JPH04236769A - 成膜装置 - Google Patents
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- JPH04236769A JPH04236769A JP383391A JP383391A JPH04236769A JP H04236769 A JPH04236769 A JP H04236769A JP 383391 A JP383391 A JP 383391A JP 383391 A JP383391 A JP 383391A JP H04236769 A JPH04236769 A JP H04236769A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜装置に関し、更に
詳細には高分子膜の複数の原料モノマーを蒸発させて基
板上に高分子膜を形成する際に用いる成膜装置に関する
。
詳細には高分子膜の複数の原料モノマーを蒸発させて基
板上に高分子膜を形成する際に用いる成膜装置に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の成膜装置としては、図５
に示すように真空処理室ａ内を真空排気系ｂに接続し、
該真空処理室ａ内の下方に高分子膜の原料モノマーｘ，
ｙを蒸発させるヒーターｃを備える蒸発源ｄ，ｅを仕切
板ｆを介在させて配置し、真空処理室ａ内の上方に該蒸
発源ｄ，ｅの対向する位置に基板ｇを保持する基板保持
装置をｈを配置した装置、或いは図６に示すように真空
処理室ａ内を真空排気系ｂに接続し、該真空処理室ａ外
方に高分子膜の原料モノマーｉ，ｊを蒸発させるヒータ
ーｋ，ｌを備える外部蒸発源ｍ，ｎを配置し、真空処理
室ａ内と外部蒸発源ｍ，ｎを夫々ヒーターｋ，ｌを備え
る導入管ｏ，ｐで接続し、該真空処理室ａ内に導入管ｏ
，ｐに連なる原料モノマーの蒸発口ｑ，ｒを配設し、真
空処理室ａ内の上方に該蒸発口ｑ，ｒの対向する位置に
基板ｇを保持する基板保持装置をｈを配置した成膜装置
が知られている。そして、前記図５に示す装置で高分子
膜を形成する場合は、所定圧に減圧した真空処理室ａ内
で蒸発源ｄ，ｅにより原料モノマーｘ，ｙを蒸発させ、
これを基板ｇ上で蒸着重合させて高分子膜を形成するも
のである。また、図６に示す装置で高分子膜を形成する
場合は、所定圧に減圧した真空処理室ａ内に外部蒸発源
ｍ，ｎにより原料モノマーｉ，ｊを蒸発させ、これを導
入管ｏ，ｐを介して蒸発口ｑ，ｒにより導入して、基板
ｇ上で蒸着重合させて高分子膜を形成するものである。
に示すように真空処理室ａ内を真空排気系ｂに接続し、
該真空処理室ａ内の下方に高分子膜の原料モノマーｘ，
ｙを蒸発させるヒーターｃを備える蒸発源ｄ，ｅを仕切
板ｆを介在させて配置し、真空処理室ａ内の上方に該蒸
発源ｄ，ｅの対向する位置に基板ｇを保持する基板保持
装置をｈを配置した装置、或いは図６に示すように真空
処理室ａ内を真空排気系ｂに接続し、該真空処理室ａ外
方に高分子膜の原料モノマーｉ，ｊを蒸発させるヒータ
ーｋ，ｌを備える外部蒸発源ｍ，ｎを配置し、真空処理
室ａ内と外部蒸発源ｍ，ｎを夫々ヒーターｋ，ｌを備え
る導入管ｏ，ｐで接続し、該真空処理室ａ内に導入管ｏ
，ｐに連なる原料モノマーの蒸発口ｑ，ｒを配設し、真
空処理室ａ内の上方に該蒸発口ｑ，ｒの対向する位置に
基板ｇを保持する基板保持装置をｈを配置した成膜装置
が知られている。そして、前記図５に示す装置で高分子
膜を形成する場合は、所定圧に減圧した真空処理室ａ内
で蒸発源ｄ，ｅにより原料モノマーｘ，ｙを蒸発させ、
これを基板ｇ上で蒸着重合させて高分子膜を形成するも
のである。また、図６に示す装置で高分子膜を形成する
場合は、所定圧に減圧した真空処理室ａ内に外部蒸発源
ｍ，ｎにより原料モノマーｉ，ｊを蒸発させ、これを導
入管ｏ，ｐを介して蒸発口ｑ，ｒにより導入して、基板
ｇ上で蒸着重合させて高分子膜を形成するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記成膜装置は、いず
れの場合も原料モノマーを加熱し、蒸発させる蒸発源ｄ
，ｅまたは外部蒸発源ｍ，ｎよりの蒸発口ｑ，ｒと、基
板ｇとの間が離れているため、基板上に蒸着、重合する
高分子膜の組成分布が不均一になりやすく、また、高分
子膜の原料モノマーが反応性の小さい（反応速度の小さ
い）場合には基板上で蒸着、重合する原料モノマーの運
動エネルギーが小さいため、基板上に形成される高分子
膜の重合度が小さく、膜の耐熱性が低くなるという問題
がある。また図５に示すように高分子膜を構成する原料
モノマーが２種類ｘ，ｙの場合には独立した２個の蒸発
源ｄ，ｅで夫々の原料モノマーを加熱し、蒸発させるの
で、基板ｇ上に蒸着するモノマーが基板の位置で例えば
図７に示すように図示の左側部分Ｘでは原料モノマーｘ
が多い高分子膜Ｆｘが、また図示の右側部分Ｙでは例え
ば原料モノマーｙが多い高分子膜Ｆｙが、図示の中央部
分Ｚで所定組成の高分子膜Ｆｚというように高分子膜の
組成分布が異なるという問題がある。本発明は、かかる
問題点を解消した成膜装置を提供することを目的とする
。
れの場合も原料モノマーを加熱し、蒸発させる蒸発源ｄ
，ｅまたは外部蒸発源ｍ，ｎよりの蒸発口ｑ，ｒと、基
板ｇとの間が離れているため、基板上に蒸着、重合する
高分子膜の組成分布が不均一になりやすく、また、高分
子膜の原料モノマーが反応性の小さい（反応速度の小さ
い）場合には基板上で蒸着、重合する原料モノマーの運
動エネルギーが小さいため、基板上に形成される高分子
膜の重合度が小さく、膜の耐熱性が低くなるという問題
がある。また図５に示すように高分子膜を構成する原料
モノマーが２種類ｘ，ｙの場合には独立した２個の蒸発
源ｄ，ｅで夫々の原料モノマーを加熱し、蒸発させるの
で、基板ｇ上に蒸着するモノマーが基板の位置で例えば
図７に示すように図示の左側部分Ｘでは原料モノマーｘ
が多い高分子膜Ｆｘが、また図示の右側部分Ｙでは例え
ば原料モノマーｙが多い高分子膜Ｆｙが、図示の中央部
分Ｚで所定組成の高分子膜Ｆｚというように高分子膜の
組成分布が異なるという問題がある。本発明は、かかる
問題点を解消した成膜装置を提供することを目的とする
。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の成膜装置は、真
空処理室内に高分子膜の複数の原料モノマーを夫々蒸発
させる蒸発源または外部蒸発源からの蒸発口と、各蒸発
源または各外部蒸発源からの蒸発口からの原料モノマー
の蒸着重合で高分子膜が形成される基板を基板保持装置
に配置した成膜装置において、前記各蒸発源または各外
部蒸発源からの蒸発口に夫々原料モノマー蒸気の輸送管
を配置し、該各輸送管の先端部分を基板の近傍で結合し
てモノマー蒸気を合流、混合するノズルに形成し、該ノ
ズルの先端を基板に近接して配置したことを特徴とする
。
空処理室内に高分子膜の複数の原料モノマーを夫々蒸発
させる蒸発源または外部蒸発源からの蒸発口と、各蒸発
源または各外部蒸発源からの蒸発口からの原料モノマー
の蒸着重合で高分子膜が形成される基板を基板保持装置
に配置した成膜装置において、前記各蒸発源または各外
部蒸発源からの蒸発口に夫々原料モノマー蒸気の輸送管
を配置し、該各輸送管の先端部分を基板の近傍で結合し
てモノマー蒸気を合流、混合するノズルに形成し、該ノ
ズルの先端を基板に近接して配置したことを特徴とする
。
【０００５】
【作用】真空処理室内で各蒸発源または各外部蒸発源の
蒸発口より夫々原料モノマーを蒸発させるとこれら複数
の原料モノマーは基板上で蒸着、重合して高分子膜を形
成する。この場合、蒸発源または外部蒸発源の蒸発口よ
りの複数の原料モノマーの蒸気は夫々の輸送管を介して
基板付近まで輸送され、輸送管の先端部分に形成したノ
ズルで合流、混合されて、該ノズルの先端から基板に蒸
着、重合して基板上に組成分布が均一な高分子膜を形成
する。
蒸発口より夫々原料モノマーを蒸発させるとこれら複数
の原料モノマーは基板上で蒸着、重合して高分子膜を形
成する。この場合、蒸発源または外部蒸発源の蒸発口よ
りの複数の原料モノマーの蒸気は夫々の輸送管を介して
基板付近まで輸送され、輸送管の先端部分に形成したノ
ズルで合流、混合されて、該ノズルの先端から基板に蒸
着、重合して基板上に組成分布が均一な高分子膜を形成
する。
【０００６】
【実施例】以下添付図面に従って本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明装置の１例を示すものであり
、図中、１は真空処理室を示す。該真空処理室１内を真
空ポンプなどの真空排気系２に接続した。そして真空処
理室１内の下方に高分子膜の原料モノマーＡ，Ｂを蒸発
