JP6477044B2 - 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び成膜装置 - Google Patents
原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6477044B2 JP6477044B2 JP2015045059A JP2015045059A JP6477044B2 JP 6477044 B2 JP6477044 B2 JP 6477044B2 JP 2015045059 A JP2015045059 A JP 2015045059A JP 2015045059 A JP2015045059 A JP 2015045059A JP 6477044 B2 JP6477044 B2 JP 6477044B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- gas
- container
- gas supply
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims description 488
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 143
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 61
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 57
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 14
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 4
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 3
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- LQNAFXBTXJHEAX-UHFFFAOYSA-J Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)=O Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)=O LQNAFXBTXJHEAX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFFCXRJSYKOAX-UHFFFAOYSA-M [W+](=O)=O.[Cl-] Chemical compound [W+](=O)=O.[Cl-] TVFFCXRJSYKOAX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- GICWIDZXWJGTCI-UHFFFAOYSA-I molybdenum pentachloride Chemical compound Cl[Mo](Cl)(Cl)(Cl)Cl GICWIDZXWJGTCI-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H tungsten hexachloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- WIDQNNDDTXUPAN-UHFFFAOYSA-I tungsten(v) chloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)Cl WIDQNNDDTXUPAN-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
このような固体原料を用いたシステムにおいては次のような問題がある。成膜処理は真空雰囲気で行われるため、固体原料の消費により原料容器を交換するときには、真空系から切り離す作業が必要であり、また切り離したときに原料ガスが作業雰囲気に漏洩しないように原料容器内及び配管内を切り離し前にパージする作業が必要である。更に原料容器を加熱しているヒータをオフした後、原料容器内が冷えるのを待たなければならず、こうしたことから、原料容器を交換する作業に長い時間がかかり、装置の稼働率を低くする要因になる。原料容器の交換周期を長くするため、大きな原料容器を設置しようとすると、半導体製造工場内では複数のプロセスチャンバが並行して稼働していることから、各プロセスチャンバごとに大きな原料容器を設置することになり、広いスペースが必要になる。
キャリアガス供給路がその上流側に接続されると共に、固体原料の昇華温度以上に加熱され、固体原料を収容する原料容器と、
前記原料容器の下流側に補充用流路を介して接続され、当該原料容器から流出したキャリアガスと昇華した原料とを含む原料ガス中から前記原料を再固化して捕捉するための原料捕捉部と、
前記固体原料の昇華温度以上に前記原料捕捉部を加熱するための加熱部と、
前記原料容器と原料捕捉部との間に接続され、前記原料捕捉部に捕捉されている固体原料が昇華した原料とキャリアガスとを供給用流路を介して消費区域に供給するために、キャリアガスを前記原料捕捉部に供給する原料捕捉部用のキャリアガス供給路と、
前記原料容器から原料ガスが原料捕捉部に送られているときに原料捕捉部からガスを排出するための排出路と、
前記原料容器から原料を補充するために原料ガスが原料捕捉部に送られているときに供給用流路を遮断するバルブ及び前記原料捕捉部から消費区域に原料ガスを供給するときに補充用流路を遮断するバルブと、を備えたことを特徴とする。
内部に基板が載置される載置部を備え、固体原料が昇華した原料とキャリアガスとが供給用流路を介して供給される処理容器と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気機構と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
固体原料を収容する原料容器を加熱して固体原料を昇華させ、昇華した原料をキャリアガスと共に、当該原料容器の下流側に補充用流路を介して接続した原料捕捉部に供給して、当該原料捕捉部に原料を再固化させる工程と、
