JPS6166160A - 湿度センサ−及びその製造法 - Google Patents
湿度センサ−及びその製造法Info
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- JPS6166160A JPS6166160A JP59188660A JP18866084A JPS6166160A JP S6166160 A JPS6166160 A JP S6166160A JP 59188660 A JP59188660 A JP 59188660A JP 18866084 A JP18866084 A JP 18866084A JP S6166160 A JPS6166160 A JP S6166160A
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- G01N29/036—Analysing fluids by measuring frequency or resonance of acoustic waves
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、湿度センサー及びその製造法に関する。さ
らに詳しくは、各種工業用プロセスガスやリサイクルガ
ス中の水分測定、高圧ボンベガス中の水分測定、一般の
湿度測定等に有用な湿度センサー及びその製造法に関す
る。
らに詳しくは、各種工業用プロセスガスやリサイクルガ
ス中の水分測定、高圧ボンベガス中の水分測定、一般の
湿度測定等に有用な湿度センサー及びその製造法に関す
る。
（ロ）従来技術
従来、高分子電解質を感湿物質とし、これを絶縁体、圧
電体、半導体等の種々の湿度センサー用固体基材上に膜
形成して感湿膜とした湿度センサーが知られている。
電体、半導体等の種々の湿度センサー用固体基材上に膜
形成して感湿膜とした湿度センサーが知られている。
これらのうち圧電体ことに水晶発振子等の圧電素子を基
材として用いた湿度センサーは、感湿膜の吸湿作用によ
る全体の重量変化に基づく圧電素子の発振周波数変化を
指標として水分量を決定するため、他の方式すなわち感
湿膜自体の抵抗や静電容量の変化を指標とするものに比
して低濃度の水分量ことに数ｐｐｍオーダーの水分量を
測定することができるものである。そしてこのような圧
電式の湿度センサーは通常、圧電素子上に一対の電極を
形成し、この上に種々の高分子電解質を塗布することに
より作製されている。
材として用いた湿度センサーは、感湿膜の吸湿作用によ
る全体の重量変化に基づく圧電素子の発振周波数変化を
指標として水分量を決定するため、他の方式すなわち感
湿膜自体の抵抗や静電容量の変化を指標とするものに比
して低濃度の水分量ことに数ｐｐｍオーダーの水分量を
測定することができるものである。そしてこのような圧
電式の湿度センサーは通常、圧電素子上に一対の電極を
形成し、この上に種々の高分子電解質を塗布することに
より作製されている。
しかし、かかる湿度センサーは、感湿膜が塗布形成され
ているため、電極面との密着性が不充分で感湿膜の耐久
性が劣り、さらにｐｐｍオーダーの微量水分の測定の際
の応答性や安定性が不充分であった。さらに感湿膜自体
の厚みの制御も困難であるという問題点があった。
ているため、電極面との密着性が不充分で感湿膜の耐久
性が劣り、さらにｐｐｍオーダーの微量水分の測定の際
の応答性や安定性が不充分であった。さらに感湿膜自体
の厚みの制御も困難であるという問題点があった。
一方、絶縁体や半導体上の一対の電極間に高分子電解質
膜を形成して感湿膜とした抵抗式や容量式の湿度セン号
−においても膜の耐久性、応答速度、安定性等において
同様な問題があった。
膜を形成して感湿膜とした抵抗式や容量式の湿度セン号
−においても膜の耐久性、応答速度、安定性等において
同様な問題があった。
これらの点に関し、本発明者らは先に、感湿膜として、
表層に親水性基が導入されたプラズマ重合高分子薄膜を
用いることにより、上記問題点が解消された圧電式湿度
センサーが得られる事実を見出した（特開昭５９−２４
２３４号公報）。
表層に親水性基が導入されたプラズマ重合高分子薄膜を
用いることにより、上記問題点が解消された圧電式湿度
センサーが得られる事実を見出した（特開昭５９−２４
２３４号公報）。
（ハ）目的
この発明は、上記知見をさらに発展させることによりな
されたものであり、プラズマ重合高分子膜をベースとす
る感湿膜を備え、耐久性がさらに改善されかつ応答性も
より向上した湿度センサーを提供しようとするものであ
る。
されたものであり、プラズマ重合高分子膜をベースとす
る感湿膜を備え、耐久性がさらに改善されかつ応答性も
より向上した湿度センサーを提供しようとするものであ
る。
（ニ）構成
かくしてこの発明によれば、湿度センサー用固体基村上
の一対の電極間又はその少なくとも一方の電極上に感湿
膜を形 成してなる湿度センサーにおいて、上記感湿膜
が、疎水性有機化合物のプラズマ重合高分子層からなる
内部層と、その上に形成された有機アミノ化合物のプラ
ズマ重合によるアミノ基含有高分子層からなる表面層と
で基本構成され、かつ上記表面層のアミノ基含有高分子
層にはアミノ基の変換によるアンモニウム塩型の親水性
基が導入されてなることを特徴とする湿度センサーが提
供される。
の一対の電極間又はその少なくとも一方の電極上に感湿
膜を形 成してなる湿度センサーにおいて、上記感湿膜
が、疎水性有機化合物のプラズマ重合高分子層からなる
内部層と、その上に形成された有機アミノ化合物のプラ
ズマ重合によるアミノ基含有高分子層からなる表面層と
で基本構成され、かつ上記表面層のアミノ基含有高分子
層にはアミノ基の変換によるアンモニウム塩型の親水性
基が導入されてなることを特徴とする湿度センサーが提
供される。
さらに、上記湿度センサーの好適な製造法が提供される
。
。
この発明の最も特徴とする点は、感湿膜を、実質的に疎
水性の内部層とアンモニウム塩型の親水性基を有する表
面層とで構成し、さらにこれらのいずれの層もプラズマ
重合による高分子層で構成した点にある。
水性の内部層とアンモニウム塩型の親水性基を有する表
面層とで構成し、さらにこれらのいずれの層もプラズマ
重合による高分子層で構成した点にある。
この発明の感湿膜の内部層は、湿度センサー用固体基材
