JPH046791B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH046791B2 JPH046791B2 JP59200257A JP20025784A JPH046791B2 JP H046791 B2 JPH046791 B2 JP H046791B2 JP 59200257 A JP59200257 A JP 59200257A JP 20025784 A JP20025784 A JP 20025784A JP H046791 B2 JPH046791 B2 JP H046791B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- raw material
- synthetic resin
- film
- material monomer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 37
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 22
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 15
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N terephthaloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920006264 polyurethane film Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 239000011527 polyurethane coating Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は例えば半導体素子の絶縁膜、パツシベ
ーシヨン膜、ソフトエラー膜等の各種合成樹脂被
膜の形成方法に関する。
ーシヨン膜、ソフトエラー膜等の各種合成樹脂被
膜の形成方法に関する。
（従来の技術）
従来、この種合成樹脂被膜の形成方法として
は、合成樹脂の原料モノマーを適当な溶媒に溶か
してこれを基板上で重合させるいわゆる湿式法、
合成樹脂ポリマー自体を基板上に蒸着させるいわ
ゆるポリマー蒸着法或いは合成樹脂の原料モノマ
ーをプラズマ状態にしてプラズマ中の基板上で重
合させるプラズマ重合法等が知られている。
は、合成樹脂の原料モノマーを適当な溶媒に溶か
してこれを基板上で重合させるいわゆる湿式法、
合成樹脂ポリマー自体を基板上に蒸着させるいわ
ゆるポリマー蒸着法或いは合成樹脂の原料モノマ
ーをプラズマ状態にしてプラズマ中の基板上で重
合させるプラズマ重合法等が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前記従来法は湿式法の場合は極
めて薄い膜が得られ難く、また基板に対する合成
樹脂被膜の密着性が不十分で、しかも溶媒の添
加、除去、回収等の工程が入るために不純物の混
入が起りやすいという不都合を有し、またポリマ
ー蒸着法の場合は解重合と共に分解が起つたりし
て重合度が十分でないという不都合を有し、また
プラズマ重合法の場合は原料モノマー自体が分解
したりして合成樹脂の分子設計が困難で、しかも
合成樹脂が架橋構造を含むために比較的剛直な被
膜しか得られないという不都合を有する。
めて薄い膜が得られ難く、また基板に対する合成
樹脂被膜の密着性が不十分で、しかも溶媒の添
加、除去、回収等の工程が入るために不純物の混
入が起りやすいという不都合を有し、またポリマ
ー蒸着法の場合は解重合と共に分解が起つたりし
て重合度が十分でないという不都合を有し、また
プラズマ重合法の場合は原料モノマー自体が分解
したりして合成樹脂の分子設計が困難で、しかも
合成樹脂が架橋構造を含むために比較的剛直な被
膜しか得られないという不都合を有する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、前記従来法の不都合を解消した合成
樹脂被膜の形成方法を提供することをその目的と
するもので、その発明は、１×10-2〜１×
10-6Torrの真空中で芳香族ジカルボン酸二無水
物を除く合成樹脂の原料モノマーを２種以上蒸発
させて、これを基板上で重合させてポリイミドを
除く合成樹脂被膜を形成することから成る。
樹脂被膜の形成方法を提供することをその目的と
するもので、その発明は、１×10-2〜１×
10-6Torrの真空中で芳香族ジカルボン酸二無水
物を除く合成樹脂の原料モノマーを２種以上蒸発
させて、これを基板上で重合させてポリイミドを
除く合成樹脂被膜を形成することから成る。
ここで合成樹脂の原料モノマーの蒸発を１×
10-2〜１×10-6Torrの真空中で行なうようにし
たのは、蒸発したモノマーが互いに、或いは処理
室の室壁等に衝突するのを防ぎ、モノマー蒸気を
直接基板上に付着させてそこで重合させるように
するためである。また、原料モノマーとしては芳
香族ジカルボン酸二無水物を除き、その種類と数
は特に限定されるものではなく、ポリイミド被膜
を除き形成すべき合成樹脂被膜に合せて適宜にそ
の種類と数を選択して分子設計することができ、
付加重合するものばかりでなく縮合重合するもの
等種々のものが用いられる。又、重合反応を起す
のに原料モノマーを加熱する必要がある場合に
は、例えば予め所定温度に加熱された基板上に原
料モノマーを堆積させるか、或いは室温の基板上
に原料モノマーを堆積させた後に該基板を加熱す
るようにすればよく、また光重合の場合には基板
上の原料モノマーに光照射を行なえばよい。
10-2〜１×10-6Torrの真空中で行なうようにし
たのは、蒸発したモノマーが互いに、或いは処理
室の室壁等に衝突するのを防ぎ、モノマー蒸気を
直接基板上に付着させてそこで重合させるように
するためである。また、原料モノマーとしては芳
香族ジカルボン酸二無水物を除き、その種類と数
は特に限定されるものではなく、ポリイミド被膜
を除き形成すべき合成樹脂被膜に合せて適宜にそ
の種類と数を選択して分子設計することができ、
付加重合するものばかりでなく縮合重合するもの
等種々のものが用いられる。又、重合反応を起す
のに原料モノマーを加熱する必要がある場合に
は、例えば予め所定温度に加熱された基板上に原
料モノマーを堆積させるか、或いは室温の基板上
に原料モノマーを堆積させた後に該基板を加熱す
るようにすればよく、また光重合の場合には基板
上の原料モノマーに光照射を行なえばよい。
尚、必要に応じて重合開始剤等を原料モノマー
と同時に蒸発させるようにしてもよい。
と同時に蒸発させるようにしてもよい。
（実施例）
以下添附図面に従つて本発明の実施例に付説明
する。
する。
第１図は本発明方法を実施する装置の一例を示
すもので、１は処理室を示し、該処理室１内を外
部の真空ポンプその他の真空排気系２に接続する
と共に、該処理室１内に合成樹脂の蒸着被膜を形
成せしめるべき基板３を基板ボルダ４によつて下
向きに保持し、該基板３を該基板ホルダ４の背面
に設けられたヒータ５によつて所望温度に加熱で
きるようにし、また該処理室１内下位に該基板３
に対向させて合成樹脂の原料モノマーａ，ｂを蒸
発させるためのガラス製の蒸発用管６，６を設
け、該各蒸発用管６をその周囲に巻回されたヒー
タ７によつて所望温度に加熱できるようにした。
すもので、１は処理室を示し、該処理室１内を外
部の真空ポンプその他の真空排気系２に接続する
と共に、該処理室１内に合成樹脂の蒸着被膜を形
成せしめるべき基板３を基板ボルダ４によつて下
向きに保持し、該基板３を該基板ホルダ４の背面
に設けられたヒータ５によつて所望温度に加熱で
きるようにし、また該処理室１内下位に該基板３
に対向させて合成樹脂の原料モノマーａ，ｂを蒸
発させるためのガラス製の蒸発用管６，６を設
け、該各蒸発用管６をその周囲に巻回されたヒー
タ７によつて所望温度に加熱できるようにした。
図中８はヒータ５の電源、９はヒータ７の電
源、１０は基板３と蒸発用管６，６との間に介在
されるシヤツタを示す。
源、１０は基板３と蒸発用管６，６との間に介在
されるシヤツタを示す。
また、図中１１は温度制御のために原料モノマ
ーａ，ｂ内に挿入された熱電対を示し、図示しな
いが外部に導出の温度制御器で常時温度を測定で
きるようにした。
ーａ，ｂ内に挿入された熱電対を示し、図示しな
いが外部に導出の温度制御器で常時温度を測定で
きるようにした。
ここで当該装置を用いた縮合重合によるポリア
ミド被膜の形成につき実施例１として示す。
ミド被膜の形成につき実施例１として示す。
実施例 １
まず、蒸発用管６，６の一方に原料モノマーａ
としてテレフタル酸ジクロリドと、他方に原料モ
ノマーｂとして４，4′−ジアミノジフエニルエー
テルとを充填し、シヤツタ１０を閉じた状態で処
理室１内雰囲気ガスの全圧を真空排気系２を介し
て１×10-5Torrに設定する。
としてテレフタル酸ジクロリドと、他方に原料モ
ノマーｂとして４，4′−ジアミノジフエニルエー
テルとを充填し、シヤツタ１０を閉じた状態で処
理室１内雰囲気ガスの全圧を真空排気系２を介し
て１×10-5Torrに設定する。
次いで、蒸発用管６，６に各挿入される熱電対
１１で温度を測定しながらヒータ７，７によつて
テレフタル酸ジクロリドを64℃±２℃に、また
４，4′−ジアミノジフエニルエーテルを165℃±
２℃に加熱する。この時各原料モノマーａ，ｂが
１：１のモル比で蒸発するようにテレフタル酸ジ
クロリドの蒸気圧で処理室１内の圧力を５×
10-3Torrに設定した。
１１で温度を測定しながらヒータ７，７によつて
テレフタル酸ジクロリドを64℃±２℃に、また
４，4′−ジアミノジフエニルエーテルを165℃±
２℃に加熱する。この時各原料モノマーａ，ｂが
１：１のモル比で蒸発するようにテレフタル酸ジ
クロリドの蒸気圧で処理室１内の圧力を５×
10-3Torrに設定した。
続いて、原料モノマーａ，ｂが所要温度に達し
て蒸発を開始した後にシヤツタ１０を開き、基板
３上に原料モノマーａ，ｂを60Å／分の析出速度
で堆積させて、室温で重合反応を進め、所定の膜
厚になつたらシヤツタ１０を閉じる。尚、基板３
上での重合反応を詳述すれば、まず４，4′−ジア
ミノジフエニルエーテルが基板３上に付着し、こ
れに同時に蒸発したテレフタル酸ジクロリドが接
触するもので、これが繰り返されて該基板３上で
重合反応が起こるものである。
て蒸発を開始した後にシヤツタ１０を開き、基板
３上に原料モノマーａ，ｂを60Å／分の析出速度
で堆積させて、室温で重合反応を進め、所定の膜
厚になつたらシヤツタ１０を閉じる。尚、基板３
上での重合反応を詳述すれば、まず４，4′−ジア
ミノジフエニルエーテルが基板３上に付着し、こ
れに同時に蒸発したテレフタル酸ジクロリドが接
触するもので、これが繰り返されて該基板３上で
重合反応が起こるものである。
得られたポリアミド被膜は緻密且つ高純度で基
板に対する密着性も良好であり、また、電気絶縁
性、耐薬品性、耐熱性等の諸物性も従来の湿式法
によるものに比べて何ら遜色は無かつた。
板に対する密着性も良好であり、また、電気絶縁
性、耐薬品性、耐熱性等の諸物性も従来の湿式法
によるものに比べて何ら遜色は無かつた。
次に前記装置を用いた付加重合によるポリ尿素
被膜並びにポリウレタン被膜の形成につき実施例
２並びに実施例３として示す。
被膜並びにポリウレタン被膜の形成につき実施例
２並びに実施例３として示す。
実施例 ２
蒸発用管６，６の一方に原料モノマーａとして
４，4′−ジフエニルメタンジイソシアネートと、
他方の原料モノマーｂとして４，4′−ジアミノジ
フエニルエーテルとを充填し、シヤツタ１０を閉
じた状態で、処理室１内雰囲気ガスの全圧を真空
排気系２を介して１×10-5Torrに設定した後、
ヒータ７，７によつて４，4′−ジフエニルメタン
ジイソシアネートを82℃±２℃に、また４，4′−
ジアミノジフエニルエーテルを140℃±２℃に加
熱した。
４，4′−ジフエニルメタンジイソシアネートと、
他方の原料モノマーｂとして４，4′−ジアミノジ
フエニルエーテルとを充填し、シヤツタ１０を閉
じた状態で、処理室１内雰囲気ガスの全圧を真空
排気系２を介して１×10-5Torrに設定した後、
ヒータ７，７によつて４，4′−ジフエニルメタン
ジイソシアネートを82℃±２℃に、また４，4′−
ジアミノジフエニルエーテルを140℃±２℃に加
熱した。
次いで、シヤツタ１０を開き、基板３上に該原
料モノマーａ，ｂを60Å／分の析出速度で堆積さ
せて、室温で重合反応を進め、所定の膜厚のポリ
尿素被膜を形成した。
料モノマーａ，ｂを60Å／分の析出速度で堆積さ
せて、室温で重合反応を進め、所定の膜厚のポリ
尿素被膜を形成した。
尚、原料モノマーａ，ｂは化学量論的に被膜が
形成されるように蒸気圧の調整によつて１：１の
モル比で蒸発するようにした。得られたポリ尿素
被膜は緻密且つ高純度で基板に対する密着性も良
好であり、従来法によるものと比較して充分な耐
熱性があつた。
形成されるように蒸気圧の調整によつて１：１の
モル比で蒸発するようにした。得られたポリ尿素
被膜は緻密且つ高純度で基板に対する密着性も良
好であり、従来法によるものと比較して充分な耐
熱性があつた。
尚、前記実施例１並びに実施例２では、室温で
重合反応を起こさせたが、ヒータ５を用いて基板
３を所望温度に設定することによつて、得られる
被膜の重合度を調節することもできる。
重合反応を起こさせたが、ヒータ５を用いて基板
３を所望温度に設定することによつて、得られる
被膜の重合度を調節することもできる。
実施例 ３
蒸発用管６，６の一方に原料モノマーａとして
４，4′−ジフエニルメタンジイソシアネートと、
他方に原料モノマーｂとしてｐ−ヒドロキノンを
充填し、処理室１内雰囲気ガスの全圧を真空排気
系２を介して１×10-5Torrに設定した後、シヤ
ツタ１０を閉じた状態で、前記実施例と同様にヒ
ータ７，７によつて４，4′−ジフエニルメタンジ
イソシアネートを82℃±２℃に、またｐ−ヒドロ
キノンを120℃±２℃に加熱した。
４，4′−ジフエニルメタンジイソシアネートと、
他方に原料モノマーｂとしてｐ−ヒドロキノンを
充填し、処理室１内雰囲気ガスの全圧を真空排気
系２を介して１×10-5Torrに設定した後、シヤ
ツタ１０を閉じた状態で、前記実施例と同様にヒ
ータ７，７によつて４，4′−ジフエニルメタンジ
イソシアネートを82℃±２℃に、またｐ−ヒドロ
キノンを120℃±２℃に加熱した。
次いで、圧力を１×10-5Torrに保ちながらシ
ヤツタ１０を開き、基板３上に該原料モノマー
ａ，ｂを600Å／分の析出速度で堆積させつつ、
該基板３をヒータ５で150℃に加熱しながら、該
基板３上で重合反応を起こさせて、ポリウレタン
被膜を形成した。
ヤツタ１０を開き、基板３上に該原料モノマー
ａ，ｂを600Å／分の析出速度で堆積させつつ、
該基板３をヒータ５で150℃に加熱しながら、該
基板３上で重合反応を起こさせて、ポリウレタン
被膜を形成した。
本実施例の場合も得られたポリウレタン被膜は
緻密且つ高純度で、基板に対する密着性も良好で
あり、従来法によるものと同程度の耐熱性であつ
た。
緻密且つ高純度で、基板に対する密着性も良好で
あり、従来法によるものと同程度の耐熱性であつ
た。
第２図は本発明方法を実施する装置の変形例を
示し、前記実施例１のテレフタル酸ジクロリドの
ような蒸気圧の高い原料モノマーａを使用する場
合に用いるもので、該原料モノマーａを蒸発させ
るための蒸発用管６′を処理室１の外部に導き出
しておき該処理室１の外部で原料モノマーａを蒸
発させてから該処理室１内に導くようにしてガス
圧の調整が容易に行なえるようにした。尚、図中
１２は導入蒸気量を調節するバルブを示すもの
で、第１図に示した装置と同一部材のものは同一
符号を付してその説明を省略する。
示し、前記実施例１のテレフタル酸ジクロリドの
ような蒸気圧の高い原料モノマーａを使用する場
合に用いるもので、該原料モノマーａを蒸発させ
るための蒸発用管６′を処理室１の外部に導き出
しておき該処理室１の外部で原料モノマーａを蒸
発させてから該処理室１内に導くようにしてガス
圧の調整が容易に行なえるようにした。尚、図中
１２は導入蒸気量を調節するバルブを示すもの
で、第１図に示した装置と同一部材のものは同一
符号を付してその説明を省略する。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、１×10-2〜１
×10-6Torrの真空中で芳香族ジカルボン酸二無
水物を除く合成樹脂の原料モノマーを２種以上蒸
発させて、これを基板上で重合させることによつ
てポリイミドを除く合成樹脂被膜を形成するため
に、不純物やモノマー分解物を含まない純粋且つ
均一なモノマー蒸気が基板上に順次衝突して該基
板上で重合することとなり、緻密で高純度且つ均
一な膜厚の合成樹脂被膜を基板に対する良好な密
着性をもつて、しかも極めて薄い膜を始め所望膜
厚に容易に形成でき、更に原料モノマーの選択に
よつて種々に分子設計された被膜の形成を行なえ
る効果を有する。
×10-6Torrの真空中で芳香族ジカルボン酸二無
水物を除く合成樹脂の原料モノマーを２種以上蒸
発させて、これを基板上で重合させることによつ
てポリイミドを除く合成樹脂被膜を形成するため
に、不純物やモノマー分解物を含まない純粋且つ
均一なモノマー蒸気が基板上に順次衝突して該基
板上で重合することとなり、緻密で高純度且つ均
一な膜厚の合成樹脂被膜を基板に対する良好な密
着性をもつて、しかも極めて薄い膜を始め所望膜
厚に容易に形成でき、更に原料モノマーの選択に
よつて種々に分子設計された被膜の形成を行なえ
る効果を有する。
第１図は本発明合成樹脂被膜の形成方法を実施
するための装置の一例の截断面図、第２図はその
変形例の截断面図である。 １……処理室、２……真空排気系、３……基
板、ａ，ｂ……原料モノマー。
するための装置の一例の截断面図、第２図はその
変形例の截断面図である。 １……処理室、２……真空排気系、３……基
板、ａ，ｂ……原料モノマー。
Claims (1)
- １ １×10-2〜１×10-6Torrの真空中で芳香族
ジカルボン酸二無水物を除く合成樹脂の原料モノ
マーを２種以上蒸発させて、これを基板上で重合
させてポリイミドを除く合成樹脂被膜を形成する
ことから成る合成樹脂被膜の形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200257A JPS6178463A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 合成樹脂被膜の形成方法 |
| DE8585301777T DE3571772D1 (en) | 1984-03-21 | 1985-03-14 | Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films |
| EP85301777A EP0155823B1 (en) | 1984-03-21 | 1985-03-14 | Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films |
| US06/714,291 US4624867A (en) | 1984-03-21 | 1985-03-21 | Process for forming a synthetic resin film on a substrate and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200257A JPS6178463A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 合成樹脂被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178463A JPS6178463A (ja) | 1986-04-22 |
