JPS6395347A - 湿度センサ - Google Patents
湿度センサInfo
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- JPS6395347A JPS6395347A JP24025886A JP24025886A JPS6395347A JP S6395347 A JPS6395347 A JP S6395347A JP 24025886 A JP24025886 A JP 24025886A JP 24025886 A JP24025886 A JP 24025886A JP S6395347 A JPS6395347 A JP S6395347A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、湿度センサに関する。更に詳しくは。
容量検出型の湿度センサに関する。
従来、高分子膜を感湿膜とする湿度センサには、抵抗検
出型と容量検出型のものがある。前者は、絶縁性基板上
に形成させた導電性くし型電極の表面を高分子電解質よ
りなる膜状体で被覆した構造をとっており、この高分子
感湿膜は結露水に溶解し易く、また数μmという膜厚の
ため湿度応答性が悪く、相対湿度検出範囲(約30〜9
0%R11)も狭いという欠点を一般に有している。
出型と容量検出型のものがある。前者は、絶縁性基板上
に形成させた導電性くし型電極の表面を高分子電解質よ
りなる膜状体で被覆した構造をとっており、この高分子
感湿膜は結露水に溶解し易く、また数μmという膜厚の
ため湿度応答性が悪く、相対湿度検出範囲(約30〜9
0%R11)も狭いという欠点を一般に有している。
また後者は、抵抗検出型の構造でのくし型電極を下部電
極とし、更に高分子感湿膜の上に上部電極を形成させ、
これによって高分子膜を上、下部電極で挟んだ構造をと
っており、抵抗検出型のものと比較して、耐水性や相対
湿度検出範囲(O〜100%RH)の点では良いものの
、やはり高分子膜の厚膜のため応答性が数分程度と悪く
、また膜の耐熱性も一般に50℃程度と低いため、湿度
センサとしての使用に限界がみられる。
極とし、更に高分子感湿膜の上に上部電極を形成させ、
これによって高分子膜を上、下部電極で挟んだ構造をと
っており、抵抗検出型のものと比較して、耐水性や相対
湿度検出範囲(O〜100%RH)の点では良いものの
、やはり高分子膜の厚膜のため応答性が数分程度と悪く
、また膜の耐熱性も一般に50℃程度と低いため、湿度
センサとしての使用に限界がみられる。
本発明者は容量検出型湿度センサにみられるこうした欠
点を解消させ、特に応答性の点ですぐれた湿度センサを
得るべく種々検討を重ねた結果。
点を解消させ、特に応答性の点ですぐれた湿度センサを
得るべく種々検討を重ねた結果。
上、下部電極間に設置される高分子感湿膜を有機けい素
化合物のプラズマ重合膜で形成させることにより、かか
る課題が効果的に解決されることを見出した。
化合物のプラズマ重合膜で形成させることにより、かか
る課題が効果的に解決されることを見出した。
〔問題点を解決するための手段〕および〔作用〕従って
、本発明は容量検出型の湿度センサに係り、この湿度セ
ンサは、絶縁性基板上に形成させた導電性くし型下部電
極の表面を、有機けい素化合物のプラズマ重合膜で覆い
、該プラズマ重合膜上に上部電極を形成せしめてなる。
、本発明は容量検出型の湿度センサに係り、この湿度セ
ンサは、絶縁性基板上に形成させた導電性くし型下部電
極の表面を、有機けい素化合物のプラズマ重合膜で覆い
、該プラズマ重合膜上に上部電極を形成せしめてなる。
容量検出型の湿度センサは、抵抗検出型のものが感湿膜
を形成している電解質が湿度によって解離イオン量を変
化させ、それによって湿度センサの抵抗を変化させると
いう原理に基いているのに対し、感湿膜が非電解質から
形成され、湿度によって一定の誘電率を有する水分子の
感湿膜中での濃度が変化し、それによって容量が変化す
るという原理に基いている。
を形成している電解質が湿度によって解離イオン量を変
化させ、それによって湿度センサの抵抗を変化させると