上に一対の電極を形成させた後これを疎水性有機化合物
の蒸気下で所謂プラズマ重合条件に付すことにより形成
される。この際の疎水性有機化合物としては、親水性基
を有していない種々の有機化合物が挙げられ、例えばス
チレン、ジビニルベンゼン等のビニル芳香族系化合物や
ベンゼン、トルエン等の芳香族及びエチレン、プロピレ
ン等の不飽和炭化水素等が挙げられる。これらは２種以
上用いてもよい。また多層構造とすることもできる。こ
れらのうちプラズマ重合が容易なスチレンを用いるのが
好ましい。また、プラズマ重合の条件は特に限定されな
いが、通常、０．１〜２ｔｏｒｒの上記疎水性有機化合
物の雰囲気下、０．１〜１００ ＫＨｚのグロー放電条
件を採用するのが好ましい。
上に一対の電極を形成させた後これを疎水性有機化合物
の蒸気下で所謂プラズマ重合条件に付すことにより形成
される。この際の疎水性有機化合物としては、親水性基
を有していない種々の有機化合物が挙げられ、例えばス
チレン、ジビニルベンゼン等のビニル芳香族系化合物や
ベンゼン、トルエン等の芳香族及びエチレン、プロピレ
ン等の不飽和炭化水素等が挙げられる。これらは２種以
上用いてもよい。また多層構造とすることもできる。こ
れらのうちプラズマ重合が容易なスチレンを用いるのが
好ましい。また、プラズマ重合の条件は特に限定されな
いが、通常、０．１〜２ｔｏｒｒの上記疎水性有機化合
物の雰囲気下、０．１〜１００ ＫＨｚのグロー放電条
件を採用するのが好ましい。
このようにして形成される内部層の厚みは通常０．０１
〜１０μｍとするのが適当である。かかる厚みは上記プ
ラズマ重合に付す時間を調整することにより容易に制御
することができる。この内部層を構成するプラズマ重合
高分子膜はそれ自身高い架橋度を有しかつ電極や固体基
材等の被着体への強固な密着性を有しているものであり
、しかも疎水性有機化合物の重合体からなる実質的に疎
水性の膜である。従ってこの発明の感湿膜のベース層と
して役立つものである。
〜１０μｍとするのが適当である。かかる厚みは上記プ
ラズマ重合に付す時間を調整することにより容易に制御
することができる。この内部層を構成するプラズマ重合
高分子膜はそれ自身高い架橋度を有しかつ電極や固体基
材等の被着体への強固な密着性を有しているものであり
、しかも疎水性有機化合物の重合体からなる実質的に疎
水性の膜である。従ってこの発明の感湿膜のベース層と
して役立つものである。
この発明の感湿膜の表面層は、前記内部層を形成せしめ
た固体基材を、有機アミノ化合物の蒸気下でプラズマ重
合条件に付すことにより、該内部層の上にアミノ基含有
高分子膜をまず形成せしめ、次いで化学処理によりアミ
ノ基含有高分子膜中のアミノ基をアンモニウム塩型の親
水性基に変換することにより炸裂される。この際の有機
アミノ化合物としては、ジアリルアミン、シアミルアミ
ン、ジエチルアリルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’ −
テトラメチルヘキサンジアミン等の少なくとも一つの直
鎖状置換基を有するアミンやアニリン、ピリジン、フェ
ネチルアミン等の環状もしくは芳香族アミンが挙げられ
、これ以外にもトリエチルアミン、エチレンジアミン、
ジエチレン１〜リアミン、トリエチレンテトラミン等が
挙げられる。これらは２種以上組合せて用いてもよい。
た固体基材を、有機アミノ化合物の蒸気下でプラズマ重
合条件に付すことにより、該内部層の上にアミノ基含有
高分子膜をまず形成せしめ、次いで化学処理によりアミ
ノ基含有高分子膜中のアミノ基をアンモニウム塩型の親
水性基に変換することにより炸裂される。この際の有機
アミノ化合物としては、ジアリルアミン、シアミルアミ
ン、ジエチルアリルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’ −
テトラメチルヘキサンジアミン等の少なくとも一つの直
鎖状置換基を有するアミンやアニリン、ピリジン、フェ
ネチルアミン等の環状もしくは芳香族アミンが挙げられ
、これ以外にもトリエチルアミン、エチレンジアミン、
ジエチレン１〜リアミン、トリエチレンテトラミン等が
挙げられる。これらは２種以上組合せて用いてもよい。
これらのうちテトラメチルヘキサンジアミン及びジエチ
ルアリルアミン等の直鎖状置換基を有する第３級アミン
を用いるのが好ましい。またプラズマ重合の条件は、通
常、０．１〜２ｔｏｒｒの有機アミノ化合物の雰囲気下
、０．１〜１００ Ｋ１１ｚのグロー放電条件を採用す
るのが好ましい。また表面層の厚みは０．０１〜１０μ
ｍとするのが適当であり、これは上記プラズマ重合の時
間によりアミノ基含有高分子膜の厚みを調整することに
より制御される。
ルアリルアミン等の直鎖状置換基を有する第３級アミン
を用いるのが好ましい。またプラズマ重合の条件は、通
常、０．１〜２ｔｏｒｒの有機アミノ化合物の雰囲気下
、０．１〜１００ Ｋ１１ｚのグロー放電条件を採用す
るのが好ましい。また表面層の厚みは０．０１〜１０μ
ｍとするのが適当であり、これは上記プラズマ重合の時
間によりアミノ基含有高分子膜の厚みを調整することに
より制御される。
有機アミノ化合物のプラズマ重合によって前記内部層の
上に形成される高分子膜は、アミノ基を含有する高架橋
度の高分子膜であり、かつ内部層の疎水性高分子膜にも
グロー放電時のラジカル生成等により化学結合して一体
化されてなるものである。モノマーの有機アミノ化合物
の有するアミノ基がプラズマ重合後にすべて高分子膜の
鎖中に残存しているとは躍らない。すなわち、前記のご
とき有機アミノ化合物のプラズマ重合条件下においては
多数のラジカルやイオンの生成による炭素鎖（置換基）
間のランダムな重合・架橋反応が支配的になると考えら
れるが、これ以外にアミノ基の分解等の反応も生じてい
るものと考えられる。
上に形成される高分子膜は、アミノ基を含有する高架橋
度の高分子膜であり、かつ内部層の疎水性高分子膜にも
グロー放電時のラジカル生成等により化学結合して一体
化されてなるものである。モノマーの有機アミノ化合物
の有するアミノ基がプラズマ重合後にすべて高分子膜の
鎖中に残存しているとは躍らない。すなわち、前記のご
とき有機アミノ化合物のプラズマ重合条件下においては
多数のラジカルやイオンの生成による炭素鎖（置換基）
