JP3863934B2 - 高分子薄膜の形成方法 - Google Patents
高分子薄膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3863934B2 JP3863934B2 JP31964295A JP31964295A JP3863934B2 JP 3863934 B2 JP3863934 B2 JP 3863934B2 JP 31964295 A JP31964295 A JP 31964295A JP 31964295 A JP31964295 A JP 31964295A JP 3863934 B2 JP3863934 B2 JP 3863934B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- raw material
- temperature
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、ポリイミド、ポリ尿素等の高分子薄膜の形成方法に関し、特に、原料モノマーを蒸発させて重合を行う蒸着重合による高分子薄膜の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の高分子薄膜の形成方法としては、高分子物質の原料モノマーを適当な溶媒に溶かしてこれを基板上で重合させるいわゆる湿式法や、ポリマー自体を基板上に蒸着法あるいは高分子物質の原料モノマーをプラズマ状態にしてプラズマ中の基板上で重合させるプラズマ重合法等が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の方法においては、次のような問題があった。
すなわち、湿式法の場合は、極めて薄い膜を得られ難く、また基体に対する高分子薄膜の密着性が不十分で、しかも溶媒の添加、除去、回収等の工程が入るため不純物の混入が起こりやすいという欠点がある。
さらに、ポリマーを原料として蒸着により成膜する場合は、解重合とともに分解が起こることから重合度が十分でないという欠点がある。
一方、プラズマ重合法の場合は、原料モノマー自体が分解したりして合成樹脂の分子設計が困難で、しかも高分子物質が架橋構造を含むため比較的剛直な薄膜しか得られないという欠点がある。
かかる問題を解決するものとして、本出願人によって既に出願されている特開昭61−78463号公報において、真空中で合成樹脂の原料モノマーを蒸発させてこれを基体上で重合させることからなる合成樹脂皮膜の形成方法、いわゆる蒸着重合法が提案されている。
【0004】
その一方、近年、LSIにおける多層配線の層間絶縁膜など絶縁性の薄膜を形成する方法として、かかる蒸着重合による高分子薄膜の形成方法が注目されている。
すなわち、LSIにおける層間絶縁膜は、平坦な薄膜であることが必要であるが、従来のCVD、エッチバック、リフロー技術等による方法では、成膜のプロセスや条件が複雑になってしまうという欠点がある。
【0005】
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、簡素なプロセスや条件で平坦な成膜が可能な高分子薄膜の形成方法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、段差あるいは孔を有する基体を高分子薄膜で平坦化させあるいは埋め込む方法であって、真空中で高分子重合体の原料モノマーを蒸発させ、これを上記基体上で蒸着重合させる際に、上記原料モノマーのうち蒸気圧が低い(同温の基体上において表面滞留時間が長い)モノマーの表面滞留時間が10-1秒以下となるように上記基体の温度を保持してなることを特徴とする。
【0007】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、原料モノマーとして、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(MDA)を用い、上記原料モノマーのうちMDAの表面滞留時間が10 -1 秒以下となるように基体の温度を保持してポリ尿素の薄膜を形成することを特徴とする。
【0008】
さらに、請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、原料モノマーとして、無水ピロメリト酸(PMDA)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(ODA)を用い、上記原料モノマーの表面滞留時間が7×10 -2 秒以下となるように基体の温度を保持してポリイミドの薄膜を形成することを特徴とする。
【0009】
一方、請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかの1項に記載の発明において、基体上にアスペクト比(孔部の深さと直径との比率)が1以上で3を超えない孔部が形成されていることを特徴とする。
【0010】
本発明者らは、段差あるいは孔を有する基体を蒸着重合による高分子薄膜で平坦化させあるいは埋め込む場合において、原料モノマーが基体の表面に滞留する時間に着目し、この表面滞留時間が特定の値以下となるように基体の温度を保持することで薄膜中における空隙を大幅に減少させて膜を平坦化しうることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、請求項1記載の発明のように、段差あるいは孔を有する基体を蒸着重合による高分子薄膜で平坦化させあるいは埋め込む場合に、原料モノマーのうち蒸気圧が低いモノマーの表面滞留時間が10 -1 秒以下となるように基体の温度を保持することによって、基体上において原料モノマーが十分にマイグレーションを起こし、モノマー同士が反応して高分子重合体の膜が基体上において等方的に成長する。このため、薄膜中に空隙が発生せず、段差を有する基体上においても平坦な薄膜が得られる。
【0011】
また、請求項2に記載の発明のように、特に、原料モノマーとして、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(MDA)を用い、これら原料モノマーのうちMDAの表面滞留時間が10 -1 秒以下となるように基体の温度を保持してポリ尿素の薄膜を形成することによって、基体上における原料モノマーのマイグレーションがより十分に引き起こされるようになる。
【0012】
さらに、請求項3に記載の発明のように、原料モノマーとして、無水ピロメリト酸(PMDA)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(ODA)を用い、これら原料モノマーの表面滞留時間が7×10 -2 秒以下となるように基体の温度を保持してポリイミドの薄膜を形成することによって、基体上における原料モノマーのマイグレーションがより十分に引き起こされるようになる。
【0013】
一方、請求項4に記載の発明のように、請求項1乃至3のいずれかの1項に記載の発明において、アスペクト比が1以上で3を超えない孔部を有するパターンが形成された基体に対して成膜を行うことにより、孔部においてボイドを発生させることなく、高分子薄膜が形成される。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る高分子薄膜の形成方法の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【0015】
図3は、本発明を実施するための蒸着重合装置1の一例の概略構成を示すものである。
図3に示すように、この蒸着重合装置1は、気密状態を保持可能な処理室2を有し、この処理室2は、図示しない外部の真空ポンプその他の真空排気系に接続されている。そして、処理室2内の上部には、高分子薄膜を形成すべき基板3が基体ホルダ4によって下向きに保持され、また、ホルダ4の背面側には、基板3を所望の温度に加熱するためのヒータ5が設けられている。
【0016】
一方、処理室2の下方には、基板3に対抗するように、各原料モノマーa、bを蒸発させるための例えばガラスからなる蒸発用容器6、7が設けられている。さらに、各蒸発用容器6、7の近傍には、加熱用のヒータ8、9と温度センサ10、11が設けられ、これらによって原料モノマーa、bの蒸発レートが常に一定に保たれるように構成されている。
【0017】
なお、蒸発用容器6、7の間には、各原料モノマーa、bの蒸気の混合を防止するための仕切板12が設けられ、また、加熱用のヒータ8、9の上方には、原料モノマーの蒸気の混入を防止するためのシャッター13が設けられている。
【0018】
本発明に係る高分子薄膜の形成方法においては、例えば、ポリ尿素による薄膜を形成する原料モノマーとして、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(MDA)を用いる。
【0019】
また、ポリイミドによる薄膜を形成する原料モノマーとして、無水ピロメリト酸(PMDA)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(ODA)を用いる。
そして、このような原料モノマーを用い、図3に示す装置を使用して、蒸着重合により基板3上に高分子薄膜を形成する。
【0020】
図2は本発明の実施の形態において用いられる原料モノマーの基板温度と表面滞留時間との関係、すなわち、基板の温度と原料モノマーが基板の表面に滞留する時間との関係(実験値)を示すグラフである。
図2に示すように、各原料モノマーともに、基板3の絶対温度の逆数が小さくなる程、すなわち、基板3の絶対温度が高くなる程、原料モノマーの表面滞留時間が短くなる傾向が見られる。
【0021】
この場合、図2に示すように、ポリ尿素の薄膜を形成するためのMDI、MDAよりも、ポリイミド薄膜を形成するためのODA、PMDAの方が、同じ温度における原料モノマーの表面滞留時間が長い。
また、ODAとPMDAは、ほぼ同じ表面滞留時間を有している。一方、MDIよりもMDAの方が表面滞留時間が長い。
さらに、各原料モノマーの特性を示す直線の勾配がその原料モノマーの活性化エネルギーを表している。
【0022】
図1は、本発明に係る高分子薄膜の形成方法における基板の温度と空間率との関係を示すグラフである。
ここで、空間率とは、例えば、図4に示すようなものである。すなわち、図4に示すように、基板3上に例えばSiO2 からなる薄膜15が形成され、この薄膜15上に高分子薄膜14が形成されている場合を考える。
この場合、薄膜15には多くの孔部16が形成され、この部分が高分子化合物によって埋め込まれる。そして、孔部16の埋め込みされる範囲Bの断面積に対する空隙Aの断面積の百分率を空間率と定義する。
【0023】
図1から理解されるように、ポリ尿素及びポリイミドによる薄膜を形成する場合には、ともに基板3の温度が高くなるに従って空間率が低下する。
ここで、例えば、アスペクト比が2の孔部16を有する基板3にポリ尿素による薄膜を形成する場合には、基板3の絶対温度の逆数が0.0029となる付近において空間率が0となる。
【0024】
一方、アスペクト比が1の孔部16を有する基板3にポリイミドによる薄膜を形成する場合には、基板3の絶対温度の逆数が0.0023となる付近において空間率が0となる。その結果、図2に示すように、少なくとも蒸発しにくい原料モノマーにおける表面滞留時間(τ)が10-1秒以下となるように基板3の温度を保持すれば、孔部16の中央部において空隙がなくなる。