させるためのガラス製または金属製容器から成る蒸発源
３，３を設け、該蒸発源３の周囲に巻回したヒーター４
によって前記原料モノマーＡ，Ｂを所定温度に加熱出来
るようにした。また、真空処理室１内の上方に蒸発源３
に対向させて高分子膜を形成せしめるべき基板５を基板
保持装置６によって下向きに保持するようにした。かか
る構成は従来の成膜装置と特に変わるところはないが、
本発明の装置は、各蒸発源３，３に夫々蒸発源３で蒸発
する原料モノマーＡ，Ｂの蒸気のステンレス製の輸送管
７，７を配置すると共に、夫々の輸送管７の先端部分に
両原料モノマーＡ，Ｂの蒸気を合流、混合させるステン
レス製のノズル８を形成し、該ノズル８の先端を基板５
に近接して配置した。また、輸送管７およびノズル８の
周囲に夫々蒸発源３のヒーター４とは独立したヒーター
９を巻回配設した。また、基板５を基板保持装置６に保
持された状態で水平方向（矢印方向）に移動自在とした
。尚、図中１０は基板５の直前に配置したシャッタを示
す。
て説明する。図１は本発明装置の１例を示すものであり
、図中、１は真空処理室を示す。該真空処理室１内を真
空ポンプなどの真空排気系２に接続した。そして真空処
理室１内の下方に高分子膜の原料モノマーＡ，Ｂを蒸発
させるためのガラス製または金属製容器から成る蒸発源
３，３を設け、該蒸発源３の周囲に巻回したヒーター４
によって前記原料モノマーＡ，Ｂを所定温度に加熱出来
るようにした。また、真空処理室１内の上方に蒸発源３
に対向させて高分子膜を形成せしめるべき基板５を基板
保持装置６によって下向きに保持するようにした。かか
る構成は従来の成膜装置と特に変わるところはないが、
本発明の装置は、各蒸発源３，３に夫々蒸発源３で蒸発
する原料モノマーＡ，Ｂの蒸気のステンレス製の輸送管
７，７を配置すると共に、夫々の輸送管７の先端部分に
両原料モノマーＡ，Ｂの蒸気を合流、混合させるステン
レス製のノズル８を形成し、該ノズル８の先端を基板５
に近接して配置した。また、輸送管７およびノズル８の
周囲に夫々蒸発源３のヒーター４とは独立したヒーター
９を巻回配設した。また、基板５を基板保持装置６に保
持された状態で水平方向（矢印方向）に移動自在とした
。尚、図中１０は基板５の直前に配置したシャッタを示
す。
【０００７】次に、図１に示す装置を用い、高分子膜と
してポリ尿素膜の作成例を説明する。先ず、原料モノマ
ーの蒸発源３，３の一方に原料モノマーＡとして４，４
′−ジフェニルメタンジイソシアネート（以下ＭＤＩと
いう）を、他方に原料モノマーＢとして４，４′−ジア
ミノジフェニルメタン（以下ＭＤＡという）を充填し、
シャッタ１０を閉じた状態で真空処理室１内を真空排気
系２を介した１×１０− ５Ｔｏｒｒに設定した。次に
レートモニタ（図示せず）で蒸発源３，３からの各原料
モノマーＡ，Ｂの蒸発レートを測定しながら、ヒーター
４でＭＤＩを９０±２℃に、またＭＤＡを１１０±２℃
に加熱し、この時ＭＤＩとＭＤＡの比率が１；１のモル
比で蒸発するように真空処理室１内の圧力を２×１０−
５Ｔｏｒｒに設定した。また、各輸送管７およびノズ
ル８を夫々ヒーター９で２００±５℃に加熱した。続い
て各原料モノマーが所定温度に達して所要の蒸発レート
が得られた後、シャッタ１０を開き、基板５上に両輸送
管７内を経て、ノズル８（ノズル口径は１０ｍｍ角）内
で合流、混合された原料モノマーＡ，Ｂを５０Å／秒・
ｃｍの析出速度で蒸着させた。尚、基板は大きさ３０ｃ
ｍ角の厚さ１０００Åのアルミニウムをコーティングし
たガラス板を用い、またノズル８の先端と基板５との間
隔は５０ｍｍとした。また、先ず基板５の右側縁にノズ
ル８の先端を合わせ、基板５を１０ｃｍ／分のスピード
で右側に移動させながら基板５上の右側縁から左側縁に
亘って直線状の高分子膜Ｆを形成した。そして基板５上
に形成された高分子膜Ｆ（ここではポリ尿素膜）の赤外
吸収スペクトル分析したところ基板５上に成膜した全体
に亘って同一のスペクトルであった。尚、各輸送管７を
例えばステンレス製のベローズのような可撓性材料で構
成し、基板５を一定位置に固定し、ノズル８を移動させ
て基板５上に高分子膜Ｆを形成するようにしてもよい。
してポリ尿素膜の作成例を説明する。先ず、原料モノマ
ーの蒸発源３，３の一方に原料モノマーＡとして４，４
′−ジフェニルメタンジイソシアネート（以下ＭＤＩと
いう）を、他方に原料モノマーＢとして４，４′−ジア
ミノジフェニルメタン（以下ＭＤＡという）を充填し、
シャッタ１０を閉じた状態で真空処理室１内を真空排気
系２を介した１×１０− ５Ｔｏｒｒに設定した。次に
レートモニタ（図示せず）で蒸発源３，３からの各原料
モノマーＡ，Ｂの蒸発レートを測定しながら、ヒーター
４でＭＤＩを９０±２℃に、またＭＤＡを１１０±２℃
に加熱し、この時ＭＤＩとＭＤＡの比率が１；１のモル
比で蒸発するように真空処理室１内の圧力を２×１０−
５Ｔｏｒｒに設定した。また、各輸送管７およびノズ
ル８を夫々ヒーター９で２００±５℃に加熱した。続い
て各原料モノマーが所定温度に達して所要の蒸発レート
が得られた後、シャッタ１０を開き、基板５上に両輸送
管７内を経て、ノズル８（ノズル口径は１０ｍｍ角）内
で合流、混合された原料モノマーＡ，Ｂを５０Å／秒・
ｃｍの析出速度で蒸着させた。尚、基板は大きさ３０ｃ
ｍ角の厚さ１０００Åのアルミニウムをコーティングし
たガラス板を用い、またノズル８の先端と基板５との間
隔は５０ｍｍとした。また、先ず基板５の右側縁にノズ
ル８の先端を合わせ、基板５を１０ｃｍ／分のスピード
で右側に移動させながら基板５上の右側縁から左側縁に
亘って直線状の高分子膜Ｆを形成した。そして基板５上
に形成された高分子膜Ｆ（ここではポリ尿素膜）の赤外
吸収スペクトル分析したところ基板５上に成膜した全体
に亘って同一のスペクトルであった。尚、各輸送管７を
例えばステンレス製のベローズのような可撓性材料で構
成し、基板５を一定位置に固定し、ノズル８を移動させ
て基板５上に高分子膜Ｆを形成するようにしてもよい。
【０００８】前記実施例と比較するために輸送管７、ノ
ズル８、ヒーター９を備えない図５に示す従来装置を用
いた以外は、前記図１実施例と同一条件で基板上に高分
子膜を形成した。尚、蒸発源と基板の間隔は４００ｍｍ
であった。そして基板上に形成された高分子膜（ここで
はポリ尿素膜）の赤外吸収スペクトル分析したところ、
図７に示すように基板ｇの中央部分Ｚの高分子膜Ｆｚは
本発明装置を用いた場合と同様の組成の高分子膜Ｆを示
すスペクトルであったのに対し、基板ｇの左側部分Ｘの
高分子膜ＦｘはＭＤＩが極めて多量に存在することを示
すスペクトルであり、基板ｇの右側部分Ｙの高分子膜Ｆ
ｙはＭＤＡが極めて多量に存在することを示すスペクト
ルであった。即ち基板上に形成された高分子膜は組成分
布が異なる膜であった。従って、本発明実施例装置では
、組成分布が均一な高分子膜を形成させ得ることが確認
された。また、本発明装置で基板上に得られたポリ尿素
膜と、従来装置で基板上に得られたポリ尿素膜の耐熱性
を調べたところ、本発明装置で得られたポリ尿素膜の分
解開始温度は２７０℃であったのに対し、従来装置で得
られたポリ尿素膜の分解開始温度は２００℃であった。 これは本発明装置で得られたポリ尿素膜はその組成分布
が均一であり、またモノマーの持つ運動エネルギーが高
いため、基板上でブラウン運動が盛んで、反応確率が向
上することにより高分子量化して膜の耐熱性が向上した
ためと考えられる。
ズル８、ヒーター９を備えない図５に示す従来装置を用
いた以外は、前記図１実施例と同一条件で基板上に高分
子膜を形成した。尚、蒸発源と基板の間隔は４００ｍｍ
であった。そして基板上に形成された高分子膜（ここで
はポリ尿素膜）の赤外吸収スペクトル分析したところ、
図７に示すように基板ｇの中央部分Ｚの高分子膜Ｆｚは
本発明装置を用いた場合と同様の組成の高分子膜Ｆを示
すスペクトルであったのに対し、基板ｇの左側部分Ｘの
高分子膜ＦｘはＭＤＩが極めて多量に存在することを示
すスペクトルであり、基板ｇの右側部分Ｙの高分子膜Ｆ
ｙはＭＤＡが極めて多量に存在することを示すスペクト
ルであった。即ち基板上に形成された高分子膜は組成分
布が異なる膜であった。従って、本発明実施例装置では
、組成分布が均一な高分子膜を形成させ得ることが確認
された。また、本発明装置で基板上に得られたポリ尿素
膜と、従来装置で基板上に得られたポリ尿素膜の耐熱性
を調べたところ、本発明装置で得られたポリ尿素膜の分
解開始温度は２７０℃であったのに対し、従来装置で得
られたポリ尿素膜の分解開始温度は２００℃であった。 これは本発明装置で得られたポリ尿素膜はその組成分布
が均一であり、またモノマーの持つ運動エネルギーが高