いう原理に基いているのに対し、感湿膜が非電解質から
形成され、湿度によって一定の誘電率を有する水分子の
感湿膜中での濃度が変化し、それによって容量が変化す
るという原理に基いている。
本発明においては、かかる感湿膜として有機けい素化合
物、好ましくはビニルトリメトキシシラン、ビニルメチ
ルジェトキシシラン、メチルジェトキシシランなどのメ
トキシ基またはエトキシ基を含有する有機けい素化合物
のプラズマ重合膜が用いられる。有機けい素化合物のプ
ラズマ重合膜は、絶縁性基板との接着性にすぐれ、特に
アルコキシ基を含有する有機けい素化合物は重合膜の堆
積速度が大きく、また膜中に5i−0−5i結合を形成
させるため強固な膜を形成させる。
物、好ましくはビニルトリメトキシシラン、ビニルメチ
ルジェトキシシラン、メチルジェトキシシランなどのメ
トキシ基またはエトキシ基を含有する有機けい素化合物
のプラズマ重合膜が用いられる。有機けい素化合物のプ
ラズマ重合膜は、絶縁性基板との接着性にすぐれ、特に
アルコキシ基を含有する有機けい素化合物は重合膜の堆
積速度が大きく、また膜中に5i−0−5i結合を形成
させるため強固な膜を形成させる。
図面の第1図は1本発明に係る容量検出型の湿度センサ
の一態様を示すそれの平面図であり、絶縁性基板Ik:
、に導電性くし型電極2.2′が形成され、その表面は
一般に約500人〜20000人(2μm)程度の膜厚
を有する上記プラズマ重合膜3によって覆われており、
このプラズマ重合膜の上には上部電極4が形成されてい
る。
の一態様を示すそれの平面図であり、絶縁性基板Ik:
、に導電性くし型電極2.2′が形成され、その表面は
一般に約500人〜20000人(2μm)程度の膜厚
を有する上記プラズマ重合膜3によって覆われており、
このプラズマ重合膜の上には上部電極4が形成されてい
る。
このように構成される湿度センサの容量検出は、下部電
極2.2′間の距離が長く、そのままでは上部電極の容
量が小さいため、中間電極として作用し、結局下部電極
2.2′間に蓄積される容量として検出される。従って
、この湿度センサの等価回路は、次の如くとなる。
極2.2′間の距離が長く、そのままでは上部電極の容
量が小さいため、中間電極として作用し、結局下部電極
2.2′間に蓄積される容量として検出される。従って
、この湿度センサの等価回路は、次の如くとなる。
なお、この2,2′の符号によって指示される。
プラズマ重合膜によって覆われていない取出電極部分に
は、・半田付けあるいは銀ペースト5.5′により、リ
ード4I6.6′が取り付けられている。
は、・半田付けあるいは銀ペースト5.5′により、リ
ード4I6.6′が取り付けられている。
絶縁性基板としては、一般にガラス、石英、アルミナ、
セラミックスなどが用いられるが、感湿素子への温度追
従性が更に良好なことが望まれる場合などには、やはり
本出願人よって提案されているシリコン基板表面を酸化
して形成させた絶縁膜(特願昭60−122,548号
)なども用いることができる。
セラミックスなどが用いられるが、感湿素子への温度追
従性が更に良好なことが望まれる場合などには、やはり
本出願人よって提案されているシリコン基板表面を酸化
して形成させた絶縁膜(特願昭60−122,548号
)なども用いることができる。
これらの絶縁性基板上へ下部電極として導電性くし型電
極を形成させるに際しては、まず絶縁性基板上に、ステ
ンレススチール、ハステロイC、インコネル、モネル、
金などの耐食性金属や銀。
極を形成させるに際しては、まず絶縁性基板上に、ステ
ンレススチール、ハステロイC、インコネル、モネル、
金などの耐食性金属や銀。
アルミニウムなどの電極形成材料金涙をスパッタリング
法、イオンブレーティング法などにより。
法、イオンブレーティング法などにより。
約0.1〜0.5μm程度の厚さの薄膜を形成させ、次
にそこにフォトレジストパターンを形成させる。
にそこにフォトレジストパターンを形成させる。
例えばアルミニウムの場合は、このようにして形成され
た電極形成材料金属薄膜へのフォトレジストパターンの
