JPH0581666B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0581666B2 JPH0581666B2 JP30916786A JP30916786A JPH0581666B2 JP H0581666 B2 JPH0581666 B2 JP H0581666B2 JP 30916786 A JP30916786 A JP 30916786A JP 30916786 A JP30916786 A JP 30916786A JP H0581666 B2 JPH0581666 B2 JP H0581666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- polyamide resin
- raw material
- acid dichloride
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims description 28
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 27
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 13
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 8
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 8
- LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N terephthaloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=C(C(Cl)=O)C=C1 LXEJRKJRKIFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000004063 acid-resistant material Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC(C(Cl)=O)=C1 FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Polyamides (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は例えば半導体素子或いは静電チヤツク
の絶縁膜、パツシベーシヨン膜、ソフトエラー
膜、プラスチツクコンデンサの誘電体膜等に用い
るポリアミド樹脂被膜の形成方法に関する。 （従来の技術） 従来、この種ポリアミド樹脂被膜の形成方法と
しては、ポリアミド樹脂の原料モノマーを適当な
溶媒に溶かしてこれを基体上で重合させるいわゆ
る湿式法、ポリアミド樹脂ポリマー自体を基体上
に蒸着させるいわゆるポリマー蒸着法或いはポリ
アミド樹脂の原料モノマーをプラズマ状態にして
プラズマ中の基体上で重合させるプラズマ重合法
等が知られている。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前記従来法は湿式法の場合は極
めて薄い膜が得られ難く、また基体に対するポリ
アミド樹脂被膜の密着性が不十分で、しかも溶媒
の添加、除去、回収等の工程が入るために不純物
の混入が起りやすいという不都合を有し、またポ
リマー蒸着法の場合は解重合と共に分解が起つた
りして重合度が十分でないという不都合を有し、
またプラズマ重合法の場合は原料モノマー自体が
分解したりしてポリアミド樹脂の分子設計が困難
で、しかもポリアミド樹脂が架橋構造を含むため
に比較的剛直な被膜しか得られないという不都合
を有する。 そこで本出願人は先に特開昭61−78463号公報
に見られるように、例えばテレフタル酸ジクロリ
ドのような芳香族酸ジクロリドと、例えば４，
4′−ジアミノジフエニルエーテルのような芳香族
ジアミンとを用いて真空中で両モノマーを蒸発さ
せて、これを基体上で重合させてポリアミド樹脂
被膜を形成させる方法を提案して前記不都合を解
消した。 しかし上記両原料モノマーを真空中で蒸発させ
て基体上で重合を行う際、次式(1)のような
の絶縁膜、パツシベーシヨン膜、ソフトエラー
膜、プラスチツクコンデンサの誘電体膜等に用い
るポリアミド樹脂被膜の形成方法に関する。 （従来の技術） 従来、この種ポリアミド樹脂被膜の形成方法と
しては、ポリアミド樹脂の原料モノマーを適当な
溶媒に溶かしてこれを基体上で重合させるいわゆ
る湿式法、ポリアミド樹脂ポリマー自体を基体上
に蒸着させるいわゆるポリマー蒸着法或いはポリ
アミド樹脂の原料モノマーをプラズマ状態にして
プラズマ中の基体上で重合させるプラズマ重合法
等が知られている。 （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前記従来法は湿式法の場合は極
めて薄い膜が得られ難く、また基体に対するポリ
アミド樹脂被膜の密着性が不十分で、しかも溶媒
の添加、除去、回収等の工程が入るために不純物
の混入が起りやすいという不都合を有し、またポ
リマー蒸着法の場合は解重合と共に分解が起つた
りして重合度が十分でないという不都合を有し、
またプラズマ重合法の場合は原料モノマー自体が
分解したりしてポリアミド樹脂の分子設計が困難
で、しかもポリアミド樹脂が架橋構造を含むため
に比較的剛直な被膜しか得られないという不都合
を有する。 そこで本出願人は先に特開昭61−78463号公報
に見られるように、例えばテレフタル酸ジクロリ
ドのような芳香族酸ジクロリドと、例えば４，
4′−ジアミノジフエニルエーテルのような芳香族
ジアミンとを用いて真空中で両モノマーを蒸発さ
せて、これを基体上で重合させてポリアミド樹脂
被膜を形成させる方法を提案して前記不都合を解
消した。 しかし上記両原料モノマーを真空中で蒸発させ
て基体上で重合を行う際、次式(1)のような
【化】
重合反応が起こり、ポリアミドの生成時に芳香
族酸ジクロリドのClと芳香族ジアミンのＨが結合
して塩化水素となり、ポリアミドの生成と共に塩
化水素ガスが発生されるため、基体がアルミニウ
ム、銅等の金属材料のように耐酸性のない材料か
ら成る場合は、基体が塩化水素ガスによつて腐蝕
するので、その基体上にポリアミド樹脂被膜を形
成することが出来ない問題があり、重合反応時に
塩化水素ガスを発生することなく耐酸性のない材
料から成る基体上にポリアミド樹脂被膜を形成す
る方法が求められていた。 尚、基体上に形成された被膜の組成は赤外線ス
ペクトル分析により確認する。 本発明は、重合反応時に塩化水素ガスを発生す
ることなく基体上にポリアミド樹脂被膜を形成す
る方法を提供することを目的とする。 （問題点を解決するための手段） 本発明は、真空中でポリアミド樹脂の原料モノ
マーを蒸発させて、これを基体上で重合させて樹
脂被膜を形成させる方法において、前記ポリアミ
ド樹脂の原料モノマーが芳香族酸ジクロリドと、
シリル化ジアミンであることを特徴とする。 ここでポリアミド樹脂の一方の原料モノマーに
用いる芳香族酸ジクロリドとしてはテレフタル酸
ジクロリド、イソフタル酸ジクロリドが好適であ
り、また他方の原料モノマーに用いるシリル化ジ
アミンとしては４，4′−ジシリルアミノフエニル
エーテル、Ｐ−ジシリルアミノベンゼンが好適で
ある。また前記両原料モノマーを蒸発させて基体
上で重合させる際の真空度としては１×10-2〜１
×10-6Torr程度に設定する。 （実施例） 以下添附図面に従つて本発明の実施例に付説明
する。 第１図は本発明方法を実施する装置の一例を示
すもので、１は処理室を示し、該処理室１内を外
部の真空ポンプその他の真空排気系２に接続する
と共に、該処理室１内にポリアミド樹脂の蒸着被
膜を形成せしめるべき基体３を基体ホルダ４によ
つて下向きに保持し、該基体３を該基体ホルダ４
の背面に設けられたヒータ５によつて所望温度に
加熱できるようにし、かつ基体３の前面に設けら
れた膜厚モータ６によつて基体３上に形成される
被膜厚を測定するようにした。また該処理室１内
下位に該基体３に対向させてポリアミド樹脂の原
料モノマーａとしての芳香族酸ジクロリド、及び
原料モノマーｂとしてのシリル化ジアミンを蒸発
させるためのガラス製の蒸発用容器７，７を設
け、該各蒸発用容器７をその近傍に設けられた温
度センサ８と、ヒータ９とによつて前記原料モノ
マーａ及びｂの蒸発レートを常に一定化させる所
定温度にコントロール出来るようにした。 図面中、１０は基体３と両蒸発用容器７との間
に介在されるシヤツタ、１１は両蒸発用容器７間
に設けた仕切板を示す。 次に前記装置を用いた縮合重合によるポリアミ
ド樹脂被膜の形成の１例を示す。 まず、蒸発用容器７，７の一方に原料モノマー
ａ即ち芳香族酸ジクロリドとしてテレフタル酸ジ
クロリドと、他方に原料モノマーｂ即ちシリル化
ジアミンとして４，4′−ジシリルアミノフエニル
エーテルとを充填し、シヤツタ１０を閉じた状態
で処理室１内雰囲気ガスの全圧を真空排気系２を
介して１×10-5Torrに設定する。 次いで、温度センサ８，８で温度を測定しなが
ら蒸発用容器７，７からの各原料モノマーａ，ｂ
の蒸発レートが常に一定になるように、ヒータ
９，９でテレフタル酸ジクロリドを45℃±２℃
に、また４，4′−ジシリルアミノフエニルエーテ
ルを100℃±２℃に加熱し、この時各原料モノマ
ーａ，ｂが１：１のモル比で蒸発するようにテレ
フタル酸ジクロリドの蒸気圧で処理室１内の圧力
を５×10-3Torrに設定した。 次で、シヤツタ１０を開き、基体３上に該原料
モノマーａ，ｂを60Å／分の析出速度で堆積させ
て、室温で重合反応を進め、所定の膜厚になつた
らシヤツタ１０を閉じる。尚、基体３上での重合
反応を詳述すれば、まず４，4′−ジシリルアミノ
フエニルエーテルが基体３上に付着し、これに同
時に蒸発したテレフタル酸ジクロリドが接触する
もので、これが繰り返されて該基体３上で次式(2)
