TW201323170A - 水氣阻障複合膜及封裝結構 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種水氣阻障複合膜，包括一由聚酯基膜或聚丙烯基膜形成之雙軸延伸共押出三層膜，其包含依序堆疊之一第一層、一第二層及一第三層，且其中該第一層更包含一抗沾黏劑，以及含複數層有機保護層及複數層無機層的有機無機交替結構設置於該共押出三層膜之該第三層上，其中該些無機層係由原子層沉積法形成。此外，本發明亦提供一種封裝結構，包括一光電元件，其上覆有前述之水氣阻障複合膜。

Description

水氣阻障複合膜及封裝結構
本發明係有關於水氣阻障膜，且特別是有關於一種具高透明度及可撓曲的水氣阻障複合膜。
空氣、水氣及氧係為造成光電元件中的主動層及低功函數電極劣化之主要原因，特別是水氣更為主要元兇。因此，光電元件通常需要有一水氣阻障層來阻隔水氣進入光電元件內部，以維持光電元件的效能及延長其生命週期。
在應用於光電元件之各種水氣阻障層中，塑膠材料如聚亞醯胺(polyimide，PI)、聚降冰片烯(polynorbornene，PNB)、聚-2,6-萘二酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)等的水氣阻障效果通常不佳，只能用於作為防止光電元件本身刮傷及磨損的抗刮膜層，較無實際隔絕水氣穿透的效果。玻璃材料雖具有良好的水氣阻障特性，但其製作耗能、易碎、幾乎無可撓性及厚重等缺點使其應用不易。金屬薄膜，例如鋁箔，則具有製作耗能及不可回收等缺點，且其高導電性及不透明性，亦讓金屬薄膜不適合作為光電元件之水氣阻障應用。
既然單一材料無法達到光電元件之水氣阻障層所需之理想性質，亦有關於複合材料的嘗試，例如蒸鍍金屬及二氧化矽之高分子複合膜材。此種複合膜材可同時達到可撓曲及相對塑膠材料較佳的水氣阻障特性。然而，此種複合膜材之對於空氣及水氣的阻障特性仍無法達到光電元件的阻氣要求，且透明度亦未能滿足作為光電元件之封裝材料的需求。因此，上述複合膜材仍不足以作為可理想得應用於光電元件之水氣阻障層。
因此，業界所需的是一種同時具有高透明度、高水氣阻障性及可撓曲特性之膜材，以作為光電元件之水氣阻障層。
本發明實施例係提供一種水氣阻障複合膜，包括：一由聚酯基膜或聚丙烯基膜形成之雙軸延伸共押出三層膜，其包含依序堆疊之一第一層、一第二層及一第三層，其中當此雙軸延伸共押出三層膜由聚酯基膜形成時，此第一層包含聚對苯二甲酸乙二醇酯、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸乙二酯、經酸修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯或其混合物，此第二層包含聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或其混合物，此第三層包含聚對苯二甲酸乙二醇酯、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸乙二酯、經酸修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯或其混合物，且其中此第一層更包含一抗沾黏劑，其中當此雙軸延伸共押出三層膜由聚丙烯基膜形成時，此第一層包含聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯-丁烯共聚物、高密度聚乙烯或其混合物，此第二層包含聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物或其混合物，此第三層包含聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯-丁烯共聚物、高密度聚乙烯或其混合物，且其中此第一層更包含一抗沾黏劑；以及複數層有機保護層及複數層無機層交替地形成於此共押出三層膜之此第三層上，其中這些無機層係由原子層沉積法形成。
本發明實施例亦提供一種封裝結構，包括一光電元件及如上所述之水氣阻障複合膜，貼合於該光電元件上。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本發明接下來將會提供許多不同的實施例以實施本發明中不同的特徵。各特定實施例中的組成及配置將會在以下作描述以簡化本發明。這些為實施例並非用於限定本發明。此外，在本說明書的各種例子中可能會出現重複的元件符號以便簡化描述，但這不代表在各個實施例及/或圖示之間有何特定的關連。此外，一第一元件形成於一第二元件“上方”、“之上”、“之下”或“上”可包含實施例中的該第一元件與第二元件直接接觸，或也可包含該第一元件與第二元件之間更有其他額外元件使該第一元件與第二元件無直接接觸。
