気圧か1O−3P
aを示す温度以下に基体を冷却するものである。
作用
本発明者等が従来の合成樹脂被膜の形成方法において速
い成膜速度と高い耐熱性とが得られ難い原因を種々検討
したところ、蒸発源からの輻射熱や熱伝導により基体の
温度が上昇することに原因があることが判った。−船釣
に通常の化学反応では反応温度の高いほうが反応速度も
速くなるので、重合反応の行われる基体の温度上昇は成
膜速度(重合反応速度)を下げる要因にはならないと思
われていたが、真空中で合成樹脂原料モノマー(以下、
原料モノマーと略す)を蒸発させて基体上で重合させる
場合には基体の温度上昇は成膜速度(重合反応速度〉を
下げることが判明した。この原因については詳細に検討
中であるか、1O−2Pa以上の高真空中で原料モノマ
ーを蒸発させる場合に:よ、基体・\の到達前に原料モ
ノマー同志が衝突して反応する確率は低く、重合反応は
基体上で行われると考えられる。すなわち、基体表面上
に滞在する原料モノマーの量がこの重合反応を支配し、
その滞在する原料モノマー量は蒸発源からの蒸発量に付
着係数を掛けたものから、基体からの再蒸発量を引いた
ものに比例する。ここで、蒸発源からの蒸発量を支配す
る蒸発源温度および真空度は種々の理由から大幅に変更
できないので、基体温度を下げて基体からの再蒸発量を
蒸発源からの蒸発量に比べて無視できるほどに減少させ
れば、成膜速度を速くすることができる。
い成膜速度と高い耐熱性とが得られ難い原因を種々検討
したところ、蒸発源からの輻射熱や熱伝導により基体の
温度が上昇することに原因があることが判った。−船釣
に通常の化学反応では反応温度の高いほうが反応速度も
速くなるので、重合反応の行われる基体の温度上昇は成
膜速度(重合反応速度)を下げる要因にはならないと思
われていたが、真空中で合成樹脂原料モノマー(以下、
原料モノマーと略す)を蒸発させて基体上で重合させる
場合には基体の温度上昇は成膜速度(重合反応速度〉を
下げることが判明した。この原因については詳細に検討
中であるか、1O−2Pa以上の高真空中で原料モノマ
ーを蒸発させる場合に:よ、基体・\の到達前に原料モ
ノマー同志が衝突して反応する確率は低く、重合反応は
基体上で行われると考えられる。すなわち、基体表面上
に滞在する原料モノマーの量がこの重合反応を支配し、
その滞在する原料モノマー量は蒸発源からの蒸発量に付
着係数を掛けたものから、基体からの再蒸発量を引いた
ものに比例する。ここで、蒸発源からの蒸発量を支配す
る蒸発源温度および真空度は種々の理由から大幅に変更
できないので、基体温度を下げて基体からの再蒸発量を
蒸発源からの蒸発量に比べて無視できるほどに減少させ
れば、成膜速度を速くすることができる。
また、通常は原料モノマーの蒸発量に差がある場合が多
く、低温で蒸発しゃすい原料上ツマ−の方で基体温度の
再蒸発への影響はより大きくなる。
く、低温で蒸発しゃすい原料上ツマ−の方で基体温度の
再蒸発への影響はより大きくなる。
したがって、蒸発源がらの蒸発量における組成比と基板
上に成膜される膜の組成比とが異なる場合が多く、この
ような場合にも基体温度を下げることによって、組成比
の変化を小さ(することができる。
上に成膜される膜の組成比とが異なる場合が多く、この
ような場合にも基体温度を下げることによって、組成比
の変化を小さ(することができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図は、本発明の合成樹脂被膜の形成方法を実施する
ために使用する装置の概略断面図であり、図に示すよう
に真空排気系1に接続された真空槽2内には合成樹脂被
膜を形成させるための基体3が基体ホルダー4によって
下向きに保持され、基体3は基体ホルダー4内を流れる
冷却媒体5により冷却される。また真空槽2の下部には
基体3に対向させて原料モノマーを蒸発させるための蒸
発源容器6および7が設けられ、蒸発源容器6および7
はヒーター(図示せず)と熱電対(図示せず)とによっ
て原料モノマーの蒸発量が一定となる所定温度に制御さ
れる。蒸発源容器6および7と基体3との間にはシャッ
ター8が設けられ、その開閉により基体3に形成される
膜厚が調整される。
ために使用する装置の概略断面図であり、図に示すよう
に真空排気系1に接続された真空槽2内には合成樹脂被
膜を形成させるための基体3が基体ホルダー4によって
下向きに保持され、基体3は基体ホルダー4内を流れる
冷却媒体5により冷却される。また真空槽2の下部には
基体3に対向させて原料モノマーを蒸発させるための蒸
発源容器6および7が設けられ、蒸発源容器6および7
はヒーター(図示せず)と熱電対(図示せず)とによっ
て原料モノマーの蒸発量が一定となる所定温度に制御さ
れる。蒸発源容器6および7と基体3との間にはシャッ
ター8が設けられ、その開閉により基体3に形成される
膜厚が調整される。
次に上記装置を用いた付加重合による尿素樹脂被膜の形
成方法の一例を説明する。
成方法の一例を説明する。
蒸発源容器6および7の一方に、4,4′ジフェニル・
メタン・シ1′ツシ了ネート(35’C,1O−3Pa
にて)を、他方に4.4″メチレン・ジアニリン(85
℃、1O−3Paにで)を充填し、シャッター8を閉し
た状態で真空槽2内雰囲気カスの全圧が1(13Pa以
下になるまで、真空排気系1により排気する。次いで、
蒸発源容器6および7を加熱して4.4′ジフエニル・
メタン・ジイソシアネートを85±1℃に、4.4′メ
チレン・ジアニリンを110±1℃に加熱した。この時
の真空槽2内雰囲気ガスの全圧は4X10−”Paであ
った。
メタン・シ1′ツシ了ネート(35’C,1O−3Pa
にて)を、他方に4.4″メチレン・ジアニリン(85
℃、1O−3Paにで)を充填し、シャッター8を閉し
た状態で真空槽2内雰囲気カスの全圧が1(13Pa以
下になるまで、真空排気系1により排気する。次いで、
蒸発源容器6および7を加熱して4.4′ジフエニル・
メタン・ジイソシアネートを85±1℃に、4.4′メ
チレン・ジアニリンを110±1℃に加熱した。この時
の真空槽2内雰囲気ガスの全圧は4X10−”Paであ
った。
次に基体ホルダー4に流す冷却媒体5を制御して基体3
の温度を10℃にした後、シャッター8を開けて基体3
上に両原料モノマーの蒸気を差し向けて厚さ1μmの尿
素樹脂膜(合成樹脂被膜)Bを得た。この時、その成膜
速度は84A/秒という速い成膜速度が得られた。さら
に、基体3の温度を0.20.30’Cに設定して、そ
れぞれ尿素樹脂膜A、C,Dを形成したところ、その成
膜速度はそれぞれ87,69.52A/秒という基体3
の温度に律せられるところの速い成膜速度が得られた。
の温度を10℃にした後、シャッター8を開けて基体3
上に両原料モノマーの蒸気を差し向けて厚さ1μmの尿
素樹脂膜(合成樹脂被膜)Bを得た。この時、その成膜
速度は84A/秒という速い成膜速度が得られた。さら
に、基体3の温度を0.20.30’Cに設定して、そ
れぞれ尿素樹脂膜A、C,Dを形成したところ、その成
膜速度はそれぞれ87,69.52A/秒という基体3
の温度に律せられるところの速い成膜速度が得られた。
上記実施例と比較するために基体3の温度を40.50
℃とした以外の条件は全く同様::シて比較例としての
尿素樹脂膜E、Fを作成した。この時の成膜速度はそれ
ぞれ12.3A 秒であった。
℃とした以外の条件は全く同様::シて比較例としての
尿素樹脂膜E、Fを作成した。この時の成膜速度はそれ
ぞれ12.3A 秒であった。
第2図に以上得られた尿素樹脂膜の実施例A −Dおよ
び比較例EおよびFについてそれぞれその基体温度と成
膜速度上の関係を示す 第3図は尿素樹脂膜形成時の基体温度と得られた尿素樹
脂膜の第一熱分解開始温度(尿素樹脂膜の耐熱性)との
関係を熱天秤測定により求めて示したものてあり、図よ
り基体温度を低くすることによって高い耐熱性が得られ
ることが判る。
び比較例EおよびFについてそれぞれその基体温度と成
膜速度上の関係を示す 第3図は尿素樹脂膜形成時の基体温度と得られた尿素樹
脂膜の第一熱分解開始温度(尿素樹脂膜の耐熱性)との
関係を熱天秤測定により求めて示したものてあり、図よ
り基体温度を低くすることによって高い耐熱性が得られ
ることが判る。
以上説明したように本実施例によれば、真空中で尿素樹
脂膜を芳香族ジイソシアネートと芳香族シアミンとから
成膜する場合に、基体3の温度を30℃以下に冷却する
ことにより、250℃以上の第1熱分解開始温度(耐熱
性)を有する尿素樹脂膜を50 A 、、’秒以上の速
い成膜速度で形成することかできる。
脂膜を芳香族ジイソシアネートと芳香族シアミンとから
成膜する場合に、基体3の温度を30℃以下に冷却する
ことにより、250℃以上の第1熱分解開始温度(耐熱
性)を有する尿素樹脂膜を50 A 、、’秒以上の速
い成膜速度で形成することかできる。
なお、この効果は比較的低温でも高い反応性を有するイ
ソシアネートとアミンとの付加重合反応においても顕著
に現れる。
ソシアネートとアミンとの付加重合反応においても顕著
に現れる。
発明の効果
本発明は上記実施例より明らがなように、真空中で2種
以上の合成樹脂原料モノマーを蒸発させ、これを基体上
で重合させて樹脂被膜を形成する方法において、使用す
る原料モノマーのうちで最も蒸気圧の高い原料モノマー
の蒸気圧が1O−3Paを示す温度以下に基体を冷却す
ることにより、基体からの原料モノマーの再蒸発を減ら
すことができ、高い耐熱性を有する合成樹脂被膜を速い
成膜速度で形成させる方法を実現できるものである。
以上の合成樹脂原料モノマーを蒸発させ、これを基体上
で重合させて樹脂被膜を形成する方法において、使用す
る原料モノマーのうちで最も蒸気圧の高い原料モノマー
の蒸気圧が1O−3Paを示す温度以下に基体を冷却す
ることにより、基体からの原料モノマーの再蒸発を減ら
すことができ、高い耐熱性を有する合成樹脂被膜を速い
成膜速度で形成させる方法を実現できるものである。
第1図は本発明の一実施例における合成樹脂被膜の形成
方法を実施するために使用する装置の概略断面図、第2
図は基体温度と成膜速度との関係を示す特性図、第3図
は基体温度と第1熱分解開始温度との関係を示す特性図
である。 1・・・・・・真空排気系、2・・・・・・真空槽、3
・・・・・・基体、4・・・・・・基体ホルダー、5・
・・・・・冷却、2I体、6.7・・・・・・蒸発源容
器、8・・・・・・シャッター。 代理人の氏名 弁理士小鍜冶明 ほか2名第2図 1& 誇 温 /l C’c〕第3図 暮 門 温 度 〔・C〕
方法を実施するために使用する装置の概略断面図、第2
図は基体温度と成膜速度との関係を示す特性図、第3図
は基体温度と第1熱分解開始温度との関係を示す特性図
である。 1・・・・・・真空排気系、2・・・・・・真空槽、3
・・・・・・基体、4・・・・・・基体ホルダー、5・
・・・・・冷却、2I体、6.7・・・・・・蒸発源容
器、8・・・・・・シャッター。 代理人の氏名 弁理士小鍜冶明 ほか2名第2図 1& 誇 温 /l C’c〕第3図 暮 門 温 度 〔・C〕
Claims (2)
- (1)真空中で2種以上の合成樹脂原料モノマーを蒸発
させ、これを基体上で重合させて樹脂被膜を形成する方
法において、前記2種以上の合成樹脂原料モノマーのう
ちで最も蒸気圧の高い原料モノマーの蒸気圧が10^−
^3Paを示す温度以下に前記基体を冷却することを特
徴とする合成樹脂被膜の形成方法。 - (2)合成樹脂原料モノマーが付加重合反応によって形
成される尿素樹脂であることを特徴とする請求項1記載
の合成樹脂被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2307452A JPH0762236B2 (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 合成樹脂被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2307452A JPH0762236B2 (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 合成樹脂被膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04180553A true JPH04180553A (ja) | 1992-06-26 |
JPH0762236B2 JPH0762236B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=17969235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2307452A Expired - Lifetime JPH0762236B2 (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 合成樹脂被膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0762236B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012251224A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Kojima Press Industry Co Ltd | モノマー蒸発量制御装置及び蒸着重合装置並びにモノマー蒸発量の制御方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501980A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-01-10 |
-
1990
- 1990-11-13 JP JP2307452A patent/JPH0762236B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501980A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-01-10 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012251224A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Kojima Press Industry Co Ltd | モノマー蒸発量制御装置及び蒸着重合装置並びにモノマー蒸発量の制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0762236B2 (ja) | 1995-07-05 |
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