次いで、前記補充用流路のバルブを閉じ、前記原料捕捉部を加熱して、再固化した固体原料を昇華させ、昇華した原料を前記原料容器と原料捕捉部との間に接続されたキャリアガス供給路から供給されるキャリアガスと共に、供給用流路を介して消費区域に供給する工程と、を繰り返し行うことを特徴とする。
またヒータ44の外側を覆い、冷却ガス流路46が密閉された空間となるようにカバー部材47が設けられている。カバー部材47には、冷却ガス流路46に、第1及び第2の原料捕捉部41、42を原料ガスの主成分であるWCl6の凝固点以下であって、WCl6に含まれる不純物であるWCl2O2(二塩化二酸化タングステン)やWCl4O(四塩化酸化タングステン)が凝固しない温度まで強制的に冷却するための冷却ガス、例えばN2ガスを供給するためのN2ガス供給管48と、冷却ガス流路46からN2ガスを排出するためのN2ガス排出管49と、が接続されている。N2ガス供給管48及びN2ガス排出管49には、夫々冷却ガスの供給及び停止を切り替える冷却用バルブV48,V49が設けられている。
第1及び第2の原料捕捉部41、42の上流側の分岐管31、33には、夫々バルブV1、V3が介設され、第1及び第2の原料捕捉部41、42の下流側の分岐管32、34には、夫々バルブV2、V4が介設されている。原料供給用の配管37及び分岐管32、34は供給用流路に相当する。
また原料ガスを含むガスが通過する原料補充用の配管30、分岐管31、33、原料供給用の配管37、分岐管32、34、排気管35、36及び合流管38は、例えば、図示しないテープヒータなどにより覆われており、テープヒータで覆われた領域は、原料ガスが析出しない温度、例えば160℃に加熱されている。
そして図1に示す他の原料供給系2B,2Cにおいても、同様にして成膜処理部1B,1Cに原料ガスの供給を行う。
さらに複数の原料供給系2A〜2C(成膜処理部1A〜1C)に対して、共通の原料容器3から原料を供給するためには、原料容器3の交換頻度を少なくするため大型の原料容器3を用いることが得策である。
一方、原料容器3の形状については、加熱面積を増やすため扁平形状にすると、特殊仕様になってコストが高くなり、また設置スペースが広くなる。さらに原料容器3の壁面に近い固体原料300と壁面から遠い固体原料300との間で温度差が大きくなり昇華量が安定しにくくなることから、縦長のものが一般的である。このため大型の原料容器3を用いた場合には、フル充填時(原料メーカー側で決められた重量の固体原料300を充填した状態)と残量が少なくなったときとでは、原料容器3内の空間の広さが大きく変わる。即ち、固体原料300の表面の高さが大きく変わり、このため当該表面とキャリアガスの吐出口との距離の差が大きくなり、当該表面におけるキャリアガスの流速の差が大きくなる。
このように大型の原料容器3を用いる場合には、キャリアガスの流量を多くする(流速を上げる)ことが得策であり、固体原料300の最大充填量(原料メーカーが決めたフル充填時の重量)が20kg〜80kgであるときには、キャリアガスの流量は、3slm以上であることが好ましい。
上述の実施の形態に用いられる原料供給源である第1及び第2の原料捕捉部41、42は、ケース体40の壁面や捕捉部材43の表面に原料を薄い膜状に析出させ、壁面及び捕捉部材43の全体を加熱している。このため原料の薄膜全体が均一に加熱されて、原料が昇華するため成膜処理部1Aへの原料の供給量が安定する。
上述のように第1の原料捕捉部41及び第2の原料捕捉部42は、WCl6を析出させるときには、その温度を60℃に設定して、析出したWCl6を昇華させるときには、その温度を150〜200℃(例えば150℃)に設定している。第1の原料捕捉部41及び第2の原料捕捉部42は、ステンレスで構成されているため、150℃と、60℃と、の間で温度が変化すると、熱膨張・収縮によりその大きさが大きく変化する。従って第1の原料捕捉部41及び第2の原料捕捉部42を口径が大きく、強度の大きい配管で固定した場合は、第1の原料捕捉部41及び第2の原料捕捉部42の温度変化を繰り返すことにより接続部分にひずみによるストレスが生じ、配管の劣化や故障の原因となる。
さらに上述の実施の形態において、第1及び第2の原料捕捉部41、42を用いて成膜処理を行っている間に原料容器3の交換作業が終了すれば、成膜処理が停止しなくて済むが、複数の原料供給系(例えば3つの原料供給系2A〜2C)のいずれかにおいて原料捕捉部41、42に捕捉されている原料が減少し、原料容器3の交換時に成膜処理を停止せざるを得ない場合であっても、本発明の範囲に含まれる。この場合であっても、原料容器の交換作業と成膜処理とを重ねて行うことができることから、装置の停止時間は、両者のタイミングを重ねない場合よりも短くなる効果がある。
[本発明の実施の形態の他の例]
また本発明の実施の形態の他の例に係る原料ガス供給装置は、一つの原料捕捉部と、原料容器3から、成膜処理部1Aに原料ガスを供給する配管とが並列に設けられた原料供給系を備えていてもよい。図9に示すように上述の実施の形態に示した各原料供給系2A〜2Cの第2の原料捕捉部42を除き、原料容器3から原料ガスを第1の原料捕捉部41を迂回して成膜処理部1Aに供給するバルブV39が介設された配管39を設ける。
また成膜処理に用いる原料は、WCl6に限られるものではなく、例えば
WCl5(五塩化タングステン)、MoCl5(五塩化モリブデン)ZrCl4(塩化ジルコニウム(IV))、HfCl4(塩化ハフニウム(IV))、AlCl3(塩化アルミニウム)などであってもよい。
2A〜2C 原料供給系
3 原料容器
41 第1の原料捕捉部
42 第2の原料捕捉部
43 捕捉部材
44 ヒータ
8 原料容器のヒータ
9 制御部
V48,V49 冷却用バルブ
V1〜V5 バルブ
Claims (15)
- 固体原料を昇華した原料を不活性ガスであるキャリアガスと共に消費区域に供給する原料ガス供給装置において、
キャリアガス供給路がその上流側に接続されると共に、固体原料の昇華温度以上に加熱され、固体原料を収容する原料容器と、
前記原料容器の下流側に補充用流路を介して接続され、当該原料容器から流出したキャリアガスと昇華した原料とを含む原料ガス中から前記原料を再固化して捕捉するための原料捕捉部と、
前記固体原料の昇華温度以上に前記原料捕捉部を加熱するための加熱部と、
前記原料容器と原料捕捉部との間に接続され、前記原料捕捉部に捕捉されている固体原料が昇華した原料とキャリアガスとを供給用流路を介して消費区域に供給するために、キャリアガスを前記原料捕捉部に供給する原料捕捉部用のキャリアガス供給路と、
前記原料容器から原料ガスが原料捕捉部に送られているときに原料捕捉部からガスを排出するための排出路と、
前記原料容器から原料を補充するために原料ガスが原料捕捉部に送られているときに供給用流路を遮断するバルブ及び前記原料捕捉部から消費区域に原料ガスを供給するときに補充用流路を遮断するバルブと、を備えたことを特徴とする原料ガス供給装置。 - 前記原料容器から原料ガスが原料捕捉部に送られているときに原料ガス中の原料を前記原料捕捉部に再固化して捕捉するために、原料捕捉部を強制的に冷却する冷却部を備えていることを特徴とする請求項1記載の原料ガス供給装置。
- 前記原料捕捉部は、その表面に原料を再固化させるための迷路構造を構成する捕捉部材を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の原料ガス供給装置。
- 前記原料容器は、固体原料の最大充填量が20kg以上であり、前記キャリアガス供給路から供給されるキャリアガスを収容した固体原料に向けて3slm以上の流量で吐出するノズル部を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の原料ガス供給装置。
- 前記原料捕捉部は、互いに並列に接続された第1の原料捕捉部及び第2の原料捕捉部を備え、前記供給用流路を遮断するバルブ及び前記補充用流路を遮断するバルブの組は、第1の原料捕捉部及び第2の原料捕捉部の各々に対応して設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の原料ガス供給装置。
- 第1の原料捕捉部及び第2の原料捕捉部の一方から消費区域に原料ガスが供給されているときに、他方に対して前記原料容器から原料ガスを供給して原料を補充するように制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする請求項5記載の原料ガス供給装置。
- 前記原料容器内の固体原料には、原料の構成元素の化合物である不純物が含まれ、
前記原料捕捉部において、原料容器から送られる昇華された原料を再固化するときの温度は、前記不純物の昇華温度よりも高い温度に設定されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の原料ガス供給装置。 - 前記固体原料は、WCl6であり、前記不純物はW、Cl及びOを含む化合物であることを特徴とする請求項7記載の原料ガス供給装置。
- 複数の消費区域に夫々対応して前記原料捕捉部を含む複数の原料供給系が設けられ、
前記原料容器は、前記複数の原料供給系に共通化されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一項に記載の原料ガス供給装置。 - 前記原料容器から前記原料捕捉部を介さずに原料を供給するための流路を備えていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の原料ガス供給装置。
- 請求項1ないし10のいずれか一項に記載の原料ガス供給装置と、
内部に基板が載置される載置部を備え、固体原料が昇華した原料とキャリアガスとが供給用流路を介して供給される処理容器と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気機構と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 固体原料を昇華した原料を不活性ガスであるキャリアガスと共に消費区域に供給する原料ガス供給方法において、
固体原料を収容する原料容器を加熱して固体原料を昇華させ、昇華した原料をキャリアガスと共に、当該原料容器の下流側に補充用流路を介して接続した原料捕捉部に供給して、当該原料捕捉部に原料を再固化させる工程と、
次いで、前記補充用流路のバルブを閉じ、前記原料捕捉部を加熱して、再固化した固体原料を昇華させ、昇華した原料を前記原料容器と原料捕捉部との間に接続されたキャリアガス供給路から供給されるキャリアガスと共に、供給用流路を介して消費区域に供給する工程と、を繰り返し行うことを特徴とする原料ガス供給方法。 - 前記原料捕捉部を加熱して、再固化した固体原料を昇華させた後、原料捕捉部を強制的に冷却する工程を行うことを特徴とする請求項12記載の原料ガス供給方法。
- 前記原料容器に収容された固体原料に向けて、ノズル部から3slm以上の流量でキャリアガスを吐出して固体原料を昇華させることを特徴とする請求項12または13に記載の原料ガス供給方法。
- 前記原料捕捉部は、互いに並列に接続された第1の原料捕捉部及び第2の原料捕捉部を備え、
前記第1の原料補足部及び第2の原料捕捉部の一方から昇華した原料を消費区域に供給する工程を行っているときに、前記原料容器から昇華した原料を前記第1の原料補足部及び第2の原料捕捉部の他方に供給する工程を行うことを特徴とする請求項12ないし14のいずれか一項に記載の原料ガス供給方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014219127 | 2014-10-28 | ||
JP2014219127 | 2014-10-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016084526A JP2016084526A (ja) | 2016-05-19 |
JP6477044B2 true JP6477044B2 (ja) | 2019-03-06 |
Family
ID=55973088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015045059A Active JP6477044B2 (ja) | 2014-10-28 | 2015-03-06 | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6477044B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6966499B2 (ja) * | 2019-03-06 | 2021-11-17 | Ckd株式会社 | ガス供給ユニット及びガス供給方法 |
JP7240993B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2023-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給システム及び原料ガス供給方法 |
WO2021060083A1 (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料供給装置及び原料供給方法 |
JP2022048820A (ja) * | 2020-09-15 | 2022-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料供給装置及び原料供給方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6063369A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-11 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置における気化用固体源の供給装置 |
JPH0758023A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-03-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 有機金属化合物の容器充填方法 |
JP3516819B2 (ja) * | 1996-09-12 | 2004-04-05 | 株式会社アルバック | モノマーの蒸発システム、同蒸発システムを備えた真空処理室、および有機化合物膜の成膜方法 |
JP4688857B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2011-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置および成膜方法 |
JP2010040695A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および原料補充方法 |
JP5820731B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-11-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および固体原料補充方法 |
-
2015
- 2015-03-06 JP JP2015045059A patent/JP6477044B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016084526A (ja) | 2016-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6477044B2 (ja) | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び成膜装置 | |
KR101909336B1 (ko) | 원료 공급 방법, 원료 공급 장치 및 기억 매체 | |
JP5692842B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP5645718B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP5702657B2 (ja) | 熱処理装置 | |
US9777377B2 (en) | Film forming method and film forming device | |
JP2019007082A (ja) | 蒸発器、堆積アレンジメント、堆積装置及びこれらを操作する方法 | |
JP6336866B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2016172902A (ja) | 原料ガス供給装置及び成膜装置 | |
JP2016204755A (ja) | 高純度6塩化タングステンとその製造方法 | |
KR20150112804A (ko) | 가스 공급 기구 및 가스 공급 방법, 및 그것을 사용한 성막 장치 및 성막 방법 | |
CN104066873A (zh) | 带涂层坩埚和制造带涂层坩埚的方法 | |
JP2004096060A (ja) | 成膜方法 | |
JP2006222265A (ja) | 基板処理装置 | |
US20210071301A1 (en) | Fill vessels and connectors for chemical sublimators | |
JP5066981B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP6693106B2 (ja) | 原料供給装置、原料供給方法及び記憶媒体 | |
JP2011003599A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP2015151564A (ja) | 原子層堆積成膜装置 | |
JP6531487B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
US20170253970A1 (en) | ALD Coating System and Method for Operating an ALD Coating System | |
JPH03141192A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
JP2003247075A (ja) | Lpcvd装置及び薄膜製造方法 | |
US20230175127A1 (en) | Remote solid source reactant delivery systems for vapor deposition reactors | |
US20240133033A1 (en) | Reactant delivery system and reactor system including same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6477044 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |