SU924063A1 - Способ изготовления селективной мембраны i ♦ - Google Patents

Способ изготовления селективной мембраны i ♦ Download PDF

Info

Publication number
SU924063A1
SU924063A1 SU802869361A SU2869361A SU924063A1 SU 924063 A1 SU924063 A1 SU 924063A1 SU 802869361 A SU802869361 A SU 802869361A SU 2869361 A SU2869361 A SU 2869361A SU 924063 A1 SU924063 A1 SU 924063A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
carbon dioxide
selective membrane
silt
coating
carbon
Prior art date
Application number
SU802869361A
Other languages
English (en)
Inventor
Lenara Ya Alimova
Irina E Dzhamaletdinova
Telman D Radzhabov
Vladimir N Serebryakov
Original Assignee
Inst Elektroniki Im U A Arifov
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Elektroniki Im U A Arifov filed Critical Inst Elektroniki Im U A Arifov
Priority to SU802869361A priority Critical patent/SU924063A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU924063A1 publication Critical patent/SU924063A1/ru

Links

Description

Изобретение относится к химической технологии, конкретно к способу изготовления селективной мембраны, и может быть использовано в медицине, химической промышленности.
Известен способ изготовления се- * лективной мембраны методом полива из раствора поливинилтриметилсилана на поверхность стеклянной пластины с последующим отслаиванием и растяжением. Мембрана характеризуется достаточно высокой величиной проницаемости по углекислому газу 0. - 3,6 л/м 2 ч [ 1 ].
Однако коэффициент разделения ,5
по углекислому газу и кислороду невысок, ά- -4-5.
Известен также способ получения селективной мембраны нанесения покрытия^ из алюминия на поверхность поливинилтриметилсилана методом ионной бомбардировки. При этом достигнуто увеличение коэффициента разделения
2
/
по кислороду и углекислому газу в 2-3 раза [ 2 ].
Недостатком известной мембраны является незначительное увеличение коэффициента разделения при незначительном изменении проницаемости по углекислому газу.
Цель изобретения - повышение эф- фективности разделения газовых смесей, содержащих углекислый газ.
Поставленная цель достигается тем, что при изготовлении селективной мембраны на поверхность поливинилтриметилсилана наносят активное покрытие из углерода толщиной 500—
700 А методом вакуумтермического напыления при скорости осаждения 6-20.А/с.
Полимерные подложки толщиной 200250 мкм готовят из раствора поливинилтриметилсилана в бензина. Раствор отливают в виде пленок на целлофан. Удаление растворителя из раствора осуществляют при температуре
окружающего воздуха в течение сут, после чего пленка легко отслаивается.
Нанесение тонкого слоя углерода на полимерную подложку осуществляют методом вакуумного термического напыления на универсальном вакуумном посту ВУП-4 при следующих параметрах: вакуум р рабочем объеме не ниже чем 10""°тор, ток накала нагревателя 80 А, время напыления 3060 с, толщина напыленного слоя порядка 500-700 А .
Такой вакуум необходим для получения чистых покрытий без примесей остаточных газов. .Выбор величины общего накала нагревателя при указанном расстоянии электродов от подложки обусловлен тем, что ниже этого значения процесс осаждения более длителен ,> 1 мин и примеси остаточных газов влияют на состав и качество покрытия. Напыление слоя углерода проводится продолжительностью 30“
60 с. В зависимости от времени напыления изменяется и толщина докрытия. При толщине слоя менее 500 А получается недостаточно плотное покрытие и эффекта повышения селективности нс наблюдается.
Более толстое покрытие становится запорным слоем для углекислого газа.
Пример 1. Предварительно збезжиренную пленку ПВТМС с 5 - 12 см устанавливают в камеру для напыления по центру на расстоянии 9. см под угольными электродами. Систему откачивают до давления 10' тор.
924063 4
Методом термической активации разогревают угольные электроды и в месте контакта их начинается интенсивное распыление. Пии общем токе накала нагревателя ϋ - 60 А в течение 50 с напыления на поверхности полимерной пленки получай^ покрытие
10
15
20
25
30
35
из углерода толщиной 300 А. Затем полученную двухслойную мембрану на поддерживающей основе из минипласта устанавливают в диффузионную ячейку и исследуют на газопроницаемость. Величина проницаемости по углекислому газу ¢-1,4 л/м^/ч, а коэффициент разделения углекислого газа и кислорода сЬ-18.
Пример 2. Процесс осуществляют как в примере 1, но напыление углеродной пленки проводят при общем токе накала нагревателя Э - 90 А в течение 40 с, тодщина покрытия в этом случае 800 А, Величина проницаемости по углекислому газу ¢-1,4 л/м^-ч, коэффициент разделения Л- 50.
Пример 3. Напыление углеродной пленки на поверхность полимера проводят при общем токе накала нагревателя Э - 80 А в течение 1 мин. Толщина покрытия из углерода при таких условиях эксперимента 600 А ¢- 2,7 л/м*2 ч Л- 48.
В таблице представлены данные по проницаемости углекислого газа, кислорода и для сравнения по воздуху, до напыления и после, а также коэффициенты разделения по углекислому газу и кислороду, углекислому газу и воздуху.
5
924063
6
1
О с!
а та
с о
0) СП
та ь
X и X
X та о Σ С»
э 0) о
О <0 <_>
I Л
Ι- X о
Ο I с
с*
чО
О
см
κΟ
-θ'
г*40
о
а
с «и с
ь о
0) о
X О х
X 0) 1 '
3 <0 о
о У о
I X
ь X 0
о с
т
ζ
θ'
ш
о
X
о
ΙΟ
с
<0
I
X
т
X
с
о
со
с*
о
о
с
ГО
«ч
о
ил
40
«ч
ил
ч0
гл
о
о
1 гл см ил
о 1 -3* Гх о
с 1 «ч «ч . *· •ч
1 1 гл ΓΛ см см
со
-з·
ил
-з40
00
гл
о
40
ил
-0“
о
40
О
-θ’
о
40
ил
о
г- ил
*Ч вч 44
см см *X
ΙΟ
о
X
о ·
<0 Iа о
X ·
I
о а с
х υ к * та о х»г<‘ ι X (К о о \ Ь X о υ Ое"· С= X υ
с*
О
о
с
ил
ил
* гл г*.
00 -3* -3· СП
г— 40 см гл гл
«ч «ч «ч •ч •ч
см »— 1 о о о
ил
см
<п. -Ο0,252 - 1,43 0,318 0,0214
дао ! СМ ГЛ см ил ил
»— О 1 гЛ 4— ч£> СМ 00 о чО ГЛ
О 1 •ч •ч «ч «ч •ч «ч •ч •ч
1 см ач со чО со гл
о · см гл г— Г— Г·—» »—► г— ·—
С 1 _1 1
1 Έ
0) 1 С
Ф 1 ф « та 1 к
ф 1 X X 71 X
а 1 X и С X
ю 1 о о ф υ
о 1 с! Г- см гл с X см гл -з-
7
Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает возможность получения значения коэффициентов разделения по углекислому газу и кислороду порядка Л- 50, а по воздуху 50-70 при величине проницаемости по углекислому газу 2-3 л/м%, повысить производительность процесса, снизить энергозатраты в 2-3 раза на проведение процесса разделения, умень-<> шить габариты аппаратов при использовании мембраны.

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Способ изготовления селективной мембраны нанесением покрытия на поверхность поливинилтриметилсилана,
    924063 8
    отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности разделения газовых смесей, содержащих углекислый газ, наносят актив5 ное покрытие из углерода методом вакуум-термического напыления при скорости осажденияо6-20 А/с до толщины слоя 500-700 А.
SU802869361A 1980-01-09 1980-01-09 Способ изготовления селективной мембраны i ♦ SU924063A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802869361A SU924063A1 (ru) 1980-01-09 1980-01-09 Способ изготовления селективной мембраны i ♦

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802869361A SU924063A1 (ru) 1980-01-09 1980-01-09 Способ изготовления селективной мембраны i ♦

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU924063A1 true SU924063A1 (ru) 1982-04-30

Family

ID=20872121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802869361A SU924063A1 (ru) 1980-01-09 1980-01-09 Способ изготовления селективной мембраны i ♦

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU924063A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5464667A (en) * 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
US6203898B1 (en) 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5464667A (en) * 1994-08-16 1995-11-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Jet plasma process and apparatus
US6203898B1 (en) 1997-08-29 2001-03-20 3M Innovatave Properties Company Article comprising a substrate having a silicone coating
US6348237B2 (en) 1997-08-29 2002-02-19 3M Innovative Properties Company Jet plasma process for deposition of coatings

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4572841A (en) Low temperature method of deposition silicon dioxide
JP2545306B2 (ja) ZnO透明導電膜の製造方法
US4576829A (en) Low temperature growth of silicon dioxide on silicon
ATE440385T1 (de) Verfahren zur grosstechnischen herstellung von cdte/cds dünnschicht-solarzellen
US4292343A (en) Method of manufacturing semiconductor bodies composed of amorphous silicon
US5108952A (en) Method of depositing a tungsten film
JPH06330326A (ja) シリカ薄膜の製造方法
SU924063A1 (ru) Способ изготовления селективной мембраны i ♦
JPH0778629B2 (ja) ポジ型レジスト膜及びそのレジストパターンの形成方法
JPH06168937A (ja) シリコン酸化膜の製造方法
EP0054189A1 (en) Improved photochemical vapor deposition method
US4291318A (en) Amorphous silicon MIS device
GB2192644A (en) Transparent conductive film and the production thereof
JPS60197730A (ja) ポリイミド膜の形成方法
US3518134A (en) Gaseous etching of molybdenum
JPS5940525A (ja) 成膜方法
JPH03769B2 (ru)
JPS63477A (ja) 酸化タンタル薄膜の製法
JPH079059B2 (ja) 炭素薄膜の製造方法
JPH0420982B2 (ru)
JPS587058B2 (ja) サンカケイソハクマクノ セイゾウホウホウ
US3854992A (en) Process for depositing electrically conductive indium oxide coatings on a substrate
JPS61216318A (ja) 光cvd装置
JP2545818B2 (ja) レジスト膜及びそのレジストパタ−ンの形成方法
JPS61256625A (ja) 薄膜半導体素子の製造方法