いため、基板上でブラウン運動が盛んで、反応確率が向
上することにより高分子量化して膜の耐熱性が向上した
ためと考えられる。
【０００９】図３は本発明装置の他の実施例を示すもの
であり、図中、１１は真空処理室を示す。該真空処理室
１１内を真空ポンプなどの真空排気系１２に接続した。 そして真空処理室１１外方に高分子膜の原料モノマーＡ
，Ｂを蒸発させるためのガラス製または金属製容器から
成る蒸発源１３，１３を設け、該蒸発源１３の周囲に巻
回したヒーター１４によって前記原料モノマーＡ，Ｂを
所定温度に加熱出来るようにした。また、真空処理室１
内と各蒸発源１３，１３を夫々モノマー導入管１５で接
続し、真空処理室１１内にモノマー導入管１５に連なる
原料モノマーの蒸発口１６，１６を設け、更に各導入管
１５の周囲に巻回したヒーター１７によって蒸発源１３
から蒸発する原料モノマーＡ，Ｂを所定温度に保持する
ようにした。また、真空処理室１内の上方に蒸発口１６
に対向させて高分子膜を形成せしめるべき基板１８を基
板保持装置１９に保持するようにした。かかる構成は従
来の成膜装置と特に変わるところはないが、図３に示す
本発明装置は、基板保持装置１９を回転自在な密閉型筒
体に構成すると共に、該基板保持装置１９の周壁に複数
個の基板１８を保持できるようにし、更に、該基板保持
装置１９に一定温度の液体（例えば温度３０℃の恒温水
）を循環させる循環パイプ２０を介して循環ポンプ２１
を接続し、該循環ポンプ２１で該恒温水を循環させて基
板保持装置１９の周壁に保持される基板１８を所定温度
に維持出来るようにした。また、蒸発口１６，１６に各
外部蒸発源１３，１３で加熱され、蒸発する原料モノマ
ーの蒸気を基板１８側に輸送するステンレス製の輸送管
２２，２２を配置すると共に、各輸送管２２に夫々ステ
ンレス製の分岐輸送管２３，２４を設け、更に一方の分
岐輸送管２３と他方の分岐輸送管２４の先端部分を結合
して両原料モノマーの蒸気を合流、混合させるステンレ
ス製のノズル２５を形成し、該ノズル２５の夫々を前記
基板保持装置１９に保持された複数個の基板のうち２個
の基板１８に近接して配置した。また、輸送管２２、分
岐輸送管２３，２４およびノズル２５に夫々蒸発源１３
のヒーター１４とは独立したヒーター２６を巻回配設し
た。尚、図中、２７は基板１８の直前に配置したシャッ
タを示す。前記図３に示す装置を用い、図１実施例と同
一条件で基板保持装置１９に保持された複数個の基板１
８に夫々ポリ尿素膜を形成した後、図１実施例と同様方
法で赤外線吸収スペクトルを調べたところ、各基板上に
形成された高分子膜は全て同一の赤外線吸収スペクトル
であった。前記各実施例ではポリ尿素膜の形成について
説明したが、本願装置はこれに限定されるものではなく
、ポリイミド膜、ポリアミド膜、その他の高分子膜の形
成にも広く応用出来る。
であり、図中、１１は真空処理室を示す。該真空処理室
１１内を真空ポンプなどの真空排気系１２に接続した。 そして真空処理室１１外方に高分子膜の原料モノマーＡ
，Ｂを蒸発させるためのガラス製または金属製容器から
成る蒸発源１３，１３を設け、該蒸発源１３の周囲に巻
回したヒーター１４によって前記原料モノマーＡ，Ｂを
所定温度に加熱出来るようにした。また、真空処理室１
内と各蒸発源１３，１３を夫々モノマー導入管１５で接
続し、真空処理室１１内にモノマー導入管１５に連なる
原料モノマーの蒸発口１６，１６を設け、更に各導入管
１５の周囲に巻回したヒーター１７によって蒸発源１３
から蒸発する原料モノマーＡ，Ｂを所定温度に保持する
ようにした。また、真空処理室１内の上方に蒸発口１６
に対向させて高分子膜を形成せしめるべき基板１８を基
板保持装置１９に保持するようにした。かかる構成は従
来の成膜装置と特に変わるところはないが、図３に示す
本発明装置は、基板保持装置１９を回転自在な密閉型筒
体に構成すると共に、該基板保持装置１９の周壁に複数
個の基板１８を保持できるようにし、更に、該基板保持
装置１９に一定温度の液体（例えば温度３０℃の恒温水
）を循環させる循環パイプ２０を介して循環ポンプ２１
を接続し、該循環ポンプ２１で該恒温水を循環させて基
板保持装置１９の周壁に保持される基板１８を所定温度
に維持出来るようにした。また、蒸発口１６，１６に各
外部蒸発源１３，１３で加熱され、蒸発する原料モノマ
ーの蒸気を基板１８側に輸送するステンレス製の輸送管
２２，２２を配置すると共に、各輸送管２２に夫々ステ
ンレス製の分岐輸送管２３，２４を設け、更に一方の分
岐輸送管２３と他方の分岐輸送管２４の先端部分を結合
して両原料モノマーの蒸気を合流、混合させるステンレ
ス製のノズル２５を形成し、該ノズル２５の夫々を前記
基板保持装置１９に保持された複数個の基板のうち２個
の基板１８に近接して配置した。また、輸送管２２、分
岐輸送管２３，２４およびノズル２５に夫々蒸発源１３
のヒーター１４とは独立したヒーター２６を巻回配設し
た。尚、図中、２７は基板１８の直前に配置したシャッ
タを示す。前記図３に示す装置を用い、図１実施例と同
一条件で基板保持装置１９に保持された複数個の基板１
８に夫々ポリ尿素膜を形成した後、図１実施例と同様方
法で赤外線吸収スペクトルを調べたところ、各基板上に
形成された高分子膜は全て同一の赤外線吸収スペクトル
であった。前記各実施例ではポリ尿素膜の形成について
説明したが、本願装置はこれに限定されるものではなく
、ポリイミド膜、ポリアミド膜、その他の高分子膜の形
成にも広く応用出来る。
【００１０】図４は本発明装置において基板に近接配置
するノズルの他の実施例を示すものであり、図示例では
各輸送管７の先端部分を結合して形成されるノズル８を
、その先端を外方に拡大した大口径の方形状に形成し、
該大口径のノズル８の先端部８ａを部分的に方形状開口
部を穿設した複数の小口径ノズル２８を備えるマスク状
に形成したものである。図４に示す小口径ノズル２８を
備えるノズル８を用いると基板５の必要個所のみに直接
高分子膜Ｆを形成することが出来る。また、従来装置の
ような基板の全面近傍に別個の膜形成用マスクを配設し
なくてもよいから構造が簡単であり、またモノマー蒸気
の出口とマスクとの間が離れていないからマスクに異物
が付着することがない。図示例ではノズル８および小口
径ノズル２８の形状を方形状としたが、これらの形状は
方形状に限定されるものではなく、基板５上に形成させ
る高分子膜Ｆの形状に対応した円形、多角形、環状形等
、或いはこれら形状を組み合わせた形状とすればよい。
するノズルの他の実施例を示すものであり、図示例では
各輸送管７の先端部分を結合して形成されるノズル８を
、その先端を外方に拡大した大口径の方形状に形成し、
該大口径のノズル８の先端部８ａを部分的に方形状開口
部を穿設した複数の小口径ノズル２８を備えるマスク状
に形成したものである。図４に示す小口径ノズル２８を
備えるノズル８を用いると基板５の必要個所のみに直接
高分子膜Ｆを形成することが出来る。また、従来装置の
ような基板の全面近傍に別個の膜形成用マスクを配設し
なくてもよいから構造が簡単であり、またモノマー蒸気
の出口とマスクとの間が離れていないからマスクに異物
が付着することがない。図示例ではノズル８および小口
径ノズル２８の形状を方形状としたが、これらの形状は
方形状に限定されるものではなく、基板５上に形成させ
る高分子膜Ｆの形状に対応した円形、多角形、環状形等
、或いはこれら形状を組み合わせた形状とすればよい。
【００１１】
【発明の効果】このように本発明によるときは、従来装
置のような各蒸発源または各外部蒸発源からの蒸発口と
基板との間が離れていないため、高分子膜の複数の原料
モノマーの蒸気を各輸送管を経て各輸送管の先端部分に
結合形成したノズルで合流、混合させた後、基板に近接
した位置の該ノズルの先端から基板上に蒸着、重合させ
ることが出来るので、組成分布が均一で耐熱性に優れた
高分子膜を容易に形成することが出来る装置を提供する
ことが出来る効果がある。また、前記基板保持装置を複
数の基板を保持する装置に形成し、また前記輸送管を分
岐された分岐輸送管に形成すると共に、各分岐輸送管の
先端部分に結合形成したノズルを該複数個の基板のいず
れかに近接して配置するときは、複数個の基板に同時に
高分子膜を形成することが出来るので、生産性に優れる
効果がある。また、前記ノズルを大口径に形成すると共
に、ノズルの先端部に細分化された小口径ノズルに形成
するときは、基板上に基板の必要個所のみに所定形状の
高分子膜を形成することが出来る効果がある。また、前
記輸送管はその周囲に独立した加熱装置を備えるときは
、蒸発源からの原料モノマーの蒸気を基板に到達させる
間に輸送管でモノマーの温度を制御することが出来るの
で原料モノマーの運動エネルギーを高めて高分子量の高
分子膜を形成することが出来る効果がある。また、前記
輸送管を可撓性材料で構成すると共に、該輸送管の先端
部分に形成されたノズルを任意位置に移動可能とすると
きは、基板を移動させることなく基板上に基板の必要個
所のみに所定形状の高分子膜を形成することが出来る効
果がある。
置のような各蒸発源または各外部蒸発源からの蒸発口と
基板との間が離れていないため、高分子膜の複数の原料
モノマーの蒸気を各輸送管を経て各輸送管の先端部分に
結合形成したノズルで合流、混合させた後、基板に近接
した位置の該ノズルの先端から基板上に蒸着、重合させ
ることが出来るので、組成分布が均一で耐熱性に優れた
高分子膜を容易に形成することが出来る装置を提供する
ことが出来る効果がある。また、前記基板保持装置を複
数の基板を保持する装置に形成し、また前記輸送管を分
岐された分岐輸送管に形成すると共に、各分岐輸送管の
先端部分に結合形成したノズルを該複数個の基板のいず
れかに近接して配置するときは、複数個の基板に同時に
高分子膜を形成することが出来るので、生産性に優れる
効果がある。また、前記ノズルを大口径に形成すると共
に、ノズルの先端部に細分化された小口径ノズルに形成
するときは、基板上に基板の必要個所のみに所定形状の
高分子膜を形成することが出来る効果がある。また、前
記輸送管はその周囲に独立した加熱装置を備えるときは
、蒸発源からの原料モノマーの蒸気を基板に到達させる
間に輸送管でモノマーの温度を制御することが出来るの
で原料モノマーの運動エネルギーを高めて高分子量の高
分子膜を形成することが出来る効果がある。また、前記
輸送管を可撓性材料で構成すると共に、該輸送管の先端
部分に形成されたノズルを任意位置に移動可能とすると
きは、基板を移動させることなく基板上に基板の必要個
所のみに所定形状の高分子膜を形成することが出来る効
果がある。
【図１】本発明装置の１実施例の概略截断面図。
【図２】本発明装置で基板上に形成された高分子膜の構
造説明図。
造説明図。
【図３】本発明装置の他の実施例の概略截断面図。
【図４】本発明装置に用いるノズルの他の実施例の構造
説明図（ａは下方からの斜視図、ｂはノズル先端部の平
面図）。
説明図（ａは下方からの斜視図、ｂはノズル先端部の平
面図）。
【図５】従来装置の概略截断面図。
【図６】従来装置の他の概略截断面図。
【図７】従来装置で基板上に形成された高分子膜の構造
説明図。
説明図。
１，１１ 真空処理室
３，１３ 蒸発源
５，１８ 基板
６，１９ 基板保持装置
７，２２ 輸送管
８，２５ ノズル
８ａ ノズルの先端部
９，２６ 加熱装置
１６ 蒸発口
２３，２４ 分岐輸送管
２８ 小口径ノズルＡ，Ｂ
原料モノマー Ｆ 高分子膜
原料モノマー Ｆ 高分子膜
Claims (5)
- 【請求項１】 真空処理室内に高分子膜の複数の原料
モノマーを夫々蒸発させる蒸発源または外部蒸発源から
の蒸発口と、各蒸発源または各外部蒸発源からの蒸発口
からの原料モノマーの蒸着重合で高分子膜が形成される
基板を基板保持装置に配置した成膜装置において、前記
各蒸発源または各外部蒸発源からの蒸発口に夫々原料モ
ノマー蒸気の輸送管を配置し、該各輸送管の先端部分を
基板の近傍で結合してモノマー蒸気を合流、混合するノ
ズルに形成し、該ノズルの先端を基板に近接して配置し
たことを特徴とする成膜装置。 - 【請求項２】 前記基板保持装置を複数の基板を保持
する装置に形成し、また前記原料モノマー蒸気の輸送管
を夫々分岐された分岐輸送管に形成すると共に、各分岐
輸送管の先端部分を基板の近傍で結合してモノマー蒸気
を合流、混合するノズルに形成し、該ノズルの先端を該
複数の基板のいずれかに近接して配置したことを特徴と
する請求項１に記載の成膜装置。 - 【請求項３】 前記ノズルを大口径に形成し、該ノズ
ルの先端部を複数に細分化して小口径のノズルに形成し
たことを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置
。 - 【請求項４】 前記輸送管はその周囲に蒸発源とは独
立した加熱装置を備えることを特徴とする請求項１ない
し３のいずれか１項に記載の成膜装置。 - 【請求項５】 前記輸送管を可撓性材料で構成し、該
輸送管の先端部分に形成されたノズルを任意位置に移動
可能としたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
か１項に記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP383391A JPH04236769A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP383391A JPH04236769A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04236769A true JPH04236769A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11568198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP383391A Pending JPH04236769A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04236769A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013203A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂蒸着ユニットおよび成膜装置 |
| JP2003027218A (ja) * | 2001-06-11 | 2003-01-29 | Applied Films Gmbh & Co Kg | 大面積基板のコーティング装置 |
| JP2006111926A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Hitachi Zosen Corp | 蒸着装置 |
| JP2007146292A (ja) * | 2002-04-01 | 2007-06-14 | Ans Inc | 気相有機物の蒸着方法とこれを利用した気相有機物の蒸着装置 |
| JP2009270134A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | フラッシュ蒸着方法及び装置 |
| JP2010159448A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2012238907A (ja) * | 2012-08-27 | 2012-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及びそのクリーニング方法 |
| JP2013155394A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Kojima Press Industry Co Ltd | 蒸着重合膜の形成方法並びに積層構造体 |
| WO2019145014A1 (en) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | Applied Materials, Inc. | Evaporator for evaporating a source material, material deposition source, deposition apparatus and methods therefor |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP383391A patent/JPH04236769A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8012260B2 (en) | 2001-06-11 | 2011-09-06 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Apparatus and method for coating an areal substrate |
| JP2003013203A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂蒸着ユニットおよび成膜装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001114 |