JPH04341559A - 合成樹脂被膜の製造方法 - Google Patents
合成樹脂被膜の製造方法Info
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- JPH04341559A JPH04341559A JP11296991A JP11296991A JPH04341559A JP H04341559 A JPH04341559 A JP H04341559A JP 11296991 A JP11296991 A JP 11296991A JP 11296991 A JP11296991 A JP 11296991A JP H04341559 A JPH04341559 A JP H04341559A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子または静電
チャックの絶縁膜、パッシベ−ション膜、ソフトエラ−
膜、プラスチックコンデンサの誘電体などに用いられる
薄い合成樹脂被膜の製造方法に関する。
チャックの絶縁膜、パッシベ−ション膜、ソフトエラ−
膜、プラスチックコンデンサの誘電体などに用いられる
薄い合成樹脂被膜の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、合成樹脂被膜の製造方法としては
、合成樹脂の原料モノマ−を適当な溶媒に溶かして基体
に塗布し、これを基体上で重合させる「湿式法」、合成
樹脂自体を基体上に蒸着させる「ポリマ−蒸着法」また
は合成樹脂の原料モノマ−をプラズマ状態にしてプラズ
マ中で基体上に重合させる「プラズマ重合法」などが知
られている。
、合成樹脂の原料モノマ−を適当な溶媒に溶かして基体
に塗布し、これを基体上で重合させる「湿式法」、合成
樹脂自体を基体上に蒸着させる「ポリマ−蒸着法」また
は合成樹脂の原料モノマ−をプラズマ状態にしてプラズ
マ中で基体上に重合させる「プラズマ重合法」などが知
られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の合成樹脂被膜の製造方法では、「湿式法」の場合
は極めて薄い膜が得られ難く、また基体に対する合成樹
脂の密着力が不十分で、しかも塗液の調合や溶媒の除去
(乾燥)・回収などの工程が入るために不純物の混入が
起こりやすいという課題を有していた。また「ポリマ−
蒸着法」の場合は蒸着時にポリマーの解重合とともに分
解が起こったりして原料ポリマーの重合度が低下して、
生成した合成樹脂皮膜の物性が低下するという課題を有
していた。「プラズマ重合法」の場合は原料モノマ−自
体が分解したりして、元のモノマーの分子構造を維持す
ることが困難であるという課題を有していた。
従来の合成樹脂被膜の製造方法では、「湿式法」の場合
は極めて薄い膜が得られ難く、また基体に対する合成樹
脂の密着力が不十分で、しかも塗液の調合や溶媒の除去
(乾燥)・回収などの工程が入るために不純物の混入が
起こりやすいという課題を有していた。また「ポリマ−
蒸着法」の場合は蒸着時にポリマーの解重合とともに分
解が起こったりして原料ポリマーの重合度が低下して、
生成した合成樹脂皮膜の物性が低下するという課題を有
していた。「プラズマ重合法」の場合は原料モノマ−自
体が分解したりして、元のモノマーの分子構造を維持す
ることが困難であるという課題を有していた。
【0004】そこで、特開昭61−78463号公報に
開示されているように、例えば、4、4’ジフェニル・
メタン・ジイソシアネ−トのような芳香族ジイソシアネ
−トと、例えば、4、4’ジアミノ・ジフェニル・エ−
テルのような芳香族ジアミンを用いて、真空中で両原料
モノマ−を蒸発させ、これを基体上で重合させて尿素樹
脂被膜を形成させる方法が提案されている。しかし、上
記両原料モノマ−を真空中で蒸発させて基体上で重合を
行うと、被膜の膜厚および膜組成比に不均一性が生じ、
電子材料分野のようにその膜厚および膜組成比が生成し
た皮膜の物性に大きく影響する分野で上記の合成樹脂被