【0025】
したがって、それぞれ、ポリ尿素については75℃、ポリイミドについては170℃となるように基板3の温度を保持すれば、空間率を実用に耐え得る程度に減少させることができる。
【0026】
なお、基板3の温度の上限は、ポリ尿素による薄膜を形成する場合には、250℃以下とすることが好ましい。250℃より高い温度に保持すると、逆反応、すなわち、基板3からのポリマーの再蒸発が生ずる。
また、ポリイミドによる薄膜を形成する場合には、基板3の温度を400℃以下に保持することが好ましい。400℃より高い温度に保持すると、ポリマーの分解が生ずるおそれがある。
【0027】
【実施例】
以下、本発明に係る高分子薄膜の形成方法の実施例を比較例とともに詳細に説明する。
【0028】
〔実施例1〕
高分子薄膜を形成するための原料モノマーとして、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(MDA)を用い、高真空中(3×10-3Pa)において、MDIは70.5±0.1℃で、MDAについては100.0±0.1℃の温度で蒸発させ、基板3上にポリ尿素を蒸着重合し、その薄膜を形成した。
この場合、蒸発源である各蒸発用容器6、7の開口部6a、7aと基板3との間の距離を400mmに設定し、基板3の温度は75℃に保持した。基板3上におけるポリ尿素の薄膜の成膜速度は、10オングストローム/秒であった。
【0029】
一方、基板3としては、直径4インチ(10.16センチメートル)のSiウェハ上に厚みが1.1μmのSiO2 による薄膜15が形成されたものを用いた。このSiO2 による薄膜15には、図4に示すように、薄膜15の表面まで貫通するように直径0.5μmの孔部16が数多く形成されている。この場合、アスペクト比は2である。
【0030】
図5は、本実施例の方法によりポリ尿素を0.8μm蒸着重合したときの薄膜の表面及び断面構成を示すSEM写真である。
図5に示すように、本実施例の方法によれば、SiO2 による薄膜15の孔部16は完全にポリ尿素によって埋まり、また、表面もほぼ平坦化されていることが理解される。
【0031】
なお、本実施例においては、ポリ尿素による高分子薄膜14の膜厚を1.0μm以上にするとより平坦化が実現されることが確認された。
また、上記アスペクト比が1以上3までは基板3に対して垂直に形成されたパターンの場合も平坦化が可能であったが、アスペクト比が3より大きくなると、孔部16の中心部分にボイド(空隙)が発生した。この場合、このボイドを発生させないためには、基板3の温度を高くするか孔部16の側壁にテーパを形成する必要があった。
【0032】
〔実施例2〕
本実施例は、高分子薄膜を形成するための原料モノマーとして、無水ピロメリト酸(PMDA)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(ODA)を用い、基板3上で蒸着重合してポリアミド酸を形成し、その後、基板3を加熱してポリイミドによる薄膜を形成する方法である。
【0033】
本実施例においては、まず、実施例1の場合と同様に、高真空中(3×10-3Pa)において、PMDAは130.0±0.1℃で、ODAについては120.0±0.1℃の温度で蒸発させ、基板3上にポリアミド酸の薄膜を形成した。そして、基板3の温度を170℃に保持し、基板3上にポリイミド膜の成膜を行った。この場合、ポリイミド膜の成膜速度は5オングストローム/秒であった。
本実施例において用いられる基板3は、孔部16の直径が1.25μmでアスペクト比が1である以外は実施例1と同様のものである。
【0034】
図6は、本実施例の方法によりポリイミドを0.8μm蒸着重合したときの薄膜の表面及び断面構成を示すSEM写真である。
図6に示すように、実施例2においても、実施例1と同様に、SiO2 による薄膜15の孔部16は完全にポリ尿素によって埋まり、また、表面もほぼ平坦化されていることが理解される。
【0035】
〔比較例1〕
基板3の温度を室温(20℃)に保持した他は、実施例2と同様の方法によりポリイミド膜の形成を行った。その結果、SiO2 による薄膜15の孔部16の側壁において膜がほとんど形成されず、ポリイミドによる平坦な薄膜を形成することができなかった。これは、各原料モノマーであるPMDA、ODAのマイグレーションが不十分であることが原因であると思われる。
【0036】
なお、本発明はLSIの層間絶縁膜のみならず、種々の薄膜に適用しうることはもちろんである。
特に、ポリ尿素による薄膜は、例えば、紫外線によるパターン形成などレジストの材料としても用いることができ、この場合、薄膜の加工も容易であるというメリットがある。
【0037】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明による高分子薄膜の形成方法によれば、複雑な工程及び条件を必要とすることなく、簡素な工程及び条件で平坦な高分子薄膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る高分子薄膜の形成方法の好ましい実施の形態における基板の温度と空間率との関係を示すグラフ
【図2】 本発明の実施の形態において用いられる原料モノマーの基板温度と表面滞留時間との関係(実験値)を示すグラフ
【図3】 本発明を実施するための蒸着重合装置の一例を示す概略構成図
【図4】 本発明の実施の形態における空間率を説明するための図