本發明實施例係提供水氣阻障複合膜。此水氣阻障複合膜，可有效阻絕水氣，並同時具有高透明度及可撓曲之特性，因而可應用於作為各種光電元件之封裝膜層。
參見第1圖，其顯示為依照本發明一實施例之水氣阻障複合膜。此水氣阻障複合膜主要係由由聚酯基膜(polyester films)或聚丙烯基膜(polypropylene films)形成之共押出三層膜102及含複數層有機保護層112及複數層無機層114之有機無機交替結構組成。
共押出三層膜102可包含依序堆疊之第一層104、第二層106及第三層108。在一實施例中，共押出三層膜102可為雙軸延伸之三層膜。此共押出三層膜102係皆由高分子形成，雙軸延伸技術可讓此共押出三層膜102在縱橫兩個方向經歷了一定程度的拉伸，改變了高分子鏈段的排列，大大提升共押出三層膜102的強度與韌性等物理性質。此外，經由雙軸延伸之此共押出三層膜亦可具有較佳的透明度。此共押出三層膜可由雙螺桿押出機(twin screw extruder)進行熔融加工得到。例如，將三層膜之各層的材料各自輸入至雙螺桿押出機中，經T型模頭熔融押出，最後經由鑄模輪(casting drum)在15℃至40℃得到共押出三層膜。雙螺桿押出機的溫度介於275℃至300℃之間。接著，將共押出三層膜進行雙軸拉伸步驟，例如在循環熱風烘箱內進行單次同步或逐步拉伸。在另一實施例中，雙軸拉伸步驟為連續式兩階段拉伸：先以加熱滾輪的方式縱向拉伸2~4倍，拉伸溫度為80℃~120℃，目的是增進機械方向(MD direction)的抗拉性質，再進熱烘箱內進行橫向拉伸(TD direction)3~6倍，拉伸溫度為80℃~120℃。
在一實施例中，當共押出三層膜102係由聚酯基膜(polyester films)形成時，第一層104可包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸乙二酯(glycol-modified polyethylene terephthalate，PETG)、經酸修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯(acid-modified polycyclohexanedimethylene terephthalate，PCTA)、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯(glycol-modified polycyclohexanedimethylene terephthalate，PCTG)或其混合物。在另一實施例中，當共押出三層膜102係由聚丙烯膜形成時，第一層104可包含聚丙烯(polypropylene，PP)、乙烯-丙烯共聚物(ethylene-propylene copolymer)、乙烯-丙烯-丁烯共聚物(ethylene-propylene-butene copolymer)、高密度聚乙烯(high density polyethylene，HDPE)或其混合物。此聚丙烯薄膜係於200℃~250℃經三層熔融共押出，經鑄膜輪冷卻至15℃~50℃，再經雙軸延伸而成(MD方向於80℃~135℃延伸4~6倍；TD方向於130℃~165℃延伸6~10倍)。
此外，無論共押出三層膜是由聚酯基膜或聚丙烯基膜形成，第一層104皆更可包含添加劑，例如抗沾黏劑。抗沾黏劑可包含二氧化矽、矽酸鎂、碳酸鈣、聚矽氧烷、聚四氟乙烯或前述之組合。抗沾黏劑可降低第一層104與其本身或其他物體之間的摩擦沾黏，因而可使共押出三層膜102在撓曲時不會因沾黏而難以回復原狀。在一實施例中，第一層104中之抗沾黏劑之添加濃度為約100至3000 ppm。如抗沾黏劑的濃度太高將導致第一層的透明度降低。第一層104之厚度可介於1 μm～5 μm。
在一實施例中，當共押出三層膜102係由聚酯基膜形成時，第二層106可包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對苯二甲酸丙二醇酯poly(propylene terephthalate，PPT)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate，PBT)、聚-2,6-萘二酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)或其混合物。在另一實施例中，當共押出三層膜102係由聚丙烯基膜形成時，第二層106可包含聚丙烯(polypropylene，PP)、乙烯-丙烯共聚物(ethyl-propyl copolymer)或其混合物。然而，值得注意的是，無論共押出三層膜是由聚酯基膜或聚丙烯基膜形成，第二層106中可不包含添加劑或其他摻雜物。第二層106之厚度可為13 μm～240 μm，以提供足夠的機械性質，使共押出三層膜102可順利地共押出成膜並作雙軸延伸。
第三層108可包含與第二層106及第一層104相同或不同的材料。第三層108之黏度可等於或小於第二層106，以避免在共押出或作雙軸延伸時摻生亂流而導致與第二層106混雜。例如，當共押出三層膜102係由聚酯基膜形成時，第三層108可包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸乙二酯(glycol-modified polyethylene terephthalate，PETG)、經酸修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯(acid-modified polycyclohexanedimethylene terephthalate，PCTA)、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯(glycol-modified polycyclohexanedimethylene terephthalate，PCTG)或其混合物。當共押出三層膜102係由聚丙烯基膜形成時，第三層108可包含聚丙烯(polypropylene，PP)、乙烯-丙烯共聚物(ethylene-propylene copolymer)、乙烯-丙烯-丁烯共聚物(ethylene-propylene-butene terpolymer)、高密度聚乙烯(high density polyethylene，HDPE)或其混合物。第三層108中可不包含添加劑或摻雜物，以具有平滑表面，使鍍於其上之其他膜層具有較佳的成膜品質。第三層108之厚度可為1 μm～5 μm。在一實施例中，可對此第三層108作電暈(corona)處理。
由於共押出三層膜102之三膜層均由低水氣穿透率的高分子形成，且經過雙軸延伸加強強度與韌性等物理性質，此共押出三層膜102之水氣穿透率可較普通的塑膠材料低，且具有足夠的機械強度來作為基材。在本實施例中，共押出三層膜102之每日水氣穿透率可介於1~100 g/m2。此外，由於如抗沾黏劑等添加劑僅添加於第一層104中，僅需少量的抗沾黏劑即可提供共押出三層膜102具有抗沾黏的性質，且不影響共押出三層膜102之光學性質。
複數層有機保護層112及複數層無機層114交替地形成於共押出三層膜102之第三層108上，使之成為含複數層有機保護層112及複數層無機層108之有機無機交替結構。在一實施例中，有機保護層112可為由一多官能基聚合單體(其官能基數至少大於等於2)此多官能基聚合單體之寡聚物所交連形成之高分子層。例如，可由此多官能基聚合單體、此多官能基聚合單體之寡聚物及一起始劑作為起始材料，經照設UV或加熱而進行聚合反應，形成有機保護層112高分子層。多官能基聚合單體可包含丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯。多官能基聚合單體之寡聚物為聚合單體之低度聚合產物，用以提供有機保護層112足夠的黏度黏著於共押出三層膜102或無機層114上。多官能基聚合單體之寡聚物係可另外由多官能基聚合單體及起始劑經照射UV光或加熱反應形成。用以形成此有機保護層中112的多官能基聚合單體之寡聚物與多官能基聚合單體的起始重量比例可為8:1至2:1。起始劑可包含擇自下列群組的自由基起始劑：二苯甲酮、1-羥基環己基苯基丙酮(1-hydroxy-cyclohexylphenyl-ketone)及(2,4,6-三甲基苯甲醯基)二苯基氧化膦(diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide)，或擇自下列群組的陽離子起始劑：二芳香基碘鎓鹽(diarylindonium salts，Ar2I+X-)、三芳香基銃鹽(triaryl sulfonium salts，Ar3S+X-)、二茂鐵錯合物(ferrocenium complexes)及芳香基重氮鹽(aryl diazonium salts)。起始劑的起始含量相對於多官能基聚合單體之寡聚物與多官能基聚合單體之總重可為約0.5 wt%～10 wt%。在另一實施例中，有機保護層112可為聚偏二氯乙烯(polyvinylidene chloride)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、乙烯-乙烯醇共聚物(ethylene vinyl alcohol)、其他透明酯類或前述之組合。有機保護層112之厚度可為約1 μm～8 μm，或可為約1 μm～5 μm。有機保護層112可作為以原子層沉積形成無機層114時的保護層或前導物，促進無機層114的鍍膜接著效果。
無機層114可包含由原子層沉積(atom layer deposition)法形成之透明的無機氧化物或無機氮化物形成，例如氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鉿、氧化矽、氮化銦或前述之組合。無機層114可具有120～200層原子層沉積之厚度，或可具有180～200原子層沉積之厚度。原子層沉積之步驟可包含：通入金屬前驅物至欲沉積之表面而吸附於其上，並接著通入水與金屬前驅物反應以形成單層的原子層沉積。接著，重複上述單層原子層沉積的步驟100~500次，至達到所欲之厚度為止。在本實施例中，無機層114之厚度可介於10～50 nm。
在一實施例中，如第1圖所示，複數層無機層114之最下層可直接以原子層沉積法沉積於共押出三層膜102之第三層108上，而有機保護層112之最下層可形成於無機層114之最下層上。由於共押出三層膜102之第三層108中不包含添加物或其他摻雜，具有足夠的平滑表面，因而可提供無機層114直接以原子層沉積法沉積於其上。此外，有機保護層112之最上層可位於無機層114層之最上層上，以提供無機層114物理性的保護，而使其不易劣化。亦即，在此實施例中，複數層有機保護層112及複數層無機層114共包含n層的有機保護層112及n層的無機層，n為2以上之任意正整數。有機保護層112可作為以原子層沉積形成無機層114時的保護層或前導物，促進無機層114的鍍膜接著效果。
由於無機層114可由原子層沉積形成，其階梯覆蓋率高且針孔密度極低，僅需極薄的薄膜厚度(例如10～50 nm)，即可具有高阻氣的效果，因而與有機保護層112之阻氣協同效應(synergy effect)更為顯著。既然無機層114之厚度極薄，無機層114亦不會具有如傳統無機氧化物之易碎不可撓曲之缺點，且透明度亦因此提高。因此，交替形成的複數層無機層114及複數層有機保護層112不但可具有良好的水氣阻障性，亦具有良好的可撓曲性及透明度。亦即，由複數層無機層114、複數層有機保護層112與共押出三層膜102所形成之水氣阻障複合膜不但具有良好的水氣阻障性，且可具有良好的可撓曲性及透明度。因此，依照本發明實施例之水氣阻障複合膜同時兼具了高透明度、高水氣阻性、可撓曲的特性，且具有足夠的強度與韌性，可適用於作為光電元件之水氣阻障層或封裝材料。例如，在此實施例中，水氣阻障複合膜之每日水氣穿透率可小於約0.02 g/m2，且全光譜穿透度可至少大於80%。此外，由於此水氣阻障複合膜主要是由有機高分子及厚度極薄的無機層組成，其質量相對於玻璃材料及金屬材料相對較輕，亦可符合光電元件之封裝材料輕薄化的趨勢。
參見第2圖，其顯示為依照本發明另一實施例之水氣阻障複合膜。在此實施例中，與前述實施例相同的標號代表相同或類似的元件。如第2圖所示，複數層有機保護層112及複數層114交替地形成於共押出三層膜102之上表層108上，其中複數層有機保護層112之最下層可直接形成於共押出三層膜102之第三層108上，複數層無機層114之最下層則以原子層沉積法沉積於有機保護層112之最下層上。有機保護層112可作為以原子層沉積形成無機層114時的前導物，促進無機層114的鍍膜接著效果。此外，有機保護層112之最上層亦可位於無機層114之最上層上，以提供無機層114物理性的保護，而使其不易劣化。亦即，在此實施例中，複數層有機保護層112及複數層無機層114共包含n+1層的有機保護層112及n層的無機層，n為2以上之任意正整數。
如同前述實施例，由於無機層114可由原子層沉積形成，其階梯覆蓋率高且針孔密度極低，僅需極薄的薄膜厚度即可達成高阻氣的效果，與有機保護層112之阻氣協同效應(synergy effect)更為顯著。此外，無論是有機保護層112、無機層114及共押出三層膜102皆具有可撓曲性及高透明度等特性。因此，如第2圖所示之水氣阻障複合膜亦同時兼具了高透明度、高水氣阻性、可撓曲的特性，且具有足夠的強度與韌性，可適用於作為光電元件之水氣阻障層或封裝材料。例如，在此實施例中，水氣阻障複合膜之每日水氣穿透率可小於約0.02 g/m2，且全光譜穿透度可至少大於80%。
參見第3圖，其顯示依照本發明一實施例之封裝結構。封裝結構包含一光電元件302及一水氣阻障複合膜貼合於光電元件302上。在一實施例中，此光電元件可包含有機發光二極體、薄膜太陽能電池、有機太陽能電池、染料敏化太陽能電池、電子紙或前述之組合。水氣阻障複合膜可為第1或2圖所示之水氣阻障複合膜，包括共押出三層膜104、106、108、複數層有機保護層112及複數層無機層114。在此實施例中，水氣阻障複合薄膜可以複數層有機層114之最上層貼合於光電元件上。如此，既然水氣阻障複合膜具有高透明度及可撓曲性，可在不影響光電元件302的出光或吸光特性及可撓曲性下，阻擋水氣及空氣進入，並亦可提供足夠的物理保護及抗沾黏之特性。水氣阻障複合膜可與光電元件分開製造，可待光電元件製造形成之後，再貼合於其上。
參見第4圖，其顯示依照本發明另一實施例之封裝結構。封裝結構包含一光電元件402及一水氣阻障複合膜貼合於光電元件上。水氣阻障複合膜可為第1或2圖所示之水氣阻障複合膜，包括共押出三層膜104、106、108、及含複數層有機保護層112及複數層無機層114的有機無機交替結構。既然水氣阻障膜為可撓曲的，水氣阻障複合膜可包覆整個光電元件402。水氣阻障複合膜可在不影響光電元件402的吸光能力及可撓曲性下，阻擋水氣及空氣進入，並可提供足夠的物理保護及抗沾黏之特性。水氣阻障複合膜可與光電元件分開製造，可待光電元件製造形成之後，再貼合於其上。
【實施例1】
將第一層、第二層及第三層之材料各自注入雙螺桿押出機進行共押出製程之熔融加工，得到共押出三層膜。第一層係為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，並摻雜有600 ppm之二氧化矽(抗沾黏劑)；第二層係為聚對苯二甲酸乙二酯；第三層係為聚對苯二甲酸乙二酯。在此共押出製程中，製程溫度為275℃，且三層膜最後經同一T型模頭熔融押出，經冷卻輪在溫度20℃形成膜片。接著，將此共押出三層膜進行雙軸延伸步驟(在MD方向拉伸3倍，TD方向拉伸3.5倍)。經上述步驟得到之雙軸延伸共押出三層膜總厚度為188 μm，第三層及第一層之厚度皆為1 μm。對此雙軸延伸共押出三層膜的第一及三層的表面作電暈(corona)處理。接著，以三甲基鋁(trimethyl aluminum)及水作前驅物，於120℃下在第三層表面以原子層沉積作200層原子層之氧化鋁沉積，形成無機層。隨後，以線棒塗佈97wt%之丙烯酸酯UV膠、1.5wt%之1-羥基環己基苯基丙酮(第一光起始劑)及1.5wt%之(2,4,6-三甲基苯甲醯基)二苯基氧化膦(第二光起始劑)所形成之混合物，以UV曝光固化此混合物，形成有機保護層。在此有機保護層中，多官能基聚丙烯酸酯寡聚物及多官能基聚丙烯酸酯之單體之重量比為8:1。重複上述無機層及有機保護層之形成步驟，形成共押出三層膜/氧化鋁/聚丙烯酸酯/氧化鋁/聚丙烯酸酯之疊層結構，其即為水氣阻障複合膜。此水氣阻障複合膜於ASTM F1249測試方法下之水氣穿透率值為每日0.017 g/m2，全光譜穿透度為92%。
【實施例2】
同實施例1之步驟，但第一層係為聚丙烯(PP)並摻雜有600ppm之二氧化矽(抗沾黏劑)，第二層及第三層係為聚丙烯。雙軸延伸步驟為在MD方向拉伸5倍，TD方向拉伸8倍，所得到之共押出三層聚丙烯膜總厚度為50 μm，第一層及第三層之厚度皆為1 μm。此水氣阻障複合膜於ASTM F1249測試方法下之水氣穿透率值為每日0.010 g/m2，全光譜穿透度為88%。
【實施例3】
同實施例1之步驟，但第一層係為聚丙烯(PP)並摻雜有600ppm之二氧化矽(抗沾黏劑)，第二層係為聚丙烯，第三層係為乙烯丙烯共聚物(乙烯之莫耳含量約1%)。雙軸延伸步驟為在MD方向拉伸5倍，TD方向拉伸8倍。所得到之雙軸延伸共押出三層PP膜總厚度為50 μm，第一層及第三層之厚度皆為1 μm。此水氣阻障複合膜於ASTM F1249測試方法下之水氣穿透率值為每日0.006 g/m2，全光譜穿透度為81%。
【實施例4】
將實施例1之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)共押出三層膜之第一及三層的表面作電暈處理。接著，以三甲基鋁(trimethyl aluminum)及水作前驅物，於120℃下在第三層表面以原子層沉積作200層原子層之氧化鋁沉積，形成無機層。隨後，以線棒塗佈97wt%之丙烯酸酯UV膠、1.5wt%之1-hydroxy-cyclohexylphenyl-ketone(光起始劑)、1.5wt%之diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl phosphine oxide)(第二光起始劑)所形成之混合物，以UV曝光固化此混合物，形成有機保護層。在此有機保護層中，多官能基聚丙烯酸酯寡聚物及多官能基聚丙烯酸酯之單體之重量比為8:1。依此，此膜之結構成為聚丙烯酸酯/氧化鋁/聚對苯二甲酸乙二酯/氧化鋁，是為第一阻氣膜。以上述相同方法複製結構為聚丙烯酸酯/氧化鋁/聚對苯二甲酸乙二酯/氧化鋁之第二阻氣膜。使用聚丙烯酸酯作為接著劑，將第一阻氣膜與第二阻氣膜貼合，形成下述結構之高阻氣複合膜：聚丙烯酸酯/氧化鋁/聚對苯二甲酸乙二酯/氧化鋁/聚丙烯酸酯/氧化鋁/聚對苯二甲酸乙二酯/氧化鋁/聚丙烯酸酯。此複合膜於ASTM F1249測試方法下之水氣穿透率值為每日0.0036 g/m2，全光譜穿透度為90%。
雖然實施例1-3使用不同的材料作為水氣阻障複合膜的共押出三層膜的第一層、第二層及第三層。每日水氣穿透率皆為低於0.02 g/m2，且最低可低至0.006 g/m2。若如實施例4形成具有更多有機保護層及無機層的阻氣膜，每日水氣穿透率更可低至0.0036 g/m2。由上述結果亦可得知的是，水氣阻障複合膜的全光譜穿透度亦可能隨著水氣穿透率的下降而劣化，但最低依然可達80%以上，且本領域所屬具有通常知識者可依據設計需求來選擇所需使用的材料，以使水氣阻障複合膜具有所欲的水氣穿透率及全光譜穿透度。因此，可知的是，本發明實施例所提供之水氣阻障複合膜所具有的高透明度、高水氣阻性及可撓曲特性，同時亦具有質量輕及製程簡單等優點，使其可適用於作為光電元件之水氣阻障層。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
102．．．共押出三層膜
104．．．第一層
106．．．第二層
108．．．第三層
112．．．有機保護層
114．．．無機層
302．．．光電元件
402．．．光電元件
第1圖顯示依照本發明一實施例之水氣阻障複合膜之剖面圖。
第2圖顯示依照本發明另一實施例之水氣阻障複合膜之剖面圖。
第3圖顯示依照本發明一實施例之封裝結構之剖面圖。
第4圖顯示依照本發明另一實施例之封裝結構之剖面圖。
102．．．共押出三層膜
104．．．第一層
106．．．第二層
108．．．第三層
112．．．有機保護層
114．．．無機層

Claims (19)

  1. 一種水氣阻障複合膜，包括：一由聚酯基膜或聚丙烯基膜形成之雙軸延伸共押出三層膜，其包含依序堆疊之一第一層、一第二層及一第三層，其中當該雙軸延伸共押出三層膜由聚酯基膜形成時，該第一層包含聚對苯二甲酸乙二醇酯、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸乙二酯、經酸修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯或其混合物，該第二層包含聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或其混合物，該第三層包含聚對苯二甲酸乙二醇酯、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸乙二酯、經酸修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯、經乙二醇修飾之聚對苯二甲酸-1,4-環己烷二甲醇酯或其混合物，且其中該第一層更包含一抗沾黏劑，其中當該雙軸延伸共押出三層膜由聚丙烯基膜形成時，該第一層包含聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯-丁烯共聚物、高密度聚乙烯或其混合物，該第二層包含聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物或其混合物，該第三層包含聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯-丁烯共聚物、高密度聚乙烯或其混合物，且其中該第一層更包含一抗沾黏劑；以及含複數層有機保護層及複數層無機層之有機無機交替結構，形成於該共押出三層膜之該第三層上，其中該些無機層係由原子層沉積法形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該些無機層之最下層直接形成於該共押出三層膜之該第三層上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該含複數層有機保護層及複數層無機層之有機無機交替結構之最上層為有機保護層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該些無機層包含氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鉿、氧化矽、氮化銦或前述之組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該些無機層之每一層的厚度可為120層～200層原子層厚度之沉積。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該有機保護層係為一多官能基聚合單體及一該多官能聚合單體之寡聚物所交連形成之高分子層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之水氣阻障複合膜，其中該多官能基聚合單體包含聚氨酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚丙烯酸酯或前述之組合。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之水氣阻障複合膜，其中該高分子層係以該多官能基聚合單體、該多官能基聚合單體之寡聚物及一起始劑作為起始材料，經加熱或照射UV光而進行聚合反應形成。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之水氣阻障複合膜，其中該起始劑包含擇自下列群組的自由基起始劑：二苯甲酮、1-羥基環己基苯基丙酮(1-hydroxy-cyclohexylphenyl-ketone)及(2,4,6-三甲基苯甲醯基)二苯基氧化膦(diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide)，或擇自下列群組的陽離子起始劑：二芳香基碘鎓鹽(diarylindonium salts，Ar2I+X-)、三芳香基銃鹽(triaryl sulfonium salts，Ar3S+X-)、二茂鐵錯合物(ferrocenium complexes)及芳香基重氮鹽(aryl diazonium salts)。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之水氣阻障複合膜，其中該有機保護層包含聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物其他透明的酯類或前述之組合。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該抗沾黏劑包含二氧化矽、矽酸鎂、碳酸鈣、聚矽氧烷、聚四氟乙烯或前述之組合，且該添加劑之濃度為約300～2000 ppm。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該第二層之厚度為13 μm～240 μm。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該第三層不包含添加劑或其他摻雜物。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該水氣阻障複合膜具有可撓曲性。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該水氣阻障複合膜之水氣穿透率小於每天0.02 m2/g。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之水氣阻障複合膜，其中該水氣阻障複合膜之全光譜穿透度大於80%。
  17. 一種封裝結構，包括：一光電元件；以及申請專利範圍第1項所述之該水氣阻障複合膜，貼合於該光電元件上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之封裝結構，其中該水氣阻障複合膜包覆該光電元件。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之封裝結構，其中該光電元件包含有機發光二極體、薄膜太陽能電池、有機太陽能電池、染料敏化太陽能電池、電子紙或前述之組合。
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