TWI695652B - 層積封止膜的形成方法及形成裝置 - Google Patents

Abstract

將具有薄膜厚及高封止性能的層積封止膜，以抑制生產性降低及異物附著的方式形成。

在基板(101)上形成有作為發光層的複數有機EL層(102)之有機EL元件(S)上，當形成層積無機膜(201)與有機膜(202)構造的層積封止膜(203)時，將利用原子層沉積法形成無機膜(201)的工程、與利用蒸鍍聚合法形成有機膜(202)的工程，在1個處理容器(11)內交互數次重覆實施。

Description

層積封止膜的形成方法及形成裝置

本發明係有關於形成用於有機EL元件的層積封止膜之層積封止膜形成方法及形成裝置。

使用有機EL元件的有機EL顯示裝置因為具有：低耗電力、自發光型、由有機發光材料可得到多彩的色調發光等，作為次世代的顯示裝置而受到注目。

有機EL元件在基板上所設置的矩陣狀的複數元件形成區域中，由具有作為發光層的有機EL層與電極層等以層積的狀態所形成。

作為這種使用有機EL元件的顯示裝置，作為有機EL層所使用的白色發光的材料，習知為使用對應紅(R)、綠(G)、藍(B)的濾光片部所組合而成的彩色濾光片。

形成有機EL層的有機化合物，一般因為容易受水分或氧等原因而劣化，因此為了防止水分或氧等混入有機EL層界面，在對應有機EL元件的區域，以在不對有機EL層造成影響的溫度下，進行封止膜的形成。

作為有機EL元件的封止膜，提案有層積無機 膜與有機膜的層積封止膜(例如：專利文獻1、2)。此外，作為無機系的封止膜，習知有Al₂O₃等(例如：專利文獻3、4)，作為有機系的封止膜，習知有聚醯亞胺及聚脲等(例如：專利文獻4)。

在專利文獻1中作為層積封止膜的例子揭示有：在形成厚度60nm的第1無機膜(氧化鋁膜)、及厚度1.3μm的第1有機膜後，形成厚度40nm的第2無機膜、及與第1有機膜有相同條件的第2有機膜；再來，在與形成第2無機膜與第1有機膜具有相同的條件下，形成第3無機膜、第3有機膜、第4無機膜。藉此，從前，在比每一層的膜更厚的狀態下，以重覆形成無機膜與有機膜約3~4次，確保其封止性。

另外，非專利文獻1揭示有：於無機膜與有機膜的層積封止膜中，若層積數越高，封止性也越高的報告。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]JP 5162179 B

[專利文獻2]JP 4987648 B

[專利文獻3]JP 2013-235726 A

[專利文獻4]JP 2015-15499 A

[非專利文獻]

[非專利文獻]AppliedPhysics Letters 102, 161908(2013)

不過，由於增加層積封止膜每一層膜的膜厚得以確保封止性能的話，就算重覆次數不多也會使得整體層積封止膜變厚。層積封止膜變厚將會使光透過率降低。此外，因層積封止膜變厚的關係，作為發光層的有機EL層與彩色濾光片間的縫隙會變大，從有機EL層向對應彩色濾光片的紅(R)、綠(G)、藍(B)的濾光片部的光取出角度會變小，而且，從對鄰接的濾光片部的漏光防止之觀點來看，有增加劃分濾光片部之間的黑矩陣(BM)之面積來增大遮光性的必要，相對地，濾光片部的面積會因此而變小。所以，光的取出效率會降低。

近年來，對有機EL顯示裝置的畫像及影像之畫質等的要求漸漸地提高，因為層積封止膜變厚造成光透過率降低及光取出效率降低，對畫質的影響已變得不可忽視。

另一方面，因為如非專利文獻1所記載的，使層積數增加而可提高封止性能，藉由薄化無機膜及有機膜的膜厚並增加層積數，應該能夠使層積封止膜全體薄化並確保封止性能。不過，如同專利文獻1所記載的，製造層積封止膜時，使用個別的裝置形成無機膜及有機膜為技術常識，每當重覆層積時，在裝置間搬送基板需要花費時 間，層積數越增加，生產性則越低。此外，搬送時，會提高粒子等的異物在元件上附著的機率，也會提高因異物所造成的封止性能降低之缺陷的發生機率。

因此，本發明的課題為提供一種層積封止膜形成方法及形成裝置，其可以將膜厚薄且具高封止性能的層積封止膜，以抑制生產性降低且抑制異物附著的方式形成。

為解決上述問題，本發明的第1觀點提供一種層積封止膜形成方法，係在基板上形成有作為發光層的複數有機EL層之有機EL元件上，形成層積無機膜與有機膜構造的層積封止膜的層積封止膜形成方法，其特徵為：將利用原子層沉積法形成無機膜的工程、與利用蒸鍍聚合法形成有機膜的工程，在1個處理容器內交互數次重覆實施。

此外，本發明的第2觀點提供一種層積封止膜形成裝置，在基板上形成有作為發光層的複數有機EL層之有機EL元件上，形成層積無機膜與有機膜構造的層積封止膜，其中，該層積封止膜形成裝置，其特徵為具有：收容有機EL元件的處理容器；將為了利用原子層沉積法形成前述無機膜的第1無機膜原料氣體及第2無機膜原料氣體，供給至前述處理容器內的第1無機膜原料氣體供給單元及第2無機膜原料氣體供給單元；將為了利用蒸 鍍聚合法形成前述有機膜的第1有機膜原料氣體及第2有機膜原料氣體，供給至前述處理容器內的第1有機膜原料氣體供給單元及第2有機膜原料氣體供給單元；使前述處理容器內排氣的排氣單元；以及將前述第1無機膜原料氣體及前述第1無機膜原料氣體交互供給至前述處理容器內，並將藉由原子層沉積法形成前述無機膜之工程、與將前述第1有機膜原料氣體及前述第2有機膜原料氣體同時供給至前述處理容器內，並藉由蒸鍍聚合法形成前述有機膜之工程，交互數次重覆實施地控制的控制部。

作為前述無機膜，適合利用氧化鋁。此外，作為前述有機膜，適合利用聚脲或聚醯亞胺。

前述無機膜的膜厚較佳為50nm以下，前述有機膜的膜厚較佳為500nm以下。此外，前述層積封止膜的膜厚，較佳為1μm以下。

前述有機EL元件在前述處理容器內以被載置台載置的狀態，進行前述無機膜的形成與前述有機膜的形成；前述載置台的載置面，被調溫成為由蒸鍍聚合可形成前述有機膜的第1溫度；前述處理容器的載置台以外之部分，被調溫成為由蒸鍍聚合法無法形成前述有機膜的第2溫度。

根據本發明，在形成層積封止膜的時候，因為無機膜係藉由原子層沉積法成膜，有機膜係藉由蒸鍍聚 合法成膜，可使其薄化形成，即便藉由增加該層積數以提高水分或氧等的封止性，也可以薄化層積封止膜全體的膜厚；此外，因為藉由ALD法可形成薄且封止機能高的無機膜，在層積確保該些封止性能的層積數的同時，也可以薄化層積封止膜全體的膜厚。此外，因為無機膜與有機膜在同一處理容器內成膜，故可抑制生產性的低下及抑制異物附著。

1‧‧‧處理部

2‧‧‧氣體供給部

3‧‧‧排氣單元

4‧‧‧控制部

11‧‧‧處理容器

12‧‧‧載置台

13‧‧‧第1調溫單元

14‧‧‧第2調溫單元

21‧‧‧第1無機膜原料氣體供給單元

22‧‧‧第2無機膜原料氣體供給單元

23‧‧‧第1有機膜原料氣體供給單元

24‧‧‧第2有機膜原料氣體供給單元

29，30，31，32‧‧‧開關閥門

25，26，27，28‧‧‧氣體供給配管

41‧‧‧排氣配管

42‧‧‧壓力控制閥門

43‧‧‧真空泵

44‧‧‧排氣處理設備

100‧‧‧層積封止膜形成裝置

101‧‧‧基板

102‧‧‧下部電極

103‧‧‧有機EL層

104‧‧‧上部電極

201‧‧‧無機膜

202‧‧‧有機膜

203‧‧‧層積封止膜

301‧‧‧彩色濾光片

302‧‧‧濾光片部

303‧‧‧黑矩陣

S‧‧‧有機EL元件

[圖1]表示形成層積封止膜的層積封止膜形成裝置之斷面圖。

[圖2]表示在基板上形成複數有機EL層的有機EL元件之斷面圖。

[圖3]表示在有機EL元件上形成有關本發明的實施形態之製造方法之層積封止膜之狀態斷面圖。

[圖4]表示由習知的製造方法在有機EL元件上形成層積封止膜之狀態之斷面圖。

[圖5]由習知的製造方法所形成的利用厚的層積封止膜之有機EL層及彩色濾光片的配置說明之斷面圖。

[圖6]由本發明的實施形態的製造方法所形成的利用薄的層積封止膜時之有機EL層及彩色濾光片的配置說明之斷面圖。

以下，參照附圖說明有關本發明的實施形態。

圖1為表示形成層積封止膜的層積封止膜形成裝置之斷面圖。

層積封止膜形成裝置100為：在包含作為發光層的有機EL層之有機EL元件上，形成無機膜與有機膜的層積封止膜，利用原子層沉積法(ALD法)形成無機膜，利用蒸鍍聚合法形成有機膜。

該層積封止膜形成裝置100，具備：在有機EL元件S進行成膜處理的處理部1、向處理部1的處理空間供給處理所必需的氣體之氣體供給部2、使處理部1的處理空間排氣的排氣單元3、及控制部4。

處理部1具有：為了進行成膜處理而劃分出處理空間的處理容器11、在設於處理容器11內的基板上載置由有機EL層及電極等所形成的有機EL元件S之載置台12、將載置台12調整溫度至第1溫度的第1調溫單元13、將處理容器11的載置台12以外的部分調整溫度至第2溫度的第2調溫單元14。此外，雖未示於圖中，處理容器11的側壁設有將有機EL元件S搬入及搬出的搬入出口，該搬入出口可藉由閘閥進行開閉。

第1調溫單元13藉由載置台12內部所設置的調溫介質流路(圖未示)使調溫介質流通，將載置台12的載置面之溫度調溫至第1溫度。第1溫度為可藉由蒸鍍 聚合形成有機膜的溫度。此外，第2調溫單元14藉由處理容器11的壁部等的，載置作為被處理體的有機EL元件S的載置台12以外的部分所設置的調溫介質流路(圖未示)使調溫介質流通，將載置台12以外的部分之溫度調溫至第2溫度。第2溫度為藉由蒸鍍聚合不會形成有機膜的溫度。

氣體供給部2具有：第1無機膜原料氣體供給單元21及第2無機膜原料氣體供給單元22，各自供給利用ALD法形成無機膜時所用的第1無機膜原料氣體及第2無機膜原料氣體、及第1有機膜原料氣體供給單元23及第2有機膜原料氣體供給單元24，各自供給利用蒸鍍聚合法形成有機膜時所用的第1有機膜原料氣體及第2有機膜原料氣體。此外，第1無機膜原料氣體供給單元21、第2無機膜原料氣體供給單元22、第1有機膜原料氣體供給單元23、及第2有機膜原料氣體供給單元24，各自供給第1無機膜原料氣體、第2無機膜原料氣體、第1有機膜原料氣體、及第2有機膜原料氣體至處理容器11，並與第1氣體供給配管25、第2氣體供給配管26、第3氣體供給配管27、第4氣體供給配管28做連接。此外，第1氣體供給配管25、第2氣體供給配管26、第3氣體供給配管27、第4氣體供給配管28，各自設有第1開關閥門29、第2開關閥門30、第3開關閥門31、及第4開關閥門32。

不過，雖然未示於圖中，但也設有供給由其 他惰性氣體等所構成的淨化氣體及稀釋氣體等的氣體供給單元及氣體供給配管。此外，雖未示於圖，第1氣體供給配管25、第2氣體供給配管26、第3氣體供給配管27、及第4氣體供給配管28，設置有流量控制器。

作為由ALD法所形成的無機膜，使用具有封止水分或氧的機能，且具有絕緣性的材料，適合使用氧化鋁(Al₂O₃)。Al₂O₃膜為封止性高，且由ALD成膜的缺陷非常少，覆蓋性良好的膜。在形成作為無機膜的Al₂O₃膜時，作為第1無機膜原料氣體，適用三甲基鋁(TMA)，作為第2無機膜原料氣體，適用H₂O氣體及O₃。因此，藉由操作開關閥門29及30，隔著處理容器內的淨化交互供給第1無機膜原料氣體與第2無機膜原料氣體。

由蒸鍍聚合法所形成的有機膜具有：將產生於無機膜的缺陷及裂縫從分離，也具有抑制因基板的彎曲而使無機膜產生裂縫之機能。作為有機膜，可使用透明的樹脂材料，適合利用聚脲及聚醯亞胺等。其中較佳為聚脲。聚脲膜的透明度高，且覆蓋性非常良好，有利於薄膜化。在形成作為有機膜的聚脲膜時，作為第1有機膜原料氣體及第2有機膜原料氣體，可利用二胺單體及異氰酸酯單體，並將其與由N₂氣體、He氣體、Ar氣體等的惰性氣體所構成的載體氣體一起供給至處理容器11內。此外，作為形成聚醯亞胺膜時所用的第1有機膜原料氣體及第2有機膜原料氣體，可以是均苯四甲酸二酐及4,4’-二氨基二苯醚等。在形成有機膜的時候，藉由同時開啟開關閥門 31及32，同時供給第1有機膜原料氣體與第2有機膜原料氣體至處理容器11內。

排氣單元3，具有：連接相對於處理容器11的側壁的氣體導入部分之排氣配管41、設於排氣配管41的壓力控制閥門42、通過排氣配管41使處理容器11內排氣的真空泵43、於排氣配管41的真空泵43的下游側所設的排氣處理設備44。此外，排氣配管41也從第2調溫單元14使調溫介質流通，調整溫度至藉由蒸鍍聚合不會形成有機膜的第2溫度。

控制部4控制開關閥門29、30、31、32、真空泵43、第1及第2調溫單元13、14等、及層積封止膜形成裝置100的各構成部，且具有微處理器(電腦)。控制部4將由層積封止膜形成裝置100交互形成無機膜及有機膜，並將實行形成層積封止膜的處理之程式的處理配方儲存於其中的記憶媒介中，將預定的處理配方叫出，實行於層積封止膜形成裝置100形成層積封止膜的處理。

接著，說明層積封止膜的形成方法。

首先由圖2所示的，在基板101上準備由下部電極102、有機EL層103、及上部電極104所形成的有機EL元件S。此外，也可形成如電子輸送層等其他的層。

雖不特別限定基板101的材料，但可以例如是：玻璃板、陶瓷板、塑料薄膜、金屬板等。在基板101上形成由框架狀所構成的矩陣狀間隔105，於間隔105內形成下部電極102及有機EL層103。因此，複數的有機 EL層103以島狀形成於基板101上。此外，在基板101上形成驅動電路(圖未示)。

有機EL層由有機發光物質所形成，可從電極注入電子或電洞，藉由該所注入的電荷移動而產生電洞和電子的再結合而發光。作為有機發光物質，一般可以是用於發光層的低分子或高分子有機物質，但不以此為限。

在利用此種方法所得到的有機EL元件S上形成封止膜時，將該有機EL元件S搬入圖1所示的形成裝置100的處理容器11內，並載置於載置台12上。此時，藉由第1調溫單元13將載置台12上面的溫度，調溫成藉由蒸鍍聚合法可形成有機膜的第1溫度，例如為100℃；藉由第2調溫單元14將處理容器11的壁部等的載置台12以外之部分的溫度，調溫成藉由蒸鍍聚合無法形成有機膜的第2溫度，例如為150℃。因此，藉由真空泵43一邊排氣且藉由壓力控制閥門42使處理容器11內的壓力降低至預定的壓力，進行首次的ALD法無機膜成膜，接著再進行蒸鍍聚合有機膜成膜，交互進行該等步驟複數次，如圖3所示，製造層積複數次的無機膜201與有機膜202的層積封止膜203。作為層積數較佳為5層以上的無機膜201。圖3顯示了無機膜201為5層，有機膜202為4層的情形。

由ALD法形成無機膜201時，藉由交替切換第1開關閥門29及第2開關閥門30的開閉動作使從第1無機膜原料氣體供給單元21向處理容器11供給第1無機 膜原料氣體、及從第2無機膜原料氣體供給單元22向處理容器11供給第2無機膜原料氣體，間隔著與從淨化氣體配管(圖未示)供給淨化氣體而淨化處理容器11，交互實施以上步驟。第1無機膜原料氣體為化合物氣體，第2無機膜原料氣體為還元氣體，首先使第1無機膜原料氣體吸附於有機EL元件S的表面後，藉由第2無機膜原料氣體的供給而還元形成超薄單位膜，藉由重覆上述動作形成具有預定膜厚的無機膜201。

無機膜201為具有封止水分及氧等的機能，且具有絕緣性的膜，藉由ALD法所成膜，成為缺陷少且覆蓋性良好的膜，且為薄且封止機能高的膜。作為這種的無機膜201，適合利用氧化鋁(Al₂O₃)。Al₂O₃膜為封止性高，由ALD成膜所產生的缺陷非常少，且覆蓋性良好的膜。

在形成作為無機膜的Al₂O₃膜時，作為第1無機膜原料氣體，適用三甲基鋁(TMA)，作為第2無機膜原料氣體，適用H₂O氣體及O₃。

利用蒸鍍聚合法形成有機膜202時，開啟第3開關閥門31及第4開關閥門32，從第1有機膜原料氣體供給單元23及第2有機膜原料氣體供給單元24向處理容器11同時供給第1有機膜原料氣體及第2有機膜原料氣體。第1有機膜原料氣體及第2有機膜原料氣體為單體，該等氣體蒸鍍於有機EL元件S，並聚合成有機膜202。

有機膜202具有將產生於無機膜的缺陷及裂 縫從其他層分離，也具有抑制因基板的彎曲而使無機膜產生裂縫之機能，藉由利用蒸鍍聚合法使無機膜的覆蓋性良好且易於薄膜化。作為有機膜202，使用透明的樹脂材料，適合利用聚脲及聚醯亞胺等。其中較佳為聚脲。因聚脲膜的透明度高，覆蓋性非常良好，有助於薄膜化，適用於作為層積封止膜203的有機膜202。

形成作為有機膜的聚脲膜時，作為第1有機膜原料氣體及第2有機膜原料氣體，可利用二胺單體及異氰酸酯單體。藉由將其等與由N₂氣體、He氣體、Ar氣體等的惰性氣體所構成的載體氣體一起供給至處理容器11內，將該等單體聚合形成聚脲膜。此外，形成聚醯亞胺膜的時候，作為第1有機膜原料氣體及第2有機膜原料氣體，可以使用均苯四甲酸二酐及4,4’-二氨基二苯醚。將該等氣體與載體氣體一起供給至處理容器11內，聚合形成聚醯亞胺膜。

無機膜201的膜厚較佳為50nm以下，更佳為30nm以下。從確保封止性能的觀點來看，較佳為10nm以上。此外，無機膜202的膜厚較佳為500nm以下，更佳為200nm以下。從得到良好的成膜性觀點來看，較佳為50nm以上。層積封止膜203全體的膜厚較佳為1μm以下，更佳為0.5μm以下。

使用蒸鍍聚合法形成有機膜202時，藉由第1調溫單元13將載置台12的載置面的溫度，調節成藉由蒸鍍聚合可形成有機膜的第1溫度；藉由第2調溫單元14 將載置台12以外之部分的溫度，調節成藉由蒸鍍聚合法無法形成有機膜的第2溫度。蒸鍍聚合反應在預定的溫度以下發生，因為在該預定的溫度以上不會發生蒸鍍聚合反應，因此藉由調整該溫度，有機膜202僅在作為被處理體的有機EL元件S上成膜，可以使在載置台12以外的部分幾乎不成膜。使有機膜比無機膜更厚，若有機膜附著於處理容器11的壁部等的載置台12以外的部分的話，需要勤加保養，但是藉由將載置台12以外的部分之溫度調整為藉由蒸鍍聚合無法形成有機膜的第2溫度，該等麻煩也不容易發生。此外，由於藉此方法在載置台12以外的部分不容易生成有機膜，藉由ALD法形成無機膜201的時候，對載置台12以外部分的有機膜之不良影響很少。

作為有機膜202使用聚脲膜的情形，第1溫度為100℃以下，較佳為50~100℃，第2溫度為比100℃更高的溫度，較佳為150~180℃。

藉由ALD法形成無機膜201時，從室溫至數百℃的廣範圍都可以成膜，但考慮處理效率，不改變形成有機膜202時的溫度設定，而進行成膜處理較佳。此時，雖然設定為第2溫度的處理容器11的壁部等的載置台12以外的部分也形成膜，但因為無機膜201比有機膜202還薄，在處理容器11的壁部等的載置台12以外的部分所形成的膜厚很薄，對於保養性的影響不大。此外，由於藉此方法在載置台12以外的部分所形成的膜很薄，形成有機膜202時的不良影響也很少。

從前，在這種層積封止膜中，藉由增加每一層的膜厚，是提高封止性能的指標。例如圖4所示的，藉由CVD法及濺鍍法等，層積3層程度之膜厚從數十nm到數百nm程度的無機膜201’，及數μm程度的有機膜202’，會形成整體厚度數μm的層積封止膜203’。

不過，這種層積封止膜的膜厚變厚將會使光透過率降低。此外，若層積封止膜變厚的話，如圖5所示，作為發光層的有機EL層103與彩色濾光片301之間的縫隙變大，從有機EL層向對應彩色濾光片301的紅(R)、綠(G)、藍(B)的濾光片部302的光取出角度θ會變小。此外，因為有機EL層103與彩色濾光片301間的縫隙變大，因為鄰接的濾光片部302會容易產生漏光，有增加劃分濾光片部302之間的黑矩陣(BM)303之面積來增大遮光性的必要，相對地，濾光片部的面積會變小。這種光取出角度θ變小及黑矩陣(BM)303之面積增大，進而造成光的取出效率降低。

如以上所述，因為層積封止膜變厚，發生光透過率的降低及光取出效率的降低，很難得到所要求的畫質。

相對於此，本實施形態藉由ALD法形成無機膜201，藉由蒸鍍聚合法形成有機膜202，可薄化該等膜厚。由ALD法所形成的無機膜201，特別是Al₂O₃膜，成為缺陷少且覆蓋性良好的膜，為薄且封止機能高的膜；由蒸鍍聚合法所形成的有機膜202，特別是聚脲膜及聚醯亞 胺膜等覆蓋性良好的膜，可易於薄膜化。於是，即使以能確保封止性能的層積數將該等層積，層積封止膜203的整體膜厚也可薄化為1μm以下程度。藉此，可提高層積封止膜203的光透過率。此外，如圖6所示，有機EL層103與彩色濾光片301之間的縫隙比習知的還窄，向濾光片部302的光取出角度θ可以比習知的還要大。而且，因為不易造成漏光，黑矩陣(BM)303的面積可以比習知的還要小。因此，光的取出效率比習知的還更高。接著，使用ALD法的成膜速度雖然比CVD法及濺鍍法等還慢，但可以使整體膜厚薄化，所以整體的成膜時間小於等於習知的成膜時間。

此外，從前，製造層積封止膜時，因為無機膜與有機膜為異質的膜，因此使用個別的裝置形成無機膜及有機膜為技術常識。因此，每次重覆層積時，在裝置間搬送基板需要花費時間，層積數越增加，生產性則越低。此外，搬送時，會提高粒子等的異物在元件上附著的機率，會提高因異物所造成的封止性能降低之缺陷的發生機率。

相對於此，本實施形態係與此等技術常識背道而馳，可在1個裝置的處理容器內形成無機膜201與有機膜202。藉此，作為被處理體的有機EL元件S不會在不同的裝置間被搬送，而且因為可重覆形成無機膜201與有機膜202而形成層積封止膜203，增加層積數也不會使生產性降低；此外，也可以防止在搬送時的異物附著。

也就是說，在本實施例中，在形成層積封止膜的時候，因為無機膜係藉由ALD法成膜，有機膜係藉由蒸鍍聚合法成膜，可使其薄化形成；此外，因為藉由ALD法可形成薄且封止機能高的無機膜，在層積確保該些封止性能的層積數的同時，也可以薄化層積封止膜全體的膜厚。此外，因為無機膜與有機膜在同一處理容器內成膜，故可抑制生產性的低下及抑制異物附著。

此外，本發明並不限定於上述實施形態，可以有多種的可能的變形態。例如，在上述實施形態中，例示藉由ALD法形成作為無機膜的Al₂O₃膜，藉由蒸鍍聚合法形成作為有機膜的聚脲或聚醯亞胺，但不以此為限。此外，在上述實施形態中，例示藉由總括式的裝置形成層積封止膜，但使用將複數的有機EL元件總括形成層積封止膜的分批式裝置也可以。

101‧‧‧基板

102‧‧‧下部電極

103‧‧‧有機EL層

104‧‧‧上部電極

105‧‧‧間隔

201‧‧‧無機膜

202‧‧‧有機膜

203‧‧‧層積封止膜

S‧‧‧有機EL元件

Claims (8)

1. 一種層積封止膜形成方法，藉由層積封止膜形成裝置，在基板上形成有作為發光層的複數有機EL層之有機EL元件上，形成層積無機膜與有機膜構造的層積封止膜，其中，該層積封止膜形成方法，其特徵為：前述層積封止膜形成裝置，具有：收容有機EL元件的處理容器；將為了利用原子層沉積法形成前述無機膜的無機膜原料氣體及為了利用蒸鍍聚合法形成前述有機膜的有機膜原料氣體供給至前述處理容器內的原料氣體供給單元；使前述處理容器內排氣的排氣單元；在前述處理容器內載置前述有機EL元件的載置台；將前述載置台的載置面的溫度調溫之第1調溫單元；將前述處理容器的前述載置台以外之部分的溫度調溫之第2調溫單元；該層積封止膜形成方法，將利用原子層沉積法形成無機膜的工程、與利用蒸鍍聚合法形成有機膜的工程，在前述處理容器內交互數次重覆實施；在實施形成前述無機膜的工程及形成前述有機膜的工程的期間，前述載置台的載置面的溫度，藉由前述第1調溫單元，被調溫成為由蒸鍍聚合可形成前述有機膜的第1溫度；前述處理容器的載置台以外之部分的溫度，藉由前述第2調溫單元，被調溫成為由蒸鍍聚合法無法形成前述 有機膜的第2溫度。
2. 如請求項1所記載之層積封止膜形成方法，其中：利用氧化鋁作為前述無機膜。
3. 如請求項1或2所記載之層積封止膜形成方法，其中：利用聚脲或聚醯亞胺作為前述有機膜。
4. 如請求項1或2所記載之層積封止膜形成方法，其中：前述無機膜的膜厚為50nm以下，前述有機膜的膜厚為500nm以下。
5. 如請求項1或2所記載之層積封止膜形成方法，其中：前述層積封止膜的膜厚為1μm以下。
6. 一種層積封止膜形成裝置，在基板上形成有作為發光層的複數有機EL層之有機EL元件上，形成層積無機膜與有機膜構造的層積封止膜，其中，該層積封止膜形成裝置，其特徵為具有：收容有機EL元件的處理容器；將為了利用原子層沉積法形成前述無機膜的第1無機膜原料氣體及第2無機膜原料氣體供給至前述處理容器內的第1無機膜原料氣體供給單元及第2無機膜原料氣體供給單元；將為了利用蒸鍍聚合法形成前述有機膜的第1有機膜原料氣體及第2有機膜原料氣體供給至前述處理容器內的第1有機膜原料氣體供給單元及第2有機膜原料氣體供給單元；使前述處理容器內排氣的排氣單元； 在前述處理容器內載置前述有機EL元件的載置台；將前述載置台的載置面的溫度調溫之第1調溫單元；將前述處理容器的前述載置台以外之部分的溫度調溫之第2調溫單元；控制部；前述控制部，進行以下控制：將前述第1無機膜原料氣體及前述第2無機膜原料氣體交互供給至前述處理容器，並將藉由原子層沉積法形成前述無機膜之工程、與將前述第1有機膜原料氣體及前述第2有機膜原料氣體同時供給至前述處理容器內，並藉由蒸鍍聚合法形成前述有機膜之工程，交互數次重覆實施；在實施形成前述無機膜的工程及形成前述有機膜的工程的期間，前述第1調溫單元將前述載置台的載置面的溫度，調溫成為由蒸鍍聚合可形成前述有機膜的第1溫度；前述第2調溫單元將前述處理容器的載置台以外之部分的溫度，調溫成為由蒸鍍聚合法無法形成前述有機膜的第2溫度。
7. 如請求項6所記載之層積封止膜形成裝置，其中：利用氧化鋁作為前述無機膜。
8. 如請求項6或7所記載之層積封止膜形成裝置，其中：利用聚脲或聚醯亞胺作為前述有機膜。

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