形成は1周知のフォトリソグラフ工程を適用することに
よって行われる。即ち、金属薄膜上にフォトレジストコ
ーティングを行ない、そこにくし型電極のパターンの陰
画または陽画を焼付けたガラス乾板を重ね、光照射によ
る焼付けおよび現像によって行われる。この後、湿式化
学エツチングが行われるが、エツチング液としては、リ
ン酸−硫酸−無水クロム酸−水(重量比65 : 15
: 5 :15)混合液、BHF (フッ酸系)、塩
化第2鉄水溶液、硝酸、リン酸−硝酸混合液などが用い
られる。
た電極形成材料金属薄膜へのフォトレジストパターンの
形成は1周知のフォトリソグラフ工程を適用することに
よって行われる。即ち、金属薄膜上にフォトレジストコ
ーティングを行ない、そこにくし型電極のパターンの陰
画または陽画を焼付けたガラス乾板を重ね、光照射によ
る焼付けおよび現像によって行われる。この後、湿式化
学エツチングが行われるが、エツチング液としては、リ
ン酸−硫酸−無水クロム酸−水(重量比65 : 15
: 5 :15)混合液、BHF (フッ酸系)、塩
化第2鉄水溶液、硝酸、リン酸−硝酸混合液などが用い
られる。
あるいは、基板上に溶剤可溶性樹脂のフォトレジストパ
ターンを形成させた後、順次クロムおよび金を蒸着させ
、フォトレジストを溶剤で溶解除去する方法、基板上に
金ペーストを用いてスクリーン印刷法を適用する方法な
どによっても導電性くし型電極の形成を行なうことがで
きる。
ターンを形成させた後、順次クロムおよび金を蒸着させ
、フォトレジストを溶剤で溶解除去する方法、基板上に
金ペーストを用いてスクリーン印刷法を適用する方法な
どによっても導電性くし型電極の形成を行なうことがで
きる。
このようにして絶縁性基板上に形成させた導電性くし型
下部電極の表面は、有機けい素化合物のプラズマ重合膜
で覆われる。プラズマ重合は、真空プラズマ重合装置内
に有機けい素化合物を数ミリ−数Torrの圧力になる
迄導入し、そこに数〜数10Wの放電出力の高周波電力
を供給することにより行なわれる。
下部電極の表面は、有機けい素化合物のプラズマ重合膜
で覆われる。プラズマ重合は、真空プラズマ重合装置内
に有機けい素化合物を数ミリ−数Torrの圧力になる
迄導入し、そこに数〜数10Wの放電出力の高周波電力
を供給することにより行なわれる。
その後、プラズマ重合の場合と同様に必要なマスキング
を施し、蒸着装置内で金、白金などを約200〜400
人の膜厚で蒸着させ、上部電極を形成させる。
を施し、蒸着装置内で金、白金などを約200〜400
人の膜厚で蒸着させ、上部電極を形成させる。
本発明に係る湿度センサは、容量検出型のためそもそも
相対湿度検出範囲が広いばかりではなく、感湿膜として
有機けい素化合物、特に高架橋化されるメトキシ基また
はエトキシ基を含有する有機けい素化合物のプラズマ重
合膜が用いられているため、耐水性、耐熱性が改善され
、また応答性の点でもすぐれている。
相対湿度検出範囲が広いばかりではなく、感湿膜として
有機けい素化合物、特に高架橋化されるメトキシ基また
はエトキシ基を含有する有機けい素化合物のプラズマ重
合膜が用いられているため、耐水性、耐熱性が改善され
、また応答性の点でもすぐれている。
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例
ガラス基板上にフォトレジストによりくし型電極と反対
のパターンを形成させた後、蒸着法によりクロムを50
0人の膜厚で、次いで金をtooo人の膜厚で蒸着させ
た後、フォトレジストを溶解させて、導電性くし型電極
を形成させた。
のパターンを形成させた後、蒸着法によりクロムを50
0人の膜厚で、次いで金をtooo人の膜厚で蒸着させ
た後、フォトレジストを溶解させて、導電性くし型電極
を形成させた。
これを、プラズマ重合装置内に収容し、装置内をI X
10−’Torrに減圧した後、そこに6 X 10
−”Torrのメチルトリメトキシシランを導入し、放
電出力60Wの高周波電力を印加することにより、膜厚
5000人のプラズマ重合膜を形成させた。次に、蒸着
装置内に移し、プラズマ重合膜上に膜Jr5200人の
金薄膜を上部電極として形成させた。なお、これらの2
工程は、いずれも必要なマスキングの下に行なわれた。
10−’Torrに減圧した後、そこに6 X 10
−”Torrのメチルトリメトキシシランを導入し、放
電出力60Wの高周波電力を印加することにより、膜厚
5000人のプラズマ重合膜を形成させた。次に、蒸着
装置内に移し、プラズマ重合膜上に膜Jr5200人の
金薄膜を上部電極として形成させた。なお、これらの2
工程は、いずれも必要なマスキングの下に行なわれた。
このようにして形成された容量検出型の湿度センサにつ
いて、相対湿度に対する静電容量を測定すると、第2図
のグラフに示されるような結果が得られた。この結果か
ら、相対湿度に対して静電容量がほぼ直線的に変化する
ことが分かる。
いて、相対湿度に対する静電容量を測定すると、第2図
のグラフに示されるような結果が得られた。この結果か
ら、相対湿度に対して静電容量がほぼ直線的に変化する
ことが分かる。
また、この湿度センサを150℃に加熱する耐熱試験を
行なうと、第3図のグラフに示されるような結果が得ら
れた。
行なうと、第3図のグラフに示されるような結果が得ら
れた。
第1図は、本発明に係る湿度センサの一態様のKIt面
図である。第2図は、この湿度センサを用しまた場合の
相対湿度に対する静電容量の関係を示すグラフである。 また、第3図は、この湿度センサの耐熱試験の結果を示
すグラフである。 (符号の説明) 1・・・・・絶縁性基板 2.2′・・・下部電極 3・・・・・プラズマ重合膜 4・・・・・上部電極
図である。第2図は、この湿度センサを用しまた場合の
相対湿度に対する静電容量の関係を示すグラフである。 また、第3図は、この湿度センサの耐熱試験の結果を示
すグラフである。 (符号の説明) 1・・・・・絶縁性基板 2.2′・・・下部電極 3・・・・・プラズマ重合膜 4・・・・・上部電極
Claims (2)
- 1.絶縁性基板上に形成させた導電性くし型下部電極の
表面を、有機けい素化合物プラズマ重合膜で覆い、該プ
ラズマ重合膜上に上部電極を形成せしめてなる湿度セン
サ。 - 2.有機けい素化合物プラズマ重合膜がメトキシ基また
はエトキシ基を含有する有機けい素化合物のプラズマ重
合膜である特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61240258A JPH0814553B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61240258A JPH0814553B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 湿度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6395347A true JPS6395347A (ja) | 1988-04-26 |
JPH0814553B2 JPH0814553B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=17056815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61240258A Expired - Lifetime JPH0814553B2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | 湿度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0814553B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1387164A1 (en) * | 2002-07-29 | 2004-02-04 | Yamatake Corporation | Capacitive type sensor |
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