膜の製造方法を利用するには、皮膜の膜厚および膜組成
比を均一にしなければならないという課題があった。ま
た、上記の従来の合成樹脂被膜の製造方法では、真空槽
内の壁面に付着力の弱い剥がれやすい膜が形成され、こ
の剥がれやすい膜はダストの発生源となり素子不良発生
の原因となっていた。
開示されているように、例えば、4、4’ジフェニル・
メタン・ジイソシアネ−トのような芳香族ジイソシアネ
−トと、例えば、4、4’ジアミノ・ジフェニル・エ−
テルのような芳香族ジアミンを用いて、真空中で両原料
モノマ−を蒸発させ、これを基体上で重合させて尿素樹
脂被膜を形成させる方法が提案されている。しかし、上
記両原料モノマ−を真空中で蒸発させて基体上で重合を
行うと、被膜の膜厚および膜組成比に不均一性が生じ、
電子材料分野のようにその膜厚および膜組成比が生成し
た皮膜の物性に大きく影響する分野で上記の合成樹脂被
膜の製造方法を利用するには、皮膜の膜厚および膜組成
比を均一にしなければならないという課題があった。ま
た、上記の従来の合成樹脂被膜の製造方法では、真空槽
内の壁面に付着力の弱い剥がれやすい膜が形成され、こ
の剥がれやすい膜はダストの発生源となり素子不良発生
の原因となっていた。
【0005】本発明はこのような課題を解決するもので
、膜厚を薄く形成しても、非常に優れた膜厚と膜組成比
の均一性を有し、さらに真空槽内の壁面に剥がれやすい
膜の付着を防ぐことのできる合成樹脂被膜の製造方法を
提供することを目的とするものである。
、膜厚を薄く形成しても、非常に優れた膜厚と膜組成比
の均一性を有し、さらに真空槽内の壁面に剥がれやすい
膜の付着を防ぐことのできる合成樹脂被膜の製造方法を
提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の合成樹脂被膜の製造方法は、真空中で2種以
上の合成樹脂原料モノマ−を蒸発させ、これを基体上で
重合させて樹脂被膜を形成する方法において、各原料モ
ノマ−蒸発源から噴出した原料モノマ−を1つの加熱し
た槽に取り込み、原料モノマ−の混合蒸気を基体上に噴
出させて重合させるようにしたものである。
に本発明の合成樹脂被膜の製造方法は、真空中で2種以
上の合成樹脂原料モノマ−を蒸発させ、これを基体上で
重合させて樹脂被膜を形成する方法において、各原料モ
ノマ−蒸発源から噴出した原料モノマ−を1つの加熱し
た槽に取り込み、原料モノマ−の混合蒸気を基体上に噴
出させて重合させるようにしたものである。
【0007】また、合成樹脂被膜としてジイソシアネ−
トとジアミンとの重付加反応によって形成される尿素樹
脂を用いたものである。
トとジアミンとの重付加反応によって形成される尿素樹
脂を用いたものである。
【0008】また、合成樹脂被膜としてジアミンと酸二
無水物との加熱重合反応によって形成されるポリイミド
樹脂を用いたものである。
無水物との加熱重合反応によって形成されるポリイミド
樹脂を用いたものである。
【0009】
【作用】従来の合成樹脂被膜の製造方法において、膜厚
および膜組成比の分布を悪化させる要因を検討したとこ
ろ、膜形成が一方の蒸発源からの原料モノマーの蒸気流
分布に大きく依存することがわかった。つまり、この重
合反応は基体上で行われるため、膜厚および膜組成比分
布は基体表面上に多く滞在する原料モノマ−の量に大き
く依存する。すなわち基体からの再蒸発量がより少ない
原料モノマ−、言い換えれば蒸気圧がより低いモノマ−
の蒸気流に膜厚および膜組成比は依存していると言える
。そこで2種類以上の原料モノマ−を蒸発させ、これを
基体上で重合させる場合、原料モノマ−の蒸発源噴き出
し口より蒸発した原料モノマ−を混合して、混合蒸気と
して一つの吹き出し口より噴出させることにより、膜厚
および膜組成比の均一性を向上させることができる。
および膜組成比の分布を悪化させる要因を検討したとこ
ろ、膜形成が一方の蒸発源からの原料モノマーの蒸気流
分布に大きく依存することがわかった。つまり、この重
合反応は基体上で行われるため、膜厚および膜組成比分
布は基体表面上に多く滞在する原料モノマ−の量に大き
く依存する。すなわち基体からの再蒸発量がより少ない
原料モノマ−、言い換えれば蒸気圧がより低いモノマ−
の蒸気流に膜厚および膜組成比は依存していると言える
。そこで2種類以上の原料モノマ−を蒸発させ、これを
基体上で重合させる場合、原料モノマ−の蒸発源噴き出
し口より蒸発した原料モノマ−を混合して、混合蒸気と
して一つの吹き出し口より噴出させることにより、膜厚
および膜組成比の均一性を向上させることができる。
【0010】また、従来の合成樹脂被膜の製造方法では
、原料モノマ−の蒸発源の噴き出し口からの吹き出し方
向により膜組成に分布ができるので、基体上から離れた
真空槽内の壁面では蒸発量の比が一方にかたよった被膜
を形成する。このようにして得られる蒸発量の比のかた
よった膜は付着力が弱く剥がれやすい。そこで蒸発源の
噴き出し口から蒸発した原料モノマ−を1つの加熱した
槽に取り込み、モノマ−の混合蒸気として基体上に噴出
させることにより、噴き出し口からの吹き出し方向に影
響されないで、原料モノマーの蒸発量の比に比例した被
膜を形成することができる。この時、槽内壁への原料モ
ノマ−の付着を防ぐため、槽内壁は原料モノマ−の蒸発
源温度のうち最も高い温度以上に加熱される。このよう
にして壁内壁に生成した被膜は内壁から剥がれにくく、
素子特性の劣化の原因となるダストの発生を防ぐことが
できることとなる。
、原料モノマ−の蒸発源の噴き出し口からの吹き出し方
向により膜組成に分布ができるので、基体上から離れた
真空槽内の壁面では蒸発量の比が一方にかたよった被膜
を形成する。このようにして得られる蒸発量の比のかた
よった膜は付着力が弱く剥がれやすい。そこで蒸発源の
噴き出し口から蒸発した原料モノマ−を1つの加熱した
槽に取り込み、モノマ−の混合蒸気として基体上に噴出
させることにより、噴き出し口からの吹き出し方向に影
響されないで、原料モノマーの蒸発量の比に比例した被
膜を形成することができる。この時、槽内壁への原料モ
ノマ−の付着を防ぐため、槽内壁は原料モノマ−の蒸発
源温度のうち最も高い温度以上に加熱される。このよう
にして壁内壁に生成した被膜は内壁から剥がれにくく、
素子特性の劣化の原因となるダストの発生を防ぐことが
できることとなる。
【0011】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【0012】図1に本発明の合成樹脂被膜の製造装置の
構成を示す。図に示すように真空排気系1に接続された
真空槽2内には合成樹脂被膜を形成するための基体3が
基体ホルダ−4によって下向きに保持されている。また
真空槽2の下部には、原料モノマ−を蒸発させるための
蒸発源5が設けられ、ヒ−タ−(図示せず)と熱電対(
図示せず)とによって原料モノマ−の蒸発量が一定とな
る所定温度に制御される。混合槽6は蒸発源5の噴き出
し口と接続され、ヒ−タ−(図示せず)と熱電対(図示
せず)とによって所定温度に制御される。混合槽6上部
の噴き出し口8と基体3との間にはシャッタ−7が設け
られ、シャッター7の開閉により基体3に形成される膜
厚が調整される。
構成を示す。図に示すように真空排気系1に接続された
真空槽2内には合成樹脂被膜を形成するための基体3が
基体ホルダ−4によって下向きに保持されている。また
真空槽2の下部には、原料モノマ−を蒸発させるための
蒸発源5が設けられ、ヒ−タ−(図示せず)と熱電対(
図示せず)とによって原料モノマ−の蒸発量が一定とな
る所定温度に制御される。混合槽6は蒸発源5の噴き出
し口と接続され、ヒ−タ−(図示せず)と熱電対(図示
せず)とによって所定温度に制御される。混合槽6上部
の噴き出し口8と基体3との間にはシャッタ−7が設け
られ、シャッター7の開閉により基体3に形成される膜
厚が調整される。
【0013】つぎに、図1の装置を用いた重付加反応に
よる尿素樹脂被膜の製造方法の1例を説明する。
よる尿素樹脂被膜の製造方法の1例を説明する。
