JP2000087224A

JP2000087224A - 成膜装置

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Publication number: JP2000087224A
Application number: JP10258290A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Iijima; 正行飯島; Masatoshi Sato; 昌敏佐藤; Yoshiyuki Ukishima; 禎之浮島
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1998-09-11
Filing date: 1998-09-11
Publication date: 2000-03-28
Anticipated expiration: 2018-09-11
Also published as: JP4112702B2

Abstract

(57)【要約】【課題】蒸着重合法を用いて、モノマーの組成分布が均
一で、かつ、均一な膜厚分布の低比誘電率の層間絶縁膜
を形成しうる成膜装置を提供する。【解決手段】本発明の成膜装置１は、少なくとも一つの
蒸着重合用の第１の処理室４を有する。第１の処理室４
は、蒸着重合用の原料モノマーＡ、Ｂの気体を混合する
ための混合槽４ａと、基板８に対して成膜処理を行うた
めの処理槽４ｂとから構成され、基板８の上方から原料
モノマーＡ、Ｂの蒸気を基板８上に供給するようになっ
ている。混合槽４ａと処理槽４ｂとの間には、所定の形
状の吹き出し口４９０を有するモノマー吹き付け部材４
９が設けられている。混合槽４ａとモノマー吹き付け部
材４９は、少なくとも基板８より高い温度に温度制御さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体装
置の層間絶縁膜に用いられる低比誘電性の絶縁膜を形成
するための成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の層間絶縁膜として
は、ＣＶＤ法（化学蒸着法：Chemical Vapor Depositio
n）によるＳｉＯ₂膜が主に用いられている。この方法に
よって形成された層間絶縁膜の比誘電率は一般に４．０
以上となるが、最近はＬＳＩの高集積化の進展により層
間絶縁膜の低比誘電率化が大きな課題とされており、比
誘電率が４以下の層間絶縁膜が要求されるようになって
いる。

【０００３】このような要求に対しては、近年、プラズ
マＣＶＤ法によって形成されたＳｉＯ₂膜にフッ素を添
加したＳiＯＦ膜やＣ₄Ｆ₈などのガスを原料にしたプラ
ズマ重合によるフッ素アモルファスカーボン膜等が提案
されており、特に後者のフッ素アモルファスカーボン膜
によれば層間絶縁膜の比誘電率を２．５以下に抑えるこ
とができる。

【０００４】さらに、本発明者等の研究により、蒸着重
合法で作成した種々の高分子膜が２．５以下の比誘電率
を実現しうることも見い出されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来技術においては、次のような問題があった。すなわ
ち、上述のプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯＦ膜及びプラ
ズマ重合法によるフッ素アモルファスカーボン膜は、従
来のプラズマＣＶＤ用の成膜装置を用いて作成できると
ともに低比誘電率化が達成できる反面、膜の形成方法や
成膜条件によって膜特性が大きく異なったり、膜中のフ
ッ素の脱離や吸湿性が大きいといった膜の不安定性によ
り誘電率を悪化させてしまう問題が指摘されており、将
来の低比誘電率材料としての応用は難しい状況にある。

【０００６】一方、従来の蒸着重合法による成膜装置に
おいては、基板上における膜厚分布を均一にすることが
困難であるとともに、各モノマーを処理室に導入する位
置によって基板上におけるモノマーの組成比がばらつく
という問題があった。

【０００７】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、その目的とするところ
は、蒸着重合法を用いて、モノマーの組成分布が均一
で、かつ、均一な膜厚分布の低比誘電率の層間絶縁膜を
形成しうる成膜装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めになされた請求項１記載の発明は、基体に対して成膜
処理を行うための複数の処理室を有する成膜装置であっ
て、上記複数の処理室のうちの少なくとも一つが蒸着重
合用の処理室であり、この蒸着重合用の処理室に、蒸着
重合の原料モノマーの気体を混合するモノマー混合部が
設けられていることを特徴とする。

【０００９】請求項１記載の発明の場合、蒸着重合用の
処理室にモノマー混合部を設けたことによって、原料モ
ノマーの気体が十分に混合された状態で基体に供給され
るため、モノマーの組成分布が均一で、かつ、均一な膜
厚分布の高分子膜を基体上に形成することができる。そ
の結果、本発明によれば、比誘電率が均一で各部分の電
気容量が均一な絶縁膜を形成することが可能になる。

【００１０】この場合、請求項２記載の発明のように、
請求項１記載の発明において、モノマー混合部が、基体
の温度より高い温度に加熱可能に構成されていることも
効果的である。

【００１１】請求項２記載の発明によれば、原料モノマ
ーがモノマー混合部の内面に付着した場合に再び蒸発し
て第１の処理室内に放出されるため、基体上において効
率良く原料モノマーを堆積させて成膜を行うことが可能
になる。

【００１２】請求項３記載の発明のように、請求項１又
は２のいずれか１項記載の発明において、蒸着重合用の
処理室に、モノマー混合部において混合された原料モノ
マーの気体を均一な状態で基体の表面に供給するモノマ
ー供給手段が設けられていることも効果的である。

【００１３】請求項３記載の発明によれば、基体上にお
ける膜厚分布及びモノマーの組成分布の均一性を高める
ことが可能になる。

【００１４】この場合、請求項４記載の発明のように、
請求項３記載の発明において、モノマー供給手段が、モ
ノマー混合部と基体保持部との間において所定の形状の
吹き出し口を有するモノマー吹き付け部材を備えている
ことも効果的である。

【００１５】請求項４記載の発明によれば、モノマー混
合部と基体保持部との間にモノマー吹き付け部材を設け
るだけの簡単な構成で原料モノマーを均一に基体の表面
に供給することが可能になる。

【００１６】また、請求項５記載の発明のように、請求
項３又は４のいずれか１項記載の発明において、モノマ
ー供給手段が、基体の温度より高い温度に加熱可能に構
成されていることも効果的である。

【００１７】請求項５記載の発明によれば、原料モノマ
ーがモノマー供給手段に付着した場合に再び蒸発して第
１の処理室内に放出されるため、基体上において効率良
く原料モノマーを堆積させて成膜を行うことが可能にな
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を図面を参照して詳細に説明する。図１（ａ）は、本
発明に係る成膜装置の一例の概略構成を示すものであ
る。図１（ａ）に示すように、この成膜装置１は、マル
チチャンバー方式の枚葉式の装置であり、図示しない搬
送ロボットが組み込まれているコア室２の周囲に、Ｓｉ
ウェハー等の基板（基体）８の出し入れを行うためのＬ
／ＵＬ（ロード／アンロード）室３と、蒸着重合を行う
ための第１の処理室４と、加熱処理を行うための第２の
処理室５と、アルミニウム等のスパッタリングを行うた
めの第３の処理室６とが配置され、これらはすべて図示
しないゲートバルブを介して連結されている。また、こ
れらコア室２、Ｌ／ＵＬ室３、第１〜第３の処理室４〜
６は、図示しない真空ポンプ等の真空排気系に連結され
ている。ここで、コア室２内に配置されるロボットによ
って、Ｌ／ＵＬ室３から第１〜第３の処理室４〜６へ基
板８を自由に搬送できるようになっている。

【００１９】図１（ｂ）は、第１の処理室４の概略構成
を示すものである。図１（ｂ）に示すように、第１の処
理室４は、その上部に取り付けられた導入管４１Ａ、４
１Ｂを介して２種類の蒸発源４０Ａ、４０Ｂに接続され
ている。ここで、各蒸発源４０Ａ、４０Ｂは、ハウジン
グ４２Ａ、４２Ｂと、各ハウジング４２Ａ、４２Ｂ内に
収容された蒸発用容器４３Ａ、４３Ｂとから構成され
る。そして、各蒸発用容器４３Ａ、４３Ｂの内部には、
ポリイミドを形成するための原料モノマーＡ、Ｂ（例え
ば、4,4′-ジアミノジフェニルエーテル(ＯＤＡ)と、ピ
ロメリト酸二無水物(ＰＭＤＡ)）がそれぞれ注入されて
いる。また、各蒸発用容器４３Ａ、４３Ｂの近傍には、
各原料モノマーＡ、Ｂを加熱するためのヒーター４４
Ａ、４４Ｂが設けられている。

【００２０】一方、各導入管４１Ａ、４１Ｂの周囲には
ヒーター４６が巻き付けられ、これによって原料モノマ
ーＡ、Ｂの温度を所定の温度に制御できるように構成さ
れている。また、各導入管４１Ａ、４１Ｂの途中には、
各原料モノマーＡ、Ｂの供給量を調整するためのバルブ
４５Ａ、４５Ｂが設けられている。

【００２１】図１（ｂ）に示すように、第１の処理室４
は、導入管４１Ａ、４１Ｂを介して導入される各原料モ
ノマーＡ、Ｂの蒸気（気体）１０Ａ、１０Ｂを混合する
ための混合槽４ａと、基板８に対して成膜処理を行うた
めの処理槽４ｂとから構成されている。

【００２２】ここで、混合槽４ａの上部には、上述した
導入管４１Ａ、４１Ｂが接続されている。また、混合槽
４ａは下方に向って内部空間が広がるように形成され、
その内壁には、導入された原料モノマーＡ、Ｂの蒸気を
加熱及び拡散するためのヒーター４８が設けられてい
る。このヒーター４８は、例えば直流電源等を含む温度
制御手段７に接続され、少なくとも基板８の温度より５
０℃以上高い温度に加熱されるようになっている。

【００２３】一方、処理槽４ｂは混合槽４ａの下部に気
密一体的に形成され、その下部には、基板８を支持する
ためのサセプタ（基体保持部）４７が設けられている。
このサセプタ４７の内部には図示しないヒーター及び冷
媒循環路が設けられ、これにより基板８を所定の温度
（５０℃以下）に加熱又は冷却できるようになってい
る。

【００２４】図１（ｂ）に示すように、第１の処理室４
の混合槽４ａと処理槽４ｂとの間には、混合槽４ａにお
いて混合された原料モノマーＡ、Ｂの蒸気（以下「モノ
マー混合蒸気」という。）１０ＡＢを基板８に対して均
一に吹き付けて供給するためのモノマー吹き付け部材
（モノマー供給手段）４９が配設されている。

【００２５】このモノマー吹き付け部材４９は、例えば
Ａｌ、Ｃｕ、ＳＵＳ等熱伝導のよい金属製の板状の部材
からなり、このモノマー吹き付け部材４９には、モノマ
ー混合蒸気１０ＡＢが通過可能な複数の吹き出し口が形
成されている。

【００２６】また、このモノマー吹き付け部材４９の内
部には図示しないヒーターが設けられ、このヒーターは
上述した温度制御手段に接続されている。そして、これ
によりモノマー吹き付け部材４９は、ヒーター４８と同
様に、少なくとも基板８の温度より５０℃以上高い温度
に加熱されるようになっている。

【００２７】図２（ａ）は、本発明におけるモノマー吹
き付け部材４９の一例を示すものであり、図２（ｂ）
は、同モノマー吹き付け部材４９の他の例を示すもので
ある。本発明の場合、基板８に対して均一にモノマー混
合蒸気を供給する観点からは、モノマー吹き付け部材４
９の吹き出し口４９０の形状として、例えば、図２
（ａ）に示すように、同心円状の吹き出し口４９０ａ
や、図２（ｂ）に示すように、例えばシャワーヘッドの
ように多数の小径の孔を設けた吹き出し口４９０ｂが最
も適当である。

【００２８】図３（ａ）は、図１（ａ）の成膜装置１の
第２の処理室５の概略構成を示すものである。図３
（ａ）に示すように、第２の処理室５内には、基板８を
加熱するためのホットプレート（図示せず）を有するサ
セプタ５０が設けられている。このサセプタ５０は、基
板８の温度を半導体装置の製造時の温度より広い範囲
（２０〜５００℃）に制御可能で、かつ、加熱の際の昇
温速度を調整可能できるように構成されている。

【００２９】図３（ｂ）は、第３の処理室６の概略構成
を示すものである。図３（ｂ）に示すように、第３の処
理室６には、直流二極式のスパッタリング装置が設けら
れる。すなわち、第３の処理室６の上部に、直流電源６
０に接続された電極６１が配設され、この電極６２に例
えばアルミニウムターゲット６２が保持されている。そ
して、処理すべき基板８は、第３の処理室６の下部にお
いてサセプタ６３によって支持されている。また、この
第３の処理室６内には、導入管６４を介して例えばアル
ゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスが導入されるようにな
っている。

【００３０】本実施の形態において絶縁膜を形成するに
は、まず、上記成膜装置１において、基板８をＬ／ＵＬ
室３から第１の処理室４内に搬送し、各バルブ４５Ａ、
４５Ｂを開いて原料モノマーＡ、Ｂを第１の処理室４内
に導入し、蒸着重合によって基板８上にポリアミド（ポ
リアミック）酸膜を形成する。

【００３１】この場合、まず、各バルブ４５Ａ、４５Ｂ
を閉じた状態で第１の処理室４内の圧力を３×１０^-3Ｐ
ａ程度の高真空に設定し、ヒーター４４Ａ、４４Ｂによ
って各原料モノマーＡ、Ｂを所定の温度に加熱する。な
お、導入管４１Ａ、４１Ｂは、ヒーター４６によって２
００℃程度に加熱しておく。

【００３２】そして、各原料モノマーＡ、Ｂが所定の温
度に達して所要の蒸発量が得られた後に、各バルブ４５
Ａ、４５Ｂを開き、各原料モノマーＡ、Ｂの蒸気を第１
の処理室４の混合槽４ａ内に導入する。これらの原料モ
ノマーＡ、Ｂの蒸気は混合槽４ａ内で混合され、このモ
ノマー混合蒸気１０ＡＢは、モノマー吹き付け部材４９
の吹き出し口４９０を介して上方から基板８に吹き付け
られる。

【００３３】なお、原料モノマーＡ、Ｂの蒸発速度は、
化学量論比で１：１となるように制御する。また、混合
槽４ａ内の温度は１００℃程度となるように制御し、基
板８の温度は２０℃程度となるように制御する。

【００３４】そして、基板８上に所定の厚さのポリアミ
ド酸膜が堆積した後に各バルブ４５Ａ、４５Ｂを閉じ
る。

【００３５】その後、第２の処理室５に基板８を搬送し
てサセプタ５０上に載置し、基板８上のポイアミド酸膜
に対して所定の加熱処理（イミド化処理）を行い、ポリ
イミド膜を形成する。

【００３６】この場合、加熱条件は、昇温速度１０℃／
ｍｉｎで４００℃程度まで加熱し、その状態を６０分間
程度保持するようにする。また、この加熱処理は例えば
真空中で行う。

【００３７】なお、必要に応じ、第３の処理室６に基板
８を搬送し、スパッタリングによって基板８上にアルミ
ニウム電極を形成する。

【００３８】以上述べたように本実施の形態によれば、
安定した特性を有する低比誘電率のポリイミド膜を簡易
な工程で得ることができる。

【００３９】特に、本実施の形態の場合は、蒸着重合用
の第１の処理室４に混合槽４ａを設けるとともに混合槽
４ａと処理槽４ｂとの間に設けたモノマー吹き付け部材
４９の吹き出し口４９０からモノマー混合蒸気１０ＡＢ
を吹き出すようにしたことから、モノマー混合蒸気１０
ＡＢが十分に混合された状態で基板８に供給され、これ
により、モノマーの組成分布が均一で、かつ、均一な膜
厚分布のポリイミド膜を基板８上に形成することができ
る。その結果、本実施の形態によれば、比誘電率が均一
で各部分の電気容量が均一なポリイミド膜が得られる。

【００４０】また、本実施の形態においては、第１の処
理室４の混合槽４ａにヒーター４８を設けて加熱するよ
うにしたことから、原料モノマーＡ、Ｂの蒸気１０Ａ、
１０Ｂが混合槽４ａの内面に付着した場合に再び蒸発し
て混合槽４ａ内に放出され、その結果、基板８上におい
て効率良くモノマー混合蒸気１０ＡＢを堆積させて成膜
を行うことができる。

【００４１】図４(ａ)〜(ｆ)は、本発明を用いて半導体
装置の層間絶縁膜を形成する工程の一例を示すものであ
る。まず、図４(ａ)に示すように、例えばシリコン(Ｓ
ｉ)からなる半導体基板２１と、この半導体基板２１の
表面に形成され所定の位置に窓開けがされたシリコン熱
酸化膜２２と、その上に成膜されパターニングが施され
た第１層目の配線（金属配線層）２３とを有する基板３
１を用意する。

【００４２】この基板３１を所定の温度に加熱しつつ、
上述した蒸着重合法により、基板３１の表面にポリアミ
ド酸膜２４ａを所望の厚みに全面成膜する(図４(ｂ))。

【００４３】さらに、上述の条件で加熱処理（イミド化
処理）を行い、耐熱性の高いポリイミドからなる層間絶
縁膜２４を形成する(図４(ｃ))。

【００４４】次いで、この層間絶縁膜２４の表面に対
し、レジストプロセスによって所定のパターニングが施
されたレジスト膜２５を形成し(図４(ｄ))、その後、ド
ライエッチングを行うことにより、レジスト膜２５の窓
開け部分に露出した層間絶縁膜２４を除去する(図４
(ｅ))。そして、上述のレジスト膜２５を除去した後、
配線薄膜を全面成膜し、この膜に対してパターニングを
施すことにより第２層目の配線（金属配線層）２６を形
成する。

【００４５】これにより、層間絶縁膜２４が除去された
窓開け部分２７において第１層目の配線２３と第２層目
の配線２６とが電気的に接続され、その結果、多層配線
を有する半導体装置３５を得ることができる(図４
(ｆ))。

【００４６】本実施の形態によれば、安定した特性を有
する半導体装置３５を真空中のプロセスのみによる簡易
な工程で得ることができる。

【００４７】特に、本実施の形態の場合は、層間絶縁膜
２４を形成する際に基板３１を裏返す必要がないことか
ら、製造プロセスを簡素化することができる。

【００４８】また、本実施の形態によれば、モノマーの
組成分布が均一で、かつ、膜厚分布の均一な層間絶縁膜
２４を形成することができる。その結果、本実施の形態
によれば、層間絶縁膜２４の比誘電率の分布が均一で、
各部分の電気容量が均一となるため、半導体装置３５に
おいて信号遅延等の時間が均一になり、これにより安定
した駆動が可能になる。

【００４９】なお、本発明は上述の実施の形態に限られ
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
モノマー吹き付け部材の吹き出し口の形状については、
上述の実施の形態のものに限られず、種々の形状とする
ことができる。ただし、基板に対して均一にモノマー混
合蒸気を供給するためには、上述した実施の形態のよう
に吹き出し口を形成することが好ましい。

【００５０】また、上述の実施の形態においては、蒸着
重合によってポリイミド膜を形成する場合に適用した
が、本発明はこれに限られず、例えば蒸着重合によって
ポリ尿素膜等を形成する場合にも適用しうるものであ
る。

【００５１】さらに、本発明は半導体装置の層間絶縁膜
のみならず、種々の絶縁膜に適用しうるものである。

【００５２】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を比較例とと
もに説明する。＜実施例＞図１に示す成膜装置１を用いてＳｉウェハー
上にポリイミド膜を形成した。まず、６インチサイズで
導電率が０．０２(Ω・ｃｍ)のシリコン（Ｓｉ）からな
る基板８を第１の処理室４内に搬入してサセプタ４７上
に載置し、蒸着重合によって基板８上にポリアミド酸膜
を形成する。

【００５３】この場合、ポリイミド膜を形成するための
原料モノマーＡ、Ｂとしては、4,4′-ジアミノジフェニ
ルエーテル(ＯＤＡ)と、ピロメリト酸二無水物(ＰＭＤ
Ａ)を用い、高真空中（３×１０^-3Ｐａ）においてＯＤ
Ａは１５８.０＋０.１℃、ＰＭＤＡについては１８２＋
０.１℃の温度で同時に蒸発させ、各原料モノマーＡ、
Ｂの供給量を制御した。

【００５４】また、ＯＤＡとＰＭＤＡの組成比は、化学
量論比で１：１となるように制御した。さらに、導入管
４１Ａ、４１Ｂの温度を２００℃、混合槽４ａ及びモノ
マー吹き付け部材４９の温度を１００℃程度となるよう
に制御した。

【００５５】このようにしてポリイミド膜を作成した
後、基板８を第２の処理室５に搬送し、ポリイミド膜に
対して所定の加熱処理を行った。この場合、加熱処理
は、昇温速度１０℃／ｍｉｎで４００℃まで加熱するこ
とにより行った。

【００５６】この時点におけるポリイミド膜の厚さは平
均５００ｎｍ、膜厚分布は、±４％であった。なお、こ
こでは、表面粗さ計又はエリプソメータで面内分布を測
定した。

【００５７】また、このポリイミド膜における原料モノ
マーＡ、Ｂの組成分布を赤外分光測定装置（日本分光社
製ＦＴ−ＩＲ）で測定したところ、ポリイミド膜の全
領域にわたって均一な赤外吸収スペクトルが得られた。

【００５８】＜比較例＞混合槽４ａのヒーター４８がな
く、かつ、モノマー吹き付け部材４９のない成膜装置を
用い、実施例と同様の基板８上に、実施例と同じ条件で
厚さ５００ｎｍのポリイミド膜を形成した。

【００５９】このポリイミド膜について膜厚分布を測定
したところ、±８％であった。また、このポリイミド膜
における原料モノマーＡ、Ｂの組成分布を実施例と同様
の装置を用いて測定したところ、導入管の位置によって
組成分布に偏りが生じた。すなわち、比較例の場合は、
基板８上に形成されたポリイミド膜のうち、ＰＭＤＡの
吹き出し口の近傍においてＰＭＤＡの組成比がやや過剰
になり、ＯＤＡの吹き出し口の近傍においてＯＤＡの組
成比がやや過剰になることが判明した。

【００６０】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、蒸着
重合を用いて、モノマーの組成分布が均一で、かつ、均
一な膜厚分布の絶縁膜を形成することができる。そし
て、本発明によって多層配線の半導体装置の層間絶縁膜
を形成すれば、比誘電率が均一で各部分の電気容量が均
一な層間絶縁膜を作成することができ、その結果、安定
して動作する半導体装置を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(ａ)：本発明に係る成膜装置の一例の概略構成
図 (ｂ)：図１（ａ）の成膜装置の第１の処理室の概略構成
図

【図２】(ａ)：本発明におけるモノマー吹き付け部材の
一例を示す平面図 (ｂ)：同モノマー吹き付け部材の他の例を示す平面図

【図３】(ａ)：図１（ａ）の成膜装置の第２の処理室の
概略構成図 (ｂ)：図１（ａ）の成膜装置の第３の処理室の概略構成
図

【図４】(ａ)〜(ｆ)：本発明を用いて半導体装置の層間
絶縁膜を形成する工程の一例を示す工程図

【符号の説明】

１……成膜装置２……コア室３……Ｌ／ＵＬ室
４……第１の処理室５……第２の処理室６……第３の処理室７……
温度制御手段８……基板２１……半導体基板
２２……シリコン熱酸化膜２３……第１層目の配
線２４……層間絶縁膜２４ａ……ポリアミド酸
膜２５……レジスト膜２６……第２層目の配線
３１……基板３５……半導体装置Ａ、Ｂ……原料モノマー４０Ａ、４０Ｂ……蒸発源
４１Ａ、４１Ｂ……導入管４５Ａ、４５Ｂ……バ
ルブ４６……ヒーター４７……サセプタ（基体
保持部）４８……ヒーター４９……モノマー吹
き付け部材（モノマー供給手段）４９０……吹き出
し口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者浮島禎之茨城県つくば市東光台５−９−７日本真空技術株式会社筑波超材料研究所内Ｆターム(参考） 4J031 CA06 CA20 CA47 CE06 CE10 CF07 CG02 4J043 PA02 PA19 QB15 QB26 QB31 RA35 SA06 SB01 TA22 TB01 UA122 UA131 UA662 UA672 UB121 VA021 VA041 XA02 XA03 XA07 XA40 YA06 ZB11 4K029 AA06 BA03 BA62 BB02 BC05 BD01 BD02 CA02 CA05 CA11 DA01 DA04 DA05 DA08 JA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体に対して成膜処理を行うための複数の
処理室を有する成膜装置であって、上記複数の処理室のうちの少なくとも一つが蒸着重合用
の処理室であり、該蒸着重合用の処理室に、蒸着重合の原料モノマーの気
体を混合するモノマー混合部が設けられていることを特
徴とする成膜装置。
【請求項２】モノマー混合部が、基体の温度より高い温
度に加熱可能に構成されていることを特徴とする請求項
１記載の成膜装置。
【請求項３】蒸着重合用の処理室に、モノマー混合部に
おいて混合された原料モノマーの気体を均一な状態で基
体の表面に供給するモノマー供給手段が設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項記載の
成膜装置。
【請求項４】モノマー供給手段が、モノマー混合部と基
体保持部との間において所定の形状の吹き出し口を有す
るモノマー吹き付け部材を備えていることを特徴とする
請求項３記載の成膜装置。
【請求項５】モノマー供給手段が、基体の温度より高い
温度に加熱可能に構成されていることを特徴とする請求
項３又は４のいずれか１項記載の成膜装置。