間のランダムな重合・架橋反応が支配的になると考えら
れるが、これ以外にアミノ基の分解等の反応も生じてい
るものと考えられる。
この点に関し、本発明者らは、前記有機アミノ化合物の
プラズマ重合で得られる高分子膜中のアミノ基の存在量
はその表面側で多く内面側で少なくなるという興味ある
知見も得ている。かかるアミノ基含有量の傾斜は、こと
に前記直鎖状置換基を有する有機アミノ化合物を用いた
場合に顕著であり、このような傾斜がこの発明の湿度セ
ンサーの応答性ことに水分の迅速な吸脱着の効果に結び
ついているものと信じられる。
プラズマ重合で得られる高分子膜中のアミノ基の存在量
はその表面側で多く内面側で少なくなるという興味ある
知見も得ている。かかるアミノ基含有量の傾斜は、こと
に前記直鎖状置換基を有する有機アミノ化合物を用いた
場合に顕著であり、このような傾斜がこの発明の湿度セ
ンサーの応答性ことに水分の迅速な吸脱着の効果に結び
ついているものと信じられる。
上記アミノ基含有高分子膜中のアミノ基の化学処理はハ
ロゲン化アルキルの蒸気中に保持させて行なうのが好ま
しい。この際のハロゲン化アルキルとしては、モノハロ
ゲン化低級アルキルを用いるのが適当であり、その具体
例としては、塩化メチル、塩化エチル、ヨウ化メチル、
臭化メチル等が挙げられる。かようなハロゲン化アルキ
ル蒸気との接触によりアミノ基含有高分子膜中に存在す
るアミノ基がアルキル化されて第４級アンモニウム塩、
第３アミン塩、第２アミン塩等のアンモニウム塩型の親
水性基に変換される。この接触は、加温下で行なうこと
によって反応を促進できるが、常温で反応させてもよい
。ハロゲン化アルキル蒸気は常圧下約１１／分程度の流
量でアミノ基含有高分子膜を形成したセンサーに接触す
るように調整するのが好ましい。また適切な接触（保持
）時間は表面層の膜厚にもよるが、通常、３０〜３００
分程度が適している。
ロゲン化アルキルの蒸気中に保持させて行なうのが好ま
しい。この際のハロゲン化アルキルとしては、モノハロ
ゲン化低級アルキルを用いるのが適当であり、その具体
例としては、塩化メチル、塩化エチル、ヨウ化メチル、
臭化メチル等が挙げられる。かようなハロゲン化アルキ
ル蒸気との接触によりアミノ基含有高分子膜中に存在す
るアミノ基がアルキル化されて第４級アンモニウム塩、
第３アミン塩、第２アミン塩等のアンモニウム塩型の親
水性基に変換される。この接触は、加温下で行なうこと
によって反応を促進できるが、常温で反応させてもよい
。ハロゲン化アルキル蒸気は常圧下約１１／分程度の流
量でアミノ基含有高分子膜を形成したセンサーに接触す
るように調整するのが好ましい。また適切な接触（保持
）時間は表面層の膜厚にもよるが、通常、３０〜３００
分程度が適している。
」二記内部層及び表面層からなる感／！ｉｉ！欣を形成
させる湿度センサー用固体基材は、意図する検知方式に
合わせて選択される。例えば、電気抵抗や静電容量の変
化を指標とする湿度センサーを意図する場合には上記固
体基材として絶縁体や半導体を用いその一面に一対の電
極ことにくし型電極を設け、この電極間に各電極をも被
覆するように感湿膜を形成すればよい。最も好ましいこ
の発明の湿度センサーの構成は、固体基材として圧電体
を用い、その両面にそれぞれ電極を形成し、少なくとも
その一面に感湿膜を形成させてなる圧電式の湿度センサ
ーである。かかるセンサーはその測定方式とも相俟って
数ｐｐｍ程度の極く低濃度の水分を安定にかつ長期間に
亘って測定することができるものである。この際の圧電
体としては水晶発振子、電気石、ロツシュル塩、チタン
酸バリウム結晶、酸化亜鉛結晶等が挙げられ、とくに平
板状の水晶発振子が好ましい。なお、固体基材上に形成
させる電極は金、銀等の責な金属の薄膜が用いられる。
させる湿度センサー用固体基材は、意図する検知方式に
合わせて選択される。例えば、電気抵抗や静電容量の変
化を指標とする湿度センサーを意図する場合には上記固
体基材として絶縁体や半導体を用いその一面に一対の電
極ことにくし型電極を設け、この電極間に各電極をも被
覆するように感湿膜を形成すればよい。最も好ましいこ
の発明の湿度センサーの構成は、固体基材として圧電体
を用い、その両面にそれぞれ電極を形成し、少なくとも
その一面に感湿膜を形成させてなる圧電式の湿度センサ
ーである。かかるセンサーはその測定方式とも相俟って
数ｐｐｍ程度の極く低濃度の水分を安定にかつ長期間に
亘って測定することができるものである。この際の圧電
体としては水晶発振子、電気石、ロツシュル塩、チタン
酸バリウム結晶、酸化亜鉛結晶等が挙げられ、とくに平
板状の水晶発振子が好ましい。なお、固体基材上に形成
させる電極は金、銀等の責な金属の薄膜が用いられる。
これらの形成は蒸着により行なわれる。
この発明の湿度センサーは、前記のごと（実質的に疎水
性のプラズマ重合高分子膜（内部層）の上にアンモニウ
ム塩型の親水性基を導入したプラズマ重合高分子膜（表
面層）を一体化してなる感／！ａ膜を備えているため、
水分の吸脱着が表面層のみで行なわれることとなり、内
部への水分の吸着や移向が実質的に生じない。しかも、
表面層に導入された親水性基は、該表面層の表層におい
て最も高濃度であり内部にかけて減少しているため、水
分の吸・脱着のいずれもが円滑に行なわれ感湿膜中の残
留水分による応答遅れなどの悪影響が最小限に押えられ
る。従って、この発明の湿度センサーは、応答性や安定
性が優れており、センサーとしての耐久性も改善された
ものである。
性のプラズマ重合高分子膜（内部層）の上にアンモニウ
ム塩型の親水性基を導入したプラズマ重合高分子膜（表
面層）を一体化してなる感／！ａ膜を備えているため、
水分の吸脱着が表面層のみで行なわれることとなり、内
部への水分の吸着や移向が実質的に生じない。しかも、
表面層に導入された親水性基は、該表面層の表層におい
て最も高濃度であり内部にかけて減少しているため、水
分の吸・脱着のいずれもが円滑に行なわれ感湿膜中の残
留水分による応答遅れなどの悪影響が最小限に押えられ
る。従って、この発明の湿度センサーは、応答性や安定
性が優れており、センサーとしての耐久性も改善された
ものである。
（ホ）実施例
実施例１
厚さ０．２顛、直径１４１１の円板状水晶発振子（２）
の両面中央部に、蒸着によって直径３ｍｍの金電極（厚
み約１μｍ）を形成した。この発振子の発振周波数は約