のような
族酸ジクロリドのClと芳香族ジアミンのＨが結合
して塩化水素となり、ポリアミドの生成と共に塩
化水素ガスが発生されるため、基体がアルミニウ
ム、銅等の金属材料のように耐酸性のない材料か
ら成る場合は、基体が塩化水素ガスによつて腐蝕
するので、その基体上にポリアミド樹脂被膜を形
成することが出来ない問題があり、重合反応時に
塩化水素ガスを発生することなく耐酸性のない材
料から成る基体上にポリアミド樹脂被膜を形成す
る方法が求められていた。 尚、基体上に形成された被膜の組成は赤外線ス
ペクトル分析により確認する。 本発明は、重合反応時に塩化水素ガスを発生す
ることなく基体上にポリアミド樹脂被膜を形成す
る方法を提供することを目的とする。 （問題点を解決するための手段） 本発明は、真空中でポリアミド樹脂の原料モノ
マーを蒸発させて、これを基体上で重合させて樹
脂被膜を形成させる方法において、前記ポリアミ
ド樹脂の原料モノマーが芳香族酸ジクロリドと、
シリル化ジアミンであることを特徴とする。 ここでポリアミド樹脂の一方の原料モノマーに
用いる芳香族酸ジクロリドとしてはテレフタル酸
ジクロリド、イソフタル酸ジクロリドが好適であ
り、また他方の原料モノマーに用いるシリル化ジ
アミンとしては４，4′−ジシリルアミノフエニル
エーテル、Ｐ−ジシリルアミノベンゼンが好適で
ある。また前記両原料モノマーを蒸発させて基体
上で重合させる際の真空度としては１×10-2〜１
×10-6Torr程度に設定する。 （実施例） 以下添附図面に従つて本発明の実施例に付説明
する。 第１図は本発明方法を実施する装置の一例を示
すもので、１は処理室を示し、該処理室１内を外
部の真空ポンプその他の真空排気系２に接続する
と共に、該処理室１内にポリアミド樹脂の蒸着被
膜を形成せしめるべき基体３を基体ホルダ４によ
つて下向きに保持し、該基体３を該基体ホルダ４
の背面に設けられたヒータ５によつて所望温度に
加熱できるようにし、かつ基体３の前面に設けら
れた膜厚モータ６によつて基体３上に形成される
被膜厚を測定するようにした。また該処理室１内
下位に該基体３に対向させてポリアミド樹脂の原
料モノマーａとしての芳香族酸ジクロリド、及び
原料モノマーｂとしてのシリル化ジアミンを蒸発
させるためのガラス製の蒸発用容器７，７を設
け、該各蒸発用容器７をその近傍に設けられた温
度センサ８と、ヒータ９とによつて前記原料モノ
マーａ及びｂの蒸発レートを常に一定化させる所
定温度にコントロール出来るようにした。 図面中、１０は基体３と両蒸発用容器７との間
に介在されるシヤツタ、１１は両蒸発用容器７間
に設けた仕切板を示す。 次に前記装置を用いた縮合重合によるポリアミ
ド樹脂被膜の形成の１例を示す。 まず、蒸発用容器７，７の一方に原料モノマー
ａ即ち芳香族酸ジクロリドとしてテレフタル酸ジ
クロリドと、他方に原料モノマーｂ即ちシリル化
ジアミンとして４，4′−ジシリルアミノフエニル
エーテルとを充填し、シヤツタ１０を閉じた状態
で処理室１内雰囲気ガスの全圧を真空排気系２を
介して１×10-5Torrに設定する。 次いで、温度センサ８，８で温度を測定しなが
ら蒸発用容器７，７からの各原料モノマーａ，ｂ
の蒸発レートが常に一定になるように、ヒータ
９，９でテレフタル酸ジクロリドを45℃±２℃
に、また４，4′−ジシリルアミノフエニルエーテ
ルを100℃±２℃に加熱し、この時各原料モノマ
ーａ，ｂが１：１のモル比で蒸発するようにテレ
フタル酸ジクロリドの蒸気圧で処理室１内の圧力
を５×10-3Torrに設定した。 次で、シヤツタ１０を開き、基体３上に該原料
モノマーａ，ｂを60Å／分の析出速度で堆積させ
て、室温で重合反応を進め、所定の膜厚になつた
らシヤツタ１０を閉じる。尚、基体３上での重合
反応を詳述すれば、まず４，4′−ジシリルアミノ
フエニルエーテルが基体３上に付着し、これに同
時に蒸発したテレフタル酸ジクロリドが接触する
もので、これが繰り返されて該基体３上で次式(2)
のような
【化】
重合反応が起こり、ポリアミドの生成時に芳香
族酸ジクロリドのClとシリル化ジアミンのトリメ
チルシリルが結合してトリメチルシリルクロリド
となるものである。 また、重合反応によつて基体上に形成された被
膜は赤外線吸収スペクトル分折でポリアミドであ
ることが確認された。また両原料モノマーａ，ｂ
の重合が進行しても従来法のような塩化水素ガス
の発生は全くなかつた。 これは前記式(2)のような重合反応が起こる際、
芳香族酸ジクロリドのClは電子が不足状態であ
り、また、シリル化ジアミンのＨ、Si、（CH3）3
はどちらも電子過剰の状態であるが、ＨよりもSi
（CH3）3の方が電子過剰状態となつており、即ち
電子供与性が強く、Si（CH3）3が選択的にClと反
応する結果、ポリアミドの生成時にトリメチルシ
リルクロリドが生成されて塩化水素ガスが発生し
ない。 このことについては、芳香族酸ジクロリドとシ
リル化ジアミンを用いる本発明法でポリアミドが
形成された基体には塩化水素による腐食は生じな
いことから重合反応において塩化水素ガスの発生
しないことが確認出来、また、芳香族酸ジクロリ
ドと芳香族ジアミンを用いる従来法の場合ではポ
リアミド膜が形成された基体は腐食していること
から重合反応において塩化水素ガスが発生するこ
とが確認出来る。得られたポリアミド樹脂被膜は
緻密且つ高純度で基体に対する密着性も良好であ
り、また、電気絶縁性、耐薬品性、耐熱性等の諸
物性も従来の湿式法によるものに比べて何ら遜色
はなかつた。 また重合反応中に従来のような塩化水素ガスの
発生は全くないため、従来塩化水素ガス腐蝕によ
つて被膜を形成することが出来なかつたアルミニ
ウム、銅等の金属材料のように耐酸性のない材料
から成る基体上にもポリアミド樹脂被膜を形成す
ることが出来る。 （発明の効果） このように本発明によるときは、真空中でポリ
アミド樹脂の原料モノマーを蒸発させて、これを
基体上で重合させることによつてポリアミド樹脂
被膜を形成するために、不純物やモノマー分解物
を含まない純粋且つ均一なモノマー蒸気が基体上
に順次衝突して該基体上で重合することとなり、
緻密で高純度且つ均一な膜厚のポリアミド樹脂被
膜を基体に対する良好な密着性をもつて、しかも
極めて薄い膜を始め所望膜厚に容易に形成でき、
また原料モノマーとして芳香族酸ジクロリドと、
シリル化ジアミンとを用いたから、両原料モノマ
ーが重合してポリアミドが生成する際塩化水素ガ
スが全く発生しないため、従来塩化水素ガス腐蝕
によつて被膜を形成することが出来なかつたアル
ミニウム、銅等の金属材料のように耐酸性のない
材料から成る基体上にもポリアミド樹脂被膜を形
成することが出来る等の効果を奏する。
族酸ジクロリドのClとシリル化ジアミンのトリメ
チルシリルが結合してトリメチルシリルクロリド
となるものである。 また、重合反応によつて基体上に形成された被
膜は赤外線吸収スペクトル分折でポリアミドであ
ることが確認された。また両原料モノマーａ，ｂ
の重合が進行しても従来法のような塩化水素ガス
の発生は全くなかつた。 これは前記式(2)のような重合反応が起こる際、
芳香族酸ジクロリドのClは電子が不足状態であ
り、また、シリル化ジアミンのＨ、Si、（CH3）3
はどちらも電子過剰の状態であるが、ＨよりもSi
（CH3）3の方が電子過剰状態となつており、即ち
電子供与性が強く、Si（CH3）3が選択的にClと反
応する結果、ポリアミドの生成時にトリメチルシ
リルクロリドが生成されて塩化水素ガスが発生し
ない。 このことについては、芳香族酸ジクロリドとシ
リル化ジアミンを用いる本発明法でポリアミドが
形成された基体には塩化水素による腐食は生じな
いことから重合反応において塩化水素ガスの発生
しないことが確認出来、また、芳香族酸ジクロリ
ドと芳香族ジアミンを用いる従来法の場合ではポ
リアミド膜が形成された基体は腐食していること
から重合反応において塩化水素ガスが発生するこ
とが確認出来る。得られたポリアミド樹脂被膜は
緻密且つ高純度で基体に対する密着性も良好であ
り、また、電気絶縁性、耐薬品性、耐熱性等の諸
物性も従来の湿式法によるものに比べて何ら遜色
はなかつた。 また重合反応中に従来のような塩化水素ガスの
発生は全くないため、従来塩化水素ガス腐蝕によ
つて被膜を形成することが出来なかつたアルミニ
ウム、銅等の金属材料のように耐酸性のない材料
から成る基体上にもポリアミド樹脂被膜を形成す
ることが出来る。 （発明の効果） このように本発明によるときは、真空中でポリ
アミド樹脂の原料モノマーを蒸発させて、これを
基体上で重合させることによつてポリアミド樹脂
被膜を形成するために、不純物やモノマー分解物
を含まない純粋且つ均一なモノマー蒸気が基体上
に順次衝突して該基体上で重合することとなり、
緻密で高純度且つ均一な膜厚のポリアミド樹脂被
膜を基体に対する良好な密着性をもつて、しかも
極めて薄い膜を始め所望膜厚に容易に形成でき、
また原料モノマーとして芳香族酸ジクロリドと、
シリル化ジアミンとを用いたから、両原料モノマ
ーが重合してポリアミドが生成する際塩化水素ガ
スが全く発生しないため、従来塩化水素ガス腐蝕
によつて被膜を形成することが出来なかつたアル
ミニウム、銅等の金属材料のように耐酸性のない
材料から成る基体上にもポリアミド樹脂被膜を形
成することが出来る等の効果を奏する。
第１図は本発明ポリアミド樹脂被膜の形成方法
を実施するための装置の一例の截断面図である。 １…処理室、２…真空排気系、３…基体、ａ，
ｂ…原料モノマー。
を実施するための装置の一例の截断面図である。 １…処理室、２…真空排気系、３…基体、ａ，
ｂ…原料モノマー。
Claims (1)
- １ 真空中でポリアミド樹脂の原料モノマーを蒸
発させて、これを基体上で重合させて樹脂被膜を
形成させる方法において、前記ポリアミド樹脂の
原料モノマーが芳香族酸ジクロリドと、シリル化
ジアミンであることを特徴とするポリアミド樹脂
被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30916786A JPS63166962A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | ポリアミド樹脂被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30916786A JPS63166962A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | ポリアミド樹脂被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166962A JPS63166962A (ja) | 1988-07-11 |
| JPH0581666B2 true JPH0581666B2 (ja) | 1993-11-15 |
Family
ID=17989738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30916786A Granted JPS63166962A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | ポリアミド樹脂被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63166962A (ja) |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP30916786A patent/JPS63166962A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63166962A (ja) | 1988-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0155823A2 (en) | Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films | |
| KR20000075433A (ko) | 유전상수가 낮은 나노 다공성 공중합체 필름 | |
| JPH046791B2 (ja) | ||
| JPS6166160A (ja) | 湿度センサ−及びその製造法 | |
| JP3863934B2 (ja) | 高分子薄膜の形成方法 | |
| JPH0581666B2 (ja) | ||
| Yılmaz et al. | Vapor deposition of stable copolymer thin films in a batch iCVD reactor | |
| JP2821907B2 (ja) | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 | |
| JPS61261322A (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
| JPS60197730A (ja) | ポリイミド膜の形成方法 | |
| JPH0776416B2 (ja) | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 | |
| JPH1060649A (ja) | シリカ系被膜の形成方法 | |
| JPH0615711B2 (ja) | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 | |
| JPH09278805A (ja) | 蒸着重合方法 | |
| JPH04180552A (ja) | 高分子膜の形成方法およびその形成装置 | |
| JP2821902B2 (ja) | 低比誘電性ポリイミド被膜の形成方法 | |
| JP2002285320A (ja) | 有機高分子薄膜の形成方法 | |
| JPH06116409A (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
| Danev et al. | Thin polyimide films prepared by a vacuum deposition process (VDP): morphology and properties | |
| JPH0762236B2 (ja) | 合成樹脂被膜の形成方法 | |
| JPH0734225A (ja) | 導電性ポリマー／イオン交換体複合薄膜の製造法 | |
| SU1599391A1 (ru) | Способ получени полиорганосилоксанов | |
| JPH0472056A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS61219029A (ja) | 液晶配向膜の形成方法 | |
| JPS61219028A (ja) | 液晶配向膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |