JPH04210466A - 真空成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は超電導分野や光学分野等で利用される真空成
膜装置に関するものである。

（従来の技術） 従来の真空成膜装置は第２図に示されており、同図にお
いて、真空容器１内の上部には基板２か配設され、また
、真空容器１内の下部には３個の蒸発源３ａ、３ｂ、３
ｃかそれぞれ所定の間隔をおいて配設されている。真空
容器１にはカス導入系４が接続さね、また、真空容器１
には内部のカスを真空排気する真空排気系５か接続され
ている９゜図中、６．７は真空バルブ、８は真空ポンプ
である。

したがって、上記真空成膜装置においては、蒸発源３ａ
、３ｂ、３ｃより蒸発した物質が基板Ｓ？の表面に付着
して、そこに薄膜か形成されるようになる。その場合、
蒸発源３ａ、３ｂ、３ｃにそれぞれ異なる元素の物質を
入れ、これらを同時に蒸発すると、これらの元素よりな
る化合物の薄膜を基板２上に形成することか可能になる
。また、酸化物や窒化物の薄膜を基板２上に形成する時
には、成膜時に不足する酸素や窒素を補うために、ガス
導入系４より酸素や窒素が導入される３、（発明が解決
しようとする課題） 従来の真空成膜装置は、上記のように成膜時に不足する
酸素や窒素をカス導入系４より導入することによ−〕で
、基板２上に酸化物や窒化物の薄膜を形成するように１
７でいるか、その場合、酸素や窒素の導入による、これ
らの真空容器１内での圧力はＩＣ１”Ｔｏｒｒ程度の高
い圧力１．＝することか必要となる。しかしなから、こ
のように真空容器１内での酸素や窒素の圧力を高くする
と、蒸発源３ａ、３ｂ、３ｃを加熱する加熱ヒータ（図
示せず）や基板２を加熱する加熱ヒータ（図示せず）か
酸素や窒素により消耗する問題が起きた。

この発明の目的は、従来の問題を解決して、蒸発源を加
熱する加熱し−タや基板を加熱する加熱ヒータの消耗を
少なくするために、真空容器内の酸素や窒素の圧力を低
くして、基板上に酸化物や窒化物の薄膜の形成を可能に
するものである。

（発明が解決するための手段） 上記目的を達成するために、この発明は、真空容器内の
」二部に基板、下部に蒸発源をそれぞれ配設（７、蒸発
源より蒸発した物質を基板に付着させ、そこに薄膜を形
成する真空成膜装置において、上記基板と蒸発源との間
に、上記蒸発源より蒸発した物質の通過する通過穴をも
った仕切板を設け、この仕切板により、上記真空容器内
を基板室と蒸発源室とに区分し、その基板室と蒸発源室
にそれぞれ真空排気系を接続し、そ［７て、基板室のみ
にイオン源を接続したことを特徴とするものである。

（作用） この発明においては、仕切板により、真空容器内を基板
室と蒸発源室とに区分し、その基板室と蒸発源室にそれ
ぞれ真空排気系を接続しているので、基板室の圧力を］
、Ｏ”Ｔｏｒｒ台、蒸発源室の圧力を１０’Ｔｏｒｒ台
に保ったり、あるいは基板室の圧力を１０＝Ｔｏｒｒ台
、蒸発源室の圧力を１０−’Ｔｏｒｒ台に保ったりして
、蒸発源を加熱する加熱ヒータを、基板を加熱する加熱
ヒータより低い圧力で使用することか可能になる。また
、イオン源より酸素や窒素のイオンおよびラジカルを基
板室に供給すると、基板室の圧力をｌＯ−′〜１Ｏ−５
Ｔｏｒｒ台にして成膜をすることが可能になるので、基
板を加熱するヒータを、従来のカスを導入する形の装置
に比べて低い圧力で使用できる。

（実施例） 以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。

第１図はこの発明の実施例を示しており、同図において
、真空容器ｌ内の上部には基板２が配設され、また、真
空容器ｌ内の下部には３個の蒸発源３ａ、３ｂ、３ｃが
それぞれ所定の間隔をおいて配設されている。基板２と
蒸発源３ａ、３ｂ。

３ｃとの間には、蒸発源３ａ、３ｂ、３ｃより蒸発した
物質の通過する通過穴１０をもった仕切板１１が設けら
れ、この仕切板１１により、真空容器１内が基板室１２
と蒸発源室！３とに区分されている。そして、基板室１
２と蒸発源室】３とにはそれぞれ真空排気系１４、］５
が接続されている。また、基板室１２のみにはイオン源
１５が接続されている。なお、図中、１７．１８．１９
は真空バルブ、２０．２１は真空ポンプである。

したがって、上記実施例においては、蒸発源３ａ、３ｂ
、３ｃより蒸発した物質は仕切板ＩＪの通過穴１０を通
過して、基板２の表面に付着し、そこに薄膜を形成する
ようになる。また、イオン源１６より酸素や窒素のイオ
ンおよびラジカルを基板室１２に供給すると、基板室１
２の圧力を１０４〜１Ｏ−５Ｔｏｒｒ台にして基板２上
に酸化物や窒化物の薄膜を形成することが可能になる。

その場合、基板室Ｉ２の圧力をｌＯ”Ｔｏｒｒ台、蒸発
源室１３の圧力を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ台に保ったり、ある
いは基板室１２の圧力を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ台、蒸発源室
１３の圧力を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ台に保ったりして、蒸発
源３ａ、３ｂ、３ｃを加熱する加熱ヒータ（図示せず）
や基板２を加熱する加熱ヒ〜り（図示せず）を従来の装
置に比べて低い圧力で使用することが可能である。

（発明の効果） この発明は上記のように基板室の圧力を１Ｏ−４Ｔｏｒ
ｒ台、蒸発源室の圧力を１０−’Ｔｏｒｒ台に保ったり
、あるいは基板室の圧力を１Ｏ−５Ｔ。

ｒｒ台、蒸発源室の圧力を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ台に保った
りすることかできるので、蒸発源を加熱する加熱し−タ
を、基板を加熱する加熱ヒータより低い圧力で使用する
ことか可能になり、蒸発源の加熱ヒータの消耗を少なく
することかできる。また、イオン源より酸素や窒素のイ
オンおよびラジカルを基板室に供給する場合には、基板
室の圧力を１０−４〜１．０−５Ｔｏｒｒ台にして基板
りに酸化物や窒化物の薄膜を形成することか可能になる
ので、基板を加熱する加熱ヒータの消耗も少なくするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を示す説明図、第２図は従来
の真空成膜装置を示す説明図である。 図中、 １・・・・・真空容器 ２・・・・・基板 ３ａ・・・・蒸発源 ３ｂ・・・・蒸発源 ３ｃ・・・・蒸発源 １０・・・・通過穴 １１・・・・仕切板 １２・・・・基板室 １３・・・・蒸発源室 Ｉ４・・・・真空排気系 Ｉ５・・・・真空排気系 １６・・・・イオン源 １７・・・・真空バルブ １８・・・・真空バルブ １９・・・・真空バルブ ２０・・・・真空ポンプ ２１・・・・真空ポンプ 特許出願人　日本真空技術株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．真空容器内の上部に基板、下部に蒸発源をそれぞれ
   配設し、蒸発源より蒸発した物質を基板に付着させ、そ
   こに薄膜を形成する真空成膜装置において、上記基板と
   蒸発源との間に、上記蒸発源より蒸発した物質の通過す
   る通過穴をもった仕切板を設け、この仕切板により、上
   記真空容器内を基板室と蒸発源室とに区分し、その基板
   室と蒸発源室にそれぞれ真空排気系を接続し、そして、
   基板室のみにイオン源を接続したことを特徴とする真空
   成膜装置。