９．０３ＭＩＩｚである。
の両面中央部に、蒸着によって直径３ｍｍの金電極（厚
み約１μｍ）を形成した。この発振子の発振周波数は約
９．０３ＭＩＩｚである。
上記発振子（２）をプラズマ重合装置内にセットした。
この際のプラズマ重合装置の構成を第４図に示した。図
において（７）はアルミニウムからなる放電極、（８）
は同様に放電対極、（９）は化合物吹出口、（１０）は
Ｒ，Ｆ電源、（１１）は真空ポンプへの接続管、（１２
Ａ）は疎水性有機化合物であるスチレンモノマーの容器
、（１２Ｂ）は有機アミノ化合物であるＮ、Ｎ。
において（７）はアルミニウムからなる放電極、（８）
は同様に放電対極、（９）は化合物吹出口、（１０）は
Ｒ，Ｆ電源、（１１）は真空ポンプへの接続管、（１２
Ａ）は疎水性有機化合物であるスチレンモノマーの容器
、（１２Ｂ）は有機アミノ化合物であるＮ、Ｎ。
Ｎ’、Ｎ’ −テトラメチルヘキザンジアミンの容器
、（１３）はシール、（１４）は密閉容器をそれぞれ示
す。
、（１３）はシール、（１４）は密閉容器をそれぞれ示
す。
なお、発振子（２）は密着した円状の金電極面を覆うよ
うに直径１２１曹のプラズマ重合薄膜が形成されるよう
アルミニウム製の押え扱（７゛）でその周辺がマスクさ
れている。
うに直径１２１曹のプラズマ重合薄膜が形成されるよう
アルミニウム製の押え扱（７゛）でその周辺がマスクさ
れている。
次いで上記密閉容器（１４）内を真空ポンプにより０．
０］ ｔｏｒｒ以下まで減圧し、スチレンモノマーの蒸
気をｌ ｔｏｒｒになるまで導入し、下記条件下で２０
秒プラズマ重合を行ない、金電極の両面中央にそれぞれ
約３０００人の膜厚のポリスチレン薄膜を密着形成させ
た。
０］ ｔｏｒｒ以下まで減圧し、スチレンモノマーの蒸
気をｌ ｔｏｒｒになるまで導入し、下記条件下で２０
秒プラズマ重合を行ない、金電極の両面中央にそれぞれ
約３０００人の膜厚のポリスチレン薄膜を密着形成させ
た。
温度：２５℃
放電周波数：１１ｆｔｌｚ
放電電力 ＝３．５に
次いで密閉容器内を０．０１ｔｏｒｒまで減圧し、Ｎ、
Ｎ。
Ｎ。
Ｎ’、Ｎ“ −テトラメチルヘキザンジアミンの蒸気を
ｌ ｔｏｒｒになるまで導入し、上記と同様の条件下で
６０秒間、プラズマ重合を行ない、ポリスチレン薄膜上
に約５０００人の膜厚のアミノ基含有高分子膜を密着形
成させた。
ｌ ｔｏｒｒになるまで導入し、上記と同様の条件下で
６０秒間、プラズマ重合を行ない、ポリスチレン薄膜上
に約５０００人の膜厚のアミノ基含有高分子膜を密着形
成させた。
このようにして得られたプラズマ重合膜形成水晶発振子
を塩化メチル蒸気槽内（常圧密閉容器中に１００％塩化
メチルガスを導入）に１２時間放置することにより、ア
ミノ基含有高分子膜（表面Ｎ）内のアミノ基をアルキル
化してアンモニウム塩型の親水性基への変換を行なった
。
を塩化メチル蒸気槽内（常圧密閉容器中に１００％塩化
メチルガスを導入）に１２時間放置することにより、ア
ミノ基含有高分子膜（表面Ｎ）内のアミノ基をアルキル
化してアンモニウム塩型の親水性基への変換を行なった
。
このようにして得られたこの発明の湿度センサーを第１
〜３図に示した。図において、湿度センサー（１，１は
、水晶発振子（２）の両面に金電極（４１（４°）を密
着形成し、さらに該電極を被着するよう感湿膜（３１（
３°）を密着形成してなる。金電極（４）（１’）を密
着形成し、さらに該電極を被覆するよう感湿膜＋３１（
３’）を密着形成してなる。金電極（４１（４’）の端
部には端子（５１（５’）を介してリード線ｆ６）（６
’）が接続されており、使用時には、該リード線は発信
回路に接続される。感湿膜＋３）（３’）は、電極及び
発振子に密着するプラズマ重合ポリスチレン膜（３ａ）
（３’ａ）及びその上に密着形成されたアンモニウム塩
型親水性基含有プラズマ重合高分子膜（３ｂ） （３’
ｂ）とからなり、使用時には、これらの感湿膜＋３１
（３’）が測定対象ガスに露出するように位置させ、そ
の際の水晶発振子の周波数変化に基づいて水分含量の測
定を行なうことができる。
〜３図に示した。図において、湿度センサー（１，１は
、水晶発振子（２）の両面に金電極（４１（４°）を密
着形成し、さらに該電極を被着するよう感湿膜（３１（
３°）を密着形成してなる。金電極（４）（１’）を密
着形成し、さらに該電極を被覆するよう感湿膜＋３１（
３’）を密着形成してなる。金電極（４１（４’）の端
部には端子（５１（５’）を介してリード線ｆ６）（６
’）が接続されており、使用時には、該リード線は発信
回路に接続される。感湿膜＋３）（３’）は、電極及び
発振子に密着するプラズマ重合ポリスチレン膜（３ａ）
（３’ａ）及びその上に密着形成されたアンモニウム塩
型親水性基含有プラズマ重合高分子膜（３ｂ） （３’
ｂ）とからなり、使用時には、これらの感湿膜＋３１
（３’）が測定対象ガスに露出するように位置させ、そ
の際の水晶発振子の周波数変化に基づいて水分含量の測
定を行なうことができる。
このようにして得られた湿度センサーを、試料ガス導入
管部や排出口を備えた容器内に固定し、湿度測定を行な
った。その結果を比較例と共に以下に示す。
管部や排出口を備えた容器内に固定し、湿度測定を行な
った。その結果を比較例と共に以下に示す。
■ 水分濃度５００〜１００００ ｐｐｍ ｉｎ Ｎ２
中における応答性 １００００ ｐｐｍの水分を含むＮ２ガスを上記容器内
に１０分間導入して水分吸着に基づく湿度センサーの出
力を計測した後５００ ｐｐｍの水分を含むＮ２ガスを
導入し、その出力変化を測定して応答性を評価した。そ
の結果を第５図に示した。
中における応答性 １００００ ｐｐｍの水分を含むＮ２ガスを上記容器内
に１０分間導入して水分吸着に基づく湿度センサーの出
力を計測した後５００ ｐｐｍの水分を含むＮ２ガスを
導入し、その出力変化を測定して応答性を評価した。そ
の結果を第５図に示した。
なお、図中、（Ａ）はこの発明の湿度センサーの出力変
化、（＋３）は感湿膜のベースとしてプラズマ重合ポリ
スチレン膜の単層を用いかつ親水性基としてスルボネ−
１・基を該ポリスチレン膜表層に導入する以外、同様に
構成した従来の湿度センサーの出力変化を示すものであ
る。
化、（＋３）は感湿膜のベースとしてプラズマ重合ポリ
スチレン膜の単層を用いかつ親水性基としてスルボネ−
１・基を該ポリスチレン膜表層に導入する以外、同様に
構成した従来の湿度センサーの出力変化を示すものであ
る。
このように、比較的高濃度領域内での、１１００００ｐ
ｐから５００ ｐｐｍへの急激な湿度変化に対し、この
発明の湿度センサー（八）は約０．５時間で定常状態に
達しており、従来のセンサー（Ｂｉ定常状態まで約４時
間）に比して応答性が極めて優れていることが判る。
ｐから５００ ｐｐｍへの急激な湿度変化に対し、この
発明の湿度センサー（八）は約０．５時間で定常状態に
達しており、従来のセンサー（Ｂｉ定常状態まで約４時
間）に比して応答性が極めて優れていることが判る。
■ 水分濃度Ｏ〜５ ｐｐｍにおける応答性前記と同様
にして、極低濃度領域における湿変度化（０−＝ ５−
Ｏｐｐｍ）に対する出力変化を測定して応答性を評価
した。その結果を第６図に示した。
にして、極低濃度領域における湿変度化（０−＝ ５−
Ｏｐｐｍ）に対する出力変化を測定して応答性を評価
した。その結果を第６図に示した。
このように、極低濃度領域内での湿度変化、ことに減少
変化に対し、この発明のセンサー（Ａ）は従来のセンサ
ー（Ｂ）に比して応答性が極めて優れていることが判る
。
変化に対し、この発明のセンサー（Ａ）は従来のセンサ
ー（Ｂ）に比して応答性が極めて優れていることが判る
。
■ 感湿膜の耐久性
含有水分１１０００ｐｐのＮ２ガスを長時間連続的に測
定し、その際の出力変化を追跡して感湿膜の耐久性を評
価した。その結果を第７図に示した。ここで、従来のセ
ンサー（ロ）は初期の感度低下が大きくかつ９０日１＆
（図中、破線以降）に膜質に変化が生じたのに対し、こ
の発明のセンサーは初期の感度低下も小さく、１２０日
経過しても膜の異常は認められなかった。
定し、その際の出力変化を追跡して感湿膜の耐久性を評
価した。その結果を第７図に示した。ここで、従来のセ
ンサー（ロ）は初期の感度低下が大きくかつ９０日１＆
（図中、破線以降）に膜質に変化が生じたのに対し、こ
の発明のセンサーは初期の感度低下も小さく、１２０日
経過しても膜の異常は認められなかった。
実施例２
ハロゲン化アルキルとしてヨウ化メチルを用いる以外実
施例１と同様にして形成した二重膜構造の感湿膜と、Ｎ
、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’ −テトラメチルヘキサンジアミン
の代わりにアニリンを用いかつハロゲン化アルキルとし
てヨウ化メチルを用いる以外実施例１と同様にして形成
した二重膜構造の感湿膜について、表面層におけるアン
モニウム基の含有量の分布を、ＥＳＣＡとＡｒエツチン
グを用いて測定した。なおＥＳＣＡの分析条件は以下の
通りである。
施例１と同様にして形成した二重膜構造の感湿膜と、Ｎ
、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’ −テトラメチルヘキサンジアミン
の代わりにアニリンを用いかつハロゲン化アルキルとし
てヨウ化メチルを用いる以外実施例１と同様にして形成
した二重膜構造の感湿膜について、表面層におけるアン
モニウム基の含有量の分布を、ＥＳＣＡとＡｒエツチン
グを用いて測定した。なおＥＳＣＡの分析条件は以下の
通りである。
Ｘ線源 ： ９ＫＶ、 ３０ｍＡ、 Ｍｇターゲット走
査速度：１ｅＶ／秒及び０．１ ｅＶ／秒八ｒへ・ンチ
ング： ２ＫＶ、 ２０ｍＡこの測定結果に基づいて膜
厚とＮ１ｓ ピーク強度との関係を第８図に示した。
査速度：１ｅＶ／秒及び０．１ ｅＶ／秒八ｒへ・ンチ
ング： ２ＫＶ、 ２０ｍＡこの測定結果に基づいて膜
厚とＮ１ｓ ピーク強度との関係を第８図に示した。
このように、アニリンのごとき芳香族アミンを表面層用
モノマーとして使用したものに比して、テトラメチルヘ
キサンジアミンのごとき直鎮状置換基を有するアミンを
使用したものは、表面から内部へかけてのアンモニウム
基の含有量の傾斜が急であり、かつ極く表面におけるア
ンモニウム基の最も多く、迅速な水分の吸脱着性の点で
好ましいものであることが判明した。
モノマーとして使用したものに比して、テトラメチルヘ
キサンジアミンのごとき直鎮状置換基を有するアミンを
使用したものは、表面から内部へかけてのアンモニウム
基の含有量の傾斜が急であり、かつ極く表面におけるア
ンモニウム基の最も多く、迅速な水分の吸脱着性の点で
好ましいものであることが判明した。
実施例３
有機アミノ化合物として種々のアミノ化合物（トリエチ
ルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、
トリエチレンテトラミン、シアミルアミン）をそれぞれ
用い、実施例】と同様にし゛ て圧電式湿度センサー
を作製し、各センサーの水分に対する応答性を測定した
。その結果を第９図に示した。
ルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、
トリエチレンテトラミン、シアミルアミン）をそれぞれ
用い、実施例】と同様にし゛ て圧電式湿度センサー
を作製し、各センサーの水分に対する応答性を測定した
。その結果を第９図に示した。
（へ）効果
以上述べたごとく、この発明の湿度センサーは、単層の
プラズマ重合高分子膜を感湿膜のベースとする湿度セン
サーに比して応答性及び耐久性の点で優れているという
効果を備えたものである。さらに、従来の塗布膜型のセ
ンサーに比しても応答性及び耐久性の点で優れ、かつ膜
厚制御が容易で品質管理も簡便であり、しかも製造がつ
ねに乾式条件下で行なえ市販のガスをそのまま使用する
ことができるため、製造操作が簡便でロスがなく経済的
であるという利点も備えたものである。
プラズマ重合高分子膜を感湿膜のベースとする湿度セン
サーに比して応答性及び耐久性の点で優れているという
効果を備えたものである。さらに、従来の塗布膜型のセ
ンサーに比しても応答性及び耐久性の点で優れ、かつ膜
厚制御が容易で品質管理も簡便であり、しかも製造がつ
ねに乾式条件下で行なえ市販のガスをそのまま使用する
ことができるため、製造操作が簡便でロスがなく経済的
であるという利点も備えたものである。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は、この発明の湿度センサーを例示す
る正面図及び側面図、第３図は同じく構成説明図、第４
図は、この発明の湿度センサーの製造工程を示す説明図
、第５図及び第６図はこの発明の湿度センサーの湿度応
答性を比較例と共にそれぞれ示すグラフ、第７図は、同
じく耐久性を比較例と共に示すグラフ、第８図はこの発
明の湿度センサーの感湿膜の表面層における窒素原子の
含有量の厚み方向に対する分布を示すグラフ、第９図は
種々の有機アミノ化合物を用いたこの発明の湿度センサ
ーの応答性を示すグラフである。 （旧−湿度センサー、（２）−水晶発振子、（３） （
３’ ）−感湿膜、（３ａ） （３”ａ）−・−プラズ
マ重合ポリスチレン膜、（３ｂ） （３’ ｂ）〜アン
モニウム塩型親水性基含有プラズマ重合高分子膜、（４
１（４’ ）−金電極。 第４図 特開昭６ｌ−６ＥｉｌＧＯ（７） ７７”１ ｔ７７棟ｆ＞”ｙ （７） ｍｌ ｉｌｂ
Ｂ丑Ｐｓｆｆｉ７′２ １つ＾ １１
る正面図及び側面図、第３図は同じく構成説明図、第４
図は、この発明の湿度センサーの製造工程を示す説明図
、第５図及び第６図はこの発明の湿度センサーの湿度応
答性を比較例と共にそれぞれ示すグラフ、第７図は、同
じく耐久性を比較例と共に示すグラフ、第８図はこの発
明の湿度センサーの感湿膜の表面層における窒素原子の
含有量の厚み方向に対する分布を示すグラフ、第９図は
種々の有機アミノ化合物を用いたこの発明の湿度センサ
ーの応答性を示すグラフである。 （旧−湿度センサー、（２）−水晶発振子、（３） （
３’ ）−感湿膜、（３ａ） （３”ａ）−・−プラズ
マ重合ポリスチレン膜、（３ｂ） （３’ ｂ）〜アン
モニウム塩型親水性基含有プラズマ重合高分子膜、（４
１（４’ ）−金電極。 第４図 特開昭６ｌ−６ＥｉｌＧＯ（７） ７７”１ ｔ７７棟ｆ＞”ｙ （７） ｍｌ ｉｌｂ
Ｂ丑Ｐｓｆｆｉ７′２ １つ＾ １１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、湿度センサー用固体基材上の一対の電極間又はその
少なくとも一方の電極上に感湿膜を形成してなる湿度セ
ンサーにおいて、 上記感湿膜が、疎水性有機化合物のプラズマ重合高分子
層からなる内部層と、その上に形成された有機アミノ化
合物のプラズマ重合によるアミノ基含有高分子層からな
る表面層とで基本構成され、かつ上記表面層のアミノ基
含有高分子層にはアミノ基の変換によるアンモニウム塩
型の親水性基が導入されてなることを特徴とする湿度セ
ンサー。 ２、アンモニウム塩型の親水性基の導入量が、表面層の
表面側で大きく、内部層側で小さくなるよう厚み方向に
傾斜している特許請求の範囲第１項記載の湿度センサー
。 ３、湿度センサー用固体基材が、圧電素子である特許請
求の範囲第１項記載の湿度センサー。 ４、湿度センサー用固体基材上に一対の電極を蒸着形成
し、これを疎水性有機化合物の蒸気下でプラズマ重合に
付して、これら電極間又は少なくとも一つの電極上に高
分子膜を形成し、次いで有機アミノ化合物の蒸気下でプ
ラズマ重合に付して上記高分子膜上にアミノ基含有高分
子膜を形成させた後、ハロゲン化アルキル蒸気中に保持
して上記アミノ基含有高分子膜中のアミノ基をアンモニ
ウム塩型の親水性基に変換することを特徴とする湿度セ
ンサーの製造法。 ５、有機アミノ化合物が、ジアリルアミン、ジエチルア
リルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルヘキサ
ンジアミン、アニリン、ピリジン、フェネチルアミン、
トリエチルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリ
アミン、及びトリエチレンテトラミンの群から選ばれる
特許請求の範囲第４項記載の製造法。 ６、ハロゲン化アルキルが、塩化メチル、塩化エチル、
ヨウ化メチル及び臭化メチルの群から選ばれる特許請求
の範囲第４項記載の製造法。 ７、疎水性有機化合物が、ビニル芳香族系化合物である
特許請求の範囲第４項記載の製造法。 ８、疎水性有機化合物及び有機アミノ化合物のプラズマ
重合が、高真空下、０．１〜１００ＫＨｚのグロー放電
条件下で行なわれる特許請求の範囲第４項記載の製造法
。 ９、湿度センサー用固体基材が、圧電素子である特許請
求の範囲第４項記載の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59188660A JPS6166160A (ja) | 1984-09-08 | 1984-09-08 | 湿度センサ−及びその製造法 |
| US06/772,562 US4696796A (en) | 1984-09-08 | 1985-09-04 | Moisture sensor |
| DE8585306352T DE3583912D1 (de) | 1984-09-08 | 1985-09-06 | Feuchtigkeitsfuehler und verfahren zu dessen herstellung. |
| EP85306352A EP0178071B1 (en) | 1984-09-08 | 1985-09-06 | Moisture sensor and process for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59188660A JPS6166160A (ja) | 1984-09-08 | 1984-09-08 | 湿度センサ−及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166160A true JPS6166160A (ja) | 1986-04-04 |
| JPH0548411B2 JPH0548411B2 (ja) | 1993-07-21 |
Family
ID=16227613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59188660A Granted JPS6166160A (ja) | 1984-09-08 | 1984-09-08 | 湿度センサ−及びその製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4696796A (ja) |
| EP (1) | EP0178071B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6166160A (ja) |
| DE (1) | DE3583912D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6347646A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-29 | Nok Corp | 感湿素子 |
| JPS63137491A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Shimadzu Corp | 圧電素子型センサ |
| JPH01121745A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-15 | Nok Corp | 薄膜感湿素子 |
| JP2010216895A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | 微量質量センサ |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4761710A (en) * | 1987-06-23 | 1988-08-02 | Industrial Technology Research Institute | Polyimide capacitive humidity sensing element |
| US4894532A (en) * | 1988-03-28 | 1990-01-16 | Westinghouse Electric Corp. | Optical fiber sensor with light absorbing moisture-sensitive coating |
| US4905701A (en) * | 1988-06-15 | 1990-03-06 | National Research Development Corporation | Apparatus and method for detecting small changes in attached mass of piezoelectric devices used as sensors |
| DE3911812C2 (de) * | 1989-04-11 | 1996-09-19 | Siemens Ag | Schneller Feuchtesensor auf Polymerbasis |
| US5079407A (en) * | 1990-01-09 | 1992-01-07 | Whirlpool Corporation | Boil condition detection device for a range |
| US5369995A (en) * | 1993-04-21 | 1994-12-06 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Humidity sensor |
| US5533393A (en) * | 1995-01-13 | 1996-07-09 | Honeywell Inc. | Determination of dew point or absolute humidity |
| DE19708053B4 (de) * | 1997-02-28 | 2006-06-08 | Ust Umweltsensortechnik Gmbh | Verfahren und Sensoranordnung zur Dedektion von Kondensationen an Oberflächen |
| US6566893B2 (en) | 1997-02-28 | 2003-05-20 | Ust Umweltsensortechnik Gmbh | Method and arrangement for monitoring surfaces for the presence of dew |
| EP0875752A1 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-04 | Yamatake-Honeywell Co. Ltd. | Moisture sensitive element and method of manufacturing the same |
| DE10015430C1 (de) * | 2000-03-28 | 2001-05-10 | Preh Elektro Feinmechanik | Kapazitiv arbeitender Sensor zur Detektion von Kondensation an Oberflächen |
| KR100539392B1 (ko) * | 2003-08-12 | 2005-12-27 | (주)해은켐텍 | 습도센서 감습막용 전해질 고분자 조성물, 그로부터제조되는 전해질 고분자 잉크 및 잉크젯 인쇄방식을이용하여 감습막을 형성하는 습도센서 제조방법 |
| DE102004036578B4 (de) * | 2004-07-28 | 2006-10-19 | Alexandra Siegrist | Mess- und Warngerät zur Schimmelpilzprävention |
| EP2336757B1 (en) * | 2009-12-07 | 2018-09-19 | ams international AG | Integrated circuit with water presence detection arrangement and manufacturing method therefor |
| US8963421B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-02-24 | National Chiao Tung University | Electroluminescent device including moisture barrier layer |
| US11079347B1 (en) | 2017-07-20 | 2021-08-03 | Enco Electronic Systems, Llc | Moisture sensor including volume sensing |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2728831A (en) * | 1951-11-09 | 1955-12-27 | Phys Chemical Res Corp | Electric hygrometer |
| DE1598446A1 (de) * | 1966-05-03 | 1969-06-26 | Hoechst Ag | Feuchtigkeitsmessfuehler |
| US3703696A (en) * | 1971-11-23 | 1972-11-21 | Gen Electric | Humidity sensor |
| JPS5431714B2 (ja) * | 1972-09-20 | 1979-10-09 | ||
| SU543908A1 (ru) * | 1975-07-28 | 1977-01-25 | Агрофизический научно-исследовательский институт | Сорбционный преобразователь влажности газовых сред |
| JPS5529774A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-03 | Shinei Kk | Relative humidity detector |
| DE2920808A1 (de) * | 1978-05-25 | 1979-11-29 | Shinyei Kaisha Kobe | Messfuehler und schaltung zur feuchtigkeitsmessung |
| US4379406A (en) * | 1980-09-25 | 1983-04-12 | Bennewitz Paul F | Relative humidity detector systems and method of increasing the calibration period of relative humidity detector systems |
| DE3115961C2 (de) * | 1981-04-22 | 1983-02-03 | Wolfgang Prof. Dr. 4400 Münster Meyer zu Reckendorf | Hygrometer |
| DE3224920C2 (de) * | 1981-07-08 | 1986-11-20 | Sharp K.K., Osaka | Feuchtigkeitsempfindliches Widerstandselement |
| US4520341A (en) * | 1981-12-08 | 1985-05-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Moisture responsive element with crosslinked organic membrane and protective layering |
| US4442422A (en) * | 1982-03-31 | 1984-04-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Humidity sensitive resistor |
| US4562725A (en) * | 1982-07-31 | 1986-01-07 | Shimadzu Corporation | Moisture sensor and a process for the production thereof |
| JPS59200951A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Sharp Corp | 感湿素子 |
-
1984
- 1984-09-08 JP JP59188660A patent/JPS6166160A/ja active Granted
-
1985
- 1985-09-04 US US06/772,562 patent/US4696796A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-06 DE DE8585306352T patent/DE3583912D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-06 EP EP85306352A patent/EP0178071B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6347646A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-29 | Nok Corp | 感湿素子 |
| JPS63137491A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Shimadzu Corp | 圧電素子型センサ |
| JPH01121745A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-15 | Nok Corp | 薄膜感湿素子 |
| JP2010216895A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | 微量質量センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0178071B1 (en) | 1991-08-28 |
| US4696796A (en) | 1987-09-29 |
| EP0178071A3 (en) | 1989-02-22 |
| JPH0548411B2 (ja) | 1993-07-21 |
| EP0178071A2 (en) | 1986-04-16 |
| DE3583912D1 (de) | 1991-10-02 |
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