【図5】 実施例1の方法によりポリ尿素を0.8μm蒸着重合したときの薄膜の表面及び断面構成を示すSEM写真
【図6】 実施例2の方法によりポリイミドを0.8μm蒸着重合したときの薄膜の表面及び断面構成を示すSEM写真
【符号の説明】
1・・・蒸着重合装置、2・・・処理室、3・・・基板、4・・・ホルダ、5・・・ヒータ、6、7・・・蒸発用容器、8、9・・・ヒータ、14・・・高分子薄膜、15・・・薄膜、16・・・孔部、a、b・・・原料モノマー
Claims (4)
- 段差あるいは孔を有する基体を高分子薄膜で平坦化させあるいは埋め込む方法であって、真空中で高分子重合体の原料モノマーを蒸発させ、これを上記基体上で蒸着重合させる際に、上記原料モノマーのうち蒸気圧が低いモノマーの表面滞留時間が10-1秒以下となるように上記基体の温度を保持してなることを特徴とする高分子薄膜の形成方法。
- 原料モノマーとして、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(MDA)を用い、上記原料モノマーのうちMDAの表面滞留時間が10 -1 秒以下となるように基体の温度を保持してポリ尿素の薄膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の高分子薄膜の形成方法。
- 原料モノマーとして、無水ピロメリト酸(PMDA)と、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(ODA)を用い、上記原料モノマーの表面滞留時間が7×10 -2 秒以下となるように基体の温度を保持してポリイミドの薄膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の高分子薄膜の形成方法。
- アスペクト比が1以上で3を超えない孔部を有するパターンが形成された基体に対して成膜を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかの1項に記載の高分子薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31964295A JP3863934B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 高分子薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31964295A JP3863934B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 高分子薄膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09143681A JPH09143681A (ja) | 1997-06-03 |
JP3863934B2 true JP3863934B2 (ja) | 2006-12-27 |
Family
ID=18112583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31964295A Expired - Fee Related JP3863934B2 (ja) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 高分子薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3863934B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3369154B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2003-01-20 | 科学技術振興事業団 | 有機共蒸着膜の製造方法 |
WO2007111076A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
EP2000299A4 (en) | 2006-03-24 | 2009-08-05 | Konica Minolta Med & Graphic | TRANSPARENT BARRIER SHEET AND METHOD OF PRODUCING SAME |
JP5077155B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びそのクリーニング方法 |
JP2011031594A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-17 | Ulvac Japan Ltd | 治具およびその製造方法 |
JP5570471B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2014-08-13 | 小島プレス工業株式会社 | モノマー蒸発量制御装置及び蒸着重合装置並びにモノマー蒸発量の制御方法 |
JP5310915B2 (ja) * | 2012-08-27 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びそのクリーニング方法 |
JP5605464B2 (ja) * | 2013-06-25 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びそのクリーニング方法 |
TWI742515B (zh) | 2016-07-21 | 2021-10-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、真空處理裝置及基板處理裝置 |
JP6465189B2 (ja) * | 2016-07-21 | 2019-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び真空処理装置 |
JP6696491B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2020-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び真空処理装置 |
JP6926939B2 (ja) * | 2017-10-23 | 2021-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6977474B2 (ja) * | 2017-10-23 | 2021-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6960839B2 (ja) * | 2017-12-13 | 2021-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7065741B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-11-14 JP JP31964295A patent/JP3863934B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09143681A (ja) | 1997-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3863934B2 (ja) | 高分子薄膜の形成方法 | |
EP0155823A2 (en) | Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films | |
KR20100016255A (ko) | 편면이 평활성인 폴리이미드 필름 | |
JP2002505803A (ja) | パリレンコーティングの製造方法 | |
JPH046791B2 (ja) | ||
JP2019528372A (ja) | 窒化ホウ素ナノチューブのポリマーでの気相コーティング | |
KR20050018629A (ko) | 에칭-멈춤 수지 | |
JPH1092800A (ja) | 蒸発源および蒸発源を備えた真空処理室、有機化合物膜の成膜方法 | |
JPS61261322A (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
JP2821907B2 (ja) | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 | |
JPS60197730A (ja) | ポリイミド膜の形成方法 | |
JPH0445259A (ja) | 成膜装置 | |
JPH10289903A (ja) | 低比誘電性絶縁膜及びその形成方法並びに層間絶縁膜 | |
JPH05177163A (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
WO1995026879A1 (en) | Barrier films having carbon-coated surfaces | |
JPH0776416B2 (ja) | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 | |
JPH04180552A (ja) | 高分子膜の形成方法およびその形成装置 | |
JPH051049B2 (ja) | ||
JPH04341559A (ja) | 合成樹脂被膜の製造方法 | |
JPH0762236B2 (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
JP3957812B2 (ja) | 低比誘電性高分子膜の形成方法 | |
JPH04359056A (ja) | 樹脂組成物と層間絶縁膜の形成方法 | |
RU2218364C2 (ru) | ПЛЕНКА ИЗ ПОЛИ ( α,α,α′,α′- ТЕТРАФТОРПАРАКСИЛИЛЕНА), СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ | |
JPH06151612A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH11283974A (ja) | 低比誘電性高分子膜及びその形成方法並びに層間絶縁膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040709 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040709 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040715 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040715 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091006 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141006 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |