JPH0244022A - 多結晶シリコンの製法 - Google Patents
多結晶シリコンの製法Info
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- JPH0244022A JPH0244022A JP19409288A JP19409288A JPH0244022A JP H0244022 A JPH0244022 A JP H0244022A JP 19409288 A JP19409288 A JP 19409288A JP 19409288 A JP19409288 A JP 19409288A JP H0244022 A JPH0244022 A JP H0244022A
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Landscapes
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、表示装置における各絵素に設けられるＦＥＴ
スイッチ等の材料となる多結晶シリコンや、集積回路等
に用いられる多結晶シリコンの製法に関する。
スイッチ等の材料となる多結晶シリコンや、集積回路等
に用いられる多結晶シリコンの製法に関する。
従来の技術
従来、多結晶シリコンの製法は、化学蒸着法（ＣＶＤ法
）が多用されている（例えば薄膜ハンドブック日本学術
振興会薄膜第１３１委員会編、）また電子ビーム蒸着（
ＥＢ蒸着）や、スパッター法でシリコン膜が形成されて
きたが、通常使われる１０４Ｔｏｒｒ程度の真空度にお
いては、非晶質等出来た膜の質は悪い。
）が多用されている（例えば薄膜ハンドブック日本学術
振興会薄膜第１３１委員会編、）また電子ビーム蒸着（
ＥＢ蒸着）や、スパッター法でシリコン膜が形成されて
きたが、通常使われる１０４Ｔｏｒｒ程度の真空度にお
いては、非晶質等出来た膜の質は悪い。
発明が解決しようとする課題
ＣＶＤ法では、約６００°Ｃ以下の基板温度で形成する
と、シリコン膜は非晶質となり、これ以上の基板温度で
多結晶シリコン膜が得られる。すなわち、基板温度が低
価格のものを使うには高過ぎる。
と、シリコン膜は非晶質となり、これ以上の基板温度で
多結晶シリコン膜が得られる。すなわち、基板温度が低
価格のものを使うには高過ぎる。
また、ＥＢ蒸着法やスパッター法でシリコン膜を形成す
ると、基板温度を約７００°Ｃ以上にした時、初めてＸ
線回折測定で若干の結晶性に由来する回折パターンが現
れる。この場合でも、低コスト基板、例えばソーダライ
ム・ガラスを基板として使うには、基板温度が高すぎる
。
ると、基板温度を約７００°Ｃ以上にした時、初めてＸ
線回折測定で若干の結晶性に由来する回折パターンが現
れる。この場合でも、低コスト基板、例えばソーダライ
ム・ガラスを基板として使うには、基板温度が高すぎる
。
これらの議論は、勿論、集積回路技術分野でも成り立つ
、すなわち、プロセス温度は低ければ低い方が良い。
、すなわち、プロセス温度は低ければ低い方が良い。
課題を解決するための手段
本発明は前述のような課題を解決するために、水素化シ
リコンまたは塩化シリコンの雰囲気中で、直流スパッタ
ー法または高周波スパッター法でシリコンを沈積させる
ことを特徴とする多結晶シリコンの製法を提供するもの
である。
リコンまたは塩化シリコンの雰囲気中で、直流スパッタ
ー法または高周波スパッター法でシリコンを沈積させる
ことを特徴とする多結晶シリコンの製法を提供するもの
である。
作用
スパッター雰囲気において、プラズマ電子等で励起され
たシリコンを含む分子種が存在し、いわばスパッターと
化学蒸着の両プロセスがシリコン沈積に働く、すなわち
、基板上に沈積するシリコン種のエネルギーは大きく、
しかも沈積過程に混入する不純物原子も抑制される。
たシリコンを含む分子種が存在し、いわばスパッターと
化学蒸着の両プロセスがシリコン沈積に働く、すなわち
、基板上に沈積するシリコン種のエネルギーは大きく、
しかも沈積過程に混入する不純物原子も抑制される。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を用いて説明す
る。
る。
（実施例１）
アルミノ珪酸・ガラス基板上に、シリコンを沈積させる
スパッター装置の概略図を第１図に示す。
スパッター装置の概略図を第１図に示す。
第１図において、ｌは真空チャンバー、２はシリコンか
らなるターゲット、３はアルゴン導入口、４は水素化シ
リコンまたは塩化シリコンの導入口、５はヒーター、６
は基板である０本実施例では、高周波スパッター装置を
使用した。
らなるターゲット、３はアルゴン導入口、４は水素化シ
リコンまたは塩化シリコンの導入口、５はヒーター、６
は基板である０本実施例では、高周波スパッター装置を
使用した。
水素化シリコンとしては、シラン（Ｓ ｉ Ｈ，）やジ
シラン（Ｓ１２Ｈ，）、塩化シリコンとしては塩化シラ
ン（Ｓｔ（１，）が、常態は気体であり、使用した。
シラン（Ｓ１２Ｈ，）、塩化シリコンとしては塩化シラ
ン（Ｓｔ（１，）が、常態は気体であり、使用した。
真空チャンバー１をターボ分子・ポンプで１ ＊ １０
’ Ｔ ｏ ｒ ｒ以下の真空度に十分引くことが重要
である。基板６の温度を約４００度にし、次に、９９．
９９５％以上の純度のアルゴン・ガスと９９．９９９％
以上の純度の水素化シリコンまたは塩化シリコンを真空
チャンバー１に導入し、高周波スパッターをした。勿論
、ターゲット２には高純度シリコンを使った。
’ Ｔ ｏ ｒ ｒ以下の真空度に十分引くことが重要
である。基板６の温度を約４００度にし、次に、９９．
９９５％以上の純度のアルゴン・ガスと９９．９９９％
以上の純度の水素化シリコンまたは塩化シリコンを真空
チャンバー１に導入し、高周波スパッターをした。勿論
、ターゲット２には高純度シリコンを使った。
Ｘ線回折測定の結果は、基板上に析出した膜は多結晶シ
リコン特有の回折パターンを示していた。
リコン特有の回折パターンを示していた。
スパッター雰囲気をアルゴンまたはアルゴンと水素の混
合雰囲気にした場合、すなわち従来の方法では、非晶質
シリコン膜が得られるのみであった。
合雰囲気にした場合、すなわち従来の方法では、非晶質
シリコン膜が得られるのみであった。
（実施例２）
ソーダライム・ガラス基板の主面を２酸化硅素で覆った
ものを基板とした。
ものを基板とした。
実施例１と同様に、但し直流スパッター装置でシリコン
膜を形成した。
膜を形成した。
ＸＩＪＡ回折測定の結果は、基板上の膜は多結晶シリコ
ン特有の回折パターンを示していた。
ン特有の回折パターンを示していた。
発明の効果
本発明は、表示装置における各絵素に設けられるＦＥＴ
スイッチ等を材料となる多結晶シリコンや、集積回路等
に用いられる多結晶シリコンに関するものであり、産業
上の価値は大なるものがある。
スイッチ等を材料となる多結晶シリコンや、集積回路等
に用いられる多結晶シリコンに関するものであり、産業
上の価値は大なるものがある。
第１図は、シリコンを沈積させるスパッター装置の概略
図である。 ■・・・・・・真空チャンバー、２・・・・・・シリコ
ンからなるターゲット、３・・・・・・アルゴン導入口
、４・・・・・・水素化シリコンまたは塩化シリコンの
導入口、５・・・・・・ヒーター、６・・・・・・基板
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１−一一真
γ８７．Ｊバ 牛−、ｉｌｉビシワ］ソ５ｒ−１ま塩イしリリコソ艦へ
Ｄ５−−−ビーθ− ｅ−−−Ｘ＝拳スタ
図である。 ■・・・・・・真空チャンバー、２・・・・・・シリコ
ンからなるターゲット、３・・・・・・アルゴン導入口
、４・・・・・・水素化シリコンまたは塩化シリコンの
導入口、５・・・・・・ヒーター、６・・・・・・基板
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１−一一真
γ８７．Ｊバ 牛−、ｉｌｉビシワ］ソ５ｒ−１ま塩イしリリコソ艦へ
Ｄ５−−−ビーθ− ｅ−−−Ｘ＝拳スタ
Claims (1)
- 水素化シリコンまたは塩化シリコンの雰囲気中で、直流
スパッター法または高周波スパッター法でシリコンを沈
積させることを特徴とする多結晶シリコンの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19409288A JPH0244022A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 多結晶シリコンの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19409288A JPH0244022A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 多結晶シリコンの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244022A true JPH0244022A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16318818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19409288A Pending JPH0244022A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 多結晶シリコンの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244022A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254208A (en) * | 1990-07-24 | 1993-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6008078A (en) * | 1990-07-24 | 1999-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6429483B1 (en) | 1994-06-09 | 2002-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223010A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | カルボキシ変性ラテツクスおよびその製造方法 |
| JPH0532711A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 紙塗工用共重合体ラテツクスの製造方法及び紙塗工用組成物 |
| JPH08199021A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Daicel Chem Ind Ltd | 成形性に優れたゴム変性スチレン系樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP19409288A patent/JPH0244022A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223010A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | カルボキシ変性ラテツクスおよびその製造方法 |
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| JPH08199021A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Daicel Chem Ind Ltd | 成形性に優れたゴム変性スチレン系樹脂組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254208A (en) * | 1990-07-24 | 1993-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
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| US6008078A (en) * | 1990-07-24 | 1999-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6486495B2 (en) | 1990-07-24 | 2002-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US7026200B2 (en) | 1990-07-24 | 2006-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6429483B1 (en) | 1994-06-09 | 2002-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| US7547915B2 (en) | 1994-06-09 | 2009-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having SiOxNy film |
| US8330165B2 (en) | 1994-06-09 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
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