CN107393986A - 封装材料及其制备方法以及光电器件 - Google Patents

封装材料及其制备方法以及光电器件 Download PDF

Info

Publication number
CN107393986A
CN107393986A CN201610308602.2A CN201610308602A CN107393986A CN 107393986 A CN107393986 A CN 107393986A CN 201610308602 A CN201610308602 A CN 201610308602A CN 107393986 A CN107393986 A CN 107393986A
Authority
CN
China
Prior art keywords
encapsulating material
tack coat
layer
substrate layer
barrier layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610308602.2A
Other languages
English (en)
Inventor
李硕
陈海力
蒋雷
于甄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhangjiagang Kangdexin Optronics Material Co Ltd
Original Assignee
Zhangjiagang Kangdexin Optronics Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhangjiagang Kangdexin Optronics Material Co Ltd filed Critical Zhangjiagang Kangdexin Optronics Material Co Ltd
Priority to CN201610308602.2A priority Critical patent/CN107393986A/zh
Publication of CN107393986A publication Critical patent/CN107393986A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种封装材料，包括：基材层；阻隔层，设置于所述基材层的任一表面上；粘结层，设置于所述阻隔层的远离所述基材层的表面上；耐候层，设置于所述粘结层的远离所述阻隔层的表面上；所述粘结层包含光转换剂，所述光转换剂为掺杂稀土的无机氧化物。所述封装材料主要适用于柔性薄膜太阳能电池的前端封装。该封装材料通过在粘结层中添加光转换剂，使得该封装材料能够将紫外波段的太阳光转换为可见光例如蓝光部分，从而能被下层的光伏器件吸收并转化为电能，将紫外光的能量充分利用，提高了光伏器件的发电效率，同时可以减缓紫外光对粘结层的破坏。

Description

封装材料及其制备方法以及光电器件
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种封装材料及其制备方法以及光电器件。
背景技术
太阳能电池是一种将太阳能直接转换为电能的半导体器件，是当前一种比较清洁的新能源形式。该类器件能产生电的主要原理是：通过太阳光谱中固定波长范围内的光照射在太阳能电池上，并被电池器件的界面层吸收激发形成电子-空穴对，利用半导体器件的内建电场将电子和空穴分离而得到电流。
图1是在大气质量为1.5的标准条件下测得的太阳能光谱，从图中可以看出标准的太阳光谱中大部分能量是分布在400-800nm的可见光范围，还有一部分分布在800-2400nm的红外波段，这些波段的能量几乎都能对发电起到作用，但是在280-400nm波段的紫外光却无法用来产生电能，反而还会对太阳能电池中的高分子材料部分(例如：太阳能电池中的PET、EVA、粘合剂等)产生破坏并使其发生老化现象，影响了电池的使用寿命和稳定性。另外针对有些类别的太阳能电池(例如OPV电池)，紫外光还会对电池的核心发电部分产生致命性损坏，直接导致电池失效。
有些太阳能电池设计时会直接在封装光伏器件的材料中加入紫外吸收剂，将紫外光直接吸收来减少紫外光对电池的影响，但是这样相当于是将紫外光波段的能量直接损耗了，这对于太阳能电池发电效率的提高是不利的。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种封装材料及其制备方法以及光电器件，制备的封装材料能够将紫外光的能量充分利用，具有较高的发电效率。
本发明提供了一种封装材料，包括：
基材层；
阻隔层，设置于所述基材层的任一表面上；
粘结层，设置于所述阻隔层的远离所述基材层的表面上；
耐候层，设置于所述粘结层的远离所述阻隔层的表面上；
所述粘结层包含光转换剂，所述光转换剂为掺杂稀土的无机氧化物。
优选的，所述光转换剂为Sr5(PO4)3Cl:Eu2+、YPO4:Tb和LaPO4:Tm中的一种或多种。
优选的，所述光转换剂的粒径为50nm～10μm。
优选的，所述粘结层为丙烯酸树脂、聚氨酯或环氧树脂。
优选的，所述粘结层中，光转换剂的质量占丙烯酸树脂、聚氨酯或环氧树脂的0.3％～3％。
优选的，所述粘结层的厚度为30～70μm。
优选的，所述耐候层为氟化物膜。
优选的，所述氟化物膜优选为乙烯-四氟乙烯共聚物、氟化乙烯丙烯共聚物、乙烯三氟氯乙烯共聚物或聚偏氟乙烯。
优选的，所述基材层为PET或PEN。
优选的，所述阻隔层为无机氧化物。
优选的，所述无机氧化物为氧化钛或者氧化铝。
本发明还提供了一种上述封装材料的制备方法，包括：
提供基材层；
在所述基材层的任一表面通过电子束蒸发、磁控溅射、原子层沉积或化学气相沉积的方法形成阻隔层；
在所述阻隔层的远离所述基材层的表面上直接涂覆形成粘结层；
在所述粘结层的远离所述阻隔层的表面上通过贴合的方式形成耐候层。优选的，所述基材层的表面经过放电处理、电化学预处理或火焰预处理。
本发明还提供了一种光电器件，包括封装材料，所述封装材料为上述封装材料，或上述制备方法制备的封装材料。
本发明提供了一种封装材料，包括：基材层；阻隔层，设置于所述基材层的任一表面上；粘结层，设置于所述阻隔层的远离所述基材层的表面上；耐候层，设置于所述粘结层的远离所述阻隔层的表面上；所述粘结层包含光转换剂，所述光转换剂为掺杂稀土的无机氧化物。所述封装材料主要适用于柔性薄膜太阳能电池的前端封装。该封装材料通过在粘结层中添加光转换剂，使得该封装材料能够将紫外波段的太阳光转换为可见光例如蓝光部分，从而能被下层的光伏器件吸收并转化为电能，将紫外光的能量充分利用，提高了光伏器件的发电效率，同时可以减缓紫外光对粘结层的破坏。
附图说明
图1为在大气质量为1.5的标准条件下测得的太阳能光谱；
图2为本发明提供的具有四层结构的封装材料的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种封装材料，包括：
基材层；
阻隔层，设置于所述基材层的任一表面上；
粘结层，设置于所述阻隔层的远离所述基材层的表面上；
耐候层，设置于所述粘结层的远离所述阻隔层的表面上；
所述粘结层包含光转换剂，所述光转换剂为掺杂稀土的无机氧化物。
结构参见图2，图2为本发明提供的具有四层结构的柔性光伏电池封装材料的结构示意图，包括基材层101、阻隔层102、粘结层103和耐候层104。
其中，所述基材层101优选为PET或PEN材质的基材层。该层能够提高光伏电池的电气绝缘性能。所述基材层101的厚度优选为25～100μm，所述基材层101优选为光学透过率为90％以上的基材层。
本发明优选的，所述基材层101的下表面远离阻隔层的一侧还包括封装剂，所述封装剂优选为EVA、PVA或POE材质的封装剂，其作用是将封装材料和下方的柔性光伏电池进行贴合，使得封装材料能起到保护电池组件的作用。
所述阻隔层102优选为无机氧化物材质的阻隔层，其主要作用是对水汽及氧气进行阻隔，起到对外部环境阻隔的功能，防止外部水汽及氧气对光伏器件产生损坏。其可以通过电子束蒸发、磁控溅射、原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)方法沉积于基材层101上表面得到，所述无机氧化物优选为氧化钛或者氧化铝；所述阻隔层102的厚度优选为9～90nm。
所述粘结层103优选为丙烯酸树脂、聚氨酯或环氧树脂直接涂覆于所述阻隔层102的远离所述基材层101的表面上形成。厚度优选为30～70μm。其作用是保护下方的阻隔层102，对其提供机械性能的支撑，同时也起到连接耐候层104和下方阻隔层102的作用。
本发明中，所述粘结层103中还含有光转换剂，能够将波长范围为200～410nm的光转化成波长范围为450～700nm的光，供下方的发电器件发电。所述光转换剂优选为掺杂稀土的无机氧化物，更优选为Sr5(PO4)3Cl:Eu2+、YPO4:Tb和LaPO4:Tm中的任意一种或多种。本发明中，所述光转换剂的粒径优选为50nm～10μm。
所述粘结层103中，光转换剂的质量优选占丙烯酸树脂、聚氨酯或环氧树脂的0.3％～3％。
本发明在粘结层103中添加了光转换剂，该层能把太阳光中紫外光部分转化成蓝光或绿光或红光等可见光，供下方的发电器件发电，提高了光伏器件的发电效率；同时可以减缓紫外光对粘结层的破坏，使得发光器件更为牢固。
所述耐候层104优选为在粘结层103上表面贴合的氟化物膜。其作用是提高封装材料的户外耐老化的性能。所述耐候层104的厚度优选为30～70μm，在本发明的某些具体实施例中，所述耐候层104的厚度为50μm。所述氟化物膜优选为乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)、乙烯三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)或聚偏氟乙烯(PVDF)。
本发明通过在粘结层中添加光转换剂，使得该封装材料能够将紫外波段的太阳光转换为可见光中的蓝光部分，从而能被下层的光伏器件吸收并转化为电能，将紫外光的能量充分利用，提高了光伏器件的发电效率，同时可以减缓紫外光对粘结层的破坏。
本发明还提供了一种上述封装材料的制备方法，包括：
提供基材层；
在所述基材层的任一表面通过电子束蒸发、磁控溅射、原子层沉积或化学气相沉积的方法形成阻隔层；
在所述阻隔层的远离所述基材层的表面上直接涂覆形成粘结层；
在所述粘结层的远离所述阻隔层的表面上通过贴合的方式形成耐候层。
所述基材层、阻隔层、粘结层、耐候层的材质、厚度同上，在此不再赘述。
本发明优选的，所述基材层经过电化学预处理，以提高其表面附着力。优选的，所述基材层的正反两面均经过电化学处理。本发明对所述电化学处理的方法并无特殊限定，可以为本领域公知的处理方法。本发明优选采用放电处理、电化学预处理或火焰预处理。
本发明还提供了一种光电器件，包括封装材料，所述封装材料为上述封装材料，或上述制备方法制备的封装材料。
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的柔性光伏电池封装材料进行详细描述。
实施例1
选取50um厚度的PET作为基材层，该基材层正反两面经过电化学预处理以提高表面附着力；
在基材层的上表面通过磁控溅射的方式生长一层氧化钛层作为阻隔层，厚度为30nm；
在阻隔层的上表面通过涂布的方式涂覆上一层50um胶水，涂覆的胶水为丙烯酸类树脂和波长转化剂的混合物，波长转换剂选取的是Sr5(PO4)3Cl:Eu2+，其中颗粒粒径范围分布在80nm-100nm之间，与丙烯酸类树脂配比为1wt％；
在粘结层上表面贴合厚度为50μm氟化物膜作为耐候层，其中氟化物膜为乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)。
实施例2
选取50um厚度的PET作为基材层，该基材层正反两面经过电化学预处理以提高表面附着力；
在基材层的上表面通过磁控溅射的方式生长一层氧化铝层作为阻隔层，厚度为30nm；
在阻隔层的上表面通过涂布的方式涂覆上一层50um胶水，涂覆的胶水为丙烯酸类树脂和波长转化剂的混合物，波长转换剂选取的是YPO4:Tb，其中颗粒粒径范围分布在80nm-100nm之间，与丙烯酸类树脂配比为1％；
在粘结层上表面贴合厚度为50μm氟化物膜作为耐候层，其中氟化物膜为乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)。
实施例3
选取50um厚度的PET作为基材层，该基材层正反两面经过电化学预处理以提高表面附着力；
在基材层的上表面通过磁控溅射的方式生长一层氧化钛层作为阻隔层，厚度为30nm；
在阻隔层的上表面通过涂布的方式涂覆上一层50um胶水，涂覆的胶水为丙烯酸类树脂和波长转化剂的混合物，波长转换剂选取的是LaPO4:Tm，其中颗粒粒径范围分布在80nm-100nm之间，与丙烯酸类树脂配比为1％；
在粘结层上表面贴合厚度为50μm氟化物膜作为耐候层，其中氟化物膜为氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)。
比较例1
选取50um厚度的PET作为基材层，该基材层正反两面经过电化学预处理以提高表面附着力；
在基材层的上表面通过磁控溅射的方式生长一层氧化钛层作为阻隔层，厚度为30nm；
在阻隔层的上表面通过涂布的方式涂覆上一层50um胶水，涂覆的胶水为丙烯酸类树脂；
在粘结层上表面贴合厚度为50μm氟化物膜作为耐候层，其中氟化物膜为乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)。
性能检测：
将实施例1～3、比较例1制备的封装材料分成A、B两组：A组的4种封装材料直接与光伏发电器件整合，放置在太阳光模拟器中进行发电效率测试，效率测试的条件为：测试温度为25℃，测试表面辐照度为1000W/m2，大气质量为AM1.5；B组的4种封装材料先同时放置在紫外老化试验箱进行紫外老化，紫外老化条件为：辐照温度为60℃，辐照度为185W/m2，辐照时间为150h，老化后再将这4种封装材料与光伏发电器件整合，并放置在太阳光模拟器中进行发电效率测试，效率测试的条件为：测试温度为25℃，测试表面辐照度为1000W/m2，大气质量为AM1.5。A、B两组测试得到的发电效率见表1，表1是本发明发电效率测试结果：
表1本发明发电效率测试结果
由上述实施例及比较例可知，本发明在粘结层中添加光转换剂，提高了光伏器件的发电效率，同时可以减缓紫外光对粘结层的破坏。
本发明所公开的封装材料，不仅可以用于柔性光伏电池，还可以应用于户外使用的电子器件，如OLED显示器。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (14)

1.一种封装材料，其特征在于，包括：
基材层；
阻隔层，设置于所述基材层的任一表面上；
粘结层，设置于所述阻隔层的远离所述基材层的表面上；
耐候层，设置于所述粘结层的远离所述阻隔层的表面上；
所述粘结层包含光转换剂，所述光转换剂为掺杂稀土的无机氧化物。
2.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述光转换剂为Sr5(PO4)3Cl:Eu2+、YPO4:Tb和LaPO4:Tm中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的封装材料，其特征在于，所述光转换剂的粒径为50nm～10μm。
4.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述粘结层为丙烯酸树脂、聚氨酯或环氧树脂。
5.根据权利要求4所述的封装材料，其特征在于，所述粘结层中，光转换剂的质量占丙烯酸树脂、聚氨酯或环氧树脂的0.3％～3％。
6.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述粘结层的厚度为30～70μm。
7.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述耐候层为氟化物膜。
8.根据权利要求7所述的封装材料，其特征在于，所述氟化物膜优选为乙烯-四氟乙烯共聚物、氟化乙烯丙烯共聚物、乙烯三氟氯乙烯共聚物或聚偏氟乙烯。
9.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述基材层为PET或PEN。
10.根据权利要求1所述的封装材料，其特征在于，所述阻隔层为无机氧化物。
11.根据权利要求10所述的封装材料，其特征在于，所述无机氧化物为氧化钛或者氧化铝。
12.一种权利要求1～11任一项所述的封装材料的制备方法，其特征在于，包括：
提供基材层；
在所述基材层的任一表面通过电子束蒸发、磁控溅射、原子层沉积或化学气相沉积的方法形成阻隔层；
在所述阻隔层的远离所述基材层的表面上直接涂覆形成粘结层；
在所述粘结层的远离所述阻隔层的表面上通过贴合的方式形成耐候层。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述基材层的表面经过放电处理、电化学预处理或火焰预处理。
14.一种光电器件，包括封装材料，其特征在于，所述封装材料为权利要求1～11任一项所述的封装材料，或权利要求12～13任一项所述的制备方法制备的封装材料。
CN201610308602.2A 2016-05-11 2016-05-11 封装材料及其制备方法以及光电器件 Pending CN107393986A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610308602.2A CN107393986A (zh) 2016-05-11 2016-05-11 封装材料及其制备方法以及光电器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610308602.2A CN107393986A (zh) 2016-05-11 2016-05-11 封装材料及其制备方法以及光电器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107393986A true CN107393986A (zh) 2017-11-24

Family

ID=60337659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610308602.2A Pending CN107393986A (zh) 2016-05-11 2016-05-11 封装材料及其制备方法以及光电器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107393986A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108682704A (zh) * 2018-05-25 2018-10-19 北京汉能光伏投资有限公司 太阳能电池封装板及其制备工艺、太阳能电池
CN109065655A (zh) * 2018-09-25 2018-12-21 汉能移动能源控股集团有限公司 一种封装前板及其制备工艺
CN109795177A (zh) * 2018-12-27 2019-05-24 张家港钛光新材料科技有限公司 一种带转光阻隔膜在光伏电池铺设结构中的应用
CN114763416A (zh) * 2021-01-15 2022-07-19 上海共城通信科技有限公司 一种介于表面带tco层的光伏电池和光伏组件封装胶膜之间的转光薄膜
CN116936663A (zh) * 2023-09-18 2023-10-24 苏州腾晖光伏技术有限公司 光伏双面组件封装膜、其制作方法及制作设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101404314A (zh) * 2007-05-30 2009-04-08 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
CN101992571A (zh) * 2010-09-02 2011-03-30 常熟市冠日新材料有限公司 用于太阳能光伏组件的绝缘背板
CN102019734A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 富士胶片株式会社 保护膜和太阳能电池用前板
CN102427090A (zh) * 2011-11-14 2012-04-25 宁波长阳科技有限公司 一种高阻隔性太阳能电池背板及其制备方法
CN103158289A (zh) * 2011-12-15 2013-06-19 财团法人工业技术研究院 水气阻障复合膜及封装结构
CN105238284A (zh) * 2015-10-29 2016-01-13 严梅霞 一种eva胶膜

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101404314A (zh) * 2007-05-30 2009-04-08 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
CN102019734A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 富士胶片株式会社 保护膜和太阳能电池用前板
CN101992571A (zh) * 2010-09-02 2011-03-30 常熟市冠日新材料有限公司 用于太阳能光伏组件的绝缘背板
CN102427090A (zh) * 2011-11-14 2012-04-25 宁波长阳科技有限公司 一种高阻隔性太阳能电池背板及其制备方法
CN103158289A (zh) * 2011-12-15 2013-06-19 财团法人工业技术研究院 水气阻障复合膜及封装结构
CN105238284A (zh) * 2015-10-29 2016-01-13 严梅霞 一种eva胶膜

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108682704A (zh) * 2018-05-25 2018-10-19 北京汉能光伏投资有限公司 太阳能电池封装板及其制备工艺、太阳能电池
CN109065655A (zh) * 2018-09-25 2018-12-21 汉能移动能源控股集团有限公司 一种封装前板及其制备工艺
CN109795177A (zh) * 2018-12-27 2019-05-24 张家港钛光新材料科技有限公司 一种带转光阻隔膜在光伏电池铺设结构中的应用
CN114763416A (zh) * 2021-01-15 2022-07-19 上海共城通信科技有限公司 一种介于表面带tco层的光伏电池和光伏组件封装胶膜之间的转光薄膜
CN116936663A (zh) * 2023-09-18 2023-10-24 苏州腾晖光伏技术有限公司 光伏双面组件封装膜、其制作方法及制作设备
CN116936663B (zh) * 2023-09-18 2023-12-01 苏州腾晖光伏技术有限公司 光伏双面组件封装膜、其制作方法及制作设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107393986A (zh) 封装材料及其制备方法以及光电器件
US5728230A (en) Solar cell and method for manufacturing the same
CN101911306B (zh) 用于光伏组件的光致发光背板
JP4086629B2 (ja) 光起電力素子
CN102362352A (zh) 光电子器件
CN104064622A (zh) 一种抗电势诱导衰减的太阳能电池片及其制作方法
US20120260984A1 (en) High Efficiency Solar Cell Using Phosphors
JP2011073199A (ja) ガスバリアユニット、太陽電池モジュール用のバックシート、および太陽電池モジュール
CN102779904B (zh) 防止晶硅太阳能模块的有害极化和黑线现象发生的方法
JP5706832B2 (ja) 適応性波長変換装置及び太陽電池
CN100539206C (zh) 可以充分吸收更广泛波长太阳光的太阳能电池结构
JP6164258B2 (ja) 太陽電池モジュール
US20120167983A1 (en) Composite light converter for polycrystalline silicon solar cell and silicon solar cell using the converter
CN107393987A (zh) 封装材料以及光电器件
JP2001094128A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP6863853B2 (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール
CN107369733A (zh) 一种高阻水光转换太阳能电池封装材料及其制备方法
CN206148444U (zh) 封装材料以及光电器件
JP2013004806A (ja) 太陽電池モジュール
KR102242331B1 (ko) 형광체를 함유한 투명전극을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
KR101827805B1 (ko) 태양전지 모듈을 구비하는 발광모듈 어셈블리
CN107369730A (zh) 封装材料及其制备方法以及光电器件
Su et al. Atomic Layer Deposited ZnO–SnO2 Electron Transport Bilayer for Wide‐Bandgap Perovskite Solar Cells
US20220259493A1 (en) Solar wavelength conversion material, solar cell encapsulant comprising same, and solar cell comprising same
CN108231944A (zh) 一种基于新型电子传输层的光电探测器及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171124

RJ01 Rejection of invention patent application after publication