【0014】蒸発源容器5に融点91℃の4、4’メチ
レン・ジアニリン(MDA)を、もう一方の蒸発源容器
に融点39℃の4、4’ジフェニル・メタン・ジイソシ
アネ−ト(MDI)を充填し、シャッタ−7を閉じた状
態で真空槽2内の雰囲気ガスの全圧が1×10−3Pa
以下になるまで、真空排気系1により排気する。次いで
蒸発源容器5のヒ−タ−を制御して、MDAを115±
1℃に、MDIを85±1℃に加熱した。そして混合槽
6はヒ−タ−により150℃±1℃に加熱した。また基
体は基体の中心が混合槽の噴き出し口の真上にくるよう
に配置した。このときの真空槽2内の雰囲気ガスの全圧
は4×10−3Paであった。つぎにシャッタ−7を1
20秒間あけて10cm角の大きさの基体3上に混合槽
6の噴き出し口8から噴出する蒸気を差し向けて、厚さ
約1μmの尿素樹脂膜(合成樹脂被膜)Aを得た。
レン・ジアニリン(MDA)を、もう一方の蒸発源容器
に融点39℃の4、4’ジフェニル・メタン・ジイソシ
アネ−ト(MDI)を充填し、シャッタ−7を閉じた状
態で真空槽2内の雰囲気ガスの全圧が1×10−3Pa
以下になるまで、真空排気系1により排気する。次いで
蒸発源容器5のヒ−タ−を制御して、MDAを115±
1℃に、MDIを85±1℃に加熱した。そして混合槽
6はヒ−タ−により150℃±1℃に加熱した。また基
体は基体の中心が混合槽の噴き出し口の真上にくるよう
に配置した。このときの真空槽2内の雰囲気ガスの全圧
は4×10−3Paであった。つぎにシャッタ−7を1
20秒間あけて10cm角の大きさの基体3上に混合槽
6の噴き出し口8から噴出する蒸気を差し向けて、厚さ
約1μmの尿素樹脂膜(合成樹脂被膜)Aを得た。
【0015】上記の本発明の実施例と比較するために、
比較例として図2に混合槽を除去した状態の製造装置の
構成を示す。図に示すように真空排気系11に接続され
た真空槽12内には合成樹脂被膜を形成するための基体
13が基体ホルダ−14によって下向きに保持されてい
る。また真空槽12の下部には、原料モノマ−を蒸発さ
せるための蒸発源15が設けられ、ヒ−タ−(図示せず
)と熱電対(図示せず)とによって原料モノマ−の蒸発
量が一定となる所定温度に制御される。噴き出し口18
と基体13との間にはシャッタ−17が設けられ、シャ
ッター17の開閉により基体13に形成される膜厚が調
整される。この装置では基体13を両蒸発源の噴き出し
口18(間隔:8cm)の中央の真上に配して、その他
の条件は全く同様にして、比較例としての尿素樹脂被膜
Bを作成した。
比較例として図2に混合槽を除去した状態の製造装置の
構成を示す。図に示すように真空排気系11に接続され
た真空槽12内には合成樹脂被膜を形成するための基体
13が基体ホルダ−14によって下向きに保持されてい
る。また真空槽12の下部には、原料モノマ−を蒸発さ
せるための蒸発源15が設けられ、ヒ−タ−(図示せず
)と熱電対(図示せず)とによって原料モノマ−の蒸発
量が一定となる所定温度に制御される。噴き出し口18
と基体13との間にはシャッタ−17が設けられ、シャ
ッター17の開閉により基体13に形成される膜厚が調
整される。この装置では基体13を両蒸発源の噴き出し
口18(間隔:8cm)の中央の真上に配して、その他
の条件は全く同様にして、比較例としての尿素樹脂被膜
Bを作成した。
【0016】本実施例により得られる、基体3の中心点
を含み、両蒸発源噴き出し口を結んだ方向の尿素樹脂膜
Aの膜厚分布と、比較例による尿素樹脂膜Bの膜厚分布
を図3に比較して示す。ただし、膜厚は各基体内の測定
膜厚の最大値を1とした相対膜厚値で示している。
を含み、両蒸発源噴き出し口を結んだ方向の尿素樹脂膜
Aの膜厚分布と、比較例による尿素樹脂膜Bの膜厚分布
を図3に比較して示す。ただし、膜厚は各基体内の測定
膜厚の最大値を1とした相対膜厚値で示している。
【0017】図3から明らかなように、実施例の尿素樹
脂膜Aは基体内で均一な膜厚分布を形成しているのに対
して、比較例の尿素樹脂膜Bは蒸気圧の低いMDAの蒸
発源のほうによった不均一な膜厚分布となっている。
脂膜Aは基体内で均一な膜厚分布を形成しているのに対
して、比較例の尿素樹脂膜Bは蒸気圧の低いMDAの蒸
発源のほうによった不均一な膜厚分布となっている。
【0018】また、本実施例で使用するMDAとMDI
から得られる尿素樹脂は、膜組成がMDA成分が多くな
ると耐熱性が低下し、MDI成分多くなると電気的な特
性が低下する。そこで、本実施例で得られた合成樹脂被
膜の組成比を赤外分光計で分析したところ、尿素樹脂膜
Aは基体内でMDAとMDIの組成比は適正でありかつ
均一であったのに対して、比較例の尿素樹脂膜Bは組成
のかたよりが見られ、MDIに近い基体の端部では電気
的な特性が劣化した膜を形成していた。
から得られる尿素樹脂は、膜組成がMDA成分が多くな
ると耐熱性が低下し、MDI成分多くなると電気的な特
性が低下する。そこで、本実施例で得られた合成樹脂被
膜の組成比を赤外分光計で分析したところ、尿素樹脂膜
Aは基体内でMDAとMDIの組成比は適正でありかつ
均一であったのに対して、比較例の尿素樹脂膜Bは組成
のかたよりが見られ、MDIに近い基体の端部では電気
的な特性が劣化した膜を形成していた。
【0019】さらに実施例および比較例の成膜後に真空
槽壁面に付着した被膜状態を観察したところ、実施例の
合成樹脂皮膜を成膜した後には、壁面に付着力の強い被
膜を形成しているのに対して、比較例の場合、白濁した
付着力の弱い剥がれやすい被膜を壁面に形成していた。
槽壁面に付着した被膜状態を観察したところ、実施例の
合成樹脂皮膜を成膜した後には、壁面に付着力の強い被
膜を形成しているのに対して、比較例の場合、白濁した
付着力の弱い剥がれやすい被膜を壁面に形成していた。
【0020】以上説明したように本実施例によれば、原
料モノマ−蒸発源から噴出した原料モノマ−を1つの加
熱した槽に取り込み、原料モノマ−の混合蒸気を基体上
に噴出させることにより、基体上に生成する皮膜の膜厚
および膜組成比が均一になり、真空槽の壁面への剥がれ
やすい被膜の付着を防止することができる。 なお本
実施例では、合成樹脂として尿素樹脂を用いた場合を説
明したが、合成樹脂としてポリイミド樹脂用いても同様
の結果が得られることはいうまでもない。
料モノマ−蒸発源から噴出した原料モノマ−を1つの加
熱した槽に取り込み、原料モノマ−の混合蒸気を基体上
に噴出させることにより、基体上に生成する皮膜の膜厚
および膜組成比が均一になり、真空槽の壁面への剥がれ
やすい被膜の付着を防止することができる。 なお本
実施例では、合成樹脂として尿素樹脂を用いた場合を説
明したが、合成樹脂としてポリイミド樹脂用いても同様
の結果が得られることはいうまでもない。
【0021】
【発明の効果】上記の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明によれば、真空中で2種以上の合成樹脂原料モ
ノマ−を蒸発させ、これを基体上で重合させて合成樹脂
被膜を形成する製膜方法において、原料モノマ−蒸発源
から噴出した原料モノマ−を1つの加熱した混合槽に取
り込み、原料モノマ−の混合蒸気を基体上に噴出させる
ことにより、膜厚と膜組成比を均一な状態で製膜できる
。また、真空槽の壁面への剥がれやすい被膜の付着を防
止することのできる優れた合成樹脂被膜の製造方法を実
現できる。
に本発明によれば、真空中で2種以上の合成樹脂原料モ
ノマ−を蒸発させ、これを基体上で重合させて合成樹脂
被膜を形成する製膜方法において、原料モノマ−蒸発源
から噴出した原料モノマ−を1つの加熱した混合槽に取
り込み、原料モノマ−の混合蒸気を基体上に噴出させる
ことにより、膜厚と膜組成比を均一な状態で製膜できる
。また、真空槽の壁面への剥がれやすい被膜の付着を防
止することのできる優れた合成樹脂被膜の製造方法を実
現できる。
【図1】本発明の1実施例の合成樹脂被膜の製造装置の
断面図
断面図
【図2】比較例の合成樹脂被膜の製造装置の断面図
【図
3】本発明の実施例および比較例の合成樹脂被膜の膜厚
分布を示す図
3】本発明の実施例および比較例の合成樹脂被膜の膜厚
分布を示す図
1 真空排気系
2 真空槽
3 基体
4 基体ホルダ−
5 蒸発源容器
6 混合槽
7 シャッタ−
8 噴き出し口
9 原料モノマー
Claims (2)
- 【請求項1】真空中で2種以上の合成樹脂原料モノマ−
を蒸発させ、これを基体上で重合させて樹脂被膜を形成
する方法において、各原料モノマ−蒸発源から噴出した
原料モノマ−を1つの加熱した槽に取り込み、原料モノ
マ−の混合蒸気を基体上に噴出させて重合させるように
した合成樹脂被膜の製造方法。 - 【請求項2】合成樹脂被膜がジイソシアネ−トとジアミ
ンとの重付加反応によって形成される尿素樹脂である請
求項1記載の合成樹脂被膜の製造方法。 【請求請3】合成樹脂被膜がジアミンと酸二無水物との
加熱重合反応によって形成されるポリイミド樹脂である
請求項1記載の合成樹脂被膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11296991A JPH04341559A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 合成樹脂被膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11296991A JPH04341559A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 合成樹脂被膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04341559A true JPH04341559A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14600086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11296991A Pending JPH04341559A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 合成樹脂被膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04341559A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009270134A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | フラッシュ蒸着方法及び装置 |
JP2011001617A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
CN109252139A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-01-22 | 北京空间机电研究所 | 一种光学元件的镀膜装置及镀膜方法 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11296991A patent/JPH04341559A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009270134A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | フラッシュ蒸着方法及び装置 |
JP2011001617A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
CN109252139A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-01-22 | 北京空间机电研究所 | 一种光学元件的镀膜装置及镀膜方法 |
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