JPH04341559A - 合成樹脂被膜の製造方法 - Google Patents

合成樹脂被膜の製造方法

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JPH04341559A
JPH04341559A JP11296991A JP11296991A JPH04341559A JP H04341559 A JPH04341559 A JP H04341559A JP 11296991 A JP11296991 A JP 11296991A JP 11296991 A JP11296991 A JP 11296991A JP H04341559 A JPH04341559 A JP H04341559A
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JP
Japan
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synthetic resin
film
substrate
raw material
monomers
Prior art date
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Pending
Application number
JP11296991A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Katsube
淳 勝部
Hisao Matsuura
松浦 久雄
Hatsuhiko Shibazaki
柴崎 初彦
Masayuki Iijima
正行 飯島
Yoshikazu Takahashi
善和 高橋
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Ulvac Inc
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Ulvac Inc
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子または静電
チャックの絶縁膜、パッシベ−ション膜、ソフトエラ−
膜、プラスチックコンデンサの誘電体などに用いられる
薄い合成樹脂被膜の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、合成樹脂被膜の製造方法としては
、合成樹脂の原料モノマ−を適当な溶媒に溶かして基体
に塗布し、これを基体上で重合させる「湿式法」、合成
樹脂自体を基体上に蒸着させる「ポリマ−蒸着法」また
は合成樹脂の原料モノマ−をプラズマ状態にしてプラズ
マ中で基体上に重合させる「プラズマ重合法」などが知
られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の合成樹脂被膜の製造方法では、「湿式法」の場合
は極めて薄い膜が得られ難く、また基体に対する合成樹
脂の密着力が不十分で、しかも塗液の調合や溶媒の除去
(乾燥)・回収などの工程が入るために不純物の混入が
起こりやすいという課題を有していた。また「ポリマ−
蒸着法」の場合は蒸着時にポリマーの解重合とともに分
解が起こったりして原料ポリマーの重合度が低下して、
生成した合成樹脂皮膜の物性が低下するという課題を有
していた。「プラズマ重合法」の場合は原料モノマ−自
体が分解したりして、元のモノマーの分子構造を維持す
ることが困難であるという課題を有していた。
【0004】そこで、特開昭61−78463号公報に
開示されているように、例えば、4、4’ジフェニル・
メタン・ジイソシアネ−トのような芳香族ジイソシアネ
−トと、例えば、4、4’ジアミノ・ジフェニル・エ−
テルのような芳香族ジアミンを用いて、真空中で両原料
モノマ−を蒸発させ、これを基体上で重合させて尿素樹
脂被膜を形成させる方法が提案されている。しかし、上
記両原料モノマ−を真空中で蒸発させて基体上で重合を
行うと、被膜の膜厚および膜組成比に不均一性が生じ、
電子材料分野のようにその膜厚および膜組成比が生成し
た皮膜の物性に大きく影響する分野で上記の合成樹脂被
膜の製造方法を利用するには、皮膜の膜厚および膜組成
比を均一にしなければならないという課題があった。ま
た、上記の従来の合成樹脂被膜の製造方法では、真空槽
内の壁面に付着力の弱い剥がれやすい膜が形成され、こ
の剥がれやすい膜はダストの発生源となり素子不良発生
の原因となっていた。
【0005】本発明はこのような課題を解決するもので
、膜厚を薄く形成しても、非常に優れた膜厚と膜組成比
の均一性を有し、さらに真空槽内の壁面に剥がれやすい
膜の付着を防ぐことのできる合成樹脂被膜の製造方法を
提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の合成樹脂被膜の製造方法は、真空中で2種以
上の合成樹脂原料モノマ−を蒸発させ、これを基体上で
重合させて樹脂被膜を形成する方法において、各原料モ
ノマ−蒸発源から噴出した原料モノマ−を1つの加熱し
た槽に取り込み、原料モノマ−の混合蒸気を基体上に噴
出させて重合させるようにしたものである。
【0007】また、合成樹脂被膜としてジイソシアネ−
トとジアミンとの重付加反応によって形成される尿素樹
脂を用いたものである。
【0008】また、合成樹脂被膜としてジアミンと酸二
無水物との加熱重合反応によって形成されるポリイミド
樹脂を用いたものである。
【0009】
【作用】従来の合成樹脂被膜の製造方法において、膜厚
および膜組成比の分布を悪化させる要因を検討したとこ
ろ、膜形成が一方の蒸発源からの原料モノマーの蒸気流
分布に大きく依存することがわかった。つまり、この重
合反応は基体上で行われるため、膜厚および膜組成比分
布は基体表面上に多く滞在する原料モノマ−の量に大き
く依存する。すなわち基体からの再蒸発量がより少ない
原料モノマ−、言い換えれば蒸気圧がより低いモノマ−
の蒸気流に膜厚および膜組成比は依存していると言える
。そこで2種類以上の原料モノマ−を蒸発させ、これを
基体上で重合させる場合、原料モノマ−の蒸発源噴き出
し口より蒸発した原料モノマ−を混合して、混合蒸気と
して一つの吹き出し口より噴出させることにより、膜厚
および膜組成比の均一性を向上させることができる。
【0010】また、従来の合成樹脂被膜の製造方法では
、原料モノマ−の蒸発源の噴き出し口からの吹き出し方
向により膜組成に分布ができるので、基体上から離れた
真空槽内の壁面では蒸発量の比が一方にかたよった被膜
を形成する。このようにして得られる蒸発量の比のかた
よった膜は付着力が弱く剥がれやすい。そこで蒸発源の
噴き出し口から蒸発した原料モノマ−を1つの加熱した
槽に取り込み、モノマ−の混合蒸気として基体上に噴出
させることにより、噴き出し口からの吹き出し方向に影
響されないで、原料モノマーの蒸発量の比に比例した被
膜を形成することができる。この時、槽内壁への原料モ
ノマ−の付着を防ぐため、槽内壁は原料モノマ−の蒸発
源温度のうち最も高い温度以上に加熱される。このよう
にして壁内壁に生成した被膜は内壁から剥がれにくく、
素子特性の劣化の原因となるダストの発生を防ぐことが
できることとなる。
【0011】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
【0012】図1に本発明の合成樹脂被膜の製造装置の
構成を示す。図に示すように真空排気系1に接続された
真空槽2内には合成樹脂被膜を形成するための基体3が
基体ホルダ−4によって下向きに保持されている。また
真空槽2の下部には、原料モノマ−を蒸発させるための
蒸発源5が設けられ、ヒ−タ−(図示せず)と熱電対(
図示せず)とによって原料モノマ−の蒸発量が一定とな
る所定温度に制御される。混合槽6は蒸発源5の噴き出
し口と接続され、ヒ−タ−(図示せず)と熱電対(図示
せず)とによって所定温度に制御される。混合槽6上部
の噴き出し口8と基体3との間にはシャッタ−7が設け
られ、シャッター7の開閉により基体3に形成される膜
厚が調整される。
【0013】つぎに、図1の装置を用いた重付加反応に
よる尿素樹脂被膜の製造方法の1例を説明する。
【0014】蒸発源容器5に融点91℃の4、4’メチ
レン・ジアニリン(MDA)を、もう一方の蒸発源容器
に融点39℃の4、4’ジフェニル・メタン・ジイソシ
アネ−ト(MDI)を充填し、シャッタ−7を閉じた状
態で真空槽2内の雰囲気ガスの全圧が1×10−3Pa
以下になるまで、真空排気系1により排気する。次いで
蒸発源容器5のヒ−タ−を制御して、MDAを115±
1℃に、MDIを85±1℃に加熱した。そして混合槽
6はヒ−タ−により150℃±1℃に加熱した。また基
体は基体の中心が混合槽の噴き出し口の真上にくるよう
に配置した。このときの真空槽2内の雰囲気ガスの全圧
は4×10−3Paであった。つぎにシャッタ−7を1
20秒間あけて10cm角の大きさの基体3上に混合槽
6の噴き出し口8から噴出する蒸気を差し向けて、厚さ
約1μmの尿素樹脂膜(合成樹脂被膜)Aを得た。
【0015】上記の本発明の実施例と比較するために、
比較例として図2に混合槽を除去した状態の製造装置の
構成を示す。図に示すように真空排気系11に接続され
た真空槽12内には合成樹脂被膜を形成するための基体
13が基体ホルダ−14によって下向きに保持されてい
る。また真空槽12の下部には、原料モノマ−を蒸発さ
せるための蒸発源15が設けられ、ヒ−タ−(図示せず
)と熱電対(図示せず)とによって原料モノマ−の蒸発
量が一定となる所定温度に制御される。噴き出し口18
と基体13との間にはシャッタ−17が設けられ、シャ
ッター17の開閉により基体13に形成される膜厚が調
整される。この装置では基体13を両蒸発源の噴き出し
口18(間隔:8cm)の中央の真上に配して、その他
の条件は全く同様にして、比較例としての尿素樹脂被膜
Bを作成した。
【0016】本実施例により得られる、基体3の中心点
を含み、両蒸発源噴き出し口を結んだ方向の尿素樹脂膜
Aの膜厚分布と、比較例による尿素樹脂膜Bの膜厚分布
を図3に比較して示す。ただし、膜厚は各基体内の測定
膜厚の最大値を1とした相対膜厚値で示している。
【0017】図3から明らかなように、実施例の尿素樹
脂膜Aは基体内で均一な膜厚分布を形成しているのに対
して、比較例の尿素樹脂膜Bは蒸気圧の低いMDAの蒸
発源のほうによった不均一な膜厚分布となっている。
【0018】また、本実施例で使用するMDAとMDI
から得られる尿素樹脂は、膜組成がMDA成分が多くな
ると耐熱性が低下し、MDI成分多くなると電気的な特
性が低下する。そこで、本実施例で得られた合成樹脂被
膜の組成比を赤外分光計で分析したところ、尿素樹脂膜
Aは基体内でMDAとMDIの組成比は適正でありかつ
均一であったのに対して、比較例の尿素樹脂膜Bは組成
のかたよりが見られ、MDIに近い基体の端部では電気
的な特性が劣化した膜を形成していた。
【0019】さらに実施例および比較例の成膜後に真空
槽壁面に付着した被膜状態を観察したところ、実施例の
合成樹脂皮膜を成膜した後には、壁面に付着力の強い被
膜を形成しているのに対して、比較例の場合、白濁した
付着力の弱い剥がれやすい被膜を壁面に形成していた。
【0020】以上説明したように本実施例によれば、原
料モノマ−蒸発源から噴出した原料モノマ−を1つの加
熱した槽に取り込み、原料モノマ−の混合蒸気を基体上
に噴出させることにより、基体上に生成する皮膜の膜厚
および膜組成比が均一になり、真空槽の壁面への剥がれ
やすい被膜の付着を防止することができる。  なお本
実施例では、合成樹脂として尿素樹脂を用いた場合を説
明したが、合成樹脂としてポリイミド樹脂用いても同様
の結果が得られることはいうまでもない。
【0021】
【発明の効果】上記の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明によれば、真空中で2種以上の合成樹脂原料モ
ノマ−を蒸発させ、これを基体上で重合させて合成樹脂
被膜を形成する製膜方法において、原料モノマ−蒸発源
から噴出した原料モノマ−を1つの加熱した混合槽に取
り込み、原料モノマ−の混合蒸気を基体上に噴出させる
ことにより、膜厚と膜組成比を均一な状態で製膜できる
。また、真空槽の壁面への剥がれやすい被膜の付着を防
止することのできる優れた合成樹脂被膜の製造方法を実
現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例の合成樹脂被膜の製造装置の
断面図
【図2】比較例の合成樹脂被膜の製造装置の断面図
【図
3】本発明の実施例および比較例の合成樹脂被膜の膜厚
分布を示す図
【符号の説明】
1  真空排気系 2  真空槽 3  基体 4  基体ホルダ− 5  蒸発源容器 6  混合槽 7  シャッタ− 8  噴き出し口 9  原料モノマー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空中で2種以上の合成樹脂原料モノマ−
    を蒸発させ、これを基体上で重合させて樹脂被膜を形成
    する方法において、各原料モノマ−蒸発源から噴出した
    原料モノマ−を1つの加熱した槽に取り込み、原料モノ
    マ−の混合蒸気を基体上に噴出させて重合させるように
    した合成樹脂被膜の製造方法。
  2. 【請求項2】合成樹脂被膜がジイソシアネ−トとジアミ
    ンとの重付加反応によって形成される尿素樹脂である請
    求項1記載の合成樹脂被膜の製造方法。 【請求請3】合成樹脂被膜がジアミンと酸二無水物との
    加熱重合反応によって形成されるポリイミド樹脂である
    請求項1記載の合成樹脂被膜の製造方法。
JP11296991A 1991-05-17 1991-05-17 合成樹脂被膜の製造方法 Pending JPH04341559A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009270134A (ja) * 2008-04-30 2009-11-19 Fujifilm Corp フラッシュ蒸着方法及び装置
JP2011001617A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Ulvac Japan Ltd 成膜方法および成膜装置
CN109252139A (zh) * 2018-10-25 2019-01-22 北京空间机电研究所 一种光学元件的镀膜装置及镀膜方法

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