| JPH046791B2 true JPH046791B2 (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=16421358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200257A Granted JPS6178463A (ja) | 1984-03-21 | 1984-09-25 | 合成樹脂被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178463A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0615710B2 (ja) * | 1986-09-04 | 1994-03-02 | 日本真空技術株式会社 | 合成樹脂被膜の形成方法 |
| JPH0615711B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1994-03-02 | 日本真空技術株式会社 | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 |
| JPH0776416B2 (ja) * | 1988-01-26 | 1995-08-16 | 日本真空技術株式会社 | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 |
| JP2821902B2 (ja) * | 1989-05-31 | 1998-11-05 | 日本真空技術株式会社 | 低比誘電性ポリイミド被膜の形成方法 |
| JPH0397849A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-23 | Tai Gold Kk | 透明被膜を有する物品 |
| JPH088629A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-01-12 | Nec Corp | 小型無線機の内蔵アンテナ |
| US6506461B2 (en) * | 1999-03-31 | 2003-01-14 | Battelle Memorial Institute | Methods for making polyurethanes as thin films |
| EP1862564B1 (de) * | 2006-06-03 | 2008-09-03 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Vorrichtung zum Verdampfen von Materialien mit einem Verdampferrohr |
| JP4970971B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2012-07-11 | 株式会社アルバック | 締結具の製造方法 |
| EP2202059B1 (en) * | 2007-10-18 | 2013-09-25 | Ulvac, Inc. | Method for lamination of decorative metal film on resin base material, and resin base material having decorative metal film thereon |
| JP5410235B2 (ja) | 2009-10-15 | 2014-02-05 | 小島プレス工業株式会社 | 有機高分子薄膜の形成方法及び形成装置 |
| JP2011117030A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着重合装置 |
| JP5570471B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2014-08-13 | 小島プレス工業株式会社 | モノマー蒸発量制御装置及び蒸着重合装置並びにモノマー蒸発量の制御方法 |
| KR101904058B1 (ko) | 2015-01-23 | 2018-10-04 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 폴리머의 제조방법과 제조장치, 및 유기막의 제조방법과 제조장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4104438A (en) * | 1975-01-20 | 1978-08-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Gas-barrier coated films, sheets or foils and method of preparation |
| JPS58133875A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 滴状凝縮面の形成方法 |
| JPH0250984A (ja) * | 1988-08-15 | 1990-02-20 | Jibako:Kk | 金胎漆器製品の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP59200257A patent/JPS6178463A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4104438A (en) * | 1975-01-20 | 1978-08-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Gas-barrier coated films, sheets or foils and method of preparation |
| JPS58133875A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 滴状凝縮面の形成方法 |
| JPH0250984A (ja) * | 1988-08-15 | 1990-02-20 | Jibako:Kk | 金胎漆器製品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6178463A (ja) | 1986-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0155823B1 (en) | Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films | |
| JPH046791B2 (ja) | ||
| JP3863934B2 (ja) | 高分子薄膜の形成方法 | |
| JPS61261322A (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
| JP2912756B2 (ja) | 合成樹脂被膜の形成装置及び形成方法 | |
| JP3231373B2 (ja) | 合成樹脂被膜の形成装置及び形成方法 | |
| JP2821907B2 (ja) | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 | |
| JPH0250984B2 (ja) | ||
| JPH0445259A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0776416B2 (ja) | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 | |
| JPH09278805A (ja) | 蒸着重合方法 | |
| JPH05177163A (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
| JP2002285320A (ja) | 有機高分子薄膜の形成方法 | |
| JP2821902B2 (ja) | 低比誘電性ポリイミド被膜の形成方法 | |
| JPH0615711B2 (ja) | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 | |
| JPH0581666B2 (ja) | ||
| JPH0762236B2 (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
| JPH06116409A (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
| JPH04341559A (ja) | 合成樹脂被膜の製造方法 | |
| JP3481395B2 (ja) | 層間絶縁膜の形成方法 | |
| JPS6362869A (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
| JPS61219028A (ja) | 液晶配向膜の形成方法 | |
| JPH0260936A (ja) | 高分子膜の作製方法 | |
| JPS61219025A (ja) | 液晶配向膜の形成方法 | |
| JPH10279648A (ja) | 低比誘電性高分子膜及びその形成方法並びに